用于晶圓級(jí)封裝件的互連結(jié)構(gòu)及其形成方法
【專利摘要】用于形成器件封裝件的方法包括在多個(gè)管芯周圍形成模塑料以及在管芯上方層壓聚合物層。在形成模塑料時(shí)，管芯的頂面由膜層覆蓋，并且聚合物層橫向延伸超出管芯的邊緣部分。該方法還包括在聚合物層中形成導(dǎo)電通孔，其中，導(dǎo)電通孔在管芯的一個(gè)的頂面處電連接至接觸焊盤。本發(fā)明的實(shí)施例還涉及用于晶圓級(jí)封裝件的互連結(jié)構(gòu)及其形成方法。
【專利說(shuō)明】用于晶圓級(jí)封裝件的互連結(jié)構(gòu)及其形成方法
[0001 ]本申請(qǐng)是2014年8月20日提交的美國(guó)申請(qǐng)第14/464,487號(hào)的部分繼續(xù)申請(qǐng)案，其內(nèi)容結(jié)合于此作為參考。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明的實(shí)施例涉及集成電路器件，更具體地，涉及用于晶圓級(jí)封裝件的互連結(jié)構(gòu)及其形成方法。
【背景技術(shù)】
[0003]在諸如晶圓級(jí)封裝(WLP)的傳統(tǒng)封裝技術(shù)的方面，再分布層(RDL)可以形成在管芯上方并且電連接至管芯中的有源器件。然后可以形成諸如凸塊下金屬化(UBM)上的焊球的外部輸入/輸出(I/0)焊盤以通過(guò)RDL電連接至管芯。封裝技術(shù)的有利特征是形成扇出封裝件的可能性。因此，管芯上的I/O焊盤可以再分布至比管芯更大的區(qū)域，并且因此可以增大封裝在管芯的表面上的I/O焊盤的數(shù)量。
[0004]在這種封裝技術(shù)中，可以在管芯周圍形成模塑料以提供表面區(qū)域以支撐扇出互連結(jié)構(gòu)。例如，RDL通常包括形成在管芯和模塑料上方的一個(gè)或多個(gè)聚合物層。導(dǎo)電部件(例如，導(dǎo)線和/或通孔)形成在聚合物層中并且將管芯上的I/O焊盤電連接至RDL上方的外部I/O焊盤。外部I/O焊盤可以設(shè)置在管芯和模塑料上方。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種器件封裝件，包括:第一管芯和第二管芯，所述第一管芯的頂面與所述第二管芯的頂面相對(duì)于所述第一管芯的主表面垂直偏移;模塑料，沿著所述第一管芯和所述第二管芯的側(cè)壁延伸，其中，所述模塑料的頂面的至少部分包括傾斜表面，并且所述頂面的部分位于所述第一管芯和所述第二管芯之間；聚合物層，與所述模塑料的頂面、所述第一管芯的頂面和所述第二管芯的頂面接觸，其中，所述聚合物層的頂面齊平；以及第一導(dǎo)電部件，位于所述聚合物層中，其中，所述導(dǎo)電部件電連接至所述第一管芯。
[0006]本發(fā)明的另一實(shí)施例提供了一種方法，包括:在襯底上放置第一管芯和第二管芯，所述第一管芯的高度與所述第二管芯的高度不同，其中，所述第一管芯的高度是從所述襯底的表面至所述第一管芯的離所述襯底最遠(yuǎn)的表面的最短距離，并且所述第二管芯的高度是從所述襯底的表面至所述第二管芯的離所述襯底最遠(yuǎn)的表面的最短距離;沿著所述第一管芯和所述第二管芯的側(cè)壁形成模塑料，其中，在形成所述模塑料時(shí)，所述第一管芯的頂面和所述第二管芯的頂面由膜層覆蓋;在所述第一管芯和所述第二管芯上方層壓聚合物層，其中，所述聚合物層橫向延伸超出所述第一管芯和所述第二管芯的邊緣部分;在所述聚合物層中形成第一導(dǎo)電通孔，其中，所述第一導(dǎo)電通孔在所述第一管芯的頂面處電連接至接觸焊盤；以及在所述聚合物層中形成第二導(dǎo)電通孔，其中，所述第二導(dǎo)電通孔在所述第二管芯的頂面處電連接至接觸焊盤。
[0007]本發(fā)明的又一實(shí)施例提供了一種方法，包括:在襯底上放置多個(gè)管芯，其中，第一管芯的第一厚度與第二管芯的第二厚度不同；在所述襯底上方傳遞模制模塑料，并且所述模塑料沿著所述多個(gè)管芯的每個(gè)的側(cè)壁延伸，其中，所述多個(gè)管芯的每個(gè)的頂面在所述傳遞模制期間由膜層覆蓋;在所述多個(gè)管芯上方形成聚合物層;在所述聚合物層中至少部分地形成導(dǎo)電部件，其中，所述導(dǎo)電部件電連接至所述多個(gè)管芯的一個(gè)的接觸焊盤；以及在所述導(dǎo)電部件上方形成電連接至所述導(dǎo)電部件的外部連接件。
【附圖說(shuō)明】
[0008]當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，從以下詳細(xì)描述可最佳理解本發(fā)明的各方面。應(yīng)該注意，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各個(gè)部件未按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各個(gè)部件的尺寸可以任意地增大或減小。
[0009]圖1A和圖1B示出了根據(jù)一些實(shí)施例的器件封裝件的截面圖。
[0010]圖2A和圖2B至圖13示出了根據(jù)一些實(shí)施例的制造器件封裝件的中間步驟的截面圖。
[0011]圖14至圖20示出了根據(jù)一些其他實(shí)施例的制造器件封裝件的中間步驟的截面圖。
[0012]圖21A和圖21B示出了根據(jù)一些可選實(shí)施例的器件封裝件的截面圖。
[0013]圖22示出了根據(jù)一些實(shí)施例的用于形成器件封裝件的工藝流程圖。
[0014]圖23至圖26示出了根據(jù)一些實(shí)施例的器件封裝件的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]以下公開內(nèi)容提供了許多用于實(shí)現(xiàn)所提供主題的不同特征的不同實(shí)施例或?qū)嵗Ｏ旅婷枋隽私M件和布置的具體實(shí)例以簡(jiǎn)化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅僅是實(shí)例，而不旨在限制本發(fā)明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸形成的實(shí)施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實(shí)施例。此外，本發(fā)明可在各個(gè)實(shí)例中重復(fù)參考標(biāo)號(hào)和/或字符。該重復(fù)是為了簡(jiǎn)單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個(gè)實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。
[0016]而且，為便于描述，在此可以使用諸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，以描述如圖所示的一個(gè)元件或部件與另一個(gè)(或另一些)元件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位上)，而本文使用的空間相對(duì)描述符可以同樣地作出相應(yīng)的解釋。
[0017]在具體地描述示出的實(shí)施例之前，一般地將描述公開的實(shí)施例的有利特征和方面。一般來(lái)說(shuō)，公開了模塑料表面上的聚合物膜涂層(例如，用于再分布層(RDL)結(jié)構(gòu))的新結(jié)構(gòu)和方法，其簡(jiǎn)化了封裝件處理并且降低了工藝成本。
[0018]下面描述了用于形成扇出封裝件和相應(yīng)的結(jié)構(gòu)的方法。在一些實(shí)施例中，使用傳遞模制工藝在管芯周圍形成模塑料。在形成模塑料之后，管芯的頂面可以保持暴露。因此，不必對(duì)模塑料實(shí)施研磨工藝(或其他回蝕刻技術(shù))來(lái)暴露管芯。由于傳遞模制工藝，模塑料的頂面可以具有約5μπι至約I Ομπι的總厚度變化(TTV，例如，頂面的最高點(diǎn)和最低點(diǎn)之間的距離)。使用層壓工藝(例如，真空層壓、熱輥層壓等)在模塑料和管芯上方形成聚合物層(例如，第一 RDL)。層壓工藝還可以包括通過(guò)例如壓力夾緊平坦化聚合物層的頂面。隨后在聚合物層上方形成各個(gè)導(dǎo)電部件(例如，導(dǎo)線和/或通孔)和/或額外的RDL層。因此，可以使用傳遞模制和層壓工藝在管芯和模塑料上方形成扇出RDL結(jié)構(gòu)，這可以降低制造封裝件的整體成本。
[0019]圖1A示出了根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的扇出器件封裝件100的截面圖。封裝件100包括管芯102、設(shè)置在管芯周圍的模塑料104以及形成在管芯102和模塑料104上方的RDL106(例如，具有導(dǎo)電部件120)。管芯102可以是半導(dǎo)體管芯并且可以是諸如處理器、邏輯電路、存儲(chǔ)器、模擬電路、數(shù)字電路、混合信號(hào)等的任何類型的集成電路。管芯102可以包括襯底、有源器件和互連結(jié)構(gòu)(未單獨(dú)地示出)。例如，襯底可以包括摻雜或未摻雜的塊狀硅或絕緣體上半導(dǎo)體(SOI)襯底的有源層。通常地，SOI襯底包括形成在絕緣層上的諸如硅的半導(dǎo)體材料層。例如，絕緣層可以是埋氧(BOX)層或氧化硅層。在諸如硅襯底或玻璃襯底的襯底上提供絕緣層?？蛇x地，襯底可以包括諸如鍺的其他元素半導(dǎo)體;包括碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦的化合物半導(dǎo)體;包括SiGe、GaAsP、AlInAs、AlGaAs、GaInAs、GaInP和/或GaInAsP的合金半導(dǎo)體;或它們的組合。也可以使用諸如多層或梯度襯底的其他襯底。
[0020]可以在襯底的頂面處形成諸如晶體管、電容器、電阻器、二極管、光電二極管、熔斷器等的有源器件?？梢栽谟性雌骷鸵r底上方形成互連結(jié)構(gòu)?；ミB結(jié)構(gòu)可以包括包含使用任何合適的方法形成的導(dǎo)電部件(例如，包括銅、鋁、鎢、它們的組合等的導(dǎo)線和通孔)的層間介電(ILD)和/或金屬間介電(MD)層。ILD和MD可以包括設(shè)置在這種導(dǎo)電部件之間的具有例如低于約4.0或甚至2.0的k值的低k介電材料。在一些實(shí)施例中，。ILD和頂D可以由通過(guò)諸如旋轉(zhuǎn)、化學(xué)汽相沉積(CVD)和等離子體增強(qiáng)CVD (PECVD)的任何合適的方法形成的例如磷硅酸鹽玻璃(PSG)、硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)、氟摻雜的硅酸鹽玻璃(FSG)、S1xCy、旋涂玻璃、旋涂聚合物、硅碳材料、它們的化合物、它們的復(fù)合物、它們的組合等制成?；ミB結(jié)構(gòu)電連接各個(gè)有源器件以在管芯102內(nèi)形成功能電路。由這種電路提供的功能可以包括存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)、處理結(jié)構(gòu)、傳感器、放大器、功率分布、輸入/輸出電路等。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，以上實(shí)例僅提供用于說(shuō)明的目的以進(jìn)一步解釋本發(fā)明的應(yīng)用而不旨在以任何方式限制本發(fā)明。其他電路可以根據(jù)需要用于給定應(yīng)用。
[0021]可以在互連結(jié)構(gòu)上方形成輸入/輸出(I/O)和鈍化部件。例如，接觸焊盤110可以形成在互連結(jié)構(gòu)上方并且可以通過(guò)互連結(jié)構(gòu)中的各個(gè)導(dǎo)電部件電連接至有源器件。接觸焊盤110可以包括諸如鋁、銅等的導(dǎo)電材料。此外，可以在互連結(jié)構(gòu)和接觸焊盤上方形成鈍化層112。在一些實(shí)施例中，鈍化層112可以由諸如氧化硅、未摻雜的硅酸鹽玻璃、氮氧化硅等的非有機(jī)材料形成。也可以使用其他合適的鈍化材料。鈍化層112的部分可以覆蓋接觸焊盤110的邊緣部分。
[0022]也可以在接觸焊盤110上方可選擇地形成諸如額外的鈍化層、導(dǎo)電柱和/或凸塊下金屬化(UBM)層的額外的互連結(jié)構(gòu)。例如，圖1A的封裝件100包括位于接觸焊盤110上方的UBM層IlLUBM層114可以延伸在鈍化層112上方并且覆蓋鈍化層112的部分。相反，圖1B示出了封裝件150，其中省略了 UBM層114。管芯102的各個(gè)部件可以由任何合適的方法形成并且不在此進(jìn)一步詳述。此外，上述的管芯102的通常部件和配置僅是一個(gè)示例實(shí)施例，并且管芯102可以包括任何數(shù)量的以上部件以及其他部件的任何組合。
[0023]在管芯102周圍設(shè)置模塑料104。例如，在模塑料104/管芯102的頂視圖(未示出)中，模塑料104可以環(huán)繞管芯102。如將在下圖中更詳細(xì)地描述的，可以使用傳遞模制工藝形成模塑料104，其不覆蓋管芯102的頂面。由于傳遞模制工藝，模塑料104的頂面可能基本上不是齊平的。例如，模塑料104可以包括靠著管芯102的側(cè)壁的傾斜的凹進(jìn)的表面104’。雖然圖1A將傾斜的表面104’示出為具有基本上線性的輪廓，但是在其他實(shí)施例中，表面104’可以是非線性的(例如，凹形或凸形)。模塑料104的頂面的其他部分可以包括角度和高度的類似的變化。在各個(gè)實(shí)施例中，模塑料104的頂面的TTV Tl可以為約5μπι至約ΙΟμπι。
[0024]可以在管芯102和模塑料104上方形成一個(gè)或多個(gè)RDL106JDL106可以橫向延伸超出管芯102的邊緣以提供扇出互連結(jié)構(gòu)。RDL106可以包括具有與管芯102和模塑料104的頂面接觸的底面的最底部的聚合物層108。如隨后將更詳細(xì)地解釋的，可以使用諸如真空層壓、熱壓層壓等的層壓工藝形成聚合物層108。在一些實(shí)施例中，聚合物層108可以包括聚酰亞胺、聚苯并惡唑(ΡΒ0)、環(huán)氧化物、底部填充膜、模制底部填充膜或任何其他合適的層壓膜材料。聚合物層108可以或可以不包括諸如二氧化硅填料、玻璃填料、氧化鋁、氧化硅等的任何填料材料。此外，由于層壓工藝和/或單獨(dú)的壓力夾緊工藝器件的壓力夾緊，聚合物層108的頂面可以是基本上齊平的。例如，聚合物層108的頂面的TTV可以小于約5μπι以提供用于形成RDL106的額外部件的合適的表面。相反，聚合物層108的底面可以基本上不是齊平的。例如，聚合物層108的底面與模塑料104接觸并且可以具有約5μπι至約ΙΟμπι的TTV Tl。
[0025]RDL106還可以包括導(dǎo)電部件120(例如，導(dǎo)線120Α和導(dǎo)電通孔120Β)和額外的聚合物層122。導(dǎo)線120Α可以形成在聚合物層108上方，并且導(dǎo)電通孔120Β可以延伸穿過(guò)聚合物層122且電連接至管芯102的接觸焊盤110。聚合物層122也可以形成在聚合物層108上方。在各個(gè)實(shí)施例中，聚合物層122可以是與聚合物層108類似的層壓膜材料，其可以使用類似的層壓工藝形成?？蛇x地，聚合物層122可以包括其他聚合物材料，例如，包括使用諸如旋涂技術(shù)等的任何合適的方式形成的聚酰亞胺(ΡΙ)、ΡΒ0、苯并環(huán)丁烯(BCB)、環(huán)氧化物、硅樹脂、丙烯酸酯、納米填充的酚樹脂、氟化聚合物、聚降冰片烯等。RDL106還可以包括基于封裝件設(shè)計(jì)位于聚合物層122和導(dǎo)電部件120上方的具有設(shè)置在其中的導(dǎo)電部件的任何數(shù)量的額外的聚合物層(未示出)。
[0026]可以在RDL106上方設(shè)置諸如外部連接件126的額外的封裝件部件。連接件126可以是設(shè)置在凸塊下金屬化(UBM)124上的球柵陣列(BGA)球、可控塌陷連接芯片(C4)凸塊等，UBM124可以形成在RDL106上方。連接件126可以通過(guò)RDL106電連接至管芯102。連接件126可以用于將封裝件100電連接至諸如另一器件管芯、封裝襯底、印刷電路板、母板等的其他封裝組件。
[0027]圖2Α和圖2Β至圖5示出了根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的形成模塑料104和聚合物層108的各個(gè)中間階段的截面圖。參照?qǐng)D2Α，管芯102設(shè)置在載體200上。通常地，載體200在隨后的處理步驟期間為管芯102提供臨時(shí)機(jī)械和結(jié)構(gòu)支撐。以這種方式，減小或防止對(duì)管芯102的損壞。例如，載體200可以包括玻璃、氧化硅、氧化鋁等。在載體200上方設(shè)置臨時(shí)粘合層202 (例如，粘著層、光熱轉(zhuǎn)換(LTHC)涂層、紫外(UV)膜等)?？梢允褂迷O(shè)置在管芯102的背側(cè)上的粘合層202和/或額外的粘合層204(例如，管芯附接膜(DAF))的組合將管芯臨時(shí)地粘附至載體200。
[0028]在一些實(shí)施例中，管芯102可以包括第一管芯102Α和第二管芯102Β，其中，第一管芯102Α具有與第二管芯102Β不同的尺寸。這在圖2Β中示出。例如，第一管芯102Α可以具有與第二管芯102Β不同的高度、寬度或長(zhǎng)度。兩個(gè)管芯102可以具有第一管芯102Α的頂面的最上表面與第二管芯102B的頂面的最上表面之間的高度差Z，其中，沿著管芯102的側(cè)壁在從載體200至管芯102的最遠(yuǎn)表面的方向上測(cè)量高度。在一些實(shí)施例中，高度差可以為約2μπι或以上。
[0029]在一些實(shí)施例中，第一管芯102Α與第二管芯102Β是相同類型的管芯。例如，制造工藝可以產(chǎn)生使用類似的工藝構(gòu)建但是具有不同高度的兩個(gè)管芯102。在一些實(shí)施例中，第一管芯102Α與第二管芯102Β是不同類型的管芯并且可以使用相同或不同的制造工藝制造。例如，第一管芯102Α可以具有與第二管芯102Β不同的器件和電路，和/或可以用于與第二管芯102Β不同的功能。
[0030]如圖2Β所示，在一些實(shí)施例中，管芯102的接觸焊盤110的頂面可以與其中設(shè)置接觸焊盤110的管芯102的頂面齊平。在其他實(shí)施例中，例如，如圖2Α所示，接觸焊盤110設(shè)置在管芯102的頂面上。
[0031]圖3和圖4示出了例如使用真空層壓工藝在管芯102上方形成聚合物層108。首先參照?qǐng)D3，載體200(具有安裝至載體200的管芯102)設(shè)置在模制裝置205的頂板和底板206之間。頂板和底板206可以包括用于提供結(jié)構(gòu)支撐的諸如金屬、陶瓷等的合適的材料。離型膜208可以設(shè)置在頂板206的底面上，并且聚合物層108可以設(shè)置在離型膜208的底面上。在一些實(shí)施例中，離型膜208包括聚對(duì)笨二甲酸乙二醇酯(PET)、聚四氟乙烯或可以臨時(shí)支撐聚合物層108并且在形成各個(gè)部件之后可以從聚合物層108去除的任何其他材料。
[0032]聚合物層108可以設(shè)置在離型膜208的底面上(例如，面向管芯102)。聚合物層108可以包括諸如具有或沒(méi)有填料材料的聚酰亞胺、ΡΒ0、環(huán)氧化物、底部填充膜、模制底部填充膜等的層壓膜材料。聚合物層108可以通過(guò)相對(duì)較弱的鍵附接至離型膜208的底面。例如，在放置在管芯102上之前，可以不固化或僅部分固化聚合物層108。隨后，例如，如箭頭210所示，可以移動(dòng)頂板和/或底板206以將聚合物層108的底面接觸至管芯102的頂面。
[0033]圖4示出了在管芯102的頂面上設(shè)置聚合物層108之后的模制裝置205。聚合物層108可以覆蓋管芯102的頂面(例如，覆蓋接觸焊盤110和鈍化層112)。聚合物層108可以不擴(kuò)展延伸超出管芯102的頂面。例如，間隙207可以保持設(shè)置在聚合物層108下方的管芯102之間。此外，聚合物層108下方缺乏任何支撐材料可以導(dǎo)致聚合物層108的底面基本上不齊平。例如，聚合物層108的底面(標(biāo)記為108’)可以具有約5μπι至約ΙΟμπι的TTV Tl0TTV Tl可以是管芯1 2的間距(例如，節(jié)距PI)和間隙20 7的相應(yīng)的橫向尺寸的變量。例如，在間距PI為約
IΟΟμπι至約200μπι的實(shí)施例中，TTV TI可以更小(例如，約5μπι)。作為另一實(shí)例，在間距PI為約Imm至約2mm的實(shí)施例中，TTV Tl可以更大(例如，約ΙΟμπι)。
[0034]在管芯102上設(shè)置聚合物層108之后，可以實(shí)施固化工藝以將聚合物層108粘附至管芯102的頂面。例如，在一些實(shí)施例中，可以在約25°C至約175°C的溫度下固化聚合物層108約30秒至約10分鐘。固化工藝可以根據(jù)聚合物層108的材料而變化。在各個(gè)實(shí)施例中，將足夠的壓力施加(例如，通過(guò)頂板和/或底板206)至聚合物層108，從而使得聚合物層108的頂面基本上齊平(例如，具有小于5μπι的TTV)。
[0035]接下來(lái)，在圖5中，例如，使用傳遞模制工藝在間隙207中形成模塑料104。聚合物層108可以在模制工藝期間用作覆蓋管芯102的頂面(例如，覆蓋接觸焊盤110和鈍化層112)的膜層。模塑料104包括諸如環(huán)氧樹脂、模制底部填充物等的合適的材料。在一些實(shí)施例中，傳遞模制工藝包括以液體的形式將模塑料104分配在管芯102之間(例如，在間隙207中)。接下來(lái)，可以實(shí)施固化工藝以硬化模塑料104。模塑料104的頂面可以接觸聚合物層108的底面，并且因此模塑料104的頂面可以具有與聚合物層108的底面類似的輪廓。例如，模塑料104的頂面可以包括靠著管芯102的側(cè)壁的傾斜的凹進(jìn)的表面104’。模塑料104的頂面的其他部分可以包括角度和/或高度的類似的變化。在各個(gè)實(shí)施例中，模塑料104的頂面(和聚合物層108的相應(yīng)的底面)的TTV Tl可以為約5μπι至約ΙΟμπι。因此，可以使用層壓和傳遞模制工藝在封裝件100中形成模塑料104和聚合物層108。
[0036]圖2Α至圖5示出了根據(jù)一些實(shí)施例的在模塑料104之前形成聚合物層108。在可選實(shí)施例中，可以采用在封裝件100中形成各個(gè)元件的可選順序。例如，圖6至圖8示出了在模塑料104之后形成聚合物層108。
[0037]在圖6中，在形成聚合物層108之前，在管芯102周圍分配模塑料104。例如，管芯102(由載體200支撐)可以放置在模制裝置205的底板206上，并且離型膜208 (例如，由頂板206支撐)可以用于在傳遞模制期間覆蓋管芯102的頂面。模塑料104可以以液體的形式分配在管芯102之間并且然后被固化。由于傳遞模制工藝，模塑料104的頂面可以基本上不齊平(例如，具有約5μπι至約ΙΟμπι的TTV Tl)，并且可以具有例如傾斜的和/或凹進(jìn)的部分104’JTVTl可以根據(jù)管芯102的間距Pl而變化。
[0038]接下來(lái)，如圖7所示，從管芯102和載體200去除頂板和底板206以及離型膜208。例如，離型膜208可以包括與模塑料104具有相對(duì)較弱的粘合鍵的材料，并且離型膜208(和附接的頂板206)可以使用機(jī)械力去除。例如，離型膜208可以包括ΡΕΤ、聚四氟乙烯等。由于離型膜208的放置，模塑料104可以形成在管芯102周圍而不覆蓋管芯102的頂面。因此，不需實(shí)施額外的工藝(例如，研磨)以暴露管芯102的部分(例如，接觸焊盤110)，從而節(jié)省工藝成本。
[0039]在圖8中，使用合適的層壓工藝在管芯102和模塑料104上方形成聚合物層108。例如，管芯102(由載體200支撐)可以放置在頂板和底板206’之間。頂板和底板206’可以是與模制裝置205的頂板/底板206相同的支撐件，或頂板和底板206’可以是另一處理裝置(例如，層壓工具)的部件。頂板和底板206’可以用于將聚合物層108放置在管芯102和模塑料104上方。離型膜208’可以設(shè)置在聚合物層108和頂板206’之間?？蛇x地，熱輥層壓工藝(例如，包括滾壓裝置，未示出)可以用于滾壓管芯102和模塑料104上的聚合物層108。
[0040]在管芯102/模塑料104上設(shè)置聚合物層108之后，可以實(shí)施固化工藝以將聚合物層108粘合至管芯102和模塑料104的頂面。例如，可以在約25°C至約175°C的溫度下固化聚合物層108約30秒至約10分鐘。對(duì)聚合物層108施加壓力夾緊(例如，通過(guò)使用頂板和/或底板206’施加合適的量的壓力)以使聚合物層108的頂面齊平。例如，在壓力夾緊之后，聚合物層108的頂面可以具有小于約5μπι的TTV，其可以是用于在聚合物層108上方可靠地形成額外的RDL部件(例如，導(dǎo)電部件和/或額外的聚合物層)的合適的TTV。此外，在一些實(shí)施例中，高溫膜(例如，高溫PBO膜，未示出)可以可選擇地設(shè)置在聚合物層108上方，被固化和被平坦化(例如，使用壓力夾緊工藝)。當(dāng)部分地固化高溫膜時(shí)(例如，約50%至約70%固化)，可以對(duì)高溫膜施加壓力夾緊工藝。
[0041]在圖9中，從頂板和底板206去除具有形成在其上的模塑料104和聚合物層108的管芯102。離型膜208可以使用機(jī)械力輔助頂板和底板206的去除。例如，離型膜208可以包括不具有與聚合物層108的高粘合的材料(例如，ΡΕΤ、聚四氟乙烯等)，并且離型膜208可以使用機(jī)械力去除而不損壞器件封裝件的其他部件。接下來(lái)，在圖10中，例如，使用諸如光刻、激光鉆孔和/或蝕刻技術(shù)的任何合適的工藝在聚合物層108中形成開口 212以暴露接觸焊盤110。
[0042]圖11和圖12示出了諸如導(dǎo)電通孔120B和導(dǎo)線120A的各個(gè)導(dǎo)電部件120的形成。首先，在圖11中，用導(dǎo)電材料(例如，銅、銀、金等)填充開口212以形成導(dǎo)電通孔120B。開口212的填充可以包括首先沉積晶種層(未示出)以及用導(dǎo)電材料電化學(xué)鍍開口 212。導(dǎo)電材料可以過(guò)填充開口 212，并且可以實(shí)施化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)或其他回蝕刻技術(shù)以去除聚合物層108上方的導(dǎo)電材料的過(guò)量部分。導(dǎo)電通孔120B可以電連接至管芯102的接觸焊盤110。
[0043]接下來(lái)，在圖12中，在聚合物層108上方形成導(dǎo)線120A(例如，包括銅、銀、金等)。導(dǎo)線120A的形成可以包括沉積晶種層(未示出)，使用具有多個(gè)開口的掩模層(未示出)以限定導(dǎo)線120A的形狀，并且例如使用電化學(xué)鍍工藝在掩模層中填充開口。然后可以去除掩模層。
[0044]可以在聚合物層108和導(dǎo)電部件120上方形成額外的部件。例如，圖13示出了在聚合物層108和導(dǎo)電部件120上方形成另一聚合物層122?？梢允褂弥T如層壓、旋涂工藝等的任何合適的工藝形成聚合物層122。因此，RDL106形成在管芯102和模塑料104上方。RDL106的聚合物層和導(dǎo)電部件的數(shù)量不限于圖13的示出的實(shí)施例。例如，RDL106可以包括多個(gè)聚合物層中的任何數(shù)量的堆疊的電連接的導(dǎo)電部件。
[0045]如圖13進(jìn)一步示出的，可以在RDL106上方形成諸如外部連接件126(例如，BGA球、C4凸塊等)的額外的封裝部件。連接件126可以設(shè)置在UBM124上，UBM124也可以形成在RDL106上方。連接件126可以通過(guò)RDL106電連接至一個(gè)或多個(gè)管芯102。連接件126可以用于將管芯102電連接至諸如另一器件管芯、中介板、封裝襯底、印刷電路板、母板等的其他封裝組件。隨后，可以去除載體200，并且可以使用合適的管芯鋸切技術(shù)沿著劃線分割管芯102(包括RDL106、UBM124和連接件126的相應(yīng)的部分)。
[0046]圖14至圖20示出了根據(jù)一些可選實(shí)施例的制造器件封裝件的各個(gè)中間步驟的截面圖，該器件封裝件具有延伸穿過(guò)模塑料的中間通孔。在圖14中，在載體襯底200上方(例如，粘合層202上)形成各個(gè)中間通孔302。中間通孔302可以包括例如銅、鎳、銀、金等，并且可以通過(guò)任何合適的工藝形成。例如，可以在載體200上方形成晶種層(未示出)，并且具有開口的圖案化的光刻膠(未示出)可以用于限定中間通孔302的形狀。該開口可以暴露晶種層，并且該開口可以填充有導(dǎo)電材料(例如，用電化學(xué)鍍工藝)。隨后，可以以灰化和/或濕剝離工藝去除光刻膠，留下載體200上的中間通孔302。也可以通過(guò)銅線接合工藝(例如，不需要掩模、光刻膠和銅鍍)使用銅線柱形成中間通孔302。中間通孔302的頂面可以或可以不基本上齊平。可以在鄰近的中間通孔302的組之間設(shè)置開口 304，并且開口 304可以具有足夠大的尺寸以在其中設(shè)置管芯102(例如，見圖15)。
[0047]接下來(lái)，在圖15中，在中間通孔302之間的開口304中放置管芯102。中間通孔302的頂面可以高于管芯102的頂面。圖16和圖17示出了在管芯102周圍形成模塑料104和在管芯102上方形成聚合物層108。聚合物層108可以足夠厚以超出中間通孔302的頂面。聚合物層108和模塑料104可以使用諸如圖2至圖5(例如，在模塑料104之前形成聚合物層108)或圖6至圖8(例如，在模塑料104之后形成聚合物層108)所述的方法的層壓和傳遞模制技術(shù)形成。聚合物層108的形成還可以包括壓力夾緊工藝(例如，使用頂板和/或底板206)以平坦化聚合物層108的頂面。
[0048]在圖18中，可以對(duì)聚合物層108實(shí)施減薄工藝以暴露中間通孔302。例如，可以對(duì)聚合物層108的頂面施加研磨、CMP、飛切工藝或其他回蝕刻技術(shù)以暴露中間通孔302。在圖19中，在聚合物層108中圖案化開口 212(例如，通過(guò)激光鉆孔、光刻和/或蝕刻技術(shù))以暴露管芯102的接觸焊盤110。
[0049]隨后，在圖20中，在聚合物層108上方形成RDL106的其他部件。例如，在聚合物層108上方形成導(dǎo)電部件120和額外的聚合物層122。如圖20進(jìn)一步示出的，可以在RDL106上方形成UBM124上的諸如外部連接件126(例如，BGA球、C4凸塊等)的額外的封裝部件。連接件126可以通過(guò)RDL106電連接至一個(gè)或多個(gè)管芯102和/或中間通孔302。隨后，可以去除載體200，并且可以使用合適的管芯鋸切技術(shù)沿著劃線分割管芯102(包括相應(yīng)的中間通孔302和部分RDL106、UBM124和連接件126)。在一些實(shí)施例中，可以在封裝件300的背側(cè)(例如，側(cè)300’)上形成額外的部件(例如，額外的RDL、連接件、散熱部件等)，并且中間通孔302可以用于在前側(cè)RDL106和位于封裝件300的背側(cè)上的這種部件之間提供電連接。因此，使用傳遞模制和層壓工藝形成具有延伸穿過(guò)模塑料104的中間通孔的器件封裝件300。
[0050]圖21A和圖21B分別示出了根據(jù)可選實(shí)施例的器件封裝件500和550的截面圖。封裝件500和550可以基本類似于封裝件100，其中，相同的參考字符標(biāo)示相同的元件。例如，如上所述，可以使用傳遞模制工藝在管芯102周圍形成模塑料104，并且可以在模塑料104上方形成具有第一聚合物層108的RDL106。用于聚合物層108的形成工藝可以產(chǎn)生具有基本平坦的頂面的聚合物層108(例如，由于包括壓力夾緊的層壓工藝KRDL106還可以包括電連接至管芯102的各個(gè)導(dǎo)電部件120(例如，導(dǎo)電通孔120B和導(dǎo)線120A)，并且外部連接件126可以形成在這種導(dǎo)電部件120上方且電連接至這種導(dǎo)電部件120。圖21A示出了這樣的實(shí)施例，其中，在導(dǎo)電部件120上方也形成UBM124，并且在UBM124上設(shè)置連接件126。在一些實(shí)施例中，也可以在RDL106上方形成一個(gè)或多個(gè)額外的鈍化層(未示出)，其中，這些額外的鈍化層的一些可選擇地覆蓋UBMl 24的邊緣?？蛇x地，如圖21B所示，可以省略UBMl 24，并且連接件126可以直接設(shè)置在RDL106中的導(dǎo)線120A上。
[0051 ]如封裝件500和550中進(jìn)一步包括的，可以在連接件126周圍形成模制底部填充物502以對(duì)連接件126提供結(jié)構(gòu)支撐和/或?qū)ο旅娴钠骷?例如，RDL106)提供保護(hù)。在一些實(shí)施例中，使用與模塑料104基本類似的工藝形成底部填充物502。例如，在附接連接件126之前，可以使用如上所述的傳遞模制工藝形成底部填充物502。結(jié)果，底部填充物502的頂面可以是非平坦的。隨后，可以圖案化(例如，使用光刻、激光鉆孔和/或蝕刻技術(shù))底部填充物502以暴露下面的UBM124(例如，如圖21A所示)或?qū)Ь€120A(如圖21B所示)，并且連接件126可以放置在這種導(dǎo)電部件上。
[0052]圖22示出了根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的用于形成器件封裝件的工藝流程圖400。在步驟402中，例如，使用傳遞模制工藝在管芯(例如，管芯102)周圍形成模塑料(例如，模塑料104)。模塑料可以不延伸在管芯的頂面上方或覆蓋管芯的頂面。例如，在形成模塑料時(shí)，管芯的頂面的可以由膜層(例如，層壓膜層或離型膜層)覆蓋。在步驟406中，在管芯的頂面上方層壓聚合物層(例如，聚合物層108)。聚合物層可以橫向延伸超出管芯的邊緣。在一些實(shí)施例中，在模塑料(步驟402)之前形成聚合物層，并且聚合物層可以在模制期間用作覆蓋管芯的頂面的膜層。在其他實(shí)施例中，在模塑料之后形成聚合物層，并且在模制期間使用的膜層是離型膜層，在聚合物層的形成之前去除離型膜層。
[0053]在步驟408中，通過(guò)壓力夾緊平坦化聚合物層的頂面。例如，通過(guò)模制裝置或通過(guò)不同的層壓裝置壓力夾緊。在一些實(shí)施例中，可以在層壓工藝期間(例如，在用于將聚合物粘附至管芯的頂面的固化工藝期間)實(shí)施壓力夾緊?？蛇x地或額外地，可以與層壓?jiǎn)为?dú)地實(shí)施壓力夾緊。接下來(lái)，在步驟410中，在聚合物中形成導(dǎo)電通孔(例如，通孔120B)，導(dǎo)電通孔電連接至管芯(例如，電連接至管芯102中的導(dǎo)電焊盤110)。也可以形成諸如額外的聚合物層、導(dǎo)電部件(例如，導(dǎo)線、導(dǎo)電通孔和/或延伸穿過(guò)模塑料的中間通孔)、UBM、外部連接件等的其他部件。
[0054]公開了用于形成扇出器件封裝件和相應(yīng)的結(jié)構(gòu)的方法。在一些實(shí)施例中，使用傳遞模制工藝在管芯周圍形成模塑料，其中，管芯的頂面在模制工藝期間由膜層覆蓋。模塑料可以不形成為覆蓋管芯的頂面，并且不需對(duì)模塑料實(shí)施研磨工藝(或其他回蝕刻技術(shù))來(lái)暴露管芯，從而簡(jiǎn)化了模制工藝并且降低了制造成本。由于傳遞模制工藝，模塑料的頂面可以具有約5μπ?至約ΙΟμπι的TTV。
[0055]使用層壓工藝(例如，真空層壓、熱輥層壓等)在模塑料和管芯上方形成諸如聚合物層(例如，層壓膜材料)的第一RDL。在一些實(shí)施例中，聚合物層在模制期間用作膜層?？蛇x地，可以在模塑料之后形成聚合物層。層壓工藝還可以包括壓力夾緊以為聚合物層提供基本平坦的頂面，從而適合于在管芯上方形成各個(gè)扇出結(jié)構(gòu)。接觸模塑料的聚合物層的底面可以具有與模塑料相應(yīng)的輪廓和TTV。因此，可以使用傳遞模制和層壓工藝形成扇出器件封裝件，其可以降低制造封裝件的整體成本。
[0056]雖然以上討論的圖3至圖21Α和圖21Β示出了兩個(gè)類似的管芯102，以上關(guān)于這些圖的每個(gè)的討論也適用于具有不同尺寸的兩個(gè)或多個(gè)管芯的實(shí)施例。例如，圖23至圖26示出了根據(jù)一些實(shí)施例的器件封裝件，其中，器件封裝件包括具有一個(gè)或多個(gè)不同尺寸的兩個(gè)管芯。
[0057]圖23至圖26示出了設(shè)置在第一管芯102Α和第二管芯102Β的每個(gè)的頂面上的接觸焊盤110。在所有圖中，接觸焊盤110的放置僅用于示出的目的。每個(gè)示出的器件封裝件中的接觸焊盤110可以包括任何圖中示出或本文描述的每個(gè)實(shí)施例。
[0058]參照?qǐng)D23，根據(jù)一些實(shí)施例，示出了器件封裝件1000的截面圖。器件封裝件1000包括第一管芯102Α和第二管芯102Β，其中，第一管芯102Α具有與第二管芯102Β不同的高度。第一管芯102Α和第二管芯102Β的高度可以分別沿著第一管芯102Α和第二管芯102Β的側(cè)壁測(cè)量。在一些實(shí)施例中，第一管芯102Α和第二管芯102Β之間的高度差可以為2μπι以上。第一管芯102Α可以是與第二管芯102Β相同類型的管芯，或者第一管芯102Α可以是與第二管芯102Β不同類型的管芯。
[0059]可以使用以上結(jié)合器件封裝件100描述的那些相同或類似的工藝形成器件封裝件1000。例如，如先前結(jié)合圖2至圖5描述的，聚合物層108可以放置在第一管芯102Α和第二管芯102Β上方并且被固化，從而使得聚合物層108粘合至第一管芯102Α和第二管芯102Β。然后，可以如上所述地形成傳遞模制工藝。可選地，如先前結(jié)合圖6至圖8描述的，可以在傳遞模制工藝期間在第一管芯102Α和第二管芯102Β上方放置膜208，并且隨后可以在模塑料104上方形成聚合物層。如圖23所示，由于傳遞模制工藝以及第一管芯102Α和第二管芯102Β之間的高度差，模塑料104的頂面可以不是齊平的。如圖9至圖13所述，例如，可以實(shí)施額外的處理以形成RDL106、UBM124和外部連接件126。
[0060]參照?qǐng)D24，根據(jù)一些實(shí)施例，示出了器件封裝件1100的截面圖。器件封裝件1100包括第一管芯102A和第二管芯102B，其中，第一管芯102A具有與第二管芯102B不同的高度。第一管芯102A和第二管芯102B的高度可以分別沿著第一管芯102A和第二管芯102B的側(cè)壁測(cè)量。在一些實(shí)施例中，第一管芯102A和第二管芯102B之間的高度差可以為2μπι以上。第一管芯102Α可以是與第二管芯102Β相同類型的管芯，或者第一管芯102Α可以是與第二管芯102Β不同類型的管芯。
[0061]器件封裝件1100可以具有延伸穿過(guò)模塑料104的一個(gè)或多個(gè)中間通孔302。例如，如先前結(jié)合圖14至圖20描述的，在一些實(shí)施例中，可以在載體上形成中間通孔302，并且可以在載體上放置第一管芯102Α和第二管芯102Β。聚合物層108可以形成在中間通孔302的上端上方，并且可以實(shí)施傳遞模制工藝。如圖24所示，由于傳遞模制工藝以及第一管芯102Α和第二管芯102Β之間的高度差，模塑料104的頂面可以不是齊平的。然后可以減薄聚合物層108和中間通孔302。如上所述，例如，可以實(shí)施額外的處理以形成RDL106、UBM124和外部連接件126。
[0062]參照?qǐng)D25，根據(jù)一些實(shí)施例，示出了器件封裝件5000的截面圖。圖25示出了器件封裝件5000，器件封裝件5000包括第一管芯102A和第二管芯102B，其中，第一管芯102A具有與第二管芯102B不同的高度。第一管芯102A和第二管芯102B的高度可以分別沿著第一管芯102A和第二管芯102B的側(cè)壁測(cè)量。在一些實(shí)施例中，第一管芯102A和第二管芯102B之間的高度差可以為2wii以上。第一管芯102A可以是與第二管芯102B相同類型的管芯，或者第一管芯102A可以是與第二管芯102B不同類型的管芯。
[0063]可以使用以上結(jié)合器件封裝件100和器件封裝件500描述的那些相同或類似的工藝形成器件封裝件5000。例如，如以上結(jié)合圖21A描述的，在一些實(shí)施例中，可以在連接件126周圍形成模制底部填充物502以為連接件126提供結(jié)構(gòu)支撐和/或?yàn)橄旅娴钠骷?例如，RDL106)提供保護(hù)。在一些實(shí)施例中，使用與模塑料104基本類似的工藝形成模制底部填充物502。例如，可以在附接連接件126之前使用如上所述的傳遞模制工藝形成模制底部填充物502。結(jié)果，模制底部填充物502的頂面可以是非平坦的。隨后，可以圖案化(例如，使用光刻、激光鉆孔和/或蝕刻技術(shù))模制底部填充物502以暴露下面的UBM124，并且可以在這種導(dǎo)電部件上放置連接件126。
[0064]參照?qǐng)D26，根據(jù)一些實(shí)施例，示出了器件封裝件5100的截面圖。圖26示出了器件封裝件5100，器件封裝件5100包括第一管芯102A和第二管芯102B，其中，第一管芯102A具有與第二管芯102B不同的高度。第一管芯102A和第二管芯102B的高度可以分別沿著第一管芯102A和第二管芯102B的側(cè)壁測(cè)量。在一些實(shí)施例中，第一管芯102A和第二管芯102B之間的高度差可以為2wii以上。第一管芯102A可以是與第二管芯102B相同類型的管芯，或者第一管芯102A可以是與第二管芯102B不同類型的管芯。
[0065]可以使用以上結(jié)合器件封裝件100和器件封裝件550描述的那些相同或類似的工藝形成器件封裝件5100。例如，如以上結(jié)合圖21B描述的，在一些實(shí)施例中，可以在連接件126周圍形成模制底部填充物502以為連接件126提供結(jié)構(gòu)支撐和/或?yàn)橄旅娴钠骷?例如，RDL106)提供保護(hù)。在一些實(shí)施例中，使用與模塑料104基本類似的工藝形成模制底部填充物502。例如，可以在附接連接件126之前使用如上所述的傳遞模制工藝形成模制底部填充物502。結(jié)果，模制底部填充物502的頂面可以是非平坦的。隨后，可以圖案化(例如，使用光刻、激光鉆孔和/或蝕刻技術(shù))模制底部填充物502以暴露下面的導(dǎo)線120A，并且可以在這種導(dǎo)電部件上放置連接件126。
[0066]根據(jù)實(shí)施例，一種用于形成器件封裝件的方法包括在管芯周圍形成模塑料以及在管芯上方層壓聚合物層。在形成模塑料時(shí)，管芯的頂面由膜層覆蓋，并且聚合物層橫向延伸超出管芯的邊緣部分。該方法還包括在聚合物層中形成導(dǎo)電通孔，其中，導(dǎo)電通孔在管芯的頂面處電連接至接觸焊盤。
[0067]根據(jù)另一實(shí)施例，一種用于形成器件封裝件的方法包括在載體上設(shè)置管芯，在載體上方傳遞模制模塑料并且模塑料沿著管芯的側(cè)壁延伸，以及在管芯上方形成聚合物層。管芯的頂面在傳遞模制期間由膜層覆蓋，并且形成聚合物層包括壓力夾緊聚合物層的頂面。該方法還包括在聚合物層至少部分地形成導(dǎo)電部件以及在導(dǎo)電部件上方形成電連接至導(dǎo)電部件的外部連接件。導(dǎo)電部件在管芯的頂面處電連接至接觸焊盤。
[0068]根據(jù)另一實(shí)施例，一種器件封裝件包括管芯、沿著管芯的側(cè)壁延伸的模塑料以及與模塑料和管芯的頂面接觸的聚合物層。模塑料的頂面的至少部分包括傾斜表面，并且聚合物層的頂面基本上齊平。器件封裝件還包括位于聚合物層中的導(dǎo)電部件，其中，導(dǎo)電部件電連接至管芯。
[0069]根據(jù)另一實(shí)施例，一種器件封裝件包括第一管芯和第二管芯。第一管芯的頂面與第二管芯的頂面相對(duì)于第一管芯的主表面垂直偏移。模塑料沿著第一管芯和第二管芯的側(cè)壁延伸。模塑料的頂面的至少部分包括傾斜表面，并且頂面的部分位于第一管芯和第二管芯之間。聚合物層與模塑料的頂面、第一管芯的頂面和第二管芯的頂面接觸。聚合物層的頂面基本上齊平。器件封裝件還包括位于聚合物層中的第一導(dǎo)電部件。導(dǎo)電部件電連接至第一管芯。
[0070]在上述器件封裝件中，其中，所述第一管芯的頂面和所述第二管芯的頂面偏移了2ym以上。
[0071]在上述器件封裝件中，其中，所述聚合物層包括聚酰亞胺、ΡΒ0、環(huán)氧化物、底部填充膜、模制底部填充膜或它們的組合。
[0072]在上述器件封裝件中，其中，所述聚合物層包括填料材料。
[0073]在上述器件封裝件中，其中，所述模塑料具有5μπι至ΙΟμπι的總厚度變化。
[0074]在上述器件封裝件中，還包括延伸穿過(guò)所述模塑料的中間通孔。
[0075]在上述器件封裝件中，還包括延伸穿過(guò)所述模塑料的中間通孔。其中，所述中間通孔和所述聚合物層的頂面齊平。
[0076]在上述器件封裝件中，還包括設(shè)置在所述聚合物層上方的多個(gè)連接件、沿著所述多個(gè)連接件的每個(gè)的側(cè)壁延伸的模制底部填充物。
[0077]根據(jù)另一實(shí)施例，一種方法包括在襯底上放置第一管芯和第二管芯。第一管芯的高度與第二管芯的高度不同，其中，第一管芯的高度是從襯底的表面至第一管芯的離襯底最遠(yuǎn)的表面的最短距離，并且第二管芯的高度是從襯底的表面至第二管芯的離襯底最遠(yuǎn)的表面的最短距離。該方法也包括沿著第一管芯和第二管芯的側(cè)壁形成模塑料。在形成模塑料時(shí)，第一管芯的頂面和第二管芯的頂面由膜層覆蓋。該方法也包括在第一管芯和第二管芯上方層壓聚合物層。聚合物層橫向延伸超出第一管芯和第二管芯的邊緣部分。該方法也包括在聚合物層中形成第一導(dǎo)電通孔。第一導(dǎo)電通孔在第一管芯的頂面處電連接至接觸焊盤。該方法也包括在聚合物層中形成第二導(dǎo)電通孔。第二導(dǎo)電通孔在第二管芯的頂面處電連接至接觸焊盤。
[0078]在上述方法中，其中，層壓所述聚合物層包括通過(guò)壓力夾緊平坦化所述聚合物層的頂面。
[0079]在上述方法中，其中，層壓所述聚合物層包括通過(guò)壓力夾緊平坦化所述聚合物層的頂面，其中，所述壓力夾緊包括使用模制裝置的頂板、底板或它們的組合以將壓力施加至所述聚合物層的頂面。
[0080]在上述方法中，還包括:在所述聚合物層上方形成多個(gè)連接件；以及在所述連接件周圍形成模制底部填充物，所述模制底部填充物沿著所述多個(gè)連接件的每個(gè)的側(cè)壁延伸。[0081 ]在上述方法中，其中，形成所述模塑料包括傳遞模制工藝。
[0082]在上述方法中，其中，層壓所述聚合物層包括真空層壓工藝、熱輥層壓工藝或它們的組合。
[0083]在上述方法中，其中，所述第一管芯和所述第二管芯是不同類型的管芯。
[0084]根據(jù)又另一實(shí)施例，一種方法包括在襯底上放置多個(gè)管芯。第一管芯的第一厚度與第二管芯的第二厚度不同。該方法包括在襯底上方傳遞模制模塑料，并且模塑料沿著多個(gè)管芯的每個(gè)的側(cè)壁延伸。多個(gè)管芯的每個(gè)的頂面在傳遞模制期間由膜層覆蓋。該方法包括在多個(gè)管芯上方形成聚合物層。該方法也包括在聚合物層中至少部分地形成導(dǎo)電部件。導(dǎo)電部件電連接至多個(gè)管芯的一個(gè)的接觸焊盤。該方法也包括在導(dǎo)電部件上方形成電連接至導(dǎo)電部件的外部連接件。
[0085]在上述方法中，其中，形成所述聚合物層包括壓力夾緊所述聚合物層的頂面。
[0086]在上述方法中，還包括在所述外部連接件周圍形成與所述外部連接件接觸的模塑料。
[0087]在上述方法中，還包括形成延伸穿過(guò)所述模塑料的多個(gè)中間通孔。
[0088]在上述方法中，其中，形成所述聚合物層包括層壓工藝。
[0089]上面概述了若干實(shí)施例的特征，使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明的方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，他們可以容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來(lái)設(shè)計(jì)或修改用于實(shí)施與本文所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)勢(shì)的其他工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該意識(shí)到，這種等同構(gòu)造并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本文中他們可以做出多種變化、替換以及改變。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種器件封裝件，包括: 第一管芯和第二管芯，所述第一管芯的頂面與所述第二管芯的頂面相對(duì)于所述第一管芯的主表面垂直偏移； 模塑料，沿著所述第一管芯和所述第二管芯的側(cè)壁延伸，其中，所述模塑料的頂面的至少部分包括傾斜表面，并且所述頂面的部分位于所述第一管芯和所述第二管芯之間； 聚合物層，與所述模塑料的頂面、所述第一管芯的頂面和所述第二管芯的頂面接觸，其中，所述聚合物層的頂面齊平；以及 第一導(dǎo)電部件，位于所述聚合物層中，其中，所述導(dǎo)電部件電連接至所述第一管芯。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件封裝件，其中，所述第一管芯的頂面和所述第二管芯的頂面偏移了 2μηι以上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件封裝件，其中，所述聚合物層包括聚酰亞胺、ΡΒΟ、環(huán)氧化物、底部填充膜、模制底部填充膜或它們的組合。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件封裝件，其中，所述聚合物層包括填料材料。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件封裝件，其中，所述模塑料具有5μπι至ΙΟμπι的總厚度變化。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件封裝件，還包括延伸穿過(guò)所述模塑料的中間通孔。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件封裝件，其中，所述中間通孔和所述聚合物層的頂面齊平。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件封裝件，還包括設(shè)置在所述聚合物層上方的多個(gè)連接件、沿著所述多個(gè)連接件的每個(gè)的側(cè)壁延伸的模制底部填充物。9.一種形成器件封裝件的方法，包括: 在襯底上放置第一管芯和第二管芯，所述第一管芯的高度與所述第二管芯的高度不同，其中，所述第一管芯的高度是從所述襯底的表面至所述第一管芯的離所述襯底最遠(yuǎn)的表面的最短距離，并且所述第二管芯的高度是從所述襯底的表面至所述第二管芯的離所述襯底最遠(yuǎn)的表面的最短距離； 沿著所述第一管芯和所述第二管芯的側(cè)壁形成模塑料，其中，在形成所述模塑料時(shí)，所述第一管芯的頂面和所述第二管芯的頂面由膜層覆蓋； 在所述第一管芯和所述第二管芯上方層壓聚合物層，其中，所述聚合物層橫向延伸超出所述第一管芯和所述第二管芯的邊緣部分； 在所述聚合物層中形成第一導(dǎo)電通孔，其中，所述第一導(dǎo)電通孔在所述第一管芯的頂面處電連接至接觸焊盤；以及 在所述聚合物層中形成第二導(dǎo)電通孔，其中，所述第二導(dǎo)電通孔在所述第二管芯的頂面處電連接至接觸焊盤。10.一種形成器件封裝件的方法，包括: 在襯底上放置多個(gè)管芯，其中，第一管芯的第一厚度與第二管芯的第二厚度不同； 在所述襯底上方傳遞模制模塑料，并且所述模塑料沿著所述多個(gè)管芯的每個(gè)的側(cè)壁延伸，其中，所述多個(gè)管芯的每個(gè)的頂面在所述傳遞模制期間由膜層覆蓋； 在所述多個(gè)管芯上方形成聚合物層； 在所述聚合物層中至少部分地形成導(dǎo)電部件，其中，所述導(dǎo)電部件電連接至所述多個(gè)管芯的一個(gè)的接觸焊盤；以及在所述導(dǎo)電部件上方形成電連接至所述導(dǎo)電部件的外部連接件。
【文檔編號(hào)】H01L21/56GK106057758SQ201610223678
【公開日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2016年4月12日 公開號(hào)201610223678.5, CN 106057758 A, CN 106057758A, CN 201610223678, CN-A-106057758, CN106057758 A, CN106057758A, CN201610223678, CN201610223678.5
【發(fā)明人】張智浩, 江宗憲, 陳冠宇, 張緯森, 郭庭豪, 蔡豪益, 余振華
【申請(qǐng)人】臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司