一種低溫多晶硅tft陣列基板的制作方法及相應(yīng)裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種低溫多晶硅TFT陣列基板的制作方法及相應(yīng)裝置，用以解決目前常見的LTPS工藝，制作工藝較為復(fù)雜，一般需進行10?11道光刻工藝，增加了低溫多晶硅顯示設(shè)備的生產(chǎn)成本的問題。該方法包括：在襯底基板上依次形成像素電極、遮光層、低溫多晶硅有源層、柵極、層間絕緣層、源漏極、以及公共電極的圖形；其中通過一道構(gòu)圖工藝形成像素電極和遮光層的圖形。本發(fā)明的制作方法中，能夠通過一道構(gòu)圖工藝形成像素電極層和遮光層的圖形，且在整個陣列基板的制作過程僅需要通過六道構(gòu)圖工藝來實現(xiàn)，相比于現(xiàn)有技術(shù)中需進行10?11道光刻工藝，減少了LTPS工藝使用的掩膜版數(shù)量，簡化了制程，并降低了生產(chǎn)成本。
【專利說明】
一種低溫多晶硅TFT陣列基板的制作方法及相應(yīng)裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示面板領(lǐng)域，尤其涉及一種低溫多晶硅TFT陣列基板的制作方法及相應(yīng)裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在各種顯示裝置的像素單元中，通過施加驅(qū)動電壓來驅(qū)動顯示裝置的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)被大量使用。在TFT的有源層一直使用穩(wěn)定性和加工性較好的非晶硅(a-Si)材料，但非晶硅本身自有的缺陷問題，如缺陷太多導(dǎo)致的開態(tài)電流低、迀移率低、穩(wěn)定性差，使它在很多領(lǐng)域收到了限制，為了彌補非晶硅本身缺陷，擴大在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用，低溫多晶娃(Low Temperature Poly-Si I icon，LTPS)技術(shù)應(yīng)運而生。采用LTPS工藝的液晶顯示裝置由于具有較高的電子迀移率，能夠有效減小TFT的面積以提升像素的開口率，并且在增強顯示亮度的同時能夠降低功耗及生產(chǎn)成本，目前已成為液晶顯示領(lǐng)域的研究熱點。但是現(xiàn)有LTPS工藝中，制作工藝較為復(fù)雜，一般需進行10-11道光刻工藝，增加了低溫多晶硅顯示設(shè)備的生產(chǎn)成本。
[0003]綜上所述，目前常見的LTPS工藝，制作工藝較為復(fù)雜，一般需進行10-11道光刻工藝，增加了低溫多晶硅顯示設(shè)備的生產(chǎn)成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實施例提供的一種低溫多晶硅TFT陣列基板的制作方法及相應(yīng)裝置，用以解決目前常見的LTPS工藝，制作工藝較為復(fù)雜，一般需進行10-11道光刻工藝，增加了低溫多晶硅顯示設(shè)備的生產(chǎn)成本的問題。
[0005]本發(fā)明實施例提供的一種低溫多晶硅TFT陣列基板的制作方法，包括:
[0006]在襯底基板上依次形成像素電極、遮光層、低溫多晶硅有源層、柵極、層間絕緣層、源漏極、以及公共電極的圖形;其中，
[0007]通過一道構(gòu)圖工藝形成所述像素電極和所述遮光層的圖形。
[0008]本發(fā)明實施例提供的低溫多晶硅TFT陣列基板的制作方法中，能夠通過一道構(gòu)圖工藝形成像素電極層和遮光層的圖形，且在整個陣列基板的制作過程僅需要通過六道構(gòu)圖工藝來實現(xiàn)，相比于現(xiàn)有技術(shù)中需進行10-11道光刻工藝，減少了 LTPS工藝使用的掩膜版數(shù)量，簡化了制程，并降低了生產(chǎn)成本。
[0009]較佳的，所述通過一道構(gòu)圖工藝形成所述像素電極和所述遮光層的圖形，具體包括:
[0010]在襯底基板上依次形成透明導(dǎo)電薄膜、遮光金屬薄膜和光刻膠，使用掩膜板對所述光刻膠曝光顯影，得到光刻膠完全去除區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域以及光刻膠完全保留區(qū)域;所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于形成像素電極的圖形區(qū)域，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于形成遮光層的圖形區(qū)域；
[0011]利用所述光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠的遮擋，去除掉所述光刻膠完全去除區(qū)域的透明導(dǎo)電薄膜和遮光金屬薄膜；
[0012]采用灰化工藝去除掉所述光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠，同時減薄光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠；
[0013]采用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠部分保留區(qū)域的遮光金屬薄膜，得到所述遮光層的圖形；
[0014]剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，得到所述像素電極和所述遮光層的圖形。
[0015]較佳的，所述掩膜版為半色調(diào)掩膜板或灰色調(diào)掩膜板。
[0016]較佳的，在形成所述柵極的圖形的同時，形成位于公共電極過孔區(qū)域的第一金屬層。
[0017]較佳的，在形成所述源漏極的圖形的同時，形成位于所述第一金屬層和所述公共電極之間的第二金屬層。
[0018]較佳的，在襯底基板上形成層間絕緣層的圖形，具體包括:
[0019]在襯底基板上沉積層間絕緣層，對所述層間絕緣層進行圖案化處理，在所述層間絕緣層中形成用于連接所述源漏極和所述有源層的第一過孔和第二過孔，在所述層間絕緣層中形成用于連接所述源漏極和所述像素電極的第三過孔，在所述層間絕緣層中形成用于連接所述公共電極與所述第一金屬層和所述第二金屬層的第四過孔。
[0020 ]本發(fā)明實施例提供的一種低溫多晶硅TFT陣列基板，包括:
[0021]襯底基板，位于所述襯底基板上的像素電極，以及設(shè)置在所述像素電極上遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的遮光層;其中，所述遮光層在所述襯底基板上的正投影位于所述像素電極在所述襯底基板上的正投影內(nèi)；
[0022]位于所述遮光層上的低溫多晶硅有源層；
[0023]位于所述有源層上的柵極；
[0024]位于所述柵極上的層間絕緣層；
[0025]位于所述層間絕緣層上的源漏極，以及與所述源漏極設(shè)置在同一層的公共電極。
[0026]較佳的，該陣列基板還包括:設(shè)置在公共電極過孔區(qū)域的第一金屬層，以及設(shè)置在所述第一金屬層和所述公共電極之間的第二金屬層；
[0027]其中，所述第一金屬層與所述柵極同層設(shè)置;所述第二金屬層與所述源漏極同層設(shè)置;所述第二金屬層在所述襯底基板上的正投影位于所述第一金屬層在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。
[0028]較佳的，在所述層間絕緣層中設(shè)置有連接所述有源層和所述源漏極的第一過孔和第二過孔，在所述層間絕緣層中設(shè)置有連接所述像素電極和所述源漏極的第三過孔，在所述層間絕緣層中設(shè)置有連接所述第一金屬層和所述公共電極的第四過孔。
[0029]本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置，所述顯示裝置包括本發(fā)明實施例提供的上述低溫多晶硅TFT陣列基板。
【附圖說明】
[0030]圖1為本發(fā)明實施例提供的第一種低溫多晶硅TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖2為本發(fā)明實施例提供的一種低溫多晶硅TFT陣列基板的制作方法的步驟流程圖；
[0032]圖3a為本發(fā)明實施例提供的第一種制作像素電極和遮光層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖3b為本發(fā)明實施例提供的第二種制作像素電極和遮光層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖3c為本發(fā)明實施例提供的第三種制作像素電極和遮光層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖3d為本發(fā)明實施例提供的第四種制作像素電極和遮光層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖4為本發(fā)明實施例提供的第二種低溫多晶硅TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0037]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本發(fā)明一部分實施例，并不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0038]附圖中各層薄膜厚度和區(qū)域形狀大小不反映陣列基板的真實比例，目的只是示意說明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。
[0039]本發(fā)明實施例提供的一種低溫多晶硅TFT陣列基板的制作方法，包括以下步驟:在襯底基板上依次形成像素電極、遮光層、低溫多晶硅有源層、柵極、層間絕緣層、源漏極、以及公共電極的圖形;其中，通過一道構(gòu)圖工藝形成像素電極和遮光層的圖形。
[0040]如圖1所示，為本發(fā)明實施例提供的第一種低溫多晶硅TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。該低溫多晶硅TFT陣列基板為通過上述方法制作的陣列基板，其中，在襯底基板100上通過第一道構(gòu)圖工藝形成像素電極101和遮光層102的圖形;通過第二道構(gòu)圖工藝形成低溫多晶硅有源層103的圖形;通過第三道構(gòu)圖工藝形成柵極104;通過第四道構(gòu)圖工藝形成層間絕緣層105上過孔的圖形;通過第五道構(gòu)圖工藝形成源漏極106的圖形;通過第六道構(gòu)圖工藝形成公共電極107的圖形。
[0041]在具體實施時，本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制作方法中，可以通過六道構(gòu)圖工藝，依次在襯底基板上形成像素電極和遮光層的圖形，低溫多晶硅有源層的圖形，柵極的圖形，層間絕緣層上的過孔圖形，源漏極的圖形，以及公共電極的圖形。
[0042]目前，常見的LTPS工藝，制作工藝較為復(fù)雜，一般需進行10-11道光刻工藝，增加了低溫多晶硅顯示設(shè)備的生產(chǎn)成本。
[0043]基于此，本發(fā)明實施例提供的上述低溫多晶硅TFT陣列基板的制作方法中，能夠通過一道構(gòu)圖工藝形成像素電極層和遮光層的圖形，且在整個陣列基板的制作過程僅需要通過六道構(gòu)圖工藝來實現(xiàn)，相比于現(xiàn)有技術(shù)中需進行10-11道光刻工藝，減少了 LTPS工藝使用的掩膜版數(shù)量，簡化了制程，并降低了生產(chǎn)成本。
[0044]具體地，在具體實施時，本發(fā)明實施例提供的上述低溫多晶硅TFT陣列基板的制作方法中，通過一道構(gòu)圖工藝形成像素電極和遮光層的圖形，如圖2所示，為本發(fā)明實施例提供的一種低溫多晶硅TFT陣列基板的制作方法的步驟流程圖，具體可以采用如下步驟實現(xiàn):
[0045]步驟201，在襯底基板上依次形成透明導(dǎo)電薄膜、遮光金屬薄膜和光刻膠，使用掩膜板對光刻膠曝光顯影，得到光刻膠完全去除區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域以及光刻膠完全保留區(qū)域;光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于形成像素電極的圖形區(qū)域，光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于形成遮光層的圖形區(qū)域；
[0046]步驟202，利用光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠的遮擋，去除掉光刻膠完全去除區(qū)域的透明導(dǎo)電薄膜和遮光金屬薄膜；
[0047]步驟203，采用灰化工藝去除掉光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠，同時減薄光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠；
[0048]步驟204，采用刻蝕工藝去除掉光刻膠部分保留區(qū)域的遮光金屬薄膜；
[0049]步驟205，剝離光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，得到像素電極和遮光層的圖形。
[0050]在具體實施時，在實現(xiàn)上述步驟201時，在襯底基板100上依次形成透明導(dǎo)電薄膜1010、遮光金屬薄膜1020和光刻膠200，如圖3a所示，為本發(fā)明實施例提供的第一種制作像素電極和遮光層的結(jié)構(gòu)示意圖，具體可以利用磁控濺射先沉積一定厚度的透明導(dǎo)電薄膜1010、遮光金屬薄膜1020，并在遮光金屬薄膜1020上形成一整層的光刻膠200。
[0051]進一步的，在形成光刻膠200之后，使用掩膜板300對光刻膠200曝光顯影，以便得到光刻膠完全去除區(qū)域a、光刻膠部分保留區(qū)域b以及光刻膠完全保留區(qū)域c;其中，三個區(qū)域a、b和c的大小，可以根據(jù)各個膜層圖形的大小進行調(diào)整，光刻膠完全去除區(qū)域a對應(yīng)于形成像素電極的圖形區(qū)域，光刻膠完全保留區(qū)域c對應(yīng)于形成遮光層的圖形區(qū)域；如圖3a所示，較佳的，上述使用的掩膜版300可以為半色調(diào)掩膜板或灰色調(diào)掩膜板。
[0052]在具體實施時，在實現(xiàn)上述步驟202時，如圖3b所示，為本發(fā)明實施例提供的第二種制作像素電極和遮光層的結(jié)構(gòu)示意圖，可以利用對光刻膠曝光顯影得到的光刻膠完全保留區(qū)域c和光刻膠部分保留區(qū)域b的光刻膠的遮擋，去除掉光刻膠完全去除區(qū)域a的透明導(dǎo)電薄膜和遮光金屬薄膜;具體地，可以分別采用不同的刻蝕方式對透明導(dǎo)電薄膜和遮光金屬薄膜進行刻蝕，也可以同時對透明導(dǎo)電薄膜和遮光金屬薄膜進行刻蝕;此時，刻蝕之后形成的透明導(dǎo)電薄膜的圖形即為像素電極的圖形。
[0053]在具體實施時，在實現(xiàn)上述步驟203時，如圖3c所示，為本發(fā)明實施例提供的第三種制作像素電極和遮光層的結(jié)構(gòu)示意圖，可以采用灰化工藝，去除掉光刻膠部分保留區(qū)域b的全部光刻膠，同時要減薄光刻膠完全保留區(qū)域c的光刻膠，以便露出光刻膠部分保留區(qū)域b處的遮光金屬薄膜。之后，在實現(xiàn)上述步驟104時，采用刻蝕工藝去除掉光刻膠部分保留區(qū)域b處的遮光金屬薄膜，剩余的金屬薄膜即為刻蝕得到的遮光層的圖形。
[0054]在具體實施時，在實現(xiàn)上述步驟201-204之后，執(zhí)行步驟205，即將剩余的所有光刻膠(即光刻膠完全保留區(qū)域c)剝離，進而得到像素電極和遮光層的圖形，如圖3d所示，為本發(fā)明實施例提供的第四種制作像素電極和遮光層的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0055]為了降低公共電極的接觸電阻，可以在公共電極過孔區(qū)域設(shè)置金屬層，如圖1所示；較佳的，在形成柵極的圖形的同時，形成位于公共電極過孔區(qū)域的第一金屬層108。同時，較佳的，在形成源漏極的圖形的同時，形成位于第一金屬層108和公共電極107之間的第二金屬層109。
[0056]在具體實施時，上述第一金屬層108與柵極的圖形同層設(shè)置，第二金屬層109與源漏極的圖形形同層設(shè)置，兩者的大小可以根據(jù)需要進行設(shè)置;也可以根據(jù)需要不設(shè)置第一金屬層108和第二金屬層109，或者是只設(shè)置其中一個金屬層。由于公共電極過孔區(qū)域采用柵極金屬材料、源漏極金屬材料與公共電極材料搭接而成，可以起到降低接觸電阻和走線電阻的作用，降低了器件的功耗。
[0057]在具體實施時，上述層間絕緣層的圖形即為在層間絕緣層105上制作過孔，如圖4所示，為本發(fā)明實施例提供的第二種低溫多晶硅TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；較佳的，在襯底基板上形成層間絕緣層105的圖形，具體包括:在襯底基板上沉積層間絕緣層105，對層間絕緣層105進行圖案化處理，在層間絕緣層中形成用于連接源漏極和有源層的第一過孔11和第二過孔12，在層間絕緣層中形成用于連接源漏極和像素電極的第三過孔13，在層間絕緣層中形成用于連接公共電極與第一金屬層108和第二金屬層109的第四過孔14。
[0058]其中，第一過孔11用于連接有源層的一端與源極(或漏極)，第二過孔12用于連接有源層的另一端與漏極(或源極)的一端，第三過孔13用于連接漏極(或源極)的另一端與像素電極，第四過孔14用于連接公共電極與第一金屬層108和第二金屬層109。每個過孔的大小和位置，都可以根據(jù)實際需要進行調(diào)整，在此不做具體限定。
[0059]基于同一發(fā)明構(gòu)思，如圖1所示，本發(fā)明實施例提供的一種低溫多晶硅TFT陣列基板，包括:
[0060]襯底基板100，位于襯底基板100上的像素電極101，以及設(shè)置在像素電極101上遠(yuǎn)離襯底基板100—側(cè)的遮光層102;其中，遮光層102在襯底基板100上的正投影位于像素電極101在襯底基板100上的正投影內(nèi)；
[0061]位于遮光層上102的低溫多晶硅有源層103;
[0062]位于有源層103上的柵極104;
[0063]位于柵極104上的層間絕緣層105;
[0064]位于層間絕緣層105上的源漏極106，以及與源漏極106設(shè)置在同一層的公共電極107。
[0065]較佳的，該陣列基板還包括:設(shè)置在公共電極過孔區(qū)域的第一金屬層108，以及設(shè)置在第一金屬層108和公共電極之間107的第二金屬層109;其中，第一金屬層108與柵極104同層設(shè)置;第二金屬層109與源漏極106同層設(shè)置;第二金屬層109與源漏極106同層設(shè)置;第二金屬層109在襯底基板100上的正投影位于第一金屬層108在襯底基板100上的正投影內(nèi)。
[0066]較佳的，在層間絕緣層105中設(shè)置有連接有源層103和源漏極106的第一過孔11和第二過孔12，在層間絕緣層中設(shè)置有連接像素電極101和源漏極106的第三過孔13，在層間絕緣層105中設(shè)置有連接第一金屬層108和公共電極107的第四過孔14。
[0067]基于同一構(gòu)思，本發(fā)明實施例中還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括本發(fā)明實施例中提供的任一低溫多晶硅TFT陣列基板。該顯示裝置可以為:手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。由于該顯示裝置解決問題的原理與本發(fā)明實施例一種低溫多晶硅TFT陣列基板相似，因此該顯示裝置的實施可以參見低溫多晶硅TFT陣列基板的實施，重復(fù)之處不再贅述。
[0068]綜上所述，本發(fā)明實施例提供的低溫多晶硅TFT陣列基板的制作方法中，能夠通過一道構(gòu)圖工藝形成像素電極層和遮光層的圖形，且在整個陣列基板的制作過程僅需要通過六道構(gòu)圖工藝來實現(xiàn)，相比于現(xiàn)有技術(shù)中需進行10-11道光刻工藝，減少了 LTPS工藝使用的掩膜版數(shù)量，簡化了制程，并降低了生產(chǎn)成本。同時，本發(fā)明實施例提供的低溫多晶硅TFT陣列基板的制作方法，由于陣列基板結(jié)構(gòu)的變化，像素電極與柵極和源漏極的極間距較大，不需要樹脂絕緣層工藝，相比于現(xiàn)有技術(shù)，節(jié)省了樹脂絕緣層工藝，降低材料耗材成本。
[0069]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種低溫多晶硅TFT陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在襯底基板上依次形成像素電極、遮光層、低溫多晶硅有源層、柵極、層間絕緣層、源漏極、以及公共電極的圖形;其中， 通過一道構(gòu)圖工藝形成所述像素電極和所述遮光層的圖形。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述通過一道構(gòu)圖工藝形成所述像素電極和所述遮光層的圖形，具體包括: 在襯底基板上依次形成透明導(dǎo)電薄膜、遮光金屬薄膜和光刻膠，使用掩膜板對所述光刻膠曝光顯影，得到光刻膠完全去除區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域以及光刻膠完全保留區(qū)域；所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于形成像素電極的圖形區(qū)域，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于形成遮光層的圖形區(qū)域； 利用所述光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠的遮擋，去除掉所述光刻膠完全去除區(qū)域的透明導(dǎo)電薄膜和遮光金屬薄膜； 采用灰化工藝去除掉所述光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠，同時減薄光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠； 采用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠部分保留區(qū)域的遮光金屬薄膜； 剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，得到所述像素電極和所述遮光層的圖形。3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述掩膜版為半色調(diào)掩膜板或灰色調(diào)掩膜板。4.如權(quán)利要求1-3任一項所述的方法，其特征在于，在形成所述柵極的圖形的同時，形成位于公共電極過孔區(qū)域的第一金屬層。5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在形成所述源漏極的圖形的同時，形成位于所述第一金屬層和所述公共電極之間的第二金屬層。6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在襯底基板上形成層間絕緣層的圖形，具體包括: 在襯底基板上沉積層間絕緣層，對所述層間絕緣層進行圖案化處理，在所述層間絕緣層中形成用于連接所述源漏極和所述有源層的第一過孔和第二過孔，在所述層間絕緣層中形成用于連接所述源漏極和所述像素電極的第三過孔，在所述層間絕緣層中形成用于連接所述公共電極與所述第一金屬層和所述第二金屬層的第四過孔。7.一種低溫多晶硅TFT陣列基板，其特征在于，包括: 襯底基板，位于所述襯底基板上的像素電極，以及設(shè)置在所述像素電極上遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的遮光層;其中，所述遮光層在所述襯底基板上的正投影位于所述像素電極在所述襯底基板上的正投影內(nèi)； 位于所述遮光層上的低溫多晶硅有源層； 位于所述有源層上的柵極； 位于所述柵極上的層間絕緣層； 位于所述層間絕緣層上的源漏極，以及與所述源漏極設(shè)置在同一層的公共電極。8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，該陣列基板還包括:設(shè)置在公共電極過孔區(qū)域的第一金屬層，以及設(shè)置在所述第一金屬層和所述公共電極之間的第二金屬層； 其中，所述第一金屬層與所述柵極同層設(shè)置;所述第二金屬層與所述源漏極同層設(shè)置；所述第二金屬層在所述襯底基板上的正投影位于所述第一金屬層在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。9.如權(quán)利要求7-8任一項所述的陣列基板，其特征在于，在所述層間絕緣層中設(shè)置有連接所述有源層和所述源漏極的第一過孔和第二過孔，在所述層間絕緣層中設(shè)置有連接所述像素電極和所述源漏極的第三過孔，在所述層間絕緣層中設(shè)置有連接所述第一金屬層和所述公共電極的第四過孔。10.—種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權(quán)利要求7-9任一項所述的低溫多晶硅TFT陣列基板。
【文檔編號】H01L27/15GK106024813SQ201610647282
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年8月9日
【發(fā)明人】賀芳, 崔承鎮(zhèn)
【申請人】京東方科技集團股份有限公司