帶電粒子束裝置用試樣架和帶電粒子束裝置的制造方法
【專(zhuān)利摘要】在能量色散型X射線EDX分析中，由于檢測(cè)器的大面積化等，產(chǎn)生檢測(cè)的信號(hào)的峰/背比降低的問(wèn)題。為了解決上述問(wèn)題，在本發(fā)明中，提供一種試樣架以及應(yīng)用了該試樣架的帶電粒子束裝置，試樣架的特征在于，具備：主體部，其保持試樣(301)；試樣壓板部(103)，其可自由裝卸地設(shè)置在上述主體部，通過(guò)安裝到該主體部來(lái)固定在該主體部保持的試樣(301)，上述試樣壓板部(103)具有：第一孔(107)，其用于使帶電粒子束(106)經(jīng)過(guò)；第二孔(108)，其向檢測(cè)器(102)只導(dǎo)入從上述試樣(301)產(chǎn)生的信號(hào)(302)中的特定的信號(hào)(303)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
帶電粒子束裝置用試樣架和帶電粒子束裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種帶電粒子束裝置用試樣架和帶電粒子束裝置，特別涉及對(duì)于使用了特征X射線的分析的高精度化具有幫助的試樣架以及使用該試樣架的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]作為使用了電子顯微鏡等帶電粒子束裝置的試樣的組成分析之一，具有能量色散X射線分光法(Energy Dispersive X-ray Spectrometry:以下稱為EDX)，其通過(guò)X射線檢測(cè)器檢測(cè)通過(guò)向試樣照射電子束而產(chǎn)生的特征X射線，并且在觀察圖像的同時(shí)進(jìn)行與觀察視野對(duì)應(yīng)的微小區(qū)域的組成分析。
[0003]作為EDX用檢測(cè)器，到目前為止使用Si(Li)半導(dǎo)體檢測(cè)器(Si(Li)SemiC0ndUCt0rDetector:以下稱為SSD檢測(cè)器)。另外，近年來(lái)新開(kāi)發(fā)了硅漂移探測(cè)器(Silicon DriftDetector:以下稱為SSD檢測(cè)器)，由于其優(yōu)越的特性從而期待變高。
[0004]SSD檢測(cè)器不需要冷卻用液氮，因此能夠比較自由地設(shè)計(jì)檢測(cè)元件部的形狀和大小，與物鏡的形狀相匹配地不發(fā)生干擾地縮短與試樣之間的間隔。因此，通過(guò)使用SSD檢測(cè)器進(jìn)行分析，能夠大立體角度地取入X射線，實(shí)現(xiàn)更高靈敏度、高能量分辨率的分析。
[0005]一般在分析時(shí)，在EDX檢測(cè)器中，在檢測(cè)元件緊前設(shè)置被稱為準(zhǔn)直器(Collimator)的光圈，從而屏蔽來(lái)自試樣上的電子束入射點(diǎn)以外的散射X射線。
[0006]在專(zhuān)利文獻(xiàn)I中，說(shuō)明了EDX檢測(cè)器，為了在EDX分析中精度良好地檢測(cè)希望的X射線，該m)x檢測(cè)器具備準(zhǔn)直器，該準(zhǔn)直器具有除了屏蔽散射X射線，還阻止由于電子束與極片的碰撞而產(chǎn)生的系統(tǒng)峰值的入射的機(jī)構(gòu)。
[0007]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0008]專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0009]專(zhuān)利文獻(xiàn)I:日本特開(kāi)2003-161710號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]發(fā)明要解決的問(wèn)題
[0011]但是，近年來(lái)，為了檢測(cè)器的高功能化、高分辨率化，檢測(cè)元件的面積變大，從而同時(shí)取入各種特征X射線。隨著該檢測(cè)元件成為大的面積，散射X射線相對(duì)于從試樣的電子束入射點(diǎn)得到的特征X射線的比例處于越來(lái)越增加的傾向。特別在使用了大面積的SDD檢測(cè)器的情況下，該傾向顯著。在專(zhuān)利文獻(xiàn)I記載的構(gòu)造中，在配置的結(jié)構(gòu)方面，在試樣與準(zhǔn)直器之間需要某種程度的距離，因此能夠限制的散射X射線的角度有限。當(dāng)散射X射線的比例增加時(shí)，EDX光譜的P/B比(Peak-to-Background Ratiο峰背比)降低，難以分析微量元素。
[0012]本發(fā)明的目的在于，提供一種試樣架以及具備該試樣架的帶電粒子束裝置，該試樣架能夠高效地屏蔽在Η)Χ分析中產(chǎn)生的散射X射線等，實(shí)現(xiàn)高Ρ/Β比。
[0013]解決問(wèn)題的方案
[0014]作為用于達(dá)成上述目的的一個(gè)方式，本發(fā)明提供一種試樣架以及應(yīng)用了該試樣架的裝置，該試樣架是插入帶電粒子束裝置的試樣架，該帶電粒子束裝置具備:帶電粒子源，其產(chǎn)生向試樣照射的帶電粒子束;檢測(cè)器，其檢測(cè)通過(guò)照射該帶電粒子束而從上述試樣產(chǎn)生的信號(hào)，該試樣架的特征在于，具備:主體部，其保持上述試樣;試樣壓板部，其可自由裝卸地設(shè)置在上述主體部，通過(guò)將其安裝到該主體部來(lái)固定由該主體部保持的試樣，上述試樣壓板部具有:第一孔，其被設(shè)置在與上述帶電粒子源相對(duì)的面上，用于使上述帶電粒子束通過(guò);第二孔，其設(shè)置在與上述檢測(cè)器相對(duì)的面上，向上述檢測(cè)器只導(dǎo)入從上述試樣產(chǎn)生的信號(hào)中的特定的信號(hào)。
[0015]發(fā)明效果
[0016]根據(jù)上述一方式，能夠在更接近試樣的位置屏蔽散射X射線，因此能夠使可限制該散射X射線的角度變窄，從而高效地屏蔽在Η)Χ分析中產(chǎn)生的散射X射線，實(shí)現(xiàn)高的P/B比。
【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1表示實(shí)施例1的帶電粒子束裝置的試樣架、EDX檢測(cè)器的外觀。
[00? 8]圖2表不實(shí)施例1的試樣壓板安裝時(shí)的情況。
[0019]圖3說(shuō)明通過(guò)實(shí)施例1的試樣壓板屏蔽從試樣產(chǎn)生的散射X射線等的情況。
[0020]圖4說(shuō)明實(shí)施例1的試樣壓板的屏蔽效果。
[0021]圖5是表示實(shí)施例1的試樣架和檢測(cè)器之間的配置關(guān)系的俯視圖。
[0022]圖6表不應(yīng)用了本實(shí)施方式的試樣架的透射電子顯微鏡的結(jié)構(gòu)。
[0023]圖7表不應(yīng)用了本實(shí)施方式的試樣架的掃描電子顯微鏡的結(jié)構(gòu)。
[0024]圖8表不實(shí)施例3的試樣壓板的結(jié)構(gòu)的圖。
[0025]圖9表示實(shí)施例4的大塊試樣的試樣保持部件的結(jié)構(gòu)。
[0026]圖10表示實(shí)施例5的試樣架的結(jié)構(gòu)。
[0027]圖11是表示本實(shí)施方式的EDX分析的光譜結(jié)果的圖表。
[0028]圖12是表示本實(shí)施方式的EDX分析的試樣傾斜角度與P/B比之間的關(guān)系的圖表。
[0029]圖13是表示本實(shí)施方式的EDX分析的試樣傾斜角度的最佳化步驟的例子的流程圖。
[0030]圖14是表示本實(shí)施方式的EDX分析的試樣臺(tái)的各軸的最佳化步驟的例子的流程圖。
[0031]圖15表示本實(shí)施方式的EDX分析的試樣觀察條件的顯示的一個(gè)例子。
[0032]圖16表不本實(shí)施方式的EDX分析用試樣制作的一個(gè)例子。
[0033]圖17表不本實(shí)施方式的EDX分析用試樣制作條件的顯不的一個(gè)例子。
[0034]圖18是表示使用本實(shí)施方式的多個(gè)電子顯微鏡裝置、試樣架進(jìn)行EDX分析時(shí)的動(dòng)作的流程圖。
[0035]圖19是表示使用本實(shí)施方式的多個(gè)電子顯微鏡、EDX檢測(cè)器進(jìn)行EDX分析時(shí)的動(dòng)作的流程圖。
[0036]圖20是表示本實(shí)施方式的試樣架的移動(dòng)機(jī)構(gòu)的立體圖。
[0037]圖21是表示實(shí)施例6的試樣壓板的結(jié)構(gòu)的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038]實(shí)施例1
[0039]在本實(shí)施例中，說(shuō)明基本的實(shí)施方式。
[0040][裝置結(jié)構(gòu)]
[0041]圖6是本實(shí)施方式的透射電子顯微鏡的結(jié)構(gòu)圖的例子。電子顯微鏡裝置600主要由以下構(gòu)成:電子槍601、聚光透鏡603、物鏡604、投射透鏡605、透射電子檢測(cè)器606、透鏡電源607、透射電子檢測(cè)器控制部608、整體控制部609、計(jì)算機(jī)610、試樣架主體部611、試樣612、試樣壓板613、試樣架控制部614、EDX檢測(cè)器615、EDX檢測(cè)器控制部616。
[0042]聚光透鏡603、物鏡604、投射透鏡605分別與透鏡電源607連接，透鏡電源607與整體控制部609連接從而進(jìn)行通信。
[0043]透射電子檢測(cè)器606經(jīng)由透射電子檢測(cè)器控制部608與整體控制部609連接，從而進(jìn)行通?目。
[0044]EDX檢測(cè)器615經(jīng)由EDX檢測(cè)器控制部616與整體控制部609連接，從而進(jìn)行通信。
[0045]試樣架611經(jīng)由試樣架控制部614與整體控制部609連接，從而進(jìn)行通信。
[0046]整體控制部609與計(jì)算機(jī)610連接，從而進(jìn)行通信。計(jì)算機(jī)610具備:具有顯示器等顯示單元的輸出部；鼠標(biāo)、鍵盤(pán)等輸入部。
[0047]在此，在本實(shí)施方式的透射電子顯微鏡中，說(shuō)明了按照從整體控制部609發(fā)送的信號(hào)，透鏡電源607、透射電子檢測(cè)器控制部608、試樣架控制部614、EDX檢測(cè)器控制部616進(jìn)行各部分的控制的例子，但也可以將它們統(tǒng)一為一個(gè)控制部，另外，除此以外還可以包含控制各部分的動(dòng)作的控制部。
[0048]從電子槍601釋放的電子束602經(jīng)過(guò)聚光透鏡603照射在試樣架主體部611中裝載的試樣612。在試樣架主體部611中裝載了在未圖示的試樣網(wǎng)上配置的試樣612，并從試樣612上方安裝可裝卸的試樣壓板613。
[0049]在此，關(guān)于試樣壓板613的結(jié)構(gòu)，在本圖中省略了詳細(xì)說(shuō)明，但使用圖1在后面說(shuō)明。
[0050]當(dāng)電子束602照射到試樣612時(shí)，電子束602透射試樣612。透射的電子束612通過(guò)物鏡604成像，并通過(guò)投射透鏡605被放大。
[0051]然后，通過(guò)透射電子檢測(cè)器606檢測(cè)經(jīng)過(guò)了投射透鏡605的電子束602。透射電子檢測(cè)器606經(jīng)由透射電子檢測(cè)器控制部608將檢測(cè)出的電子作為信號(hào)發(fā)送給整體控制部609。
[0052]整體控制部609將接收到的信號(hào)變換為圖像，根據(jù)需要進(jìn)行圖像處理等。然后，將圖像數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)610的顯示單元上顯示。
[0053]在該透射電子圖像中，還可使用聚光后的電子束進(jìn)行EDX分析時(shí)的位置指定。
[0054]試樣架主體部611和試樣架控制部614具備試樣微動(dòng)機(jī)構(gòu)和傾斜機(jī)構(gòu)。通過(guò)調(diào)整該試樣微動(dòng)和傾斜機(jī)構(gòu)的動(dòng)作，能夠?qū)⒃嚇优渲玫匠蔀樽罴训姆治鰲l件的位置。
[0055]圖20是表示試樣架的移動(dòng)機(jī)構(gòu)的立體圖。X微動(dòng)機(jī)構(gòu)2001根據(jù)試樣架控制部614的指示，使試樣架100的試樣架主體部601向X方向移動(dòng)。Y微動(dòng)機(jī)構(gòu)2002根據(jù)試樣架控制部614的指示，使試樣架100的試樣架主體部601向Y方向移動(dòng)。
[0056]EDX檢測(cè)器615檢測(cè)通過(guò)向試樣612照射電子束602而產(chǎn)生的特征X射線，并將其發(fā)送至IjEDX檢測(cè)器控制部616。在EDX檢測(cè)器控制部616中例如使用分析儀等，在進(jìn)行了接收到的特征X射線的能量分選后，作為信號(hào)發(fā)送給整體控制部609。整體控制部609根據(jù)接收到的信號(hào)取得EDX光譜，并根據(jù)需要進(jìn)行能量修正處理、定量計(jì)算處理等數(shù)據(jù)處理。然后，將EDX光譜在計(jì)算機(jī)610的顯示單元上顯示。
[0057]圖7是本實(shí)施方式的掃描電子顯微鏡的結(jié)構(gòu)圖的例子。電子顯微鏡裝置700具備電子槍701、聚光透鏡703、透鏡電源707、整體控制部709、計(jì)算機(jī)710、試樣架主體部711、試樣712、試樣壓板713、試樣架控制部714、EDX檢測(cè)器715、EDX檢測(cè)器控制部716、掃描電極718、掃描電源719、二次電子/反射電子檢測(cè)器720、二次電子/反射電子檢測(cè)器控制部721。
[0058]聚光透鏡703與透鏡電源707連接，透鏡電源707與整體控制部709連接，從而進(jìn)行通信。
[0059]二次電子/反射電子檢測(cè)器720經(jīng)由二次電子/反射電子檢測(cè)器控制部721與整體控制部709連接，從而進(jìn)行通信。
[0060]EDX檢測(cè)器715經(jīng)由EDX檢測(cè)器控制部616與整體控制部709連接，從而進(jìn)行通信。
[0061]試樣架711經(jīng)由試樣架控制部714與整體控制部709連接，從而進(jìn)行通信。
[0062]掃描電極718經(jīng)由掃描電源719與整體控制部709連接，從而進(jìn)行通信。
[0063]整體控制部709與計(jì)算機(jī)710連接，從而進(jìn)行通信。計(jì)算機(jī)710具備:具有顯示器等顯示單元的輸出部；鼠標(biāo)、鍵盤(pán)等輸入部。
[0064]在此，在本實(shí)施方式的掃描電子顯微鏡中，說(shuō)明了按照從整體控制部709發(fā)送的信號(hào)，透鏡電源707、二次電子/反射電子檢測(cè)器控制部721、試樣架控制部714、EDX檢測(cè)器控制部716進(jìn)行各部分的控制的例子，但也可以將它們統(tǒng)一為一個(gè)控制部，另外，除此以外也可包含控制各部分的動(dòng)作的控制部。
[0065]從電子槍701釋放的電子束702經(jīng)過(guò)聚光透鏡703照射在試樣架主體部711中裝載的試樣712。掃描電極718使電子束702在試樣上掃描。在試樣架主體部711中裝載試樣712，并從試樣712上方裝配可裝卸的試樣壓板713。
[0066]在此，關(guān)于試樣壓板713的結(jié)構(gòu)，在本圖中省略了詳細(xì)說(shuō)明，但使用圖1在后面說(shuō)明。
[0067 ]當(dāng)電子束701照射試樣712時(shí)，從試樣712釋放二次電子、反射電子。在通過(guò)二次電子/反射電子檢測(cè)器720檢測(cè)二次電子、反射電子后，作為信號(hào)發(fā)送到二次電子/反射電子檢測(cè)器控制部721。在此，二次電子/反射電子檢測(cè)器控制部721具備信號(hào)放大單元，在對(duì)得到的信號(hào)進(jìn)行放大處理后，發(fā)送到整體控制部709。
[0068]整體控制部709將接收到的信號(hào)變換為圖像，根據(jù)需要進(jìn)行圖像處理等。然后，將圖像數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)710的顯示單元中進(jìn)行顯示。
[0069]在掃描電子顯微鏡中使用在掃描試樣面時(shí)釋放的二次電子、反射電子，因此所顯示的圖像是掃描圖像。還可利用該掃描圖像進(jìn)行EDX分析時(shí)的位置指定。另外，可以在掃描電子顯微鏡中具備透射電子檢測(cè)器，指定EDX分析時(shí)的位置從而能夠取得掃描透射電子顯微鏡圖像。
[0070]試樣架主體部711和試樣架控制部714具備未圖示的試樣微動(dòng)機(jī)構(gòu)和傾斜機(jī)構(gòu)。通過(guò)調(diào)整該試樣微動(dòng)和傾斜機(jī)構(gòu)的動(dòng)作，能夠?qū)⒃嚇优渲玫匠蔀樽罴训姆治鰲l件的位置。
[0071]在此，在圖20中，X微動(dòng)機(jī)構(gòu)2001根據(jù)試樣架控制部714的指示，使試樣架100的試樣架主體部701向X方向移動(dòng)。Y微動(dòng)機(jī)構(gòu)2002根據(jù)試樣架控制部714的指示，使試樣架100的試樣架主體部701向Y方向移動(dòng)。
[0072]EDX檢測(cè)器715檢測(cè)通過(guò)向試樣712照射電子束702而產(chǎn)生的特征X射線，并發(fā)送到EDX檢測(cè)器控制部716。在EDX檢測(cè)器控制部716中例如使用分析儀等，在進(jìn)行了接收到的特征X射線的能量分選后，作為信號(hào)發(fā)送到整體控制部709。整體控制部709根據(jù)接收到的信號(hào)取得EDX光譜，根據(jù)需要進(jìn)行能量修正處理、定量計(jì)算處理等數(shù)據(jù)處理。然后，將EDX光譜在計(jì)算機(jī)710的顯示單元上顯示。
[0073]在透射電子顯微鏡中，對(duì)薄膜試樣進(jìn)行觀察、分析，但在掃描電子顯微鏡中，除了薄膜以外，還對(duì)大塊試樣進(jìn)行觀察、分析。對(duì)于大塊試樣，通過(guò)在保持試樣的部件中具備準(zhǔn)直功能，能夠謀求提高P/B比。關(guān)于處理大塊試樣時(shí)的例子，在后面在實(shí)施例4中進(jìn)行說(shuō)明。
[0074](試樣架)
[0075]圖1表示本實(shí)施方式的帶電粒子束裝置的試樣架、EDX檢測(cè)器的外觀。
[0076]試樣架100由裝載試樣的試樣架主體部101、從上部固定裝載后的試樣的試樣壓板103構(gòu)成。
[0077]試樣壓板103在與電子槍105相對(duì)的面中具有用于使電子束106入射的第一孔107，在側(cè)面具有第二孔108，該第二孔108用于向EDX檢測(cè)器只導(dǎo)入通過(guò)照射電子束而從試樣產(chǎn)生的X射線中的目標(biāo)的特征X射線。即，第二孔108是用于選擇性地檢測(cè)經(jīng)過(guò)了試樣內(nèi)部的特征X射線的導(dǎo)入孔。在此，對(duì)于一個(gè)EDX檢測(cè)器102，至少需要一個(gè)以上的第二孔108。當(dāng)在試樣的上下左右存在多個(gè)EDX檢測(cè)器102時(shí)，在試樣壓板103上設(shè)置與各個(gè)檢測(cè)器對(duì)應(yīng)的第二孔108。關(guān)于第一孔107，與第二孔108的數(shù)量無(wú)關(guān)，只要有一個(gè)即可。關(guān)于第一孔107，可以預(yù)見(jiàn)直徑小的孔P/B比更高，因此理想的是在考慮可觀察的視野范圍的大小的同時(shí)盡可能設(shè)定得小。
[0078]在該圖中說(shuō)明的試樣壓板103能夠作為圖6中的試樣壓板613、圖7中的試樣壓板713來(lái)使用。
[0079]圖5是從上方觀看本實(shí)施方式的試樣架與檢測(cè)器之間的配置關(guān)系的圖。如該圖所示，配置檢測(cè)器102的檢測(cè)面，使其與試樣架主體部101上設(shè)置的試樣壓板103所具備的第二孔108相對(duì)。在該圖中，表示了 EDX檢測(cè)器102是一個(gè)的情況，但在具備多個(gè)檢測(cè)器的情況下，同樣地在與追加的Η)Χ檢測(cè)器102的檢測(cè)面相對(duì)的位置設(shè)置第二孔108。
[0080]圖2表示安裝試樣壓板時(shí)的情況。試樣壓板103具備能夠向試樣架主體部101進(jìn)行裝卸的結(jié)構(gòu)，在使用時(shí)如該圖所示，能夠以從試樣主體部101的上方嵌入的方式進(jìn)行安裝。
[0081]圖3說(shuō)明通過(guò)試樣壓板屏蔽從試樣產(chǎn)生的散射X射線等的情況。如本圖所示，從電子槍105釋放的電子束106經(jīng)過(guò)試樣壓板103所具有的第一孔107而照射到試樣301。在由于該照射而從試樣301在各種方向上產(chǎn)生的X射線302中，只有經(jīng)過(guò)了試樣壓板103所具有的第二孔108的特征X射線303被導(dǎo)入EDX檢測(cè)器102，沒(méi)有經(jīng)過(guò)第二孔108的其他的散射X射線被試樣壓板103屏蔽。
[0082]根據(jù)以上的方式，通過(guò)試樣架100的試樣壓板103所具備的結(jié)構(gòu)，能夠在更接近試樣的位置進(jìn)行準(zhǔn)直，因此還能夠省去通過(guò)現(xiàn)有的m)X檢測(cè)器102所具備的準(zhǔn)直器無(wú)法屏蔽的散射X射線、反射電子的檢測(cè)。
[0083]因此，P/B比提高，能夠改善試樣中包含的微量元素的檢測(cè)下限。
[0084]并且，在EDX檢測(cè)器102中設(shè)置有準(zhǔn)直器的情況下，在更換時(shí)，需要每次將試樣室向大氣開(kāi)放。但是，根據(jù)上述方式，能夠從帶電粒子束裝置取出試樣架100而容易地更換準(zhǔn)直器，因此還對(duì)提高分析的吞吐量有幫助。另外，在將本實(shí)施方式的試樣壓板103的屏蔽機(jī)構(gòu)和EDX檢測(cè)器102的準(zhǔn)直器組合使用的情況下，也可以通過(guò)前者屏蔽試樣附近的散射X射線等，因此作為結(jié)果能夠降低后者的更換頻度。
[0085]在此，通過(guò)上述方式的試樣壓板103的構(gòu)造，能夠如上所述那樣在更接近試樣的位置進(jìn)行準(zhǔn)直，因此不只是Η)Χ檢測(cè)器102所具備的準(zhǔn)直器，與投射透鏡系統(tǒng)的光圈相比，能夠更有效地切斷散射X射線等。
[0086]圖4說(shuō)明本實(shí)施方式的試樣壓板的屏蔽效果。(a)表示使用了本發(fā)明的實(shí)施方式的試樣壓板的情況，即通過(guò)試樣壓板側(cè)、EDX檢測(cè)器側(cè)分別具備的構(gòu)造的組合來(lái)進(jìn)行屏蔽的情況，(b)表示使用了現(xiàn)有的試樣壓板的情況，即只通過(guò)EDX檢測(cè)器側(cè)所具備的構(gòu)造進(jìn)行屏蔽的情況。
[0087]在試樣架主體部101上配置試樣301，并從上方通過(guò)試樣壓板103固定。當(dāng)向試樣301照射從電子槍105釋放的電子束106時(shí)，從試樣301向各個(gè)方向產(chǎn)生X射線。
[0088]檢測(cè)X射線的EDX檢測(cè)器403具備EDX檢測(cè)元件401、準(zhǔn)直器402。在只通過(guò)檢測(cè)元件401和準(zhǔn)直器402的組合進(jìn)行準(zhǔn)直的情況下，通過(guò)(a)、(b)所示的短虛線所形成的角度范圍β成為特征X射線的檢測(cè)對(duì)象區(qū)域。
[0089]在此，(b)所示的現(xiàn)有的試樣壓板405的作用只是簡(jiǎn)單地固定試樣，對(duì)于屏蔽散射X射線等的效果完全沒(méi)有作用。另一方面，在(a)所示的本發(fā)明的實(shí)施方式的試樣壓板103中，如上所述除了具有電子束106經(jīng)過(guò)的第一孔107，還具有向EDX檢測(cè)器403只導(dǎo)入目標(biāo)的特征X射線的第二孔108。通過(guò)該第二孔108形成的特征X射線的導(dǎo)入角度，即在本圖中由長(zhǎng)虛線形成的角度范圍α成為特征X射線的檢測(cè)對(duì)象區(qū)域，因此，能夠使檢測(cè)范圍比只通過(guò)上述EDX檢測(cè)器403的結(jié)構(gòu)進(jìn)行屏蔽時(shí)的角度范圍β更窄。
[0090]這樣在使用本實(shí)施方式的試樣壓板103的情況下，不只是屏蔽從試樣301產(chǎn)生的目標(biāo)的特征X射線以外的散射X射線、反射電子，還能夠防止檢測(cè)從物鏡404等試樣301以外的區(qū)域產(chǎn)生的不需要的X射線等、到目前為止無(wú)法屏蔽的散射X射線，能夠得到更高的準(zhǔn)直效果O
[0091]另外，關(guān)于本實(shí)施方式的試樣壓板103，不用伴隨EDX檢測(cè)器403、帶電粒子束裝置內(nèi)的透鏡的更換等大的變更，就能夠單個(gè)比較簡(jiǎn)單地進(jìn)行更換。由此，通過(guò)更換而變更試樣壓板103的第二孔108的直徑的大小、形狀、傾斜角度等條件，能夠調(diào)整EDX分析時(shí)的檢測(cè)立體角度。由此，在變更帶電粒子束裝置主體、EDX檢測(cè)器、或其組合的情況下，能夠比較簡(jiǎn)單并且低成本地進(jìn)行符合分析目的的條件設(shè)定。
[0092]并且，例如還能夠與成為EDX分析對(duì)象的試樣的組成對(duì)應(yīng)地變更構(gòu)成試樣壓板103的材質(zhì)自身。作為例子，有鋁、碳、銅、鈹、鋯等。關(guān)于試樣壓板103的材質(zhì)，在EDX光譜中作為系統(tǒng)峰值而出現(xiàn)。因此，能夠與分析條件對(duì)應(yīng)地，選擇盡可能使用試樣中可能包含的材質(zhì)以外的材質(zhì)而構(gòu)成的試樣壓板103。另外，優(yōu)選選擇適當(dāng)?shù)牟馁|(zhì)，使得試樣301中的組成的峰值的能量和試樣壓板103的系統(tǒng)峰值的能量不接近。例如，在關(guān)注元素為S-Ka: 2.3 IkeV時(shí)，為了避免Mo-La:2.29KeV的試樣壓板103，可以選擇由這以外的材質(zhì)構(gòu)成的試樣壓板103。除此以外，通過(guò)使試樣壓板103的材質(zhì)與試樣架主體部101、未圖示的試樣臺(tái)相同，也能夠?qū)DX光譜的系統(tǒng)峰值抑制為最小限度。
[0093]如此，能夠簡(jiǎn)單地僅安裝、更換試樣壓板103，因此還能夠容易地應(yīng)用于使用了既有的帶電粒子束裝置的m)x分析。
[0094]實(shí)施例2
[0095][EDX 分析]
[0096]在本實(shí)施例中，使用EDX分析結(jié)果說(shuō)明應(yīng)用了上述實(shí)施例1的試樣壓板103時(shí)的P/B提高效果。圖11是表示從N1x薄膜試樣取得的EDX分析結(jié)果的光譜的一個(gè)例子的圖表。在本圖表中，橫軸是能量范圍，縱軸是峰值的強(qiáng)度(計(jì)數(shù)數(shù))。
[0097]例如使用F1ri的式子(I)?(3)來(lái)計(jì)算EDX光譜的P/B比。
[0098]P/B = 50XP/B5oo……式(I)
[0099]P = P1-Bsoo……式(2)
[0100]Bsoo= (Bl+B2)/2……式(3)
[0101]P/B比(Peak to Background Rat1):峰背比
[0102]P1、p2(峰值):以N1-Ka峰值、N1-Ke峰值為中心的500eV的能量寬度中的計(jì)數(shù)數(shù)的累計(jì)值
[0103]B^B2(背景):圖11的仏上各自的能量寬度中的計(jì)數(shù)數(shù)的累計(jì)值
[0104]B5qq = BjPB2 的平均值
[0105]在此，N1-Ka峰值表示入射到試樣的電子進(jìn)行Ni的L殼—K殼移動(dòng)時(shí)檢測(cè)出的特征X射線，N1-Kb峰值表示入射到試樣的電子進(jìn)行Ni的M殼—K殼移動(dòng)時(shí)檢測(cè)出的特征X射線。
[0106]接著，圖12是表示應(yīng)用了本實(shí)施方式的試樣壓板103的EDX分析中的試樣傾斜角度和P/B比之間的關(guān)系的圖表。對(duì)于同一試樣，在使用了實(shí)施例1的具備屏蔽結(jié)構(gòu)的試樣壓板103的情況和使用不具備該機(jī)構(gòu)的(現(xiàn)有的)試樣壓板的情況下，分別進(jìn)行EDX分析來(lái)取得EDX光譜，將通過(guò)上述方法求出的P/B比和試樣的傾斜角度之間的關(guān)系描繪成本圖表。在本圖表中，橫軸是試樣的傾斜角度，縱軸是P/B比。
[0107]在具備屏蔽機(jī)構(gòu)的試樣壓板103中，通過(guò)使試樣的傾斜角度最佳化，表示了P/B比為極大的區(qū)域。另一方面，可知在不具備該機(jī)構(gòu)的試樣壓板405中，試樣傾斜角度的變化對(duì)于P/B比的影響小。另外，可知在具備屏蔽機(jī)構(gòu)的試樣壓板103中，與不具備該機(jī)構(gòu)的試樣壓板405相比，在P/B比極大的區(qū)域中改善了3成左右。
[0108]根據(jù)該結(jié)果，確認(rèn)了不改變?cè)嚇蛹艿慕Y(jié)構(gòu)，只應(yīng)用實(shí)施例1的試樣壓板103就能夠大幅改善P/B比。
[0109]圖13是表示用于設(shè)定最佳的EDX分析條件的試樣傾斜角度的調(diào)整步驟的例子的流程圖。首先，將實(shí)施例1的試樣壓板103安裝到裝載了試樣的試樣架主體部101，一邊使試樣傾斜，一邊向試樣照射電子束106來(lái)連續(xù)取得EDX光譜(SI301)。接著，根據(jù)得到的EDX光譜，針對(duì)試樣中的成為目標(biāo)的構(gòu)成元素求出P/B比，制作表示與試樣傾斜角度的關(guān)系的圖表(S1302)。然后，根據(jù)制作的圖表，再次向表示出極大值的試樣傾斜角度進(jìn)行移動(dòng)(S1303)，執(zhí)行點(diǎn)、線、面、定量、相分析這樣的目標(biāo)的EDX分析(SI304) ο也可以在決定最佳分析條件時(shí)，在污染、電子束損害顯著的試樣中，在分析希望區(qū)域的近旁求出最佳試樣傾斜角度后，實(shí)施目標(biāo)的EDX分析。試樣的傾斜角度的間隔與試樣臺(tái)的精度相關(guān)，但優(yōu)選通過(guò)試樣臺(tái)的最小步進(jìn)來(lái)進(jìn)行調(diào)整。但是，在該情況下，測(cè)定時(shí)間變長(zhǎng)，因此也可以在預(yù)定的分析時(shí)間內(nèi)，一邊以數(shù)秒為間隔取得EDX光譜，一邊連續(xù)地傾斜試樣，由此掌握大致的P/B比的變化。然后，在P/B比高的角度范圍內(nèi)，以更細(xì)致的傾斜角度的間隔，并且以更長(zhǎng)的EDX光譜取得時(shí)間再次進(jìn)行測(cè)定，由此能夠求出正確的極大坐標(biāo)。
[0110]在上述的說(shuō)明中，說(shuō)明了試樣的傾斜和P/B比之間的關(guān)系，但是由于試樣形狀、試樣臺(tái)坐標(biāo)的水平(X軸)、垂直(Y軸)、高度(Z軸)等各種參數(shù)的變化而使P/B比變化，因此也可以根據(jù)需要，使用試樣臺(tái)的微動(dòng)機(jī)構(gòu)等對(duì)試樣壓板103進(jìn)行微調(diào)整。
[0111]圖14是表示用于設(shè)定最佳的EDX分析條件的試樣臺(tái)的各軸的調(diào)整步驟的例子的流程圖。
[0112]首先，將實(shí)施例1的試樣壓板103安裝到裝載了試樣的試樣架主體部101，一邊分別使試樣臺(tái)的X、Y、Z軸以及傾斜軸變化一邊使試樣傾斜，同時(shí)向試樣照射電子束106來(lái)連續(xù)取得EDX光譜(SI401)。接著，根據(jù)得到的EDX光譜，針對(duì)試樣中的成為目標(biāo)的構(gòu)成要素求出P/B比，制作表示與試樣臺(tái)坐標(biāo)的關(guān)系的圖表(S1402)。然后，根據(jù)制作的圖表，再次向表示出極大值的試樣臺(tái)坐標(biāo)移動(dòng)(S1403 )，實(shí)施點(diǎn)、線、面、定量、相分析這樣的目標(biāo)的EDX分析(S1404)。
[0113]可以與在上述圖13中表示的例子同樣地，在決定最佳分析條件時(shí)，在污染、電子束損害顯著的試樣中，在分析希望區(qū)域的近旁求出最佳的試樣臺(tái)坐標(biāo)后，實(shí)施目標(biāo)的EDX分析。另外，使試樣臺(tái)坐標(biāo)變化的間隔與試樣臺(tái)的精度有關(guān)，但優(yōu)選通過(guò)試樣臺(tái)的最小步進(jìn)來(lái)改變坐標(biāo)。但是，在該情況下，測(cè)定時(shí)間變長(zhǎng)，因此可以在預(yù)定的分析時(shí)間內(nèi)，一邊以數(shù)秒為間隔取得Η)Χ光譜，一邊連續(xù)地移動(dòng)試樣臺(tái)，由此掌握大致的Ρ/Β比的變化。然后，在Ρ/Β比高的角度范圍內(nèi)，以更細(xì)致的試樣臺(tái)的坐標(biāo)間隔，并且以更長(zhǎng)的EDX光譜取得時(shí)間進(jìn)行再測(cè)定，由此能夠求出正確的極大坐標(biāo)。
[0114]圖15是對(duì)電子顯微鏡等帶電粒子束裝置進(jìn)行控制的控制軟件的StageControl(試樣臺(tái)坐標(biāo)控制)窗口的例子。Stage ControI窗口 1501由顯示試樣的當(dāng)前位置、存儲(chǔ)的位置、軌跡等的移動(dòng)范圍顯示部1502、顯示當(dāng)前位置的位置信息(Specimen posit1n)的位置信息顯示部1503構(gòu)成。在移動(dòng)范圍顯示部1502中，能夠顯示由于試樣架主體部101和試樣壓板103的組合而變化的可觀察范圍1504。另外，在可觀察范圍1504內(nèi)，還能夠顯示適合于EDX分析的坐標(biāo)范圍15 O 5。
[0115]圖16表示使用了用于取得良好的EDX光譜的FIB裝置(Focused 1n Beam聚焦粒子束，以下簡(jiǎn)稱為FIB)的試樣制作方法的一個(gè)例子。在通過(guò)FIB的微采樣等將試樣固定到(I)所示的試樣臺(tái)1601的方法中，例如如(2)的虛線圓圈所示，固定試樣1603使其收納在適于EDX分析的試樣臺(tái)的中心及其周邊的坐標(biāo)范圍1602內(nèi)。在固定試樣1603時(shí)，如(3)所示，通過(guò)操作器1604將試樣1603搬運(yùn)、固定在試樣臺(tái)1601。
[0116]當(dāng)在電子顯微鏡、FIB、離子顯微鏡等帶電粒子束裝置內(nèi)裝入操作器來(lái)制作試樣、搬運(yùn)試樣等時(shí)，如圖17所示，在控制軟件的Stage ControI(試樣臺(tái)坐標(biāo)控制)窗口 1701的移動(dòng)范圍顯示部1702中顯示適合于EDX分析的試樣固定位置的坐標(biāo)范圍1704。窗口 1701具有顯示當(dāng)前位置的位置信息的位置信息顯示部1703。另一方面，在不使用操作器等實(shí)施大塊狀的試樣的截?cái)嗉庸せ虮∧せ瘯r(shí)，使加工位置進(jìn)入適合于Η)Χ分析的坐標(biāo)范圍1704即可。
[0117]圖18是表示選擇、更換多個(gè)電子顯微鏡裝置或多個(gè)試樣架來(lái)進(jìn)行EDX分析時(shí)的操作步驟的流程圖。首先，選擇進(jìn)行EDX分析的電子顯微鏡裝置(S1801)。接著，選擇在選擇出的電子顯微鏡裝置的試樣臺(tái)中導(dǎo)入的試樣架100的種類(lèi)(S1802)。然后，選擇在選擇出的試樣架100的試樣架主體部101上安裝的試樣壓板103的種類(lèi)(S1803)。在此，可以通過(guò)上述試樣臺(tái)控制軟件向控制部發(fā)出指示，由此執(zhí)行試樣架100、試樣壓板103的選擇。接著，在窗口上顯示試樣臺(tái)的坐標(biāo)區(qū)域(S1804)，使其移動(dòng)到成為EDX分析對(duì)象的區(qū)域(S1805)。在此，對(duì)于EDX分析對(duì)象區(qū)域中的特別適合于分析的區(qū)域，也可以預(yù)先使用標(biāo)準(zhǔn)試樣等通過(guò)實(shí)驗(yàn)來(lái)求出，或者利用仿真等求出。在移動(dòng)試樣臺(tái)后，執(zhí)行目標(biāo)的Η)Χ分析(S1806)。
[0118]圖19是表示使用同一試樣以及同一試樣架通過(guò)多個(gè)電子顯微鏡裝置或EDX檢測(cè)器進(jìn)行EDX分析時(shí)的操作步驟的流程圖。首先，選擇進(jìn)行EDX分析的電子顯微鏡裝置(S1901)。接著，選擇在選擇出的電子顯微鏡裝置的試樣臺(tái)中導(dǎo)入的試樣架100的種類(lèi)(S1902)。然后，選擇在選擇出的試樣架100的試樣架主體部101上安裝的試樣壓板103的種類(lèi)(S1903)。在此，可以通過(guò)上述試樣臺(tái)控制軟件向控制部發(fā)出指示，由此執(zhí)行試樣架100、試樣壓板103的選擇。接著，在窗口上顯示試樣臺(tái)的坐標(biāo)區(qū)域(SI904)，使其移動(dòng)到成為EDX分析對(duì)象的區(qū)域(S1905)。在移動(dòng)試樣臺(tái)后，執(zhí)行目的的EDX分析(S1906)。然后，判斷是否通過(guò)其他的電子顯微鏡裝置執(zhí)行EDX分析(S1907)。在不執(zhí)行的情況下結(jié)束，在執(zhí)行的情況下，從實(shí)施了分析后的電子顯微鏡裝置取出試樣架100，將分析后的試樣壓板103與下一個(gè)EDX分析中使用的電子顯微鏡用試樣壓板103進(jìn)行更換(S1908)。然后，向進(jìn)行下一個(gè)EDX分析的電子顯微鏡裝置插入試樣架100，同樣地重復(fù)執(zhí)行EDX分析。
[0119]在該步驟中，適合于EDX分析的試樣臺(tái)坐標(biāo)區(qū)域根據(jù)電子顯微鏡裝置的物鏡形狀、EDX檢測(cè)器的元件等各種條件而不同，因此也可以使用標(biāo)準(zhǔn)試樣等預(yù)先在各個(gè)組合中進(jìn)行實(shí)驗(yàn)來(lái)求出，或者利用仿真等來(lái)求出。這樣與各個(gè)電子顯微鏡裝置和Η)Χ檢測(cè)器的組合相匹配地準(zhǔn)備多種試樣壓板103，由此在通過(guò)不同的裝置進(jìn)行分析時(shí)，只通過(guò)試樣壓板103的簡(jiǎn)單的更換動(dòng)作，就能夠進(jìn)行最佳的Η)Χ分析。
[0120]另外，不限于EDX分析，例如在FIB的試樣制作、電子顯微鏡的觀察、或分析等時(shí)，與目標(biāo)對(duì)應(yīng)地準(zhǔn)備各種形狀、材質(zhì)的試樣壓板103以便能夠更換，由此能夠簡(jiǎn)單地使觀察視野直徑、試樣傾斜限制、電子/離子束向試樣的入射方向的限制范圍等與各個(gè)處理對(duì)應(yīng)的條件最佳化。
[0121]在本實(shí)施例中所述的EDX檢測(cè)器除了能夠應(yīng)用于SDD以外，例如對(duì)于Si(Li)檢測(cè)器等也有效果。通過(guò)與EDX檢測(cè)器的檢測(cè)立體角度對(duì)應(yīng)地變更試樣壓板103的形狀，能夠取得最佳的m)x光譜。
[0122]另外，在上述實(shí)施方式中，說(shuō)明了向X射線分析的應(yīng)用例子，但是也能夠期待應(yīng)用于陰極發(fā)光(CL: Cathodoluminescence)等在真空中向試樣照射電子束時(shí)釋放的光的分析等。
[0123]實(shí)施例3
[0124]在上述實(shí)施例中說(shuō)明了試樣壓板具備散射X射線等的屏蔽機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，進(jìn)而說(shuō)明除了上述屏蔽機(jī)構(gòu)以外，還具備用于抑制向試樣照射不需要的電子束的機(jī)構(gòu)的試樣壓板的結(jié)構(gòu)。
[0125]圖8是表示實(shí)施例3的試樣壓板的結(jié)構(gòu)的圖。與實(shí)施例1的不同點(diǎn)在于，試樣壓板103所具有的第一孔107不具有傾斜，并且減小直徑。通過(guò)這樣構(gòu)成，如本圖所示，不需要的電子束801被試樣壓板103阻擋，不會(huì)照射到試樣301。能夠在更接近試樣的位置限制不需要的電子束801的照射，因此除了上述屏蔽效果以外，還能夠同時(shí)得到作為照射透鏡系統(tǒng)的光圈的效果。
[0126]實(shí)施例4
[0127]在本實(shí)施例中，說(shuō)明處理大塊試樣時(shí)的變形例子。圖9表示實(shí)施例4的試樣保持部件的結(jié)構(gòu)的圖。如本圖所示，代替上述實(shí)施例的試樣壓板103，而通過(guò)試樣保持部件902固定大塊試樣901。將試樣保持部件902構(gòu)成為覆蓋整個(gè)大塊試樣901，在與電子槍105相對(duì)的面具有用于使電子束106入射的第一孔903，在側(cè)面具有第二孔904，第二孔904用于屏蔽由于照射電子束而從大塊試樣901產(chǎn)生的散射X射線等。第二 904為用于選擇性地檢測(cè)從大塊試樣902產(chǎn)生的特征X射線的導(dǎo)入孔。
[0128]實(shí)施例5
[0129]在上述實(shí)施例中，說(shuō)明了在主要固定試樣的部件上具備散射X射線等的屏蔽機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，說(shuō)明在試樣架主體部具備該機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)。圖10表示具備屏蔽機(jī)構(gòu)的試樣架主體部101的結(jié)構(gòu)。試樣架主體部101在與電子槍105相對(duì)的面具有用于使電子束106入射的第一孔1001，在側(cè)面具有第二孔1002，第二孔1002用于屏蔽由于照射電子束而從試樣產(chǎn)生的散射X射線等。即，第二孔1002為用于選擇性地通過(guò)EDX檢測(cè)器102檢測(cè)經(jīng)過(guò)了試樣的內(nèi)部的特征X射線的導(dǎo)入孔。
[0130]實(shí)施例6
[0131]但是，在EDX分析中，有時(shí)要求更高的吞吐量。在本實(shí)施例中，說(shuō)明代替上述實(shí)施例的具備屏蔽機(jī)構(gòu)的試樣壓板103，而具備只將試樣301的一部分進(jìn)行固定的結(jié)構(gòu)的試樣壓板2101。圖21表示本實(shí)施例的試樣壓板的結(jié)構(gòu)。根據(jù)本圖所示的結(jié)構(gòu)，通過(guò)試樣壓板2101只固定了試樣301的一部分。即，刪除了 EDX檢測(cè)器102側(cè)的部分，從而不通過(guò)試樣壓板2101切斷從試樣301產(chǎn)生的X射線2102。因此，通過(guò)向試樣301照射從電子槍105釋放的電子束106而產(chǎn)生的X射線2102不被試樣壓板2101屏蔽，而向EDX檢測(cè)器102前進(jìn)。
[0132]說(shuō)明實(shí)現(xiàn)更高吞吐量的試樣壓板的結(jié)構(gòu)。
[0133]根據(jù)上述方式，與使用了在實(shí)施例1中說(shuō)明的試樣壓板103的EDX分析相比P/B比降低，但是能夠預(yù)見(jiàn)每秒計(jì)數(shù)(Counts per second:CPS)提高，因此能夠進(jìn)行分析對(duì)象試樣的大致組成的高速分析。另外，試樣傾斜對(duì)EDX光譜的影響小，因此對(duì)于需要使傾斜與電子束入射軸相符的晶體試樣等也有效。
[0134]此外，本發(fā)明并不限于上述實(shí)施例，包含各種變形例子。例如，為了容易理解地說(shuō)明本發(fā)明而詳細(xì)說(shuō)明了上述實(shí)施例，并不限于一定必須具備所說(shuō)明的全部結(jié)構(gòu)。另外，也可以將某實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的一部分置換為其他實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，另外也可以向某實(shí)施例追加其他實(shí)施例的結(jié)構(gòu)。另外，對(duì)于各實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的一部分，能夠進(jìn)行其他結(jié)構(gòu)的追加、刪除、置換。
[0135]另外，例如也可以通過(guò)以集成電路進(jìn)行設(shè)計(jì)等使用硬件實(shí)現(xiàn)上述各結(jié)構(gòu)、功能、處理部、處理單元等的一部分或全部。另外，也可以通過(guò)由處理器解釋并執(zhí)行實(shí)現(xiàn)各個(gè)功能的程序，使用軟件實(shí)現(xiàn)上述各結(jié)構(gòu)、功能等。可以將實(shí)現(xiàn)各功能的程序、表、文件等信息放置于存儲(chǔ)器、硬盤(pán)、SSD等記錄裝置、或IC卡、SD卡、DVD等記錄介質(zhì)中。
[0136]另外，控制線、信息線表示認(rèn)為在說(shuō)明上必要的部分，并不限于在產(chǎn)品上必定表示出全部的控制線、信息線。實(shí)際上也可以認(rèn)為將幾乎全部的結(jié)構(gòu)相互連接。
[0137]附圖標(biāo)記說(shuō)明
[0138]100:試樣架;101:試樣架主體部;102: EDX檢測(cè)器;103:試樣壓板;105:電子槍;106:電子束；107:(試樣壓板的)第一孔；108:(試樣壓板的)第二孔;301:試樣;302:從試樣產(chǎn)生的X射線；303:特征X射線；401: EDX檢測(cè)器;402:準(zhǔn)直器(EDX檢測(cè)器側(cè))；403: EDX檢測(cè)器;404:物鏡;405:現(xiàn)有的試樣壓板;600:電子顯微鏡裝置;601:電子槍;602:電子束;603:聚光透鏡;604:物鏡;605:投射透鏡;606:透射電子檢測(cè)器;607:透鏡電源;608:透射電子檢測(cè)器控制部;609:整體控制部;610:計(jì)算機(jī);611:試樣架主體部;612:試樣;613:試樣壓板；614:試樣架控制部;615:EDX檢測(cè)器;616:EDX檢測(cè)器控制部;700:電子顯微鏡裝置;701:電子槍;702:電子束;703:聚光透鏡；707:透鏡電源；709:整體控制部;710:計(jì)算機(jī);711:試樣架主體部;712:試樣;713:試樣壓板;714:試樣架控制部;715: EDX檢測(cè)器;716: EDX檢測(cè)器控制部;718:掃描電極;719:掃描電源;720: 二次電子/反射電子檢測(cè)器;721: 二次電子/反射電子檢測(cè)器控制部;801:不需要的電子束;901:大塊試樣;902:試樣保持試樣;903:(試樣保持部件的)第一孔;904:(試樣保持部件的)第二孔;1001:(試樣架的)第一孔;1002:(試樣架的)第二孔；1501:試樣臺(tái)坐標(biāo)控制窗口； 1502:移動(dòng)范圍顯示部；1503:位置信息顯示部；1504:可觀察范圍；1505:適合于EDX分析的坐標(biāo)范圍；1601:試樣臺(tái)；1602:適合于EDX分析的坐標(biāo)范圍；1603:試樣；1604:操作器；1701:試樣臺(tái)坐標(biāo)控制窗口； 1702:移動(dòng)范圍顯示部；1703:位置信息顯示部；1704:適于EDX分析的坐標(biāo)范圍；2001: X微動(dòng)機(jī)構(gòu)；2002: Y微動(dòng)機(jī)構(gòu)；2101:試樣壓板;2102: X射線。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種試樣架，其是插入帶電粒子束裝置的試樣架， 該帶電粒子束裝置具備: 帶電粒子源，其產(chǎn)生向試樣照射的帶電粒子束；以及 檢測(cè)器，其檢測(cè)通過(guò)照射該帶電粒子束而從上述試樣產(chǎn)生的信號(hào)， 上述試樣架的特征在于，具備: 主體部，其保持上述試樣；以及 試樣壓板部，其可自由裝卸地設(shè)置在上述主體部，通過(guò)將其安裝到該主體部來(lái)固定該主體部保持的試樣， 上述試樣壓板部具有: 第一孔，其被設(shè)置在與上述帶電粒子源相對(duì)的面上，用于使上述帶電粒子束通過(guò)；以及第二孔，其被設(shè)置在與上述檢測(cè)器相對(duì)的面上，向上述檢測(cè)器只導(dǎo)入從上述試樣產(chǎn)生的信號(hào)中的特定的信號(hào)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的試樣架，其特征在于， 形成上述第二孔，從而只將從上述試樣產(chǎn)生的信號(hào)中的向特定的范圍的角度行進(jìn)的信號(hào)導(dǎo)入上述檢測(cè)器。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的試樣架，其特征在于， 形成上述第二孔，以便從與上述檢測(cè)器相對(duì)的面開(kāi)始，隨著接近配置在該主體部的試樣，上述第二孔的直徑變小。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的試樣架，其特征在于， 設(shè)置上述第二孔，以便從與上述檢測(cè)器相對(duì)的面開(kāi)始，隨著接近配置在該主體部的試樣而形成下坡。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的試樣架，其特征在于， 上述檢測(cè)器是檢測(cè)由于照射該帶電粒子束而從上述試樣產(chǎn)生的X射線的能量色散型X射線檢測(cè)器。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的試樣架，其特征在于， 上述檢測(cè)器是硅漂移探測(cè)器。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的試樣架，其特征在于， 上述試樣壓板部具有多個(gè)上述第二孔。8.一種帶電粒子束裝置，其具備: 試樣架，其保持試樣； 帶電粒子源，其產(chǎn)生向上述試樣照射的帶電粒子束；以及 檢測(cè)器，其檢測(cè)通過(guò)照射該帶電粒子束而從上述試樣產(chǎn)生的信號(hào)， 上述帶電粒子束裝置的特征在于， 上述試樣架具備: 主體部，其配置上述試樣； 試樣壓板部，其可自由裝卸地設(shè)置在上述主體部，通過(guò)將其安裝到該主體部來(lái)固定在該主體部配置的試樣， 上述試樣壓板部具有: 第一孔，其被設(shè)置在與上述帶電粒子源相對(duì)的面上，用于使上述帶電粒子束通過(guò)； 第二孔，其被設(shè)置在與上述檢測(cè)器相對(duì)的面上，向上述檢測(cè)器只導(dǎo)入從上述試樣產(chǎn)生的信號(hào)中的特定的信號(hào)。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的帶電粒子束裝置，其特征在于， 形成上述第二孔，從而只將從上述試樣產(chǎn)生的信號(hào)中的向特定的范圍的角度行進(jìn)的信號(hào)導(dǎo)入上述檢測(cè)器。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的帶電粒子束裝置，其特征在于， 形成上述第二孔，以便從與上述檢測(cè)器相對(duì)的面開(kāi)始，隨著接近配置在該主體部的試樣，上述第二孔的直徑變小。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的帶電粒子束裝置，其特征在于， 設(shè)置上述第二孔，以便從與上述檢測(cè)器相對(duì)的面開(kāi)始，隨著接近配置在該主體部的試樣而形成下坡。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的帶電粒子束裝置，其特征在于， 上述檢測(cè)器是檢測(cè)由于照射該帶電粒子束而從上述試樣產(chǎn)生的X射線的m)x檢測(cè)器。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的帶電粒子束裝置，其特征在于， 上述檢測(cè)器是硅漂移探測(cè)器。14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的帶電粒子束裝置，其特征在于， 上述試樣壓板部具有多個(gè)上述第二孔。15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的帶電粒子束裝置，其特征在于，還具備: 試樣架傾斜部，其使上述試樣架傾斜；以及 控制部，其控制上述試樣架傾斜部， 上述控制部控制上述試樣架傾斜部的動(dòng)作，以便成為該檢測(cè)器檢測(cè)的信號(hào)的峰/背比為最大的傾斜角度。
【文檔編號(hào)】H01J37/20GK106030753SQ201480076317
【公開(kāi)日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2014年3月28日
【發(fā)明人】鈴木裕也, 長(zhǎng)沖功, 松本弘昭
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社日立高新技術(shù)