陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置，本發(fā)明將柵極扇出線設(shè)置在基底的與柵線相背離的一面上，沿黑矩陣投影區(qū)域走線并且延伸至驅(qū)動綁定區(qū)，這樣可以使柵極扇出線不走陣列基板的側(cè)面，從而減小了柵極驅(qū)動側(cè)邊框的寬度，同時由于柵極扇出線沿黑矩陣在陣列基板上的投影區(qū)域的走線，所以不影響陣列基板的顯示效果。另外，本發(fā)明在顯示區(qū)域打孔并從基底背面引出柵極扇出線的技術(shù)方案相對于現(xiàn)有技術(shù)中在驅(qū)動綁定區(qū)打孔的技術(shù)方案打孔的區(qū)域明顯增大，因此相對于現(xiàn)有技術(shù)本發(fā)明的技術(shù)方案可以在一定范圍內(nèi)打較少的孔，從而降低了打孔難度，降低了制備工藝的復雜度，提高了制備效率。
【專利說明】
陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示器制備領(lǐng)域，更具體涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的顯示器件的柵極驅(qū)動gate IC側(cè)邊框，即從顯示區(qū)域AA到陣列基板TFT邊緣的部分通常包含3部分，如圖1所示:驅(qū)動扇出線部分3(即IC fanout(包含封閉區(qū)域sealingarea))、驅(qū)動部分2(即IC部分)IC以及驅(qū)動部分到基板邊緣的部分1(即IC到TFT邊緣的部分)。由于IC fanout部分3走線寬度通常在4-7mm，再加上IC部分2的寬度0.6mm、IC到TFT邊緣的部分I的距離0.6mm，使得gate IC側(cè)邊框通常在5_8mm，阻礙了邊框向更窄的方向發(fā)展。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中采用陣列基板行驅(qū)動G0A(gateon array)結(jié)構(gòu)可以有效減小柵極驅(qū)動側(cè)邊框的寬度，而即使顯示器件采用GOA的結(jié)構(gòu)，由于柵極扇出線gate fanout仍要從基板的邊緣走線，存在走線寬度的限制，使得gate IC側(cè)邊框不可能無限減小。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是如何減小柵極驅(qū)動側(cè)邊框的寬度。
[0005]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一方面提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括顯示區(qū)和驅(qū)動綁定區(qū)；
[0006]所述顯示區(qū)包括基底以及形成在基底上的柵線和數(shù)據(jù)線；
[0007]所述基底設(shè)置有過孔，所述過孔設(shè)置在所述柵線的投影區(qū)域；
[0008]所述顯示區(qū)還包括柵極扇出線;所述柵極扇出線設(shè)置在所述基底的與所述柵線相背離的一面上;所述柵極扇出線沿黑矩陣投影區(qū)域走線并且延伸至所述驅(qū)動綁定區(qū)；
[0009]所述柵極扇出線通過所述過孔與所述陣列基板的柵極連接。
[0010]優(yōu)選地，所述過孔設(shè)置在所述柵線的投影和所述數(shù)據(jù)線的投影的交匯區(qū)域。
[0011 ]優(yōu)選地，所述柵極扇出線沿所述數(shù)據(jù)線的投影走線。
[0012]優(yōu)選地，所述柵極扇出線沿所述柵線的投影以及所述數(shù)據(jù)線的投影走線。
[0013]優(yōu)選地，所述陣列基板還包括扇出線保護層，所述扇出線保護層設(shè)置于所述基底的與所述柵線相背離的一面上，并且覆蓋所述柵極扇出線。
[0014]另一方面本發(fā)明還提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括上述陣列基板。
[0015]再一方面本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述顯示面板。
[0016]同時本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制備方法，所述方法包括:
[0017]在一面形成有柵線、數(shù)據(jù)線以及柵極扇出線的基底上形成過孔;所述過孔設(shè)置在所述柵線的投影區(qū)域；
[0018]在所述基底的與所述柵線相背離的一面上形成柵極扇出線，使所述柵極扇出線通過所述過孔與所述陣列基板的柵極連接;所述柵極扇出線沿黑矩陣投影區(qū)域走線并且延伸至陣列基板的驅(qū)動綁定區(qū)。
[0019]優(yōu)選地，所述過孔設(shè)置在所述柵線的投影和所述數(shù)據(jù)線的投影的交匯區(qū)域。
[0020]優(yōu)選地，所述過孔通過多次激光轟擊或多次刻蝕形成。
[0021 ]優(yōu)選地，所述方法在形成所述柵極扇出線后還包括以下步驟:
[0022]在所述基底的與所述柵線相背離的一面上形成扇出線保護層，所述扇出線保護層覆蓋所述柵極扇出線。
[0023]優(yōu)選地，所述方法在形成所述柵極扇出線之前還包括以下步驟:
[0024]在所述過孔中沉積導電材料并進行平坦化處理。
[0025]優(yōu)選地，所述方法利用電鍍、物理氣相沉積或化學氣相沉積在所述過孔中沉積所述導電材料。
[0026]本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置，本發(fā)明將柵極扇出線設(shè)置在基底的與柵線相背離的一面上，沿黑矩陣投影區(qū)域走線并且延伸至驅(qū)動綁定區(qū)，這樣可以使柵極扇出線不走陣列基板的側(cè)面，從而減小了柵極驅(qū)動側(cè)邊框的寬度，同時由于柵極扇出線沿黑矩陣在陣列基板上的投影區(qū)域的走線，所以不影響陣列基板的顯示效果。另外，本發(fā)明在顯示區(qū)域打孔并從基底背面引出柵極扇出線的技術(shù)方案相對于現(xiàn)有技術(shù)中在驅(qū)動綁定區(qū)打孔的技術(shù)方案打孔的區(qū)域明顯增大，因此相對于現(xiàn)有技術(shù)本發(fā)明的技術(shù)方案可以在一定范圍內(nèi)打較少的孔，從而降低了打孔難度，降低了制備工藝的復雜度，提高了制備效率。
【附圖說明】
[0027]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0028I圖1是現(xiàn)有技術(shù)中柵極驅(qū)動gate IC側(cè)邊框的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖2A是本發(fā)明的一個較佳實施例的陣列基板的俯視圖；
[0030]圖2B是本發(fā)明的一個較佳實施例的陣列基板的側(cè)視圖；
[0031 ]圖3是本發(fā)明的另一個較佳實施例的陣列基板的俯視圖；
[0032]圖4A-4C是本發(fā)明中再一個較佳實施例的形成過孔的流程示意圖；
[0033]圖5A_f5D是本發(fā)明中又一個較佳實施例的形成過孔的流程示意圖；
[0034]圖6是本發(fā)明的再一個較佳實施例的陣列基板的俯視圖。
【具體實施方式】
[0035]下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不能用來限制本發(fā)明的范圍。
[0036]一種陣列基板，如圖2A、2B所示，該陣列基板包括顯示區(qū)和驅(qū)動綁定區(qū)8;顯示區(qū)包括基底以及形成在基底上的柵線和數(shù)據(jù)線;基底設(shè)置有過孔4，過孔4設(shè)置在柵線的投影區(qū)域;顯示區(qū)還包括柵極扇出線5，該柵極扇出線5設(shè)置在基底的與柵線相背離的一面上，通過過孔4與陣列基板的柵極連接，并且柵極扇出線5沿黑矩陣投影區(qū)域走線延伸至驅(qū)動綁定區(qū)
8。其中上述黑矩陣投影區(qū)域包括對應于柵線區(qū)域的第一黑矩陣投影區(qū)域7以及對應于數(shù)據(jù)線區(qū)域的第二黑矩陣投影區(qū)域6，柵極扇出線5可以直接沿第二黑矩陣投影區(qū)域6走線并延伸至驅(qū)動綁定區(qū)8，也可以沿第一黑矩陣投影區(qū)域7以及第二黑矩陣投影區(qū)域6走線延伸至驅(qū)動綁定區(qū)8。
[0037]上述陣列基板可以使柵極扇出線5不走陣列基板的側(cè)面，從而減小了柵極驅(qū)動側(cè)邊框的寬度，同時由于柵極扇出線5沿黑矩陣的投影區(qū)域的走線，不影響陣列基板的透光率，所以不影響陣列基板的顯示效果。另外，本發(fā)明在顯示區(qū)域打孔并從基底背面(即基底的遠離柵線的一面)引出柵極扇出線的技術(shù)方案相對于現(xiàn)有技術(shù)中在驅(qū)動綁定區(qū)打孔的技術(shù)方案打孔的區(qū)域明顯增大，因此相對于現(xiàn)有技術(shù)本發(fā)明的技術(shù)方案可以在一定范圍內(nèi)打較少的孔，從而降低了打孔難度，降低了制備工藝的復雜度，提高了制備效率。
[0038]進一步地，如圖2A所示，過孔4可以設(shè)置在柵線投影和數(shù)據(jù)線投影的交匯區(qū)域，這種設(shè)計可以使柵極扇出線5直接沿第二黑矩陣投影區(qū)域6延伸至驅(qū)動綁定區(qū)8，從而可以減少柵極扇出線5的走線長度，節(jié)省用料和工序。當然，過孔可以設(shè)置在基底上的柵線的投影區(qū)域的任意位置，若過孔沒有設(shè)置在上述交匯區(qū)域，如圖6所示，則柵極扇出線5的走線需要沿第一黑矩陣投影區(qū)域7以及第二黑矩陣投影區(qū)域6延伸至驅(qū)動綁定區(qū)8，此種走線方式的走線長度相對增加，用料相對增加，但是不會增加柵極驅(qū)動側(cè)邊框的寬度，同時不會影響陣列基板的透光率。
[0039]優(yōu)選地，若過孔設(shè)置在柵線的投影和數(shù)據(jù)線的投影的交匯區(qū)域，則柵極扇出線也可以沿數(shù)據(jù)線的投影走線，當然若過孔未設(shè)置在上述交匯區(qū)域，那么柵極扇出線沿柵線的投影和數(shù)據(jù)線的投影走線。
[0040]上述柵線的投影與上述第二黑矩陣投影區(qū)域7重合，并且上述第二黑矩陣投影區(qū)域7的寬度大于柵線的投影的寬度，上述數(shù)據(jù)線的投影與上述第一黑矩陣投影區(qū)域6重合，并且上述第一黑矩陣投影區(qū)域6的寬度大于數(shù)據(jù)線的投影的寬度，因此將柵極扇出線5的走線設(shè)計為沿黑矩陣投影區(qū)域走線相對于將柵極扇出線5的走線設(shè)計為沿柵線投影和數(shù)據(jù)線投影走線制備工藝相對簡單，精度要求低。
[0041 ]進一步地，陣列基板還包括扇出線保護層，扇出線保護層設(shè)置于基底的與柵線相背離的一面上，并且覆蓋柵極扇出線，實現(xiàn)對柵極扇出線5的保護和絕緣，避免受到其他導電線的影響。如圖2B所示，在陣列基板的兩側(cè)還可以分別設(shè)置一個保護層11對陣列基板進行保護和絕緣。
[0042]進一步地，上述陣列基板同時也適用于圓形區(qū)域顯示的要求，即顯示區(qū)域呈現(xiàn)為圓形。如圖3所示，圓形顯示中同樣是在基板的柵線的投影區(qū)域設(shè)置過孔4，柵極扇出線5設(shè)置在基底的與柵線相背離的一面上，并且柵極扇出線5沿黑矩陣投影區(qū)域走線并延伸至驅(qū)動綁定區(qū)8。
[0043]本發(fā)明還公開了一種顯示面板，該顯示面板包括上述陣列基板。上述陣列基板的柵極驅(qū)動側(cè)邊框的寬度得到了有效減小，實現(xiàn)柵極走線區(qū)域?qū)挾葹榱?，因此利用該陣列基板制作的顯示面板的側(cè)邊框的寬度也可以得到有效減小，有利于顯示面板向更小側(cè)邊框的方向發(fā)展。
[0044]本發(fā)明還公開了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述顯示面板。
[0045]本發(fā)明還公開了一種陣列基板的制備方法，該方法包括:
[0046]S1、在一面形成有柵線、數(shù)據(jù)線以及柵極扇出線的基底上形成過孔;其中過孔設(shè)置在柵線在基底上的投影區(qū)域；
[0047]S2、在基底的與柵線相背離的一面上形成柵極扇出線，使柵極扇出線通過過孔與陣列基板的柵極連接;柵極扇出線沿黑矩陣投影區(qū)域走線并延伸至驅(qū)動綁定區(qū)。
[0048]上述方法將柵極扇出線設(shè)置在基底的與柵線相背離的一面上，沿黑矩陣投影區(qū)域走線并且延伸至驅(qū)動綁定區(qū)，可以使柵極扇出線不走陣列基板的側(cè)面，從而減小柵極驅(qū)動側(cè)邊框的寬度，同時不影響陣列基板的顯示效果。
[0049]進一步地，過孔可以通過多次激光轟擊或多次刻蝕形成，其中通過多次激光轟擊或多次刻蝕形成的孔具有較大的深寬比。
[0050]當然，過孔也可以通過一次激光轟擊或多次刻蝕形成，本發(fā)明對此不進行限制。[0051 ] 進一步地，上述方法在形成柵極扇出線后還包括以下步驟:
[0052]在基底的與柵線相背離的一面上形成扇出線保護層，該扇出線保護層覆蓋柵極扇出線，實現(xiàn)對柵極扇出線進行保護和絕緣。
[0053]進一步地，上述方法在形成柵極扇出線之前還包括以下步驟:在過孔中沉積導電材料并進行平坦化處理。因此具體地形成柵極扇出線包括以下步驟:
[0054]在過孔中沉積導電材料形成導電通道并進行平坦化處理；
[0055]在TFT背面，即基底的與柵線相背離的一面上沉積ITO或金屬，并通過刻蝕形成沿黑矩陣投影方向走線的柵極扇出線gate fanout線。
[0056]優(yōu)選地，利用電鍍、物理氣相沉積或化學氣相沉積在過孔中沉積導電材料。
[0057]下面通過兩個具體的實施例對上述方法進行詳細的說明。
[0058]實施例一:
[0059]本實施例的方法包括以下步驟:
[0060]Sll、在TFT玻璃基板上通過一次刻蝕或激光打孔方法制造開孔，開孔設(shè)置在基底的對應于柵線區(qū)域的第一黑矩陣投影區(qū)域gate BM以及對應于數(shù)據(jù)線區(qū)域的第二黑矩陣投影區(qū)域Source BM的交匯處。其中本步驟中的刻蝕方法可以是干法刻蝕Dry Etch、濕法刻蝕Wet Etch或反應離子刻蝕RIE等。
[0061 ] S12、通過電鍍、物理氣相沉積PVD或化學氣相沉積CVD等方法在開孔中沉積導電材料，該導電材料可以是金屬、導電半導體或?qū)щ娝芰稀?br>[0062]S13、通過化學機械研磨拋光CMP (化學機械研磨拋光)去除凸出的導電材料，使TFT玻璃基板背面平整。
[0063]S14、通過光刻—薄膜沉積—刻蝕的方法在TFT玻璃基板背面制造柵極扇出線gatefanout，該fanout線沿黑矩陣BM投影方向且與開孔導電材料連通。
[0064]S15、沉積gate fanout的保護層。
[0065]本實施例中利用刻蝕或激光打孔的方法一次形成開孔，工藝步驟相對減少，并且可以減小柵極驅(qū)動側(cè)邊框的寬度。
[0066]下面對本實施例中形成開孔的步驟進行說明:
[0067]S111、如圖4A所示，利用刻蝕的方法或激光9 JPetch or Iaster對TFT玻璃基板10進行刻蝕，其中玻璃基板的遠離液晶層的一側(cè)設(shè)置有保護層Protect layer 11；
[0068]SI 12、如圖4B所示，通過步驟SI 11形成了開孔4 ；
[0069]SI 13、如圖4C所示，在開孔4中沉積導電材料12。
[0070]通過上面的步驟在TFT玻璃基板10上形成了具有導電能力的開孔，利用常規(guī)的打孔技術(shù)即可完成在玻璃基板上的打孔。
[0071]如果要實現(xiàn)窄邊框的設(shè)計，現(xiàn)有的方法需要在驅(qū)動綁定區(qū)的40mm左右的范圍內(nèi)打768個通孔，孔間距為約52μπι，而康寧現(xiàn)有激光打孔技術(shù)，其最小孔徑為30μπι，工藝要求極高且孔距更近，容易出現(xiàn)連通的風險。而本發(fā)明是在顯示區(qū)域內(nèi)打孔，只需要178mm范圍內(nèi)打768孔即可，工藝實現(xiàn)難度要低的多。
[0072]實施例二:
[0073]本實施例的方法包括以下步驟:
[0074]S21、在TFT玻璃上通過兩次刻蝕或激光打孔方法制造開孔，開孔在gate BM和Source BM交匯處。其中本步驟中的刻蝕方法可以是干法刻蝕Dry Etch、濕法刻蝕Wet Etch或反應離子刻蝕RIE等。
[0075]S22、通過電鍍、PVD、CVD等方法在開孔中沉積導電材料，該導電材料可以是金屬、導電半導體或?qū)щ娝芰稀?br>[0076]S23、通過CMP去除凸出的導電材料，使TFT玻璃基板背面平整。
[0077]S24、通過光刻—薄膜沉積—刻蝕的方法在TFT玻璃基板背面制造gate fanout，該fanout線沿BM投影方向且與開孔導電材料連通。
[0078]S25、沉積gate fanout的保護層。
[0079]本實施例的方法與實施例一的方法的區(qū)別在于，本實施例利用兩次刻蝕或激光打孔方法形成開孔，具體包括如下步驟:
[0080]S211、如圖5A所示，利用一次刻蝕的方法或激光9 JPetch or Iaster對TFT玻璃基板10進行刻蝕，形成第一開孔13;
[0081 ] S212、如圖5B所示，在第一開孔13中沉積導電材料12，其中玻璃基板的靠近液晶層的一側(cè)設(shè)置有保護層Protect layer 11;
[0082]S213、如圖5C所示，利用二次刻蝕的方法或激光9 JPetch or Iaster對TFT玻璃基板10進行刻蝕，形成第二開孔，第二開孔與第一開孔整體形成開孔4;
[0083 ] S214、如圖所示，在開孔4中沉積導電材料12。
[0084]現(xiàn)有的打孔工藝中，玻璃孔的最小孔徑為30μπι，常規(guī)車載產(chǎn)品TFT玻璃厚度為
0.5mm，那么深寬比達到了 17:1，常規(guī)的激光打孔方法難以實現(xiàn)上述深寬比，本實施例提出的兩次打孔的方案和使用等離子體刻蝕(DRY ETCH，不同于腐蝕)的方法，能夠?qū)崿F(xiàn)上述較大的深寬比。
[0085]上述兩個實施例將TFT玻璃基板在gate BM和Source BM交匯投影處打穿形成開孔，然后沉積導電材料填充開孔形成導電通道，再在TFT背面沉積ITO或金屬，通過刻蝕形成gate fanout線(沿BM投影方向)，最后在TFT玻璃背面走線延伸至驅(qū)動綁定區(qū)IC bonding。該方法通過在顯示區(qū)域的基底的背部走線可實現(xiàn)柵極驅(qū)動gate IC側(cè)邊框窄邊框設(shè)計。
[0086]以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進行等同替換;而這些修改或者替換，并不使相應技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的范圍，其均應涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求和說明書的范圍當中。
【主權(quán)項】
1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括顯示區(qū)和驅(qū)動綁定區(qū)； 所述顯示區(qū)包括基底以及形成在基底上的柵線和數(shù)據(jù)線； 所述基底設(shè)置有過孔，所述過孔設(shè)置在所述柵線的投影區(qū)域； 所述顯示區(qū)還包括柵極扇出線;所述柵極扇出線設(shè)置在所述基底的與所述柵線相背離的一面上;所述柵極扇出線沿黑矩陣投影區(qū)域走線并且延伸至所述驅(qū)動綁定區(qū)； 所述柵極扇出線通過所述過孔與所述陣列基板的柵極連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述過孔設(shè)置在所述柵線的投影和所述數(shù)據(jù)線的投影的交匯區(qū)域。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極扇出線沿所述數(shù)據(jù)線的投影走線。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極扇出線沿所述柵線的投影以及所述數(shù)據(jù)線的投影走線。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括扇出線保護層，所述扇出線保護層設(shè)置于所述基底的與所述柵線相背離的一面上，并且覆蓋所述柵極扇出線。6.—種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括權(quán)利要求1至5任一項所述的陣列基板。7.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權(quán)利要求6所述的顯示面板。8.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，所述方法包括: 在一面形成有柵線、數(shù)據(jù)線以及柵極扇出線的基底上形成過孔;所述過孔設(shè)置在所述柵線的投影區(qū)域； 在所述基底的與所述柵線相背離的一面上形成柵極扇出線，使所述柵極扇出線通過所述過孔與所述陣列基板的柵極連接;所述柵極扇出線沿黑矩陣投影區(qū)域走線并且延伸至陣列基板的驅(qū)動綁定區(qū)。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述過孔設(shè)置在所述柵線的投影和所述數(shù)據(jù)線的投影的交匯區(qū)域。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述過孔通過多次激光轟擊或多次刻蝕形成。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法在形成所述柵極扇出線后還包括以下步驟: 在所述基底的與所述柵線相背離的一面上形成扇出線保護層，所述扇出線保護層覆蓋所述柵極扇出線。12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法在形成所述柵極扇出線之前還包括以下步驟: 在所述過孔中沉積導電材料并進行平坦化處理。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述方法利用電鍍、物理氣相沉積或化學氣相沉積在所述過孔中沉積所述導電材料。
【文檔編號】H01L27/12GK106057820SQ201610581660
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年7月21日 公開號201610581660.2, CN 106057820 A, CN 106057820A, CN 201610581660, CN-A-106057820, CN106057820 A, CN106057820A, CN201610581660, CN201610581660.2
【發(fā)明人】金碩, 董學, 邱云, 黃小妹, 王錫彬, 王志東
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司