減少緣于有含銅合金部件處理室的銅污染的系統(tǒng)和方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及減少緣于有含銅合金部件處理室的銅污染的系統(tǒng)和方法。用于減少在襯底處理系統(tǒng)中的銅污染的系統(tǒng)和方法包括在襯底處理系統(tǒng)的處理室中的襯底上執(zhí)行等離子體處理。部件被設(shè)置在所述處理室中并由包含銅的合金制成。所述等離子體處理使用包含氫分子的處理氣體混合物。在所述襯底上執(zhí)行所述等離子體處理之前并且在所述襯底被布置在處理室內(nèi)之前，使用調(diào)節(jié)等離子體處理來調(diào)節(jié)在所述處理室中的部件，所述調(diào)節(jié)等離子體處理包括包含氧分子和形成氣體的處理氣體混合物。
【專利說明】
減少緣于有含銅合金部件處理室的銅污染的系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及襯底處理系統(tǒng)，更具體地說，涉及用于減少在具有由含銅合金制成的部件的襯底處理室內(nèi)的銅污染的系統(tǒng)和方法。
【背景技術(shù)】
[0002]本文提供的背景描述的目的是總體上呈現(xiàn)本公開的背景。本發(fā)明署名的發(fā)明人的工作，就其在該【背景技術(shù)】部分以及可能不符合作為提交時的現(xiàn)有技術(shù)的說明書的一些方面中所描述的工作而言，既不明確也不暗示地被承認(rèn)作為本公開的現(xiàn)有技術(shù)。
[0003]諸如半導(dǎo)體晶片之類的襯底的金屬污染物導(dǎo)致器件性能的下降和產(chǎn)量的損失。國際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖(ITRS)保持對包含關(guān)于半導(dǎo)體晶片的可接受的金屬污染水平的準(zhǔn)則在內(nèi)的半導(dǎo)體處理的技術(shù)需求的預(yù)測。隨著特征尺寸的不斷減小，金屬污染的可接受的水平也降低。
[0004]在例如光致抗蝕劑剝離之類的等離子體處理過程中，形成氣體(FG)通常使用作為處理氣體。形成氣體包含4 %的氫分子和96 %的氮分子。形成氣體趨于在包含由含銅合金制成的部件的襯底處理室內(nèi)的等離子體處理期間產(chǎn)生過高的銅濃度。僅舉例而言，6061鋁合金包含95.85%至98.56%的鋁、0.15 %至0.40%的銅以及其它金屬。6061鋁合金被廣泛用于制造在處理室內(nèi)的暴露于等離子體的部件。當(dāng)6061鋁合金位于等離子體處理室(在該室內(nèi)形成氣體用作為處理氣體)內(nèi)時，該鋁合金中的銅會與處理氣體反應(yīng)并成為揮發(fā)性的，且可輸送到襯底并污染襯底。
[0005]減少銅污染的一種方法涉及在襯底處理室內(nèi)的等離子體調(diào)節(jié)。等離子體調(diào)節(jié)通常需要一周或更多周來執(zhí)行并產(chǎn)生不一致的結(jié)果。另一種方法是用不包含銅的金屬制造處理室部件。這種方法可能會增加襯底處理工具的成本，并且會增大可能產(chǎn)生其它問題的性能變換的風(fēng)險。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]—種用于減少在襯底處理系統(tǒng)中的銅污染的方法包括:在襯底處理系統(tǒng)的處理室中的襯底上執(zhí)行等離子體處理。被設(shè)置在所述處理室中的部件由包含銅的合金制成。所述等離子體處理使用包含氫分子的處理氣體混合物。在所述襯底上執(zhí)行所述等離子體處理之前并且在所述襯底被布置在處理室之前，該方法包括:使用調(diào)節(jié)等離子體處理來調(diào)節(jié)在所述處理室中的部件，所述調(diào)節(jié)等離子體處理包括包含氧分子和形成氣體的處理氣體混合物。
[0007]在其它特征中，所述合金包含鋁。所述合金包含6061鋁合金。所述處理氣體混合物包含形成氣體。該形成氣體包含4%的氫分子和96%的氮分子。
[0008]在其它特征中，所述方法包括在所述調(diào)節(jié)等離子體處理期間在所述處理室中的襯底支撐件上布置偽襯底(dummy substrate)。
[0009]在其它特征中，所述襯底包含半導(dǎo)體晶片。所述等離子體處理包含光致抗蝕劑剝除工藝。
[0010]在其它特征中，在所述調(diào)節(jié)等離子體處理之后在所述處理室內(nèi)的銅污染相比于在所述調(diào)節(jié)等離子體處理之前的銅污染，減少了 90%。
[0011]在其它特征中，該調(diào)節(jié)等離子體處理包含N個等離子體處理循環(huán)，每個等離子體處理循環(huán)都包含等離子體接通時間，并且其中N是大于I的整數(shù)。
[0012]一種襯底處理系統(tǒng)包含處理室。被設(shè)置在所述處理室中的部件由包括銅的合金制成。等離子體產(chǎn)生器被配置為產(chǎn)生所述處理室內(nèi)的等離子體。氣體輸送系統(tǒng)被配置為選擇性地輸送形成氣體、氧分子和/或氫分子至所述處理室?？刂破鬟B通所述氣體輸送系統(tǒng)和所述等離子體產(chǎn)生器。該控制器被配置為，在使用包含氫分子的處理氣體混合物在處理室內(nèi)的襯底上執(zhí)行等離子體處理之前并且在所述襯底被布置在所述處理室之前，使用調(diào)節(jié)等離子體處理來調(diào)節(jié)在所述處理室中的所述部件，所述調(diào)節(jié)等離子體處理包括包含氧分子和形成氣體的處理氣體混合物。該控制器進(jìn)一步被配置為:在所述襯底上執(zhí)行所述等離子體處理。
[0013]在其它特征中，所述合金包含鋁。所述合金包含6061鋁合金。所述處理氣體混合物包含形成氣體。該形成氣體包含4%的氫分子和96%的氮分子。在所述調(diào)節(jié)等離子體處理期間在所述處理室中的襯底支撐件上布置偽襯底。所述襯底包含半導(dǎo)體晶片。所述等離子體處理包含光致抗蝕劑剝除工藝。
[0014]在其它特征中，在所述調(diào)節(jié)等離子體處理之后在所述處理室內(nèi)的銅污染相比于在所述調(diào)節(jié)等離子體處理之前的銅污染，減少了 90%。
[0015]在其它特征中，該調(diào)節(jié)等離子體處理包含N個等離子體處理循環(huán)，每個等離子體處理循環(huán)都包含等離子體接通時間，并且其中N是大于I的整數(shù)。
[0016]具體而言，本發(fā)明的一些方面可以描述如下:
1.一種用于減少在襯底處理系統(tǒng)中的銅污染的方法，其包括:
在襯底處理系統(tǒng)的處理室中的襯底上執(zhí)行等離子體處理，
其中，被設(shè)置在所述處理室中的部件由包含銅的合金制成，
其中，所述等離子體處理使用包含氫分子的處理氣體混合物；以及在所述襯底上執(zhí)行所述等離子體處理之前并且在所述襯底被布置在處理室內(nèi)之前，使用調(diào)節(jié)等離子體處理來調(diào)節(jié)在所述處理室中的所述部件，所述調(diào)節(jié)等離子體處理包括使用包含氧分子和形成氣體的調(diào)節(jié)氣體混合物。
2.根據(jù)條款I(lǐng)所述的方法，其中，所述合金包含鋁。
3.根據(jù)條款I(lǐng)所述的方法，其中，所述合金包含6061鋁合金。
4.根據(jù)條款I(lǐng)所述的方法，其中，所述處理氣體混合物包含形成氣體。
5.根據(jù)條款4所述的方法，其中，所述形成氣體包含4%的氫分子和96 %的氮分子。
6.根據(jù)條款I(lǐng)所述的方法，其還包括在所述調(diào)節(jié)等離子體處理期間在所述處理室中的襯底支撐件上布置偽襯底。
7.根據(jù)條款I(lǐng)所述的方法，其中，所述襯底包含半導(dǎo)體晶片。
8.根據(jù)條款I(lǐng)所述的方法，其中，所述等離子體處理包含光致抗蝕劑剝除工藝。
9.根據(jù)條款I(lǐng)所述的方法，其中，在所述調(diào)節(jié)等離子體處理之后在所述處理室內(nèi)的銅污染相比于在所述調(diào)節(jié)等離子體處理之前的銅污染，減少了 90%。 10.根據(jù)條款I(lǐng)所述的方法，其中，所述調(diào)節(jié)等離子體處理包含N個等離子體處理循環(huán)，每個等離子體處理循環(huán)都包含等離子體接通時間，并且其中N是大于I的整數(shù)。
11.一種襯底處理系統(tǒng)，其包含:
處理室；
被設(shè)置在所述處理室中的由包含銅的合金制成的部件；
等離子體產(chǎn)生器，其被配置為產(chǎn)生在所述處理室內(nèi)的等離子體；
氣體輸送系統(tǒng)，其被配置為選擇性地輸送形成氣體、氧分子和/或氫分子至所述處理室；以及
控制器，其與所述氣體輸送系統(tǒng)和所述等離子體產(chǎn)生器連通并且被配置為:
在使用包含氫分子的處理氣體混合物在所述處理室中的襯底上執(zhí)行等離子體處理之前并且在所述襯底被布置在所述處理室內(nèi)之前，使用調(diào)節(jié)等離子體處理來調(diào)節(jié)在所述處理室中的所述部件，所述調(diào)節(jié)等離子體處理包括使用包含氧分子和形成氣體的調(diào)節(jié)氣體混合物；以及
在所述襯底上執(zhí)行所述等離子體處理。
12.根據(jù)條款11所述的襯底處理系統(tǒng)，其中，所述合金包含鋁。
13.根據(jù)條款11所述的襯底處理系統(tǒng)，其中，所述合金包含6061鋁合金。
14.根據(jù)條款11所述的襯底處理系統(tǒng)，其中，所述處理氣體混合物包含形成氣體。
15.根據(jù)條款14所述的襯底處理系統(tǒng)，其中，所述形成氣體包含4%的氫分子和96%的氮分子。
16.根據(jù)條款11所述的襯底處理系統(tǒng)，其中所述控制器被配置為在所述調(diào)節(jié)等離子體處理期間在所述處理室中的襯底支撐件上布置偽襯底。
17.根據(jù)條款11所述的襯底處理系統(tǒng)，其中，所述襯底包含半導(dǎo)體晶片。
18.根據(jù)條款11所述的襯底處理系統(tǒng)，其中，所述等離子體處理包含光致抗蝕劑剝除工
-H-
O
19.根據(jù)條款11所述的襯底處理系統(tǒng)，其中，在所述調(diào)節(jié)等離子體處理之后在所述處理室內(nèi)的銅污染相比于在所述調(diào)節(jié)等離子體處理之前的銅污染，減少了 90%。
20.根據(jù)條款11所述的襯底處理系統(tǒng)，其中，所述調(diào)節(jié)等離子體處理包含N個等離子體處理循環(huán)，每個等離子體處理循環(huán)都包含等離子體接通時間，并且其中N是大于I的整數(shù)。
[0017]根據(jù)詳細(xì)描述、權(quán)利要求書和附圖，本發(fā)明的適用性的進(jìn)一步的范圍將變得顯而易見。詳細(xì)描述和具體實施例僅用于說明的目的，并非意在限制本發(fā)明的范圍。
【附圖說明】
[0018]根據(jù)詳細(xì)描述和附圖，可以更全面地理解本發(fā)明，其中:
[0019]圖1是根據(jù)本公開內(nèi)容的使用形成氣體并已減少了銅污染的基于等離子體的襯底處理系統(tǒng)的一個實施例的功能框圖；
[0020]圖2是根據(jù)本公開內(nèi)容的使用形成氣體并已減少了銅污染的襯底處理系統(tǒng)的另一個實施例的功能框圖；
[0021 ]圖3是遠(yuǎn)程等離子體源的一個實施例的功能框圖；以及
[0022]圖4是圖解用于減少等離子體處理室內(nèi)的銅污染的方法的步驟的流程圖。
[0023]在附圖中，附圖標(biāo)記可以被多次使用，以標(biāo)識相似和/或相同的元件。
【具體實施方式】
[0024]根據(jù)本公開內(nèi)容的系統(tǒng)和方法在使用基于氫的等離子體進(jìn)行等離子體處理之前調(diào)節(jié)襯底處理室以減少由于存在由含銅合金制成的部件導(dǎo)致的銅污染。在一些實施例中，基于氫的等離子體包含形成氣體。一致的結(jié)果可以在幾個小時內(nèi)而不是常規(guī)調(diào)節(jié)處理所需要的一周或多周內(nèi)實現(xiàn)。
[0025]本文描述的系統(tǒng)和方法使由含銅合金制成的部件暴露于使用包含氧分子和形成氣體(FG)的調(diào)節(jié)氣體混合物的等離子體循環(huán)。在調(diào)節(jié)處理期間，生產(chǎn)襯底沒有位于處理室中。然而，偽襯底可用于保護(hù)襯底支撐件。在一些實施例中，氧分子與形成氣體的比例為3:2，但也可以使用其它比例。本文描述的系統(tǒng)和方法可用于調(diào)節(jié)在新的室內(nèi)的部件、所使用的具有新的部件的室或在先前用不同的氣體化學(xué)品處理的所使用的室內(nèi)的部件。
[0026]現(xiàn)在參考圖1，襯底處理系統(tǒng)I包含處理室2，處理室2具有等離子體源3，等離子體源3可以是直接的或遠(yuǎn)程的(未示出)。該襯底處理系統(tǒng)I還包含氣體輸送系統(tǒng)4，氣體輸送系統(tǒng)4選擇性地輸送調(diào)節(jié)氣體、處理氣體及/或清掃氣體到在處理室2內(nèi)的氣體分配設(shè)備5。處理室2還包含一個或多個布置在處理室2內(nèi)并且由含銅合金制成的部件6。處理室2還包含襯底支撐件7，如基座、卡盤等，在處理過程中襯底定位在襯底支撐件7上。排放系統(tǒng)8將反應(yīng)物和蝕刻副產(chǎn)物從處理室2除去。
[0027]控制器9在操作過程中與等離子體源3和氣體輸送系統(tǒng)4進(jìn)行通信并控制等離子體源3和氣體輸送系統(tǒng)4。在室調(diào)節(jié)處理期間，控制器9被配置成在等離子體循環(huán)期間供給氧分子和形成氣體的調(diào)節(jié)氣體混合物。一個或更多個偽襯底可以在等離子體循環(huán)期間被布置在襯底支撐件7上。在執(zhí)行預(yù)定數(shù)量的等離子體循環(huán)后，部件6被調(diào)節(jié)，并會造成在隨后的使用基于氫的等離子體處理過程中處理的生產(chǎn)襯底的顯著較少的銅污染。在一些實施例中，在調(diào)節(jié)過程中使用的持續(xù)時間、RF功率與在襯底的后續(xù)處理過程中使用的持續(xù)時間、RF功率是大致相同的或相似的。
[0028]雖然在此將進(jìn)一步描述用于使用遠(yuǎn)程等離子體源執(zhí)行光致抗蝕劑剝除工藝的特定襯底處理系統(tǒng)，但其它類型的使用基于氫的等離子體并利用由含銅合金制成的部件的基于等離子體的處理室也可以使用。其它襯底處理系統(tǒng)的實例包含等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)處理工具和等離子體增強(qiáng)原子層沉積(PEALD)處理工具。
[0029]現(xiàn)在參考圖2和3，示出了襯底處理系統(tǒng)10的一實施例。在圖2中，襯底處理系統(tǒng)10包含處理室12和氣體分配設(shè)備13，例如噴頭14。襯底支撐件16可以被布置在處理室12中。在使用過程中，襯底18(如半導(dǎo)體晶片或其它類型的襯底)可以被布置在襯底支撐件16上。在調(diào)節(jié)期間，偽襯底可用于保護(hù)襯底支撐件16。
[0030]襯底處理系統(tǒng)10包含氣體輸送系統(tǒng)20以供應(yīng)處理氣體和/或清掃氣體。僅舉例而言，氣體輸送系統(tǒng)20可以包含:一個或多個氣體源22-1、22-2.....和22_N(統(tǒng)稱為氣體源
22)，其中N是大于零的整數(shù)；閥24-1、24-2.....和24-N(統(tǒng)稱為閥24)和質(zhì)量流量控制器
(MFC)26-l、26-2、...、和26-N(統(tǒng)稱為MFC 26)。
[0031]氣體輸送系統(tǒng)20的輸出可以在歧管30內(nèi)混合并輸送到遠(yuǎn)程等離子體源32和/或直接輸送到氣體分配設(shè)備13。在一些實施例中，該噴頭14包含基座部分33和連接到基座部分33的桿部分34?；糠?3從桿部分34徑向向外延伸?；糠?3可延伸朝向處理室12的相對側(cè)壁35。在圖3中，遠(yuǎn)程等離子體源32可以包含布置在桿部分34周圍的感應(yīng)線圈37。射頻(RF)或微波(Mff)源38選擇性地供給RF或Mff功率給感應(yīng)線圈37。匹配網(wǎng)絡(luò)(未示出)可以在源38和感應(yīng)線圈37之間使用。
[0032]在圖2中的控制器40可以連接到一個或多個傳感器41，傳感器41監(jiān)測在處理室12內(nèi)的操作參數(shù)，如室的溫度、壓強(qiáng)等。加熱器42可以被提供來根據(jù)需要加熱襯底支撐件16和襯底18。閥50和栗52可以被提供來從處理室12抽排氣體?？刂破?0可以用來控制氣體輸送系統(tǒng)20、加熱器42、閥50、栗52以及由遠(yuǎn)程等離子體源32產(chǎn)生的等離子體。
[0033]現(xiàn)在參考圖4，一種用于調(diào)節(jié)處理室以減少銅污染的方法110被示出。該處理室包含由含銅合金制成的一個或多個部件。在一些實施例中，這些部件由含銅的鋁合金制成。在其它實施例中，鋁合金包含6061鋁合金。在114，偽襯底任選裝載到襯底支撐上。偽襯底可被用于在等離子體調(diào)節(jié)期間保護(hù)襯底支撐件。在118，該方法使用包含氧分子和形成氣體的調(diào)節(jié)氣體混合物提供等離子體至所述室或在室內(nèi)產(chǎn)生等離子體。在126，啟動定時器。在130，該方法確定預(yù)定時間是否已經(jīng)過去。當(dāng)如在130所確定的預(yù)定時間段已經(jīng)過去時，在134熄滅等離子體。如果使用了偽襯底，則可將偽襯底從處理室移除(或者偽襯底可以保持在處理室內(nèi))。在142，該方法確定是否應(yīng)執(zhí)行附加循環(huán)。如果如在142確定的應(yīng)執(zhí)行附加循環(huán)時，則方法返回到114。否則，該方法在146繼續(xù)，并且使用諸如形成氣體之類的基于氫的等離子體的基于等離子體的工藝可在具有降低的銅污染的處理室中進(jìn)行。
[0034]在一些實施例中，在調(diào)節(jié)處理期間執(zhí)行預(yù)定數(shù)量的射頻小時(RFH) AFH對應(yīng)于調(diào)節(jié)期間的等離子體接通時間段的總和，并且不包含當(dāng)?shù)入x子體熄滅時(例如當(dāng)偽襯底加載到處理室并從處理室卸載時)的時間段。僅舉例而言，所述RFH可以被設(shè)置為在2即!1至201^!1的范圍內(nèi)，但可以使用其它的RFH范圍。僅舉例而言，所述RFH可以被設(shè)置成等于10，并且每個循環(huán)時間可以等于120秒或2分鐘。在本實施例中，等離子體將被循環(huán)300次(600分鐘/每等離子體接通循環(huán)2分鐘)。在一些實施例中，盒或前開式統(tǒng)一盒(FOUP) (front openingunified pod)可以被用于輸送偽襯底至襯底處理工具。
[0035]在一些實施例中，調(diào)節(jié)處理使用工藝參數(shù)(持續(xù)時間、功率和等離子體循環(huán)數(shù))，這些工藝參數(shù)類似于使用基于氫的等離子體(諸如形成氣體)的隨后將用于襯底的等離子體處理的工藝參數(shù)。僅舉例而言，該調(diào)節(jié)處理的RF接通時間可以介于等離子體處理的RF接通時間的80%至等離子體處理的RF接通時間的120%之間。同樣，RF接通循環(huán)數(shù)可近似對應(yīng)于將在等離子體處理中使用的等離子體循環(huán)數(shù)。僅舉例而言，所述調(diào)節(jié)等離子體處理可以包含N個處理循環(huán)，并且等離子體處理可以包含M個處理循環(huán)。在一些實施例中，N為介于M的80%至M的120%之間。
[0036]在調(diào)節(jié)處理期間，銅從由含銅合金制成的處理室部件的外表面釋放。銅變成揮發(fā)性氫化銅(CuH)，并通過氣流除去。在一些實施例中，該合金包含鋁合金。在一些實施例中，鋁合金包含6061鋁合金，但也可以使用其它包含鋁和銅的鋁合金。
[0037]在一些實施例中，在調(diào)節(jié)處理之后，銅污染水平是從2至16el0/cm2下降到小于lelO/cm2，銅污染水平至少降低了90 %。
[0038]在一個示例性工藝中，處理溫度被設(shè)定為285°C，處理壓強(qiáng)被設(shè)定為1.5托，RFH被設(shè)定為10，RF功率被設(shè)定為4500瓦，并且RF等離子體時間被設(shè)定為120秒，但也可以使用其它工藝參數(shù)。在這個例子中，氧分子以6000sccm供給并且形成氣體以4000sccm供給，但也可以使用其它的流率。
[0039]前面的描述在本質(zhì)上僅僅是說明性的，并且決不旨在限制本公開內(nèi)容、本公開的應(yīng)用或用途。本公開的廣泛教導(dǎo)可以以各種形式來實現(xiàn)。因此，雖然本公開包含特定示例，但本公開的真實范圍不應(yīng)當(dāng)受此限制，因為根據(jù)對本附圖、說明書和以下的權(quán)利要求書的研究，其它的修改將會變得顯而易見。如本文所使用的，短語A、B和C中的至少一個應(yīng)該被解釋為指使用非排他性的邏輯或(OR)的邏輯(A或B或C)，而不應(yīng)該被解釋為指“A中的至少一個，B中的至少一個，和C中的至少一個”。應(yīng)當(dāng)理解的是，在方法中的一個或多個步驟可以以不同的順序(或同時)執(zhí)行，而不改變本公開的原理。
[0040]在一些實現(xiàn)方式中，控制器是系統(tǒng)的一部分，該系統(tǒng)可以是上述實施例的一部分。這種系統(tǒng)可以包含半導(dǎo)體處理設(shè)備，該半導(dǎo)體處理設(shè)備包含一個或多個處理工具、一個或多個處理室、用于處理的一個或多個平臺和/或具體的處理部件(晶片基座、氣流系統(tǒng)等)。這些系統(tǒng)可以與用于控制它們在處理半導(dǎo)體晶片或襯底之前、期間和之后的處理的電子器件一體化。電子器件可以稱為“控制器”，該控制器可以控制一個或多個系統(tǒng)的各種元件或子部件。取決于處理要求和/或系統(tǒng)的類型，控制器可以被編程以控制本文公開的任何處理工藝，包含控制處理氣體輸送、溫度設(shè)置(例如，加熱和/或冷卻)、壓強(qiáng)設(shè)置、真空設(shè)置、功率設(shè)置、射頻(RF)產(chǎn)生器設(shè)置、RF匹配電路設(shè)置、頻率設(shè)置、流速設(shè)置、流體輸送設(shè)置、位置及過程設(shè)置、晶片轉(zhuǎn)移進(jìn)出工具和其它轉(zhuǎn)移工具和/或與具體系統(tǒng)連接或通過接口連接的裝載鎖。
[0041]廣義而言，控制器可以定義為接收指令、發(fā)布指令、控制處理、啟用清潔處理、啟用端點測量等等的具有各種集成電路、邏輯、存儲器和/或軟件的電子器件。集成電路可以包含存儲程序指令的固件形式的芯片、數(shù)字信號處理器(DSP)、定義為專用集成電路(ASIC)的芯片和/或一個或多個微處理器或執(zhí)行程序指令(例如，軟件)的微控制器。程序指令可以是以各種單獨設(shè)置的形式(或程序文件)傳送到控制器的指令，該設(shè)置定義用于在半導(dǎo)體晶片或系統(tǒng)上或針對半導(dǎo)體晶片或系統(tǒng)執(zhí)行特定過程的工藝參數(shù)。在一些實施方式中，工藝參數(shù)可以是由工藝工程師定義的用于在制備晶片的一或多個(種)層、材料、金屬、氧化物、硅、二氧化硅、表面、電路和/或管芯期間完成一個或多個處理步驟的工藝配方(recipe)的一部分。
[0042]在一些實現(xiàn)方式中，控制器可以是與系統(tǒng)集成、耦合或者說是通過網(wǎng)絡(luò)連接系統(tǒng)或它們的組合的計算機(jī)的一部分或者與該計算機(jī)耦合。例如，控制器可以在“云端”或者是fab主機(jī)系統(tǒng)的全部或一部分，從而可以允許遠(yuǎn)程訪問晶片處理。計算機(jī)可以啟用對系統(tǒng)的遠(yuǎn)程訪問以監(jiān)測制造工藝的當(dāng)前進(jìn)程，檢查過去的制造工藝的歷史，檢查多個制造工藝的趨勢或性能指標(biāo)，改變當(dāng)前處理的參數(shù)，設(shè)置處理步驟以跟隨當(dāng)前的處理或者開始新的工藝。在一些實施例中，遠(yuǎn)程計算機(jī)(例如，服務(wù)器)可以通過網(wǎng)絡(luò)給系統(tǒng)提供工藝配方，網(wǎng)絡(luò)可以包含局域網(wǎng)或互聯(lián)網(wǎng)。遠(yuǎn)程計算機(jī)可以包含允許輸入或編程參數(shù)和/或設(shè)置的用戶界面，該參數(shù)和/或設(shè)置然后從遠(yuǎn)程計算機(jī)傳送到系統(tǒng)。在一些實施例中，控制器接收數(shù)據(jù)形式的指令，該指令指明在一個或多個處理期間將要執(zhí)行的每個處理步驟的參數(shù)。應(yīng)當(dāng)理解，參數(shù)可以針對將要執(zhí)行的工藝類型以及工具類型，控制器被配置成連接或控制該工具類型。因此，如上所述，控制器可以例如通過包含一個或多個分立的控制器而為分布式，這些分立的控制器通過網(wǎng)絡(luò)連接在一起并且朝著共同的目標(biāo)(例如，本文所述的工藝和控制)工作。用于這些目的的分布式控制器的實施例可以是與組合以控制室上的工藝的一個或多個遠(yuǎn)程集成電路(例如，在平臺水平或作為遠(yuǎn)程計算機(jī)的一部分)通信的室上的一個或多個集成電路。
[0043]在非限制性的條件下，示例的系統(tǒng)可以包含等離子體蝕刻室或模塊、沉積室或模塊、旋轉(zhuǎn)清洗室或模塊、金屬電鍍室或模塊、清潔室或模塊、倒角邊緣蝕刻室或模塊、物理氣相沉積(PVD)室或模塊、化學(xué)氣相沉積(CVD)室或模塊、原子層沉積(ALD)室或模塊、原子層蝕刻(ALE)室或模塊、離子注入室或模塊、軌道室或模塊、以及在半導(dǎo)體晶片的制備和/或制造中可以關(guān)聯(lián)上或使用的任何其它的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)。
[0044]如上所述，取決于工具將要執(zhí)行的一個或多個工藝步驟，控制器可以與一個或多個其它的工具電路或模塊、其它工具部件、組合工具、其它工具界面、相鄰的工具、鄰接工具、位于整個工廠中的工具、主機(jī)、另一個控制器、或者在材料搬運中使用的將晶片的容器往來于半導(dǎo)體制造工廠中的工具位置和/或裝載口搬運的工具通信。
【主權(quán)項】
1.一種用于減少在襯底處理系統(tǒng)中的銅污染的方法，其包括: 在襯底處理系統(tǒng)的處理室中的襯底上執(zhí)行等離子體處理， 其中，被設(shè)置在所述處理室中的部件由包含銅的合金制成， 其中，所述等離子體處理使用包含氫分子的處理氣體混合物；以及在所述襯底上執(zhí)行所述等離子體處理之前并且在所述襯底被布置在處理室內(nèi)之前，使用調(diào)節(jié)等離子體處理來調(diào)節(jié)在所述處理室中的所述部件，所述調(diào)節(jié)等離子體處理包括包含氧分子和形成氣體的處理氣體混合物。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述合金包含鋁。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述合金包含6061鋁合金。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述處理氣體混合物包含形成氣體。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述形成氣體包含4%的氫分子和96 %的氮分子。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其還包括在所述調(diào)節(jié)等離子體處理期間在所述處理室中的襯底支撐件上布置偽襯底。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述襯底包含半導(dǎo)體晶片。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述等離子體處理包含光致抗蝕劑剝除工藝。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述調(diào)節(jié)等離子體處理之后在所述處理室內(nèi)的銅污染相比于在所述調(diào)節(jié)等離子體處理之前的銅污染，減少了 90%。10.—種襯底處理系統(tǒng)，其包含: 處理室； 被設(shè)置在所述處理室中的由包含銅的合金制成的部件； 等離子體產(chǎn)生器，其被配置為產(chǎn)生在所述處理室內(nèi)的等離子體； 氣體輸送系統(tǒng)，其被配置為選擇性地輸送形成氣體、氧分子和/或氫分子至所述處理室；以及 控制器，其與所述氣體輸送系統(tǒng)和所述等離子體產(chǎn)生器連通并且被配置為: 在使用包含氫分子的處理氣體混合物在所述處理室中的襯底上執(zhí)行等離子體處理之前并且在所述襯底被布置在所述處理室內(nèi)之前，使用調(diào)節(jié)等離子體處理來調(diào)節(jié)在所述處理室中的所述部件，所述調(diào)節(jié)等離子體處理包括包含氧分子和形成氣體的處理氣體混合物；以及 在所述襯底上執(zhí)行所述等離子體處理。
【文檔編號】H01J37/32GK106057623SQ201610228014
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年4月13日 公開號201610228014.8, CN 106057623 A, CN 106057623A, CN 201610228014, CN-A-106057623, CN106057623 A, CN106057623A, CN201610228014, CN201610228014.8
【發(fā)明人】方浩全, 丁易洪, 張大衛(wèi)
【申請人】朗姆研究公司