用于斜面聚合物減少的邊緣環(huán)的制作方法
【專利摘要】本公開的實施例包括被用于減少來自基板周邊區(qū)域(諸如基板的邊緣或斜面)的殘余膜層的方法與設(shè)備。可在等離子體工藝之后減少基板斜面、背側(cè)與基板周邊區(qū)域的污染。在一個實施例中，一種邊緣環(huán)包括：基座圓形環(huán)，該基座圓形環(huán)具有限定形成在其上的中央開口的內(nèi)表面以及限定該基座圓形環(huán)的周邊的外表面。該基座圓形環(huán)包括上主體與連接到該上主體的下部。階梯形成在該基座圓形環(huán)的內(nèi)表面處并且位于該上主體的第一上表面之上。該階梯限定位于該上主體的第一上表面之上的袋。多個凸起特征形成在該基座圓形環(huán)的第一上表面上。
【專利說明】
用于斜面聚合物減少的邊緣環(huán)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本公開的實施例一般涉及半導(dǎo)體處理系統(tǒng)。更具體地，本公開的實施例涉及用在半導(dǎo)體處理系統(tǒng)中，且被用于在半導(dǎo)體制造中減少來自基板的斜面或背側(cè)的聚合物的邊緣環(huán)。
【背景技術(shù)】
[0002]集成電路已經(jīng)發(fā)展成可在單個芯片上包括數(shù)百萬個部件(例如，晶體管、電容器與電阻器)的復(fù)雜器件。芯片設(shè)計的發(fā)展不斷地需要更快速的電路與更大的電路密度。對更大的電路密度的需求需要集成電路部件的尺寸的減小。
[0003]由于集成電路部件的尺寸被減小(例如至亞微米尺寸)，減少污染物的存在的重要性已經(jīng)增加，因為這樣的污染物會導(dǎo)致半導(dǎo)體制造過程期間缺陷的形成。例如，在蝕刻工藝中，副產(chǎn)物(例如可在蝕刻工藝期間生成的聚合物)可變成顆粒的源，從而污染形成在基板上的集成電路與結(jié)構(gòu)。
[0004]為了維持高制造良率與低成本，污染物和/或殘余聚合物從基板的移除變得越來越重要。存在于基板斜面上的殘余聚合物會脫落且粘附到基板的前側(cè)，從而潛在地損壞形成在基板的前側(cè)上的集成電路。在其中存在于基板斜面上的殘余聚合物脫落且粘附到基板的背側(cè)的實施例中，在光刻曝光工藝期間基板的非平面性會造成光刻焦深錯誤。
[0005]圖1A描繪了用于處理基板100的傳統(tǒng)的等離子體處理腔室130，該基板100被定位在設(shè)置于處理腔室130中的底座102上。遮蔽環(huán)124被設(shè)置在圍繞基板100的單環(huán)126上，以便防止基板106的邊緣/斜面106在等離子體工藝期間沉積。然而，在一些情況中，被定位在單環(huán)126之上的遮蔽環(huán)124通常在邊緣/斜面106的表面上方間隔一距離，從而在遮蔽環(huán)124與單環(huán)126之間形成間隙134，從而防止遮蔽環(huán)124直接接觸基板100。形成在遮蔽環(huán)124與單環(huán)126之間的間隙134可允許在處理期間生成的等離子體120行進到間隙134中，如箭頭138所示，從而在基板100的前表面110、背側(cè)122與邊緣/斜面106上形成非期望的膜層，以及攻擊腔室零件(諸如底座102與單環(huán)126)。在一情況中，基板102的背側(cè)112可具有比基板102的前偵打10更高量的污染。此外，歸因于等離子體暴露的腔室部件的腐蝕與逐漸劣化會造成間隙134變得更寬，從而在基板斜面/邊緣106與腔室零件上造成劣化的空隙與表面缺陷。
[0006]圖1B描繪了在非期望的膜層110已經(jīng)累積在基板100的邊緣/斜面106上之后的基板100的傳統(tǒng)的示例。由于等離子體行進通過間隙134，非期望的膜層可被形成在基板的周邊區(qū)域108處的斜面106上，從前側(cè)102甚至延伸到基板100的背側(cè)104。存在于基板100的斜面106和/或背側(cè)104上的殘余聚合物或非期望的膜層也會在機械手傳送過程、基板傳輸過程、后續(xù)的制造過程等期間脫落或剝落，藉此造成傳送腔室、基板盒、工藝腔室以及后續(xù)可被用在電路部件制造過程中的其他處理設(shè)備中的污染。此外，聚合物或殘余膜層的剝落可變成基板處理期間顆粒污染的源。處理設(shè)備的污染造成增加的工具停機時間，藉此不利地增加整體制造成本。
[0007]因此，需要一種設(shè)備與方法來改善沉積效率而具有最少的從基板斜面到基板背側(cè)的殘余沉積，同時維持形成在基板前側(cè)上的結(jié)構(gòu)的完整性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本公開的實施例包括可被用于減少來自基板周邊區(qū)域(諸如基板的邊緣或斜面)的殘余膜層的方法與設(shè)備。可在等離子體工藝之后減少基板斜面、背側(cè)與基板周邊區(qū)域的污染。在一個實施例中，一種邊緣環(huán)包括:基座圓形環(huán)，該基座圓形環(huán)具有限定形成在其上的中央開口的內(nèi)表面以及限定該基座圓形環(huán)的周邊的外表面。該基座圓形環(huán)包括上主體與連接到該上主體的下部。階梯形成在該基座圓形環(huán)的內(nèi)表面處且位于該上主體的第一上表面之上。該階梯限定位于該上主體的第一上表面之上的袋。多個凸起特征形成在該基座圓形環(huán)的第一上表面上。
[0009]在另一實施例中，一種等離子體處理腔室包括:邊緣環(huán)，該邊緣環(huán)圍繞基板支撐組件;遮蔽環(huán)，該遮蔽環(huán)設(shè)置在該邊緣環(huán)上方；以及腔，該腔形成在該邊緣環(huán)與該遮蔽環(huán)之間，其中形成在該邊緣環(huán)的上表面上的多個凸起特征從該邊緣環(huán)舉起該遮蔽環(huán)，以在該邊緣環(huán)與該遮蔽環(huán)之間形成該腔。
[0010]在又一實施例中，一種用于減少基板斜面污染的方法包括:在遮蔽環(huán)與邊緣環(huán)之間形成腔，該邊緣環(huán)圍繞設(shè)置在等離子體處理腔室中的基板支撐組件的周邊區(qū)域，其中該腔由形成在該邊緣環(huán)的上表面上的多個凸起特征形成，該多個凸起特征從該邊緣環(huán)舉起該遮蔽環(huán)以在該邊緣環(huán)與該遮蔽環(huán)之間形成該腔，其中該腔允許從限定在基板支撐組件上方的等離子體區(qū)域到設(shè)置在等離子體處理腔室中的栗的開放的流體連通。
【附圖說明】
[0011]為了可詳細理解本公開的上述特征的方式，可通過參照實施例對簡要概述于上的本公開進行更加具體的描述，這些實施例中的一些實施例圖示于附圖中。
[0012]圖1A-1B示出了具有形成在基板的斜面上的殘余污染的傳統(tǒng)等離子體處理腔室的一部分；
[0013]圖2示出了具有可最小化斜面殘余污染的邊緣環(huán)的設(shè)備的示意性等距視圖；
[0014]圖3示出了用于圖2的設(shè)備中的邊緣環(huán)的示意性等距視圖；以及
[0015]圖4A-4C示出了可被用于圖2的設(shè)備中的邊緣環(huán)的不同示例。
[0016]然而，應(yīng)注意的是，這些附圖僅圖示本公開的典型實施例且因此不被視為限制本公開的范圍，因為本公開可允許其他等效實施例。
[0017]為便于理解，已經(jīng)在可能的地方使用相同的附圖標記來指定諸圖所共有的相同元件。
【具體實施方式】
[0018]本公開的實施例包括可被用于減少來自基板周邊區(qū)域(諸如基板的邊緣或斜面)的殘余膜層的方法與設(shè)備。可在等離子體工藝之后減少基板斜面、背側(cè)與基板周邊區(qū)域的污染。在此實施例中，設(shè)備可包括邊緣環(huán)，該邊緣環(huán)可限定基板斜面、邊緣環(huán)與被定位在邊緣環(huán)上方的遮蔽環(huán)之間的腔。該腔與設(shè)備的栗開放連通，使得在基板斜面上行進到該腔的等離子體可被有效地栗送至設(shè)備外，而不是殘留在基板斜面附近，在基板斜面上或在基板的背側(cè)上形成非希望的殘余膜層。
[0019]圖2描繪了處理腔室200的示意性等距視圖，該處理腔室200可連同本公開的實施例使用以減少殘余膜層形成在基板斜面上的可能性。處理腔室200可以是可從美國加利福尼亞州圣克拉拉市的應(yīng)用材料公司獲得的DPS II TSV處理腔室、或其他合適的真空腔室。處理腔室200可以是典型地被用作多腔室、模塊化系統(tǒng)(未示出)的部分的那類完全自動化的半導(dǎo)體等離子體處理腔室。包括具有處理容積210的腔室主體215的處理腔室200可被配置成容納具有高達12英寸(300_)、18英寸(450_)或其他直徑的直徑尺寸的基板220。
[0020]處理腔室200包括等離子體功率源202與匹配網(wǎng)絡(luò)201，匹配網(wǎng)絡(luò)201與存在于設(shè)置在腔室主體215上的第一封圍211內(nèi)的功率生成設(shè)備連通。等離子體功率源202與匹配網(wǎng)絡(luò)201以典型地位于約12MHz到約13.5MHz的范圍的頻率(雖然此特定處理腔室以此頻率操作，但可被使用的其它處理腔室以范圍高達60MHz的源功率頻率操作)、以從0.1kW到約5kW的范圍的功率操作。感應(yīng)線圈204、206位于第二封圍213內(nèi)，該第二封圍213設(shè)置在腔室主體215與第一封圍211之間。感應(yīng)線圈204、206可在處理容積中生成RF感應(yīng)耦合等離子體，以在設(shè)置于基板支撐組件207上的基板220上執(zhí)行等離子體工藝，該基板支撐組件207設(shè)置在腔室主體215中。處理源氣體可通過氣體交換噴嘴214被引入到處理容積210中，以提供均勻受控的氣流分布。
[0021]存在于腔室主體215內(nèi)的處理容積210與下處理腔室217連通。下處理腔室217與節(jié)流閥219連通，該節(jié)流閥219位于渦輪栗216之上且與渦輪栗216連通，該渦輪栗216位于粗抽栗226之上且與粗抽栗226連通。在操作時，等離子體源氣體被提供到處理容積210，并且處理副產(chǎn)物通過節(jié)流閥219、渦輪栗216與粗抽栗226被栗送至處理容積210外。基板進入口 212被形成在腔室主體215中，以促進基板220從處理腔室200的進入和移除。
[0022]基板支撐組件207被設(shè)置在腔室主體215內(nèi)，以在處理期間支撐基板220。基板支撐組件207可以是傳統(tǒng)的機械或靜電夾盤，其中基板支撐組件207的至少一部分是導(dǎo)電的且能夠用作工藝偏壓陰極。冷卻流體供應(yīng)入口 224可被耦接到基板支撐組件207，且被配置成向基板支撐組件207供應(yīng)冷卻流體，以將基板支撐組件207的溫度維持在期望的范圍處。設(shè)置在基板支撐組件207上的基板可通過晶片升降桿(未示出)被升高和降低，以促進基板到基板支撐組件207上和離開基板支撐組件207的傳送。
[0023]遮蔽環(huán)250被設(shè)置在邊緣環(huán)252上，該邊緣環(huán)252圍繞基板支撐組件207的周邊區(qū)域。當邊緣環(huán)252被定位在遮蔽環(huán)250下方時，以限定邊緣環(huán)252之上的腔261的方式來成形邊緣環(huán)252。所限定的腔261可有效地允許等離子體在遠離基板斜面的方向中流動且通過限定在環(huán)250、252之間的腔261并通過節(jié)流閥219到渦輪栗216和粗抽栗226而被栗送至處理腔室外，而不是在基板斜面或背側(cè)上累積和形成殘余膜層。下面將參照圖3-4C進一步描述關(guān)于邊緣環(huán)252的配置與布置的細節(jié)。
[0024]控制器290包括中央處理單元(CPU)292、存儲器294、與支持電路296，其被用于控制工藝順序和調(diào)節(jié)氣體流動和在處理腔室200中所執(zhí)行的等離子體工藝。CPU 292可具有可被用于工業(yè)設(shè)置中的通用計算機處理器的任何形式。軟件例程(諸如以下描述的蝕刻工藝)可被存儲在存儲器294(諸如隨機存取存儲器、只讀存儲器、軟盤或硬盤驅(qū)動器、或其他形式的數(shù)字存儲器)中。支持電路296以傳統(tǒng)方式耦接到CPU 292并且可包括高速緩存、時鐘電路、輸入/輸出系統(tǒng)、功率供應(yīng)器、與諸如此類者?？刂破?90與處理腔室200的各種部件之間的雙向連通通過許多信號纜線(統(tǒng)稱為信號總線298，其中的一些在圖2中示出)進行處理。
[0025]在一個實施例中，被提供在處理腔室200中的基板220由從RF偏壓功率源222通過匹配網(wǎng)絡(luò)221提供RF功率被偏壓，其中匹配網(wǎng)絡(luò)221耦接到基板支撐組件207。由RF偏壓功率源222提供的RF功率可位于10kHz到13.56MHz的范圍內(nèi)(諸如，位于10KHz到2MHz的范圍內(nèi))。等離子體功率源202與基板RF偏壓功率源222由控制器290獨立地進行控制。具體地，使用由系統(tǒng)控制器設(shè)置的發(fā)生器脈動能力)來使RF偏壓功率源222脈動，以提供功率開啟的時間百分比(其被稱為“占空比”)。脈沖偏壓功率的開啟時間與關(guān)閉時間在整個基板處理期間是一致的。例如，在此實例中，如果功率開啟達3毫秒并且關(guān)閉達15毫秒，則“占空比”將為16.67%。每秒循環(huán)中的脈動頻率(Hz)等于1.0除以單位為秒的開啟與關(guān)閉時間周期的總和。例如，當功率開啟達3毫秒并且關(guān)閉達15毫秒，總共18毫秒時，每秒循環(huán)中的脈動頻率是55.55Hz。使用其中開啟/關(guān)閉時序在基板處理期間改變以用于特定需要的專門的脈動輪廓將是可能的。
[0026]圖3描繪了在圖1中所描繪的邊緣環(huán)252的一個實施例的俯視圖。邊緣環(huán)252包括基座圓形環(huán)306，該基座圓形環(huán)306具有上表面309與設(shè)置在上表面309上的凸起特征304。中央開口或孔314形成在邊緣環(huán)252的中心部分中，以在邊緣環(huán)252被實現(xiàn)在處理腔室(諸如圖2中所描繪的處理腔室200)中時接收設(shè)置在其中的基板?；鶊A形環(huán)306具有內(nèi)表面316，該內(nèi)表面316限定基座圓形環(huán)306的內(nèi)徑317以及限定中央開口或孔314的外圓周?；鶊A形環(huán)306還包括外表面310，外表面310限定基座圓形環(huán)306的外徑319(例如，周邊)。底部部分311被附接到邊緣環(huán)252的底表面(未示出)。
[0027]階梯315形成在基座圓形環(huán)306的內(nèi)表面316中并與該內(nèi)表面316共享側(cè)壁。具有預(yù)定寬度的階梯315在向外朝向外表面310的方向中延伸。階梯315可限定階梯高度，該階梯高度稍高于基座圓形環(huán)306的上表面309。下面將參照圖4A-4C進一步描述關(guān)于階梯315和基座圓形環(huán)306的配置的細節(jié)。
[0028]在一個示例中，多個凸起特征304形成在基座圓形環(huán)306的上表面309上。凸起特征304可包括線性凸起表面305(例如，頂表面)，該線性凸起表面305沿著基座圓形環(huán)306的上表面309的寬度從內(nèi)表面316延伸到外表面310。線性凸起表面305基本上是平坦的表面，而與遮蔽環(huán)250的底表面平行地面對。凸起特征304具有面向中央開口或孔314的第一端312，使得當基板被定位在中央開口或孔314內(nèi)時，第一端312可用作引導(dǎo)構(gòu)件以將基板引導(dǎo)或?qū)实狡谕奈恢弥?。此外，形成在基座圓形環(huán)306的上表面309上的凸起特征304也可通過其凸起表面305(例如，頂表面)而與遮蔽環(huán)250接合(engage)并舉起遮蔽環(huán)250并且防止遮蔽環(huán)250直接接觸基座圓形環(huán)306的上表面309。通過這樣做，可在遮蔽環(huán)250與邊緣環(huán)252之間有效地形成腔261，以允許遠離基板斜面的在環(huán)252、250之間徑向向外的流動。在圖3中所描繪的示例中，存在三個凸起特征304。應(yīng)注意的是，將遮蔽環(huán)250與基座圓形環(huán)306間隔開的凸起特征304的數(shù)量、形狀、尺寸與配置可以處于任何形式或通過依需要的任何數(shù)量以用于不同工藝和設(shè)備需求。
[0029]圖4A描繪了沿著圖3中所描繪的切割線A-A’的邊緣環(huán)252的橫截面圖。遮蔽環(huán)250通過凸起特征304(其沒有被顯示在圖4A中)而間隔在邊緣環(huán)252上方。應(yīng)注意的是，遮蔽環(huán)250僅被顯示在圖4A中，并且從圖4B和4C中被移除以為了描述與說明的容易和簡潔。邊緣環(huán)252包括基座圓形環(huán)306，基座圓形環(huán)306具有連接到下部311的上主體371 (由虛線355示出和劃分)，該下部311與上主體371—起形成單一主體?；鶊A形環(huán)306包括接近基板支撐組件207的側(cè)壁定位的內(nèi)表面316。在圖4A中所描繪的一個示例中，內(nèi)表面316被定位成接近基板支撐組件207的側(cè)壁381，但沒有接觸基板支撐組件207，而在側(cè)壁381與內(nèi)表面316之間留下間隙373。
[0030]階梯315形成在上主體371的第一端351處且位于基座圓形環(huán)306的上表面309之上。階梯315具有上表面342，該上表面342限定從基座圓形環(huán)306的上表面309的階梯高度336，從而形成連接在階梯315的上表面342與基座圓形環(huán)306的上表面309之間的傾斜表面340。形成在階梯315的上表面342與基座圓形環(huán)306的上表面309之間的階梯高度336允許袋334形成在基座圓形環(huán)306的上表面309之上。袋334通過節(jié)流閥219在處理容積210與栗226之間處于開放的流體連通。當被實現(xiàn)在處理腔室200中時，袋334可接著稍后形成并用作腔261，腔261允許從處理容積210行進的等離子體繞過基板斜面并在遠離基板斜面的方向中流動到腔260并且容易地被栗送至處理腔室200外，而不是累積在基板斜面上并在基板斜面上非期望地形成殘余膜層。在一個示例中，階梯高度336在約Imm與約5mm之間，其中該階梯高度336被限定在基座圓形環(huán)306的上表面309與階梯315的上表面342之間。
[0031]形成在基座圓形環(huán)306中的階梯315可基本上與基板支撐組件207的側(cè)壁381的一部分接合并覆蓋該一部分，留下在階梯315的上表面342上方的空間398。限定在階梯315的上表面342上方的空間398可提供開放的流體連通區(qū)域，該開放的流體連通區(qū)域允許跟隨到此的等離子體繞過基板斜面并在遠離基板斜面的方向中流動，從而形成允許等離子體被栗送至處理腔室外的開放通道，而不是累積在基板背側(cè)或斜面上。在一個示例中，階梯315可具有在約0.5mm與約5mm之間的寬度350。雖然圖4A中所描繪的示例包括被限定在階梯315上方的空間398，但應(yīng)注意的是，留在階梯315上方的空間398可以處于任何大小、配置、或任何尺寸，包括沒有空間留在上方(沒有空間留在上方類似于圖4B中所描繪的示例并且稍后將在下面進行描述)。
[0032]凹槽345形成在基座圓形環(huán)306的下部311中，從而將下部311分成第一下部分344與第二下部分346。第一下部分344限定內(nèi)表面316的下部分，而第二下部分346限定外表面310的下部分。相反，上主體371具有兩端321、320，該兩端321、320限定內(nèi)表面316的上部分與外表面310的上部分。當被定位在處理腔室200中時，凹槽345可被配置成與其他腔室零件配合，以便固定邊緣環(huán)252的位置。凹槽345可具有在約2mm與約1mm之間的深度365。第一下部分344通常具有比第二下部分346的第二深度354長的第一深度356。在一個示例中，第一下部分344的第一深度356比第二下部分346的第二深度354長約10%與約50%之間。在一個示例中，第一深度356在約3mm與約1mm之間，并且第二深度354在約2mm與約1mm之間。連接到下部311的上主體371具有在約Imm與約15mm之間的均勻的厚度352。
[0033]在一個示例中，邊緣環(huán)252可由具有高的耐腐蝕性等離子體種類的任何合適的材料制成。用于制造邊緣環(huán)2 5 2的合適的材料包括電介質(zhì)材料、陶瓷材料、含金屬電介質(zhì)材料。在一個示例中，邊緣環(huán)252可以是氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、Y203、S1、碳化硅、陽極化AI2O3、石英、與含乾材料。
[0034]圖4B描繪了具有形成在邊緣環(huán)402的上表面418之上的階梯406的不同配置的邊緣環(huán)402的另一實施例。類似地，邊緣環(huán)402以基座圓形環(huán)407為形式且類似于上述的邊緣環(huán)252，邊緣環(huán)402包括將遮蔽環(huán)250間隔在邊緣環(huán)402上方的凸起特征304(在圖4B中未示出)。階梯406具有上表面408，上表面408限定從基座圓形環(huán)407的上表面418的階梯高度414，從而在基座圓形環(huán)407的上表面418之上形成袋416。然而，與圖4A中形成的傾斜表面340相反，形成基本上垂直的側(cè)壁410以限定具有基本上直的側(cè)壁輪廓的階梯406。垂直側(cè)壁410可具有與階梯高度414基本上相同的高度，該階梯高度414被限定在階梯406的上表面408與基座圓形環(huán)407的上表面418之間。
[0035]如形成在基座圓形環(huán)407中的階梯406可基本上與基板支撐組件207的側(cè)壁381的大部分接合并覆蓋側(cè)壁381的大部分，從而在階梯406的上表面408之上留下最小或很小的空間。因此，基板支撐組件207的側(cè)壁的大多數(shù)部分被邊緣環(huán)402(包括凸起的階梯406)有效地覆蓋，從而有效地阻擋等離子體接觸基板支撐組件207并最小化支撐組件207被等離子體攻擊的可能性。與圖4A中描繪的邊緣環(huán)252類似地構(gòu)造邊緣環(huán)402的其他結(jié)構(gòu)與部分。
[0036]圖4C描繪了邊緣環(huán)500的又一示例，該邊緣環(huán)500類似于以上在圖4A-4B中描述的邊緣環(huán)252、402。當定位在處理腔室200中時，邊緣環(huán)500也限定在遮蔽環(huán)250(圖4A中所示)下方的腔504。然而，不同于圖4A-4B中所描繪的配置，邊緣環(huán)500具有基本上平坦的表面503而沒有形成在表面503之上的階梯或突出物，除了將遮蔽環(huán)250間隔在邊緣環(huán)500上方的凸起特征304(如圖3中所示)。邊緣環(huán)500被配置成與基板220(尤其是基板斜面)具有間隔部分關(guān)系，使得限定在邊緣環(huán)500的表面503之上的腔504可維持開放的流體連通，這允許跟隨到此的等離子體繞過基板斜面與背側(cè)508，并且在環(huán)250、500之間通過設(shè)置在處理腔室200中的節(jié)流閥219和栗226而被栗送至處理腔室200外。在一個示例中，當定位在等離子體處理腔室(諸如圖2中所描繪的等離子體處理腔室200)中時，邊緣環(huán)500可限定從基板220的背側(cè)508的約Imm與約5mm之間的距離502。
[0037]因此，本公開提供一種邊緣環(huán)，該邊緣環(huán)可有效地減少等離子體工藝之后形成在基板的斜面或背側(cè)上的殘余膜層。邊緣環(huán)可包括袋，該袋可在實現(xiàn)在等離子體處理腔室中時形成腔，該腔維持開放的流體連通以供等離子體行進通過那兒而被有效地栗送至等離子體處理腔室外。形成在邊緣環(huán)中的袋可通過形成在邊緣環(huán)的上表面上的階梯來限定。通過利用形成在邊緣環(huán)之上的腔，殘余等離子體可被有效地栗送至處理腔室外，而不是累積在基板斜面與背側(cè)處，使得顯著降低和消除殘余膜層或污染物形成在基板斜面與背側(cè)上的可能性。
[0038]盡管前述內(nèi)容針對本公開的實施例，但可構(gòu)想出本公開的其他與進一步的實施例而不背離本公開的基本范圍，并且本公開的范圍由所附權(quán)利要求書決定。
【主權(quán)項】
1.一種邊緣環(huán)，包括: 基座圓形環(huán)，所述基座圓形環(huán)具有限定形成在其上的中央開口的內(nèi)表面以及限定所述基座圓形環(huán)的周邊的外表面，所述基座圓形環(huán)包括上主體和連接到所述上主體的下部；階梯，所述階梯形成在所述基座圓形環(huán)的內(nèi)表面處并且位于所述上主體的第一上表面之上，所述階梯限定位于所述上主體的第一上表面之上的袋；以及 多個凸起特征，所述多個凸起特征形成在所述基座圓形環(huán)的第一上表面上。2.如權(quán)利要求1所述的邊緣環(huán)，其特征在于，所述階梯進一步包括第二上表面，所述第二上表面通過傾斜表面連接到所述第一上表面。3.如權(quán)利要求1所述的邊緣環(huán)，其特征在于，所述階梯進一步包括第二上表面，所述第二上表面通過形成在所述階梯中的基本上垂直的側(cè)壁連接到所述第一上表面。4.如權(quán)利要求1所述的邊緣環(huán)，其特征在于，所述多個凸起特征具有連接到所述基座圓形環(huán)的內(nèi)表面的第一端，所述第一端被配置成當在等離子體處理腔室中實現(xiàn)時將與基板接入口 ο5.如權(quán)利要求1所述的邊緣環(huán)，其特征在于，所述凸起特征具有與所述基座圓形環(huán)的第一上表面的寬度基本上相匹配的長度。6.如權(quán)利要求1所述的邊緣環(huán)，所述多個凸起特征被配置成當在等離子體處理腔室中實現(xiàn)時將與遮蔽環(huán)通過其頂表面接合。7.如權(quán)利要求1所述的邊緣環(huán)，其特征在于，所述基座圓形環(huán)由41203^11￥203、51、或SiC、石英、含釔材料與陽極化Al2O3制造。8.如權(quán)利要求1所述的邊緣環(huán)，進一步包括: 凹槽，所述凹槽形成在所述基座圓形環(huán)的下部中。9.如權(quán)利要求1所述的邊緣環(huán)，其特征在于，形成在所述基座圓形環(huán)的內(nèi)表面處的階梯被配置成當在等離子體處理腔室中實現(xiàn)時將基本上覆蓋基板支撐組件的側(cè)壁的大部分。10.如權(quán)利要求1所述的邊緣環(huán)，其特征在于，形成在所述基座圓形環(huán)的內(nèi)表面處的階梯被配置成當在等離子體處理腔室中實現(xiàn)時將基本上覆蓋基板支撐組件的側(cè)壁的第一部分，同時留下位于所述階梯之上的空間，所述空間暴露所述基板支撐組件的側(cè)壁的第二部分。11.如權(quán)利要求1所述的邊緣環(huán)，其特征在于，所述階梯的第二上表面被配置成當在等離子體處理腔室中實現(xiàn)時將與基板的背側(cè)或斜面接合。12.如權(quán)利要求8所述的邊緣環(huán)，進一步包括: 第一下部分和第二部分，所述第一下部分和第二部分形成在所述基座圓形環(huán)的下部中且由所述凹槽劃分。13.如權(quán)利要求12所述的邊緣環(huán)，其特征在于，所述第一下部分具有比所述第二下部分的第二深度更長約10%與約50%之間的第一深度。14.如權(quán)利要求1所述的邊緣環(huán)，其特征在于，所述袋具有在約Imm與約5mm之間的階梯高度，所述階梯高度被限定在所述基座圓形環(huán)的第一上表面與所述階梯的第二上表面之間。15.如權(quán)利要求6所述的邊緣環(huán)，其特征在于，所述凸起特征的頂表面是平坦表面，所述平坦表面配置成平行于所述遮蔽環(huán)的底部。16.一種等離子體處理腔室，包括: 基板支撐組件，所述基板支撐組件設(shè)置在等離子體處理腔室中； 邊緣環(huán)，所述邊緣環(huán)圍繞所述基板支撐組件； 遮蔽環(huán)，所述遮蔽環(huán)設(shè)置在所述邊緣環(huán)上方；以及 腔，所述腔形成在所述邊緣環(huán)與所述遮蔽環(huán)之間，其中形成在所述邊緣環(huán)的上表面上的多個凸起特征從所述邊緣環(huán)舉起所述遮蔽環(huán)，以在所述邊緣環(huán)與所述遮蔽環(huán)之間形成所述腔。17.如權(quán)利要求16所述的等離子體處理腔室，進一步包括: 袋，所述袋形成在所述邊緣環(huán)的上表面上，以限定在所述遮蔽環(huán)下方的所述腔。18.如權(quán)利要求16所述的等離子體處理腔室，進一步包括: 階梯，所述階梯形成在所述邊緣環(huán)的內(nèi)表面處并且位于所述邊緣環(huán)的上表面之上，所述階梯在所述邊緣環(huán)的上表面之上限定袋。19.如權(quán)利要求16所述的等離子體處理腔室，其特征在于，所述腔允許從限定在所述基板支撐組件上方的等離子體區(qū)域到設(shè)置在所述等離子體處理腔室中的栗的開放的流體連通。20.—種用于減少基板斜面污染的方法，包括: 在遮蔽環(huán)與邊緣環(huán)之間形成腔，所述邊緣環(huán)圍繞設(shè)置在等離子體處理腔室中的基板支撐組件的周邊區(qū)域，其中所述腔由形成在所述邊緣環(huán)的上表面上的多個凸起特征形成，所述多個凸起特征從所述邊緣環(huán)舉起所述遮蔽環(huán)以在所述邊緣環(huán)與所述遮蔽環(huán)之間形成所述腔，其中所述腔允許從限定在所述基板支撐組件上方的等離子體區(qū)域到設(shè)置在所述等離子體處理腔室中的栗的開放的流體連通。
【文檔編號】H01J37/02GK106057616SQ201610236298
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年4月15日
【發(fā)明人】R·米什拉, G·J·斯科特, K·M·西拉朱迪茵, S·L·圖西巴格威爾, S·西盧納烏卡拉蘇
【申請人】應(yīng)用材料公司