基板處理裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及基板處理裝置，更詳細(xì)地說，涉及對基板進(jìn)行蝕刻、蒸鍍等基板處理的基板處理裝置。本發(fā)明公開一種基板處理裝置，包括：腔室主體，上側(cè)是開口的；基板支撐部，設(shè)置于所述腔室主體而支撐基板；頂板，設(shè)置于所述腔室主體的開口而形成密閉的處理空間，所述頂板底面形成氣體噴射流路；輔助板，與所述頂板的底面結(jié)合而形成所述氣體噴射流路，所述輔助板形成多個(gè)氣體擴(kuò)散孔而通過所述氣體噴射流路向下側(cè)噴射氣體；噴頭部，設(shè)置于所述輔助板的下側(cè)，所述噴頭部形成多個(gè)工藝氣體噴射孔而向處理空間噴射工藝氣體；所述噴頭部，被形成于所述輔助板的所述氣體擴(kuò)散孔所噴射的氣體清洗，將所述氣體擴(kuò)散孔噴射的氣體噴射到處理空間。
【專利說明】
基板處理裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及基板處理裝置，更詳細(xì)地說，涉及對基板進(jìn)行蝕刻、蒸鍍等基板處理的基板處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]基板處理裝置是對基板進(jìn)行蝕刻、蒸鍍等基板處理的裝置。
[0003]并且，所述基板處理裝置根據(jù)基板處理工藝而形成多種結(jié)構(gòu)，作為一例，包括:工藝腔室，形成密閉的處理空間；噴頭部，設(shè)置于工藝腔室的上側(cè)，向處理空間內(nèi)提供用于基板處理的氣體;基板支撐部，設(shè)置于工藝腔室內(nèi)，支撐被處理基板。
[0004]具有所述構(gòu)成的基板處理裝置，與氣體的供應(yīng)一同在電磁場處理空間內(nèi)形成等離子，由此執(zhí)行基板處理工藝。
[0005]并且，所述基板處理裝置在執(zhí)行一定次數(shù)的基板處理工藝之后，經(jīng)過消除微粒的清洗工藝。
[0006]在此，清洗工藝可根據(jù)多種方法執(zhí)行，作為一例，利用遠(yuǎn)程等離子以解離的狀態(tài)供應(yīng)氣體到噴頭部，執(zhí)行對噴頭部及工藝腔室內(nèi)部的清洗工藝。
[0007]但是，如所述利用遠(yuǎn)程等離子以解離的狀態(tài)供應(yīng)氣體到噴頭部時(shí)，因氣體的高熱，噴頭部或擴(kuò)散板會(huì)產(chǎn)生變形或破損。
[0008]并且，如所述，利用遠(yuǎn)程等離子以解離的狀態(tài)供應(yīng)氣體到噴頭部時(shí)，因其供應(yīng)結(jié)構(gòu)，會(huì)發(fā)生噴頭部內(nèi)部的清洗不順暢的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009](要解決的技術(shù)問題)
[0010]本發(fā)明的目的在于，提供一種基板處理裝置，為了解決所述問題點(diǎn)，在基板處理裝置的最上側(cè)即頂板內(nèi)部形成用于氣體流動(dòng)的凹凸的氣體流路，在其底面結(jié)合輔助板，從而即使供應(yīng)高溫氣體，也能夠最小化熱變形或破損。
[0011](解決問題的手段)
[0012]本發(fā)明為了解決所述本發(fā)明的目的而提供一種基板處理裝置，腔室主體，上側(cè)是開口的；基板支撐部，設(shè)置于所述腔室主體而支撐基板;頂板，設(shè)置于所述腔室主體的開口而形成密閉的處理空間，底面形成氣體噴射流路;輔助板，與所述頂板的底面結(jié)合而形成所述氣體噴射流路，形成多個(gè)氣體擴(kuò)散孔而從所述氣體噴射流路向下側(cè)噴射氣體;噴頭部，設(shè)置于所述輔助板的下側(cè)，形成多個(gè)工藝氣體噴射孔而向處理空間噴射工藝氣體;基板支撐部，設(shè)置于所述腔室主體而支撐基板;所述噴頭部，被形成于所述輔助板的所述氣體擴(kuò)散孔所噴射的氣體清洗，將所述氣體擴(kuò)散孔噴射的氣體噴射到處理空間。
[0013]所述頂板的平面形狀為直四角形形狀且中間形成上下貫通的注入孔，接收從外部供應(yīng)的氣體，所述氣體噴射流路，包括:一雙主分岔流路，以所述注入孔為基準(zhǔn)，上下分岔；一雙第2分岔流路，從所述各主分岔流路的末端，與所述主分岔流路垂直而向左右分岔；一雙第3分岔流路，從所述各第2分岔流路的末端向上下分岔;一雙第4分岔流路，從所述各第3分岔流路的末端向左右分岔，所述各氣體擴(kuò)散孔可與所述各第4分岔流路的末端相對應(yīng)地形成。
[0014]優(yōu)選地，所述多個(gè)氣體擴(kuò)散孔與所述注入孔的距離都相同。
[0015]所述輔助板的上面，可設(shè)置突出部，該突出部在對應(yīng)所述注入孔的位置，向上側(cè)突出地形成。
[0016]所述突出部，向所述注入孔尖銳地形成，所述注入孔的內(nèi)周面上可形成擴(kuò)張部，所述擴(kuò)張部對應(yīng)所述突出部的形狀而與所述注入孔的外周面平行。
[0017]優(yōu)選地，所述突出部的底部的最大幅度的大小D2大于所述注入孔的內(nèi)徑Dl，小于所述擴(kuò)張部的最大外徑D3。
[0018]所述氣體，以經(jīng)過遠(yuǎn)程等離子發(fā)生裝置解離的狀態(tài)，注入所述氣體噴射流路。
[0019](發(fā)明的效果)
[0020]根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置的優(yōu)點(diǎn)在于:在頂板的底面形成氣體噴射流路并根據(jù)輔助板而覆蓋氣體噴射流路，從而防止因高溫氣體的流入導(dǎo)致的輔助板的變形或破損，有利于穩(wěn)定地供應(yīng)氣體。
[0021]具體地說，傳統(tǒng)技術(shù)的問題點(diǎn)在于:因其在輔助板形成流路槽而形成氣體供應(yīng)流路，當(dāng)流入高溫或反應(yīng)性強(qiáng)的氣體時(shí)，會(huì)在形成流路槽的部分發(fā)生變形或破損。但本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn):在相對厚的頂板上形成氣體供應(yīng)流路的流路槽，覆蓋輔助板，相對地加固了輔助板的結(jié)構(gòu)，能夠防止因流入高溫氣體而發(fā)生的輔助板的變形或破損，有利于穩(wěn)定地供應(yīng)氣體。
[0022]并且，根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置還包括如下優(yōu)點(diǎn):與貫通頂板而形成的注入孔相對應(yīng)的位置，在輔助板追加形成突出部，防止因高溫氣體導(dǎo)致的熱變形或破損，能夠均勻地分配氣體，有利于穩(wěn)定地供應(yīng)氣體。
【附圖說明】
[0023]圖1是呈現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置的剖面圖。
[0024]圖2是呈現(xiàn)圖1的基板處理裝置中頂板的底面的底面圖。
[0025]圖3是呈現(xiàn)圖1的基板處理裝置的輔助板的上面的平面圖。
[0026]圖4是呈現(xiàn)圖1的基板處理裝置中變形的突出部的輔助板的部分平面圖。
[0027]圖5是呈現(xiàn)圖2或圖4中氣體流路形成部的V-V方向的剖面的剖面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下面，參照附圖而詳細(xì)地說明根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置。
[0029]根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置，如圖1所圖示，腔室主體110，上側(cè)是開口的；基板支撐部130，設(shè)置于腔室主體110而支撐基板10;頂板120，設(shè)置于腔室主體110的開口而形成密閉的處理空間S，底面形成氣體噴射流路124;輔助板210，與頂板120的底面結(jié)合而與氣體噴射流路槽124—起形成氣體噴射流路121，形成多個(gè)氣體擴(kuò)散孔211而通過氣體噴射流路121向下側(cè)噴射氣體;噴頭部220，設(shè)置于輔助板210的下側(cè)，形成多個(gè)工藝氣體噴射孔221而從氣體噴射流路121向處理空間S噴射工藝氣體。
[0030]在此，圖1是呈現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置的剖面圖，圖3的1-1方向的剖面圖。
[0031]所述腔室主體110結(jié)構(gòu)為:上側(cè)是開口的，通過與頂板120等結(jié)合而形成用于執(zhí)行基板處理工藝的密閉的處理空間S，也可具有多種結(jié)構(gòu)。
[0032]并且，所述腔室主體110上形成一個(gè)以上的門111，用于基板10的導(dǎo)入及排出。
[0033]另外，所述腔室主體110為了處理空間S內(nèi)部的真空壓的維持及排氣而連接到排氣系統(tǒng)，為了等離子的形成，可施加多種方式的電源。
[0034]作為電源施加方式的一例，除后述的基板支撐部130的構(gòu)成，即腔室主體120、頂板120等為接地，向基板支撐部130施加一個(gè)以上的RF電源。
[0035]所述基板支撐部130的結(jié)構(gòu)為:設(shè)置于腔室主體110而支撐基板10，也可具有多種結(jié)構(gòu)。
[0036]作為一例，所述基板支撐部130可設(shè)置于腔室主體110內(nèi)，或設(shè)置成:相對于腔室主體110，能夠上下移動(dòng)。
[0037]并且，所述基板支撐部130可設(shè)置成多種結(jié)構(gòu)，如:可設(shè)置執(zhí)行基板處理工藝時(shí)用于吸附固定基板10的靜電夾頭(未圖示)、用于加熱基板10的加熱器等。
[0038]并且，為了基板10的導(dǎo)入及排出以及使基板10升降，所述基板支撐部130上可設(shè)置多個(gè)升銷。
[0039]所述頂板120可具有多種結(jié)構(gòu)，如:設(shè)置于腔室主體110的開口而與腔室主體110—同形成密閉的處理空間S，底面形成氣體噴射流路槽121。
[0040]另外所述頂板120，具有與作為基板處理對象的基板10的形狀相對應(yīng)的形狀，如圖1及圖2所圖示，若以直四角形基板10為其處理對象，可具有直四角形形狀。
[0041]所述頂板120的中心部分貫通形成注入孔122，用于從外部向后述的氣體噴射流路121供應(yīng)氣體。
[0042]所述注入孔122為流入用于工藝處理的工藝氣體、NF3等清洗氣體等氣體的結(jié)構(gòu)，只要是滿足氣體的供應(yīng)，尤其是能夠穩(wěn)定地流入經(jīng)遠(yuǎn)程等離子發(fā)生裝置(Remote plasmagenerator)350解離的氣體的結(jié)構(gòu)，任意結(jié)構(gòu)皆可。
[0043]另外，形成于所述頂板120的底面的氣體噴射流路槽121形成于頂板120的底面，通過后述的輔助板210被覆蓋而形成氣體噴射流路121。
[0044]在此，所述氣體噴射流路121可形成為多種結(jié)構(gòu)，如:將通過注入孔122流入的氣體引導(dǎo)到后述的輔助板210上的多個(gè)地點(diǎn)之后，將氣體傳遞到下側(cè)即噴頭部220的結(jié)構(gòu)。
[0045]例如，所述頂板120的平面形狀為直四角形形狀，中間形成以上下貫通的注入孔122而接收外部供應(yīng)的氣體，氣體噴射流路211可從注入孔122，依次分岔η次(η為I以上的自然數(shù))成為成雙的分岔流路。在此，所述各氣體擴(kuò)散孔211可與氣體噴射流路121分岔的各終端相對應(yīng)地形成。
[0046]更具體地說，所述氣體噴射流路121，如圖2所圖示，可包括:一雙主分岔流路12Ia，以注入孔122為基準(zhǔn)，向上下分岔；一雙第2分岔流路121b，從各主分岔流路121a的末端，與主分岔流路121a垂直而向左右分岔;一雙第3分岔流路121c，從各第2分岔流路121b的末端，向上下分岔;一雙第4分岔流路121d，從各第3分岔流路121c的末端，向左右分岔。
[0047]在此，優(yōu)選地，后述的各氣體擴(kuò)散孔211與各第4分岔流路121d的末端相對應(yīng)地形成。
[0048]并且，由所述第I至第4分岔流路121a、121b、121c、121d等構(gòu)成的氣體噴射流路121是從注入孔122到后述的各氣體擴(kuò)散孔211的距離為固定的流路，其數(shù)量及樣式可以是多樣化的。
[0049]另外，所述氣體噴射流路121，可通過機(jī)械加工鋁或鋁合金等材質(zhì)的頂板120而形成為適當(dāng)?shù)钠拭嫘螤睢?br>[0050]另外，所述頂板120的適當(dāng)位置上可形成向上下貫通的工藝氣體供應(yīng)孔(未圖示)，用于供應(yīng)向注入孔122注入的氣體不同的其他氣體。
[0051]在此，所述工藝氣體供應(yīng)孔，通過貫通后述的輔助板210形成的供應(yīng)孔(未圖示)向后述的噴頭部220供應(yīng)工藝氣體。
[0052]所述輔助板210結(jié)合到頂板120的底面而與氣體噴射流路槽124—同形成氣體噴射流路121，形成多個(gè)氣體擴(kuò)散孔211而從氣體噴射流路121向下側(cè)傳遞氣體。
[0053]作為一例，所述輔助板210，圖如I及圖2所圖示，結(jié)合到頂板120的整個(gè)底面而形成氣體噴射流路121。
[0054]并且，所述輔助板210可設(shè)置成僅覆蓋頂板120的底面中形成氣體噴射流路槽124的部分。
[0055]所述多個(gè)氣體擴(kuò)散孔211，根據(jù)從氣體噴射流路121向下側(cè)傳遞氣體即根據(jù)向噴頭部220的氣體傳遞形態(tài)而決定其數(shù)量及大小。
[0056]另外，所述多個(gè)氣體擴(kuò)散孔211，為了獲得均勻的氣體供應(yīng)效果，優(yōu)選形成為其與注入孔122的距離都相同。
[0057]并且，優(yōu)選地，所述輔助板210的上面，追加設(shè)置突出部212，從與注入孔122相對應(yīng)的位置向上側(cè)突出。
[0058]如所述，若追加設(shè)置從與注入孔122相對應(yīng)的位置向上側(cè)突出的突出部212，則解離的高溫氣體通過注入孔122供應(yīng)時(shí)，能夠均勻地分配氣體及緩和輔助板210的熱沖擊，能夠防止熱變形或破損。
[0059]另外，優(yōu)選地，所述突出部212向注入孔122尖銳地形成，注入孔122上形成擴(kuò)張部123，與突出部212的形狀相對應(yīng)且內(nèi)徑能增加。
[0060]在此，如圖2至圖5所圖示，考慮到氣體的流動(dòng)向一雙主分岔流路121a分岔，所述突出部212形成為沿著一雙主分岔流路121a向下側(cè)傾斜。
[0061]這時(shí)，優(yōu)選地，為了引導(dǎo)氣體通暢地流動(dòng)，突出部212的外周面及注入孔122的內(nèi)周面相互平行地形成。
[0062]并且，所述突出部212，考慮到注入孔122的垂直剖面為圓形，可形成為圓號等號角形狀，向下側(cè)傾斜。
[0063]這時(shí)，為了引導(dǎo)氣體通暢地流動(dòng)，突出部212的外周面及注入孔122的內(nèi)周面相互平行地形成。
[0064]另外，優(yōu)選地，突出部212若形成角形狀，為了引導(dǎo)氣體的流動(dòng)，突出部212的底部的最大幅度的大小D2如圖5所圖示，大于注入孔122的內(nèi)徑Dl，小于擴(kuò)張部123的最大外徑D3o
[0065]所述噴頭部220可具有多種結(jié)構(gòu)，如:設(shè)置于輔助板210的下側(cè)，形成多個(gè)氣體噴射孔221，將氣體噴射到處理空間S。
[0066]這時(shí)，所述噴頭部220將通過形成于輔助板210的氣體擴(kuò)散孔211傳遞的氣體噴射到處理空間S。
[0067]在此，所述氣體為清洗氣體時(shí)，所述噴頭部220被形成于所述輔助板210的所述氣體擴(kuò)散孔211傳遞的氣體清洗，將所述氣體擴(kuò)散孔211噴射的氣體噴射到處理空間。
[0068]并且，所述噴頭部220可根據(jù)氣體的噴射結(jié)構(gòu)而形成多種結(jié)構(gòu)，如圖1所圖示，可設(shè)置成噴射板，在輔助板210的下側(cè)，形成一定間隔地設(shè)置，形成多個(gè)噴射孔229。
[0069]以上說明了能夠根據(jù)本發(fā)明呈現(xiàn)的優(yōu)選實(shí)施例的一部分，本發(fā)明的范圍并不限定于上述實(shí)施例，上述說明的本發(fā)明的技術(shù)思想及與該技術(shù)思同根的都屬于本發(fā)明的范圍。
[0070]符號說明
[0071]110:腔室主體 120:頂板
[0072]210:輔助板 220:噴頭部
[0073]130:基板支撐部
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基板處理裝置，其特征在于，包括: 腔室主體，上側(cè)是開口的； 基板支撐部，設(shè)置于所述腔室主體而支撐基板； 頂板，設(shè)置于所述腔室主體的開口而形成密閉的處理空間，其中間形成向上下貫通的注入孔而從外部接收氣體，底面形成氣體噴射流路； 輔助板，與所述頂板的底面結(jié)合而與所述氣體噴射流路槽一同形成用于將通過所述注入孔注入的氣體流動(dòng)的氣體噴射流路，并形成多個(gè)氣體擴(kuò)散孔而通過所述氣體噴射流路向下側(cè)傳遞氣體； 噴頭部，設(shè)置于所述輔助板的下側(cè)，形成多個(gè)工藝氣體噴射孔而將從所述氣體擴(kuò)散孔傳遞的氣體向處理空間噴射。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述氣體噴射流路，從所述注入孔依次分岔η次，η為I以上的自然數(shù)，而形成成雙的分岔流路， 所述各氣體擴(kuò)散孔，與所述氣體噴射流路的分岔的各終端相對應(yīng)地形成。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述多個(gè)氣體擴(kuò)散孔，與所述注入孔的距離都相同。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述輔助板的上面，形成突出部，所述突出部從與所述注入孔相對應(yīng)的位置，向上側(cè)突出。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述突出部，向所述注入孔尖銳地形成， 所述注入孔形成擴(kuò)張部，所述注入孔的內(nèi)徑對應(yīng)所述突出部的形狀而增加。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述突出部的底部的最大幅度的大小，大于所述注入孔的內(nèi)徑，小于所述擴(kuò)張部的最大外徑。7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述氣體為清洗所述噴頭部及所述腔室主體的清洗氣體， 所述清洗氣體以經(jīng)遠(yuǎn)程等離子發(fā)生裝置解離的狀態(tài)注入到所述氣體噴射流路。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述噴頭部，被形成于所述輔助板的所述氣體擴(kuò)散孔傳遞的氣體清洗，將通過所述氣體擴(kuò)散孔傳遞的氣體噴射到處理空間。9.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述噴頭部，包括噴射板，從所述輔助板的底面以形成一定間隔地設(shè)置，形成所述氣體噴射孔。
【文檔編號】H01J37/32GK106057622SQ201610184901
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年3月29日 公開號201610184901.X, CN 106057622 A, CN 106057622A, CN 201610184901, CN-A-106057622, CN106057622 A, CN106057622A, CN201610184901, CN201610184901.X
【發(fā)明人】嚴(yán)用鐸, 樸海允, 李政玟
【申請人】圓益Ips股份有限公司