發(fā)光顯示裝置的制造方法
【專利摘要】提供了一種發(fā)光顯示裝置。所述發(fā)光顯示裝置包括：第一基底；多個像素，按矩陣布置在第一基底上并分為沿行方向和沿列方向布置的多個單元像素，每個單元像素包括沿行方向布置的第一像素和第二像素以及相對于第一像素和第二像素沿列方向布置的第三像素；第一電極，對應(yīng)于每個像素；像素限定層，隔開基底上的各個像素并具有穿過像素限定層暴露第一電極的開口；第一發(fā)光層，連續(xù)地位于同一行線中布置的單元像素的第一像素和第二像素的第一電極上；第二發(fā)光層，連續(xù)地位于同一行線中布置的單元像素的第三像素的第一電極上；第二電極，位于第一發(fā)光層和第二發(fā)光層上。
【專利說明】 'k.B — S 反尤業(yè)不衣直
[0001 ] 本申請要求于2015年4月15日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2015-0053237號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用全部包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明的實施例的方面涉及一種發(fā)光顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0003]在發(fā)光顯示裝置中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置是具有相對寬的視角、優(yōu)異的對比度和高響應(yīng)速度的特性的自發(fā)光顯示裝置，因此已經(jīng)作為下一代顯示裝置受到關(guān)注。
[0004]有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有布置在陽極電極和陰極電極之間由有機(jī)發(fā)光材料制成的發(fā)光層。如果陽極電壓和陰極電壓分別施加到這些電極，則從陽極電極注入的空穴穿過空穴注入層和空穴傳輸層移動到發(fā)光層，電子穿過電子注入層和電子傳輸層移動到發(fā)光層。在發(fā)光層中，電子和空穴復(fù)合，通過這種復(fù)合，產(chǎn)生激子。當(dāng)產(chǎn)生的激子從激發(fā)態(tài)躍迀到基態(tài)時，發(fā)光層發(fā)光以在發(fā)光層上顯示圖像。
[0005]有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括具有開口的像素限定層，開口用于暴露形成在每個像素上的陽極電極，以及空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極電極形成在穿過像素限定層的開口暴露的陽極電極上。在這些層中，發(fā)光層可以以各種方法形成，這些方法中的一種是沉積法。最近，已經(jīng)廣泛地使用可以在小規(guī)模設(shè)備中執(zhí)行沉積工藝的小掩模掃描沉積法作為沉積法。
[0006]在使用小掩模掃描沉積法形成有機(jī)發(fā)光顯示裝置的發(fā)光層的情況下，可以通過將基底和比基底小的掩模布置為彼此分隔開并且在使掩模和基底相對于彼此移動的同時在基底上沉積有機(jī)發(fā)光材料來形成發(fā)光層。
[0007]在此【背景技術(shù)】部分公開的上述信息僅將增強(qiáng)發(fā)明的背景的理解，因此，它可能包含不組成現(xiàn)有技術(shù)的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]在基底和比基底小的掩模布置為彼此分隔開的情況下，有機(jī)發(fā)光材料可以經(jīng)過間隙距離沿基底的不需要的區(qū)域的方向(例如，相鄰的像素)沉積，因此發(fā)光層可以形成為在相鄰的像素之間彼此疊置。例如，在發(fā)射與相鄰像素的顏色光不同的顏色光的像素的情況下，發(fā)射基本不同顏色光的發(fā)光層可以形成為在相鄰的像素之間彼此疊置。因此，為了減少發(fā)射不同顏色光的發(fā)光層在相鄰像素之間的疊置，有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以被制造為使得相鄰的像素之間的間隙距離變得較大。
[0009]然而，隨著發(fā)射不同顏色光的相鄰像素之間的間隙距離變得越大，像素的開口率變得越低。
[0010]因此，根據(jù)本發(fā)明的實施例的方面，發(fā)光顯示裝置可以通過發(fā)射不同顏色光的相鄰像素之間的間隙距離的減小來增大像素的開口率。
[0011]本發(fā)明的另外方面、主題和特征將在下面的描述中部分地闡述，部分地對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言將根據(jù)下面的檢查而變得清楚，或者可以從發(fā)明的實踐而了解。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的方面，一種發(fā)光顯不裝置包括:第一基底；多個像素，按矩陣布置在第一基底上，并被分為沿行方向和沿列方向布置的多個單元像素，每個單元像素包括沿行方向布置的第一像素和第二像素以及相對于第一像素和第二像素沿列方向布置的第三像素;第一電極，對應(yīng)于每個像素;像素限定層，隔開第一基底上的各個像素并具有穿過像素限定層暴露第一電極的開口；第一發(fā)光層，連續(xù)地設(shè)置在沿同一行線布置的單元像素的第一像素和第二像素的第一電極上;第二發(fā)光層，連續(xù)地設(shè)置在沿同一行線布置的單元像素的第三像素的第一電極上;第二電極，設(shè)置在第一發(fā)光層和第二發(fā)光層上。
[0013]根據(jù)一些實施例，第一發(fā)光層設(shè)置在像素限定層的處于同一行線中的單元像素的第一像素與第二像素之間的上表面以及像素限定層的介于單元像素之間的上表面上，并具有條形狀。
[0014]根據(jù)一些實施例，第一發(fā)光層和第二發(fā)光層沿列方向交替。
[0015]根據(jù)一些實施例，第一發(fā)光層或第二發(fā)光層沿列方向在相鄰的單元像素之間彼此面對。
[0016]根據(jù)一些實施例，第一發(fā)光層是被構(gòu)造為發(fā)射黃光的黃色發(fā)光層，第二發(fā)光層是被構(gòu)造為發(fā)射藍(lán)光的藍(lán)色發(fā)光層。
[0017]根據(jù)一些實施例，發(fā)光顯示裝置還包括設(shè)置在第二電極上的第二基底以及設(shè)置在第二基底上的濾色器，其中，濾色器包括:第一濾色器，對應(yīng)于第一像素，并被構(gòu)造為執(zhí)行對從第一發(fā)光層發(fā)出的光的過濾且沿第二基底的方向發(fā)射第一顏色的光;第二濾色器，對應(yīng)于第二像素，并被構(gòu)造為執(zhí)行對從第一發(fā)光層發(fā)出的光的過濾且沿第二基底的方向發(fā)射與第一顏色不同的第二顏色的光。
[0018]根據(jù)一些實施例，第一顏色是紅色，第二顏色是綠色。
[0019]根據(jù)一些實施例，濾色器還包括:第三濾色器，對應(yīng)于第三像素，并被構(gòu)造為執(zhí)行對從第二發(fā)光層發(fā)出的光的過濾并沿第二基底的方向發(fā)射色純度與從第二發(fā)光層發(fā)出的光的色純度不同的光。
[0020]根據(jù)一些實施例，發(fā)光顯示裝置還包括設(shè)置在第二電極上的第二基底以及設(shè)置在第一基底與第一電極之間的濾色器，其中，濾色器包括:第一濾色器，對應(yīng)于第一像素，并被構(gòu)造為執(zhí)行對從第一發(fā)光層發(fā)出的光的過濾且沿第一基底的方向發(fā)射第一顏色的光;第二濾色器，對應(yīng)于第二像素，并被構(gòu)造為執(zhí)行對從第一發(fā)光層發(fā)出的光的過濾且沿第一基底的方向發(fā)射與第一顏色不同的第二顏色的光。
[0021]根據(jù)一些實施例，第一像素或第二像素在沿同一行線布置的單元像素中的相鄰單元像素之間彼此面對。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的一些實例實施例，一種發(fā)光顯示裝置包括:第一基底；多個像素，按矩陣布置在第一基底上并被分為沿行方向和沿列方向布置的多個單元像素，每個單元像素包括沿行方向布置的第一像素和第二像素以及相對于第一像素和第二像素沿列方向布置的第三像素;第一電極，對應(yīng)于相應(yīng)像素中的每個像素;像素限定層，將第一基底上的各個像素隔開，并且在使第三像素的第一電極暴露的第三開口與使第二像素的第一電極暴露的第二開口之間的間隙距離比在使第一像素的第一電極暴露的第一開口與第二開口之間的間隙距離長;第一發(fā)光層，連續(xù)地設(shè)置在同一行線中的單元像素的第一像素和第二像素的第一電極上;第二發(fā)光層，連續(xù)地設(shè)置在同一行線中的單元像素的第三像素的第一電極上；第二電極，設(shè)置在第一發(fā)光層和第二發(fā)光層上。
[0023]根據(jù)一些實施例，第一發(fā)光層設(shè)置在像素限定層的在同一行線中的單元像素的第一像素和第二像素之間的上表面以及像素限定層的在單元像素之間的上表面兩者上，并具有條形狀。
[0024]根據(jù)一些實施例，第一發(fā)光層和第二發(fā)光層沿列方向交替。
[0025]根據(jù)一些實施例，第一發(fā)光層或第二發(fā)光層沿列方向在相鄰的單元像素之間彼此面對。
[0026]根據(jù)一些實施例，第一發(fā)光層是被構(gòu)造為發(fā)射黃光的黃色發(fā)光層，第二發(fā)光層是被構(gòu)造為發(fā)射藍(lán)光的藍(lán)色發(fā)光層。
[0027]根據(jù)一些實施例，發(fā)光顯示裝置還包括設(shè)置在第二電極上的第二基底以及設(shè)置在第二基底上的濾色器，其中，濾色器包括:第一濾色器，對應(yīng)于第一像素，并被構(gòu)造為執(zhí)行對從第一發(fā)光層發(fā)出的光的過濾且沿第二基底的方向發(fā)射第一顏色的光;第二濾色器，對應(yīng)于第二像素，并被構(gòu)造為執(zhí)行對從第一發(fā)光層發(fā)出的光的過濾且沿第二基底的方向發(fā)射與第一顏色不同的第二顏色的光。
[0028]根據(jù)一些實施例，第一顏色是紅色，第二顏色是綠色。
[0029]根據(jù)一些實施例，濾色器還包括:第三濾色器，對應(yīng)于第三像素，并被構(gòu)造為執(zhí)行對從第二發(fā)光層發(fā)出的光的過濾并沿第二基底的方向發(fā)射色純度與從第二發(fā)光層發(fā)出的光的色純度不同的光。
[0030]根據(jù)一些實施例，發(fā)光顯示裝置還包括設(shè)置在第二電極上的第二基底以及設(shè)置在第一基底與第一電極之間的濾色器，其中，濾色器包括:第一濾色器，對應(yīng)于第一像素，并被構(gòu)造為執(zhí)行對從第一發(fā)光層發(fā)出的光的過濾且沿第一基底的方向發(fā)射第一顏色的光;第二濾色器，對應(yīng)于第二像素，并被構(gòu)造為執(zhí)行對從第一發(fā)光層發(fā)出的光的過濾且沿第一基底的方向發(fā)射與第一顏色不同的第二顏色的光。
[0031]根據(jù)一些實施例，第一像素或第二像素在沿同一行線布置的單元像素中的相鄰單元像素之間彼此面對。
[0032]根據(jù)本發(fā)明的實施例的發(fā)光顯示裝置，可以減小在沿同一行線布置的單元像素中發(fā)射不同顏色光的第一像素與第二像素之間的間隙距離，因此可以增大第一像素和第二像素的開口率。
[0033]因此，可以增大發(fā)光顯示裝置的整個像素的開口率。
[0034]根據(jù)本發(fā)明的效果不限于上面所述的內(nèi)容，而且各種方面包括在下面的描述中。
【附圖說明】
[0035]通過下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其他方面、特征和特性將會變得更加明顯，在附圖中:
[0036]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示例實施例的發(fā)光顯示裝置的像素布置的示意性平面圖；
[0037]圖2是示出圖1的像素布置的另一示例的平面圖；
[0038]圖3是示出圖1的像素布置的又一示例的平面圖；
[0039]圖4是沿圖1的線Ι-Γ截取的部分的剖視圖；
[0040]圖5是沿圖1的線ΙΙ-ΙΓ截取的部分的剖視圖；
[0041 ]圖6是沿圖1的線ΙΙΙ-ΙΙΓ截取的部分的剖視圖；
[0042]圖7是示出圖4和圖5的有機(jī)發(fā)光層的圖案與濾色器之間的對應(yīng)關(guān)系的示意性透視圖；
[0043]圖8至圖18是解釋根據(jù)本發(fā)明的示例實施例的用于制造發(fā)光顯示裝置的方法的剖視圖和透視圖；
[0044]圖19是在根據(jù)本發(fā)明的另一示例實施例的發(fā)光顯示裝置中與圖4和圖5的部分對應(yīng)的部分的剖視圖；
[0045]圖20是在根據(jù)本發(fā)明的又一示例實施例的發(fā)光顯示裝置中與圖4和圖5的部分對應(yīng)的部分的剖視圖。
【具體實施方式】
[0046]通過參照附圖和下面示例實施例的詳細(xì)描述，可以更容易理解本發(fā)明的方面和特征以及實現(xiàn)本發(fā)明的方法。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實現(xiàn)并不應(yīng)該解釋為受限于在這里闡述的實施例。相反，提供這些實施例，使得本公開將是更徹底和更完整的并將把發(fā)明的構(gòu)思更充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員，本發(fā)明將僅由權(quán)利要求和它們的等同物來限定。
[0047]也將理解的是，當(dāng)層被稱為“在”另一層或基底“上”時，該層可以直接在所述另一層或基底上，或也可以存在中間層。在整個說明書中相同的附圖標(biāo)號始終表示相同的組件。
[0048]將理解的是，盡管在這里可以使用術(shù)語第一、第二、第三等來描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)該受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅用來將一個元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開。因此，在不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可以被命名為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。
[0049]為了便于解釋，在這里可以使用諸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……下面”、“在……上方”和“上面的”等相對空間術(shù)語來描述如圖中示出的一個元件或特征與另外的元件或特征的關(guān)系。將理解的是，相對空間術(shù)語意圖包含除了圖中描述的方位之外裝置在使用中或操作中的不同方位。例如，如果圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則描述為“在”其他元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件將位于所述其他元件或特征的“上方” ο因此，示例術(shù)語“在……下方”和“在……下面”可以包含上方和下方兩種方位。裝置可以被另外定向(例如，旋轉(zhuǎn)90度或處于其他方位)并應(yīng)該相應(yīng)地解釋在這里使用的空間相對描述語。
[0050]將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在”另一元件或?qū)印吧稀薄ⅰ斑B接到”或“結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r，該元件或?qū)涌梢灾苯釉谒隽硪辉驅(qū)由稀⒅苯舆B接到或結(jié)合到所述另一元件或?qū)?，或者可以存在一個或更多個中間的元件或?qū)印Ａ硗?，也將理解的是，?dāng)元件或?qū)颖环Q為“在”兩個元件或?qū)印爸g”時，該元件或?qū)涌梢允撬鰞蓚€元件或?qū)又g的唯一元件或?qū)?，或者也可以存在一個或更多個中間的元件或?qū)印?br>[0051]在這里使用的術(shù)語僅是為了描述具體實施例的目的，而非意圖是對本發(fā)明的限制。如在這里使用的，除非上下文另有明確指示，否則單數(shù)形式“一個”和“一種”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。還將理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包含”、“包括”及其變型時，表明存在陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或添加一個或更多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。如在這里使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或更多個相關(guān)所列項的任何和所有組合。諸如“至少一個(種)”的表述出現(xiàn)在一列元件之后時，修飾整列元件而非修飾該列的單個元件。
[0052]如在這里使用的，術(shù)語“基本”、“大約”和相似的術(shù)語用作近似術(shù)語而非程度術(shù)語，并意圖解釋將由本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員意識到的在測量值或計算值中的固有偏差。此外，描述本發(fā)明的實施例時“可以”的使用表示“本發(fā)明的一個或更多個實施例”。如在這里使用的，術(shù)語“使用”及其變型可以被認(rèn)為分別與術(shù)語“利用”及其變型同義。此外，術(shù)語“示例性”意圖指的是示例或圖示。
[0053]在下文中，將參照附圖描述本發(fā)明的示例實施例的方面。
[0054]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的示例實施例的發(fā)光顯示裝置的像素布置的示意性平面圖。圖2是示出圖1的像素布置的另一示例的平面圖，圖3是示出圖1的像素布置的又一示例的平面圖。
[0055]參照圖1，根據(jù)本發(fā)明的示例實施例的發(fā)光顯示裝置100包括限定多個像素P的顯示區(qū)域DA和位于顯示區(qū)域DA的外側(cè)上的非顯示區(qū)域NDA，所述多個像素P在第一基底110上顯示圖像并以矩陣形式布置。
[0056]多個像素P可以被分為在第一基底110上沿行方向X和沿列方向Y布置的多個單元像素UP。每個單元像素UP包括沿行方向X布置的第一像素Pl和第二像素P2以及相對于第一像素Pl和第二像素P2沿列方向Y布置的第三像素P3。第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3可以是發(fā)射不同顏色光的像素。例如，第一像素Pl可以是發(fā)射紅光的紅色像素，第二像素P2可以是發(fā)射綠光的綠色像素，第三像素P3可以是發(fā)射藍(lán)光的藍(lán)色像素，但是像素不限于此。
[0057]此外，沿同一行線布置的單元像素UP的第一像素Pl和第二像素P2可以布置在一排，沿同一行線布置的單元像素UP的第三像素P3可以布置在一排。此外，在每個單元像素UP中，第三像素P3的面積可以比第一像素Pl的面積和第二像素P2的面積大，但其不限于此。此夕卜，在沿同一行線布置的單元像素UP中，第一像素Pl和第二像素P2可以交替布置，但其不限于此。例如，如圖2中所示，在第一基底IlOa上沿同一行線布置的單元像素UP中的相鄰的單元像素UP之間彼此面對的像素P可以是第一像素Pl或第二像素P2。此外，如圖3中所示，在第一基底I 1b上沿同一列線布置的單元像素UP中的相鄰的單元像素UP之間彼此面對的像素P可以是相同的像素，例如，第三像素P3。
[0058]然后，將更詳細(xì)地描述發(fā)光顯示裝置100的結(jié)構(gòu)。在下文中，將針對發(fā)光顯示裝置100描述單元像素UP的第一像素Pl部分、第二像素P2部分和第三像素P3部分的示例結(jié)構(gòu)。
[0059]圖4是沿圖1的線Ι-Γ截取的部分的剖視圖，圖5是沿圖1的線ΙΙ-ΙΓ截取的部分的剖視圖，圖6是是沿圖1的線ΙΙΙ-ΙΙΓ截取的部分的剖視圖。圖7是示出圖4和圖5的有機(jī)發(fā)光層的圖案和濾色器之間的對應(yīng)關(guān)系的示意性透視圖。
[0060]參照圖4和圖5，發(fā)光顯示裝置100可以包括基底110、活性層111、柵極絕緣層116、柵電極117、層間絕緣層118、源電極119、漏電極120、平坦化層121、第一電極130、像素限定層140、第一發(fā)光層150a、第二發(fā)光層150b、第二電極160、第二基底170、濾色器180和黑色矩陣190。各個構(gòu)件可以如圖4、圖5和圖6中所示層疊在Z方向上。發(fā)光顯示裝置100可以通過頂部發(fā)射發(fā)光顯示裝置來實施，在頂部發(fā)射發(fā)光顯示裝置中，從第一發(fā)光層150a和第二發(fā)光層150b產(chǎn)生的光被發(fā)射到第一基底110的頂部，S卩，沿第二基底170的方向發(fā)射。
[0061]第一基底110可以是透明絕緣基底。絕緣基底可以由諸如玻璃、石英或聚合物樹脂的材料制成。聚合物樹脂的示例可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸脂、多芳基化合物(PAR)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙酯、聚酰亞胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纖維素(CAT或TAC)、乙酸丙酸纖維素(CAP)和它們的組合。在一些實施例中，絕緣基底可以是由諸如聚酰亞胺(PI)的柔性材料制成的柔性基底。
[0062]第一基底110包括以矩陣形式布置的多個像素P(例如，如圖1中所示)。因為已經(jīng)詳細(xì)地描述了多個像素P的布置(例如，如圖1中所示)，所以將省略它們的重復(fù)解釋。
[0063]活性層111可以布置在第一基底110上，并可以包括溝道區(qū)112以及位于溝道區(qū)112的兩側(cè)上的源區(qū)113和漏區(qū)114。活性層111可以由例如非晶硅或多晶硅的硅形成，源區(qū)113和漏區(qū)114可以用P型或η型雜質(zhì)摻雜?；钚詫?11可以通過光刻法形成，但其不限于此。
[0064]柵極絕緣層116形成在第一基底110上以覆蓋活性層111。柵極絕緣層116使柵電極117和活性層111彼此電絕緣。柵極絕緣層116可以由例如氧化硅(S1x)、氮化硅(SiNx)或金屬氧化物的絕緣材料制成。柵極絕緣層116可以通過沉積法形成，但其不限于此。
[0065]柵電極117可以形成在柵極絕緣層116上。柵電極117可以形成在柵極絕緣層116上與溝道區(qū)112疊置的位置。柵電極117可以包括金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物或透明導(dǎo)電材料。柵電極117可以通過光刻法形成，但其不限于此。
[0066]層間絕緣層118可以形成在柵極絕緣層116上以覆蓋柵電極117。層間絕緣層118可以由硅化合物制成。例如，層間絕緣層118可以包括氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、碳氮化硅或堿式碳酸硅。層間絕緣層118可以用于使柵電極117與源電極119和漏電極120絕緣。層間絕緣層118可以通過沉積法形成，但其不限于此。
[0067]源電極119和漏電極120可以形成在層間絕緣層118上。源電極119穿透層間絕緣層118和柵極絕緣層116以連接到活性層111的源區(qū)113，漏電極120穿透層間絕緣層118和柵極絕緣層116以連接到漏區(qū)114。
[0068]源電極119和漏電極120可以包括金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物或透明導(dǎo)電材料。例如，源電極119和漏電極120可以由鋁、含鋁合金、氮化鋁、銀、含銀合金、鎢、氮化鎢、銅、含銅合金、鎳、絡(luò)、氮化鉻、鉬、含鉬合金、鈦、氮化鈦、鈾、鉭、氮化鉭、釹、鈧、氧化鍶IT、氧化鋅、氧化銦錫、氧化錫、氧化銦、氧化鎵和/或氧化銦鋅制成。源電極119和漏電極120可以通過光刻法形成，但其不限于此。
[0069]源電極119和漏電極120與活性層111和柵電極117—起形成薄膜晶體管TFT。薄膜晶體管TFT可以是將與施加到柵電極117的電壓對應(yīng)的電流提供到發(fā)光元件EL的驅(qū)動晶體管。薄膜晶體管TFT可以連接到開關(guān)晶體管。響應(yīng)于通過柵極線提供的柵極信號，開關(guān)晶體管將與通過數(shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)信號對應(yīng)的電壓施加到薄膜晶體管TFT。
[0070]平坦化層121可以形成在層間絕緣層118上以覆蓋源電極119和漏電極120。平坦化層121可以具有平坦的表面。平坦化層121可以由絕緣材料制成。在一些實施例中，平坦化層121可以由例如聚酰亞胺的有機(jī)材料制成。平坦化層121可以通過沉積法形成，但其不限于此。
[0071]對于每個像素P(例如，如圖1中所示)，第一電極130形成在第一基底110上。第一電極130可以是接收施加到薄膜晶體管TFT的漏電極120的信號并提供空穴到第一發(fā)光層150a或第二發(fā)光層150b的陽極電極，或者可以是提供電子到第一發(fā)光層150a或第二發(fā)光層150b的陰極電極。第一電極130可以用作透明電極或反射電極。在第一電極130用作透明電極的情況下，第一電極130可以由ITO(氧化銦錫)、ΙΖ0(氧化銦鋅)、ZnO(氧化鋅)和/或Ιη203(氧化銦)形成。此外，在第一電極130用作反射電極的情況下，第一電極130可以通過形成由Ag、1^)1^?(1、411、祖、制、1^(^和/或它們的混合物制成的發(fā)射層，然后在其上形成11'0、ΙΖ0、Ζη0或In2O3來形成。第一電極130可以通過光刻工藝形成，但其不限于此。
[0072]像素限定層140在第一基底110上劃分各個像素P(例如，如圖1中所示)，并具有用于暴露第一電極130的開口 141a、141b和141c。因此，像素限定層140使第一發(fā)光層150a或第二發(fā)光層150b能夠通過開口 141a、141b和141c形成在第一電極130上。
[0073]開口 141a、141b和141c可以是用于暴露第一像素Pl的第一電極130的第一開口141a、用于暴露第二像素P2的第一電極130的第二開口 141b和用于暴露第三像素P3的第一電極130的第三開口 141c。第三開口 141c的面積可以比第一開口 141a的面積和第二開口141b的面積大，但其不限于此。
[0074]然而，在第三開口 141c的面積比第一開口 141a的面積和第二開口 141b的面積大的情況下，布置在通過第三開口 141c暴露的第一電極130上的第二發(fā)光層150b的發(fā)光效率會比布置在通過第一開口 141a暴露的第一電極130上和通過第二開口 141b暴露的第一電極130上的第一發(fā)光層150a的發(fā)光效率低。因此，包括具有低發(fā)光效率的第二發(fā)光層150b的第三像素P3的面積變大，包括具有高發(fā)光效率的第一發(fā)光層150a的第一像素Pl和第二像素P2的面積變小，使得單元像素UP的發(fā)光效率可以完全改善。
[0075]此外，第二開口141b與其中布置有第二發(fā)光層150b的第三開口 141c之間的間隙距離D2可以比第一開口 141a與第二開口 141b之間的間隙距離Dl長。因此，在發(fā)射不同顏色光的第一發(fā)光層150a和第二發(fā)光層150b通過小掩模掃描(SMS)沉積法等形成的情況下，可以防止第一發(fā)光層150a和第二發(fā)光層150b不需要地彼此疊置。
[0076]像素限定層140可以由絕緣材料制成。具體地，像素限定層140可以形成為包括從包含苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚酰亞胺(PI)、聚酰胺(PA)、丙烯酸樹脂和酚醛樹脂的組中選擇的至少一種有機(jī)材料。在一些實施例中，像素限定層140可以形成為包括諸如氮化硅的無機(jī)材料。像素限定層140可以通過光刻工藝形成，但其不限于此。
[0077]第一發(fā)光層150a連續(xù)地形成在沿同一行線布置的單元像素UP的第一像素Pl和第二像素P2的第一電極130上。即，第一發(fā)光層150a可以不僅布置在一個單元像素UP中的第一像素Pl和第二像素P2之間，而且布置在相鄰的單元像素UP之間，并且可以以條形狀布置。第一發(fā)光層150a布置在單元像素UP中的第一像素Pl與第二像素P2之間的像素限定層140的上表面和相鄰單元像素UP之間的像素限定層140的上表面兩者上。在這種情況下，第一發(fā)光層150a可以具有第一寬度EMffl。
[0078]第一發(fā)光層150a可以是發(fā)射黃光的黃色發(fā)光層。即，第一發(fā)光層150a可以通過從第一電極130提供的空穴和從第二電極160提供的電子的復(fù)合來發(fā)射黃光。例如，如果空穴和電子被提供到第一發(fā)光層150a，則空穴和電子復(fù)合以形成激子，并且當(dāng)激子從激發(fā)態(tài)躍迀到基態(tài)時，黃色發(fā)光層發(fā)射黃光。黃色發(fā)光層可以由低分子或高分子有機(jī)材料形成。在一些實施例中，黃色發(fā)光層可以包括紅熒烯或IrC39H29N3,但其不限于此。第一發(fā)光層150a可以通過小掩模掃描(SMS)沉積法來形成，但其不限于此。
[0079]第二發(fā)光層150b連續(xù)地形成在沿同一行線布置的單元像素UP的第三像素P3的第一電極130上。即，第二發(fā)光層150b可以布置在相鄰的單元像素UP之間，并可以以條形狀布置。在這種情況下，第二發(fā)光層150b布置在相鄰的單元像素UP之間的像素限定層140的上表面上。第二發(fā)光層150b可以具有第二寬度EMW2。第二寬度E麗2可以比第一發(fā)光層150a的第一寬度EMffl大，但其不限于此。
[0080]第二發(fā)光層150b可以是發(fā)射藍(lán)光的藍(lán)色發(fā)光層。即，第二發(fā)光層150b可以通過從第一電極130提供的空穴和從第二電極160提供的電子的復(fù)合來發(fā)射藍(lán)光。例如，如果空穴和電子被提供到第二發(fā)光層150b，則空穴和電子復(fù)合以形成激子，并且當(dāng)激子從激發(fā)態(tài)躍迀到基態(tài)時，藍(lán)色發(fā)光層發(fā)射藍(lán)光。藍(lán)色發(fā)光層可以由低分子或高分子有機(jī)材料形成。在一些實施例中，藍(lán)色發(fā)光層可以包括聯(lián)苯乙烯化合物，但其不限于此。第二發(fā)光層150b可以通過小掩模掃描(SMS)沉積法形成，但其不限于此。
[0081]圖7示出第一發(fā)光層150a和第二發(fā)光層150b沿列方向Y交替地布置，但其不限于此。例如，沿列方向Y布置的相鄰的單元像素UP之間彼此面對的發(fā)光層可以是第一發(fā)光層150a或第二發(fā)光層150b。
[0082]因此，空穴注入層和空穴傳輸層可以設(shè)置在第一電極130與第一發(fā)光層150a之間以及第一電極130與第二發(fā)光層150b之間。此外，電子傳輸層和電子注入層可以設(shè)置在第一發(fā)光層150a與第二電極160之間以及第二發(fā)光層150b與第二電極160之間。在第一電極130是陰極電極且第二電極160是陽極電極的情況下，電子注入層和電子傳輸層可以設(shè)置在第一電極130與第一發(fā)光層150a之間以及第一電極130與第二發(fā)光層150b之間，空穴傳輸層與空穴注入層可以設(shè)置在第一發(fā)光層150a與第二電極160以及第二發(fā)光層150b與第二電極160之間。
[0083]第二電極160可以形成在第一發(fā)光層150a和第二發(fā)光層150b上，并可以是提供電子到第一發(fā)光層150a和第二發(fā)光層150b的陰極電極或者提供空穴到第一發(fā)光層150a和第二發(fā)光層150b的陽極電極。按照與第一電極130相同的方式，第二電極160可以用作透明電極或反射電極。在發(fā)光顯示裝置100通過頂部發(fā)射發(fā)光顯示裝置來實施時，第二電極160可以用作透明電極。第二電極160可以通過沉積工藝形成，但其不限于此。
[0084]第二基底170可以面對第二電極160，并可以通過密封劑以一定的間隔結(jié)合到第一基底。因此，第二基底170可以保護(hù)第一基底110上的結(jié)構(gòu)免受外部的影響。與第一基底110一樣，第二基底170可以是透明絕緣基底。在一些實施例中，第二基底170可以是覆蓋整個結(jié)構(gòu)的包封層。包封層可以包括絕緣材料。
[0085]針對每個像素P(例如，如圖1中所示)，濾色器180形成在第二基底170上。濾色器180可以包括第一濾色器180A、第二濾色器180B和第三濾色器180C。
[0086]第一濾色器180A可以形成在與第一像素Pl上的第一開口 141a疊置的區(qū)域上并具有比第一開口 141a的面積大的面積。第一濾色器180A可以是過濾從第一像素Pl的第一發(fā)光層150a發(fā)射的光(例如，黃光)并沿第二基底170的方向發(fā)射第一顏色光(例如，紅光)的濾色器。
[0087]第二濾色器180B可以形成在與第二像素P2上的第二開口 141b疊置的區(qū)域上并具有比第二開口 141b的面積大的面積。第二濾色器180B可以是過濾從第二像素P2的第一發(fā)光層150a發(fā)射的光(例如，黃光)并沿第二基底170的方向發(fā)射第二顏色光(例如，綠光)的濾色器。
[0088]第三濾色器180C可以形成在與第三像素P3上的第三開口141c疊置的區(qū)域上并具有比第三開口 141c的面積大的面積。第三濾色器180C可以是過濾從第三像素P3的第二發(fā)光層150b發(fā)射的光(例如，藍(lán)光)并沿第二基底170的方向發(fā)射具有與從第二發(fā)光層150b發(fā)射的光的色純度不同的色純度的光的濾色器。在一些實施例中，在從第二發(fā)光層150b發(fā)射的光是具有低色純度的天藍(lán)色光的情況下，第三濾色器180C可以是過濾天藍(lán)色光并沿第二基底170的方向發(fā)射具有高色純度的深藍(lán)色光以實現(xiàn)清晰顏色的濾色器。
[0089]如上所述的第一濾色器180A、第二濾色器180B和第三濾色器180C可以從第一發(fā)光層150a和第二發(fā)光層150b沿第二基底170的方向發(fā)射三種不同顏色的光，第一發(fā)光層150a和第二發(fā)光層150b形成在沿同一行線布置的單元像素UP上并發(fā)射兩種不同顏色的光。即，即使每個單元像素UP中的第一像素Pl和第二像素P2共同包括第一發(fā)光層150a，第一濾色器180A和第二濾色器180B也可以過濾從第一像素Pl和第二像素P2的第一發(fā)光層150a發(fā)射的一種顏色的光并沿第二基底170的方向發(fā)射兩種不同顏色的光。
[0090]共同地包括在每個單元像素UP中的第一像素Pl和第二像素P2中的第一發(fā)光層150a可以利用小掩模掃描(SMS)沉積法連續(xù)地形成在沿同一行線布置的單元像素UP的第一像素Pl和第二像素P2的第一電極130上。即，發(fā)射相同顏色光的第一發(fā)光層150a可以連續(xù)地形成在第一像素Pl的第一電極130和第二像素P2的第一電極130上。
[0091]因此，在沿同一行線布置的單元像素UP中，像素限定層140的使第一像素Pl的第一電極130暴露的第一開口 141a與像素限定層140的使第二像素P2的第一電極130暴露的第二開口 141b之間的間隙距離Dl可以被減小為比像素限定層的使第一像素的第一電極暴露的第一開口與像素限定層的使第二像素的第一電極暴露的第二開口之間的所需要的間隙距離小，以防止在使用小掩模掃描(SMS)沉積法在第一像素的第一電極上和第二像素的第一電極上形成發(fā)射不同顏色光的發(fā)光層的情況下發(fā)光層形成為彼此疊置。
[0092]因此，在包括利用小掩模掃描(SMS)沉積法連續(xù)地形成在沿同一行線布置的單元像素UP的第一像素Pl和第二像素P2的第一電極130上的第一發(fā)光層150a以及連續(xù)地形成在沿同一行線布置的單元像素UP的第三像素P3的第一電極130上的第二發(fā)光層150b的發(fā)光顯示裝置100中，可以減小沿同一行線方向布置的單元像素UP中的發(fā)射不同顏色光的第一像素?1與第二像素P2之間的間隙距離，因此可以增大第一像素Pl和第二像素P2的開口率。
[0093]黑色矩陣190可以布置在第二基底170上。黑色矩陣190可以在第二基底170上布置在與濾色器180的水平面相同的水平面處，并可以布置在除了在第二基底170上形成有第一濾色器180A、第二濾色器180B和第三濾色器180C的區(qū)域之外的區(qū)域上。黑色矩陣190由阻光材料形成以阻擋可能在第一濾色器180A、第二濾色器180B和第三濾色器180C中發(fā)生的色彩混合。
[0094]如上所述，因為根據(jù)本發(fā)明的實施例的發(fā)光顯示裝置100包括連續(xù)地形成在沿同一行線布置的單元像素UP中的發(fā)射不同顏色的第一像素Pl和第二像素P2的第一電極130上的第一發(fā)光層150a、將從第一像素Pl的第一發(fā)光層150a發(fā)射的光轉(zhuǎn)換為第一顏色光以發(fā)射第一顏色光的第一濾色器180A，以及將從第二像素P2的第一發(fā)光層150a發(fā)射的光轉(zhuǎn)換為第二顏色光以發(fā)射第二顏色光的第二濾色器180B，所以可以減小沿同一行線布置的單元像素UP中發(fā)射不同顏色的光的第一像素Pl與第二像素P2之間的間隙距離，并因此可以增大第一像素Pl和第二像素P2的開口率。
[0095]因此，可以增大發(fā)光顯示裝置100的整個像素開口率。
[0096]接下來，將描述根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于制造發(fā)光顯示裝置100的方法。在下文中，在解釋用于制造發(fā)光顯示裝置100的方法中示出單元像素UP(例如，如圖1中所示)。
[0097]圖8至圖18是解釋根據(jù)本發(fā)明的實施例的用于制造發(fā)光顯示裝置的方法的剖視圖和透視圖。
[0098]參照圖8，準(zhǔn)備包括薄膜晶體管TFT的第一基底110。第一基底110包括以矩陣形式布置的多個像素P(例如，如圖1中所示)。因為已經(jīng)描述了多個像素P的布置(例如，如圖1中所示)，所以將省略其重復(fù)解釋?？梢栽诘谝换?10上每個像素P(例如，如圖1中所示)中(例如，在第一像素Pl、第二像素P2和第三像素P3中的每個中)布置薄膜晶體管TFT。
[0099]然后，參照圖9，在第一基底110上形成平坦化層121。具體地，可以在層間絕緣層118上形成平坦化層121以覆蓋薄膜晶體管TFT的源電極119和漏電極120。在這種情況下，可以在平坦化層121的與漏電極120疊置的部分上形成用于暴露漏電極120的開口?？梢酝ㄟ^將絕緣材料沉積在源電極119和漏電極120上并將沉積的絕緣材料圖案化來形成平坦化層121。
[0100]然后，參照圖10，在第一基底110上針對每個像素P(例如，如圖1中所示)形成第一電極130。例如，通過在平坦化層121上形成透明電極材料或反射材料(例如，反射材料)并將沉積的反射材料圖案化，可以在第一像素Pl、第二像素P2和第三像素P3上形成第一電極130 ο在這種情況下，針對第一像素Pl、第二像素P2和第三像素P3中的每個像素，可以將第一電極130形成為連接到薄膜晶體管TFT的漏電極120。
[0101]然后，參照圖11，形成劃分第一基底110上的各個像素P(例如，如圖1中所示)并具有用于暴露平坦化層121上的第一電極130的開口 141a、141b和141c的像素限定層140。開口141a、141b和141c可以是用于暴露第一像素Pl的第一電極130的第一開口 141a、用于暴露第二像素P2的第一電極130的第二開口 141b和用于暴露第三像素P3的第一電極130的第三開口 141c。因為已經(jīng)描述了第一開口 141a、第二開口 141b和第三開口 141c，所以將省略它們的重復(fù)解釋?？梢酝ㄟ^在平坦化層121的整個表面上沉積絕緣材料以覆蓋第一電極130并將沉積的絕緣材料圖案化來形成包括第一開口 141a、第二開口 141b和第三開口 141c的像素限定層 140。
[0102]然后，參照圖12至圖14，在沿同一行線布置的單元像素UP(例如，如圖1中所示)的第一像素Pl和第二像素P2的第一電極130上連續(xù)地形成第一發(fā)光層150a。
[0103]例如，如圖12和13中所示，將第一基底110布置在沉積裝置I的上部上，使得像素限定層140面對小掩模掃描(SMS)沉積法中使用的沉積裝置I的掩模40。然后，在沉積裝置I和第一基底110相對于彼此移動的同時，在沿同一行線布置的單元像素UP的第一像素Pl和第二像素P2的第一電極130上沉積從沉積裝置I中提供的第一發(fā)光材料15a。因此，如圖14中所示，在沿同一行線布置的單元像素UP的第一像素Pl和第二像素P2的第一電極130上連續(xù)地形成第一發(fā)光層150a。即，在第一基底110上的沿同一行線布置的單元像素UP(例如，如圖1中所示)的第一像素Pl和第二像素P2的第一電極130上以條形狀形成第一發(fā)光層150a。
[0104]另一方面，盡管圖12示出第一基底110而非沉積裝置I沿A方向移動，但是沉積裝置I可以沿與方向A相反的方向移動。
[0105]例如，如圖13中所示，用于沉積第一發(fā)光材料15a的發(fā)光沉積裝置I可以包括沉積源10、沉積源噴嘴部20、擋板組件30、掩模40和掩?？?5。第一發(fā)光材料15a可以是例如黃色發(fā)光材料。
[0106]沉積源10包括填充有第一發(fā)光材料15a的坩禍12和圍繞坩禍12的冷卻塊11。冷卻塊11將使從坩禍12釋放到外部的熱量的輻射最小化，并可以包括用于加熱坩禍12的加熱器。
[0107]沉積源噴嘴部20布置在沉積源10的一側(cè)上，具體地，在從沉積源10指向第一基底110的一側(cè)上。沉積源噴嘴部20包括沿列方向Y形成的多個沉積源噴嘴21。多個沉積源噴嘴21可以等間距布置。多個沉積源噴嘴21使通過沉積源10蒸發(fā)的第一發(fā)光材料15a穿過沉積源噴嘴21以指向第一基底110的方向。
[0108]擋板組件30布置在沉積源噴嘴部20的一側(cè)上。擋板組件30包括多個擋板31和布置在多個擋板31的外側(cè)的擋板框32。多個擋板31可以沿列方向Y按排布置。多個擋板31可以等間距布置。各個擋板31可以形成為沿Z方向延伸，并可以布置在相鄰的沉積源噴嘴21之間。多個擋板31將沉積源噴嘴部20與掩模40之間的空間劃分為多個沉積空間。
[0109]因為擋板31將沉積源噴嘴部20與掩模40之間的空間劃分為多個沉積空間，所以從沉積源噴嘴21排出的第一發(fā)光材料15a不與從另一沉積源噴嘴21排出的第一發(fā)光材料15a混合，而是通過掩模40的縫隙41沉積在第一基底110上。即，多個擋板31可以用作引導(dǎo)第一發(fā)光材料15a的移動路徑，使得通過各個沉積源噴嘴21排出的第一發(fā)光材料15a不沿列方向Y分散。
[0110]擋板框32可以布置在多個擋板31的側(cè)表面上以引導(dǎo)第一發(fā)光材料15a的移動路徑，使得通過各個沉積源噴嘴21排出的第一發(fā)光材料15a不沿行方向X分散。
[0?11 ] 掩模40和掩模框45布置在沉積源10和第一基底110之間。掩?？?5可以以矩形框的形式形成，掩模40可以結(jié)合到掩?？?5的內(nèi)部。掩模40可以包括沿列方向Y布置的多個縫隙41。每個縫隙41可以沿行方向X延伸。多個縫隙41使已經(jīng)穿過沉積源噴嘴21的第一發(fā)光材料15a指向第一基底110的方向。這里，縫隙41的個數(shù)可以對應(yīng)于將要形成在第一基底110上的第一發(fā)光層150a的個數(shù)。
[0112]掩模40可以布置為與擋板組件30分隔開，并可以通過單獨(dú)的連接構(gòu)件35連接到擋板組件30。
[0113]然后，參照圖15和圖16，在沿同一行線布置的單元像素UP(例如，如圖1中所示)的第三像素P3的第一電極130上連續(xù)地形成第二發(fā)光層150b。即，在沿同一行線布置的單元像素UP(例如，如圖1中所示)的第三像素P3的第一電極130上以條形狀形成第二發(fā)光層150b。
[0114]按照與用于形成第一發(fā)光層150a的方法相同的方式，可以使用小掩模掃描(SMS)沉積法中使用的沉積裝置I形成第二發(fā)光層150b。然而，沉積裝置I的坩禍12填充有第二發(fā)光材料15b，在沿第一基底110的同一行線布置的單元像素UP(例如，如圖1中所示)的第三像素P3的第一電極130上沉積第二發(fā)光材料150b，以形成如圖16中示出的第二發(fā)光層150b。第二發(fā)光材料15b可以是例如藍(lán)色發(fā)光材料。
[0115]然后，參照圖17，在第一發(fā)光層150a和第二發(fā)光層150b上形成第二電極160?？梢酝ㄟ^在第一發(fā)光層150a和第二發(fā)光層150b上沉積透明電極材料或反射材料(例如，透明材料)并將沉積的透明材料圖案化來形成第二電極160。
[0116]然后，參照圖18，將第二基底170布置在第二電極160的上部上。第二基底170可以包括對于每個像素P(例如，如圖1中所示)形成的濾色器180以及布置在第二濾色器180B和第三濾色器180C之間的黑色矩陣190。當(dāng)?shù)诙?70布置在第二電極160的上部上時，濾色器180可以面對第二電極160。
[0117]圖19是在根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的發(fā)光顯示裝置中與圖4和圖5的部分對應(yīng)的部分的剖視圖。
[0118]參照圖19，除了濾色器280之外，根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的發(fā)光顯示裝置200具有與圖4和圖5的發(fā)光顯示裝置100的構(gòu)造相同的構(gòu)造。因此，將僅圍繞濾色器280來描述根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的發(fā)光顯示裝置200。
[0119]濾色器280與圖4和圖5的濾色器180相似。然而，通過從濾色器180省略第三濾色器180C，濾色器280包括第一濾色器180A和第二濾色器180B。這是因為從第二發(fā)光層150b發(fā)出的光(例如，藍(lán)光)如其沿第二基底170的方向一樣發(fā)出。在這種情況下，可以簡化形成濾色器280的工藝。
[0120]如上所述，因為根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的發(fā)光顯示裝置200包括連續(xù)地形成在沿同一行線布置的單元像素UP中的發(fā)射不同顏色的第一像素Pl和第二像素P2的第一電極130上的第一發(fā)光層150a、將從第一像素Pl的第一發(fā)光層150a發(fā)射的光轉(zhuǎn)換為第一顏色光以發(fā)射第一顏色光的第一濾色器180A，以及將從第二像素P2的第一發(fā)光層150a發(fā)射的光轉(zhuǎn)換為第二顏色光以發(fā)射第二顏色光的第二濾色器180B，所以可以減小沿同一行線布置的單元像素UP中的發(fā)射不同顏色的第一像素Pl和第二像素P2之間的間隙距離，并因此可以增大第一像素Pl和第二像素P2的開口率。
[0121]因此，可以增大發(fā)光顯示裝置200的整個像素開口率。
[0122]因此，根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的用于制造發(fā)光顯示裝置200的方法與上面參照圖8至圖18描述的用于制造發(fā)光顯示裝置100的方法相似。然而，根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的方法與根據(jù)本發(fā)明的實施例的方法的不同之處在于布置在第二電極160的上部上的第二基底170包括濾色器280，濾色器280僅包括第一濾色器180A和第二濾色器180B。
[0123]圖20是在根據(jù)本發(fā)明的又一實施例的發(fā)光顯示裝置中與圖4和圖5的部分對應(yīng)的部分的剖視圖。
[0124]參照圖20，除了濾色器380與黑色矩陣390的布置位置之外，根據(jù)本發(fā)明的又一實施例的發(fā)光顯示裝置300具有與圖4和圖5的發(fā)光顯示裝置100的構(gòu)造相同的構(gòu)造。因此，將僅圍繞濾色器380和黑色矩陣390來描述根據(jù)本發(fā)明的又一實施例的發(fā)光顯示裝置300。
[0125]發(fā)光顯示裝置300可以包括基底110、活性層111、柵極絕緣層116、柵電極117、層間絕緣層118、源電極119、漏電極120、平坦化層121、第一電極130、像素限定層140、第一發(fā)光層150a、第二發(fā)光層150b、第二電極160、第二基底170、濾色器380和黑色矩陣390。如圖20所示，各個構(gòu)件可以沿Z方向?qū)盈B。發(fā)光顯示裝置300可以通過底部發(fā)射發(fā)光顯示裝置來實施，在底部發(fā)射發(fā)光顯不裝置中，從第一發(fā)光層150a和第二發(fā)光層150b產(chǎn)生的光例如沿第一基底110的方向從第一基底110的底部發(fā)射。
[0126]濾色器380包括第一濾色器380A、第二濾色器380B和第三濾色器380C，并且與圖4和圖5的濾色器180相似。然而，對于每個像素P(例如，如圖1中所示)，濾色器380可以形成在第一基底110與第一電極130之間，例如，在層間絕緣層118與平坦化層121之間。第一濾色器380A可以布置在與第一像素Pl的第一開口 141a疊置的區(qū)域上，第二濾色器380B可以布置在與第二像素P2的第二開口 141b疊置的區(qū)域上，第三濾色器380C可以布置在與第三像素P3的第三開口 141c疊置的區(qū)域上。
[0127]第一濾色器380A可以是過濾從第一像素Pl的第一發(fā)光層150a發(fā)出的光(例如，黃光)并沿第一基底110的方向發(fā)射第一顏色光(例如，紅光)的濾色器。
[0128]第二濾色器380B可以是過濾從第二像素P2的第一發(fā)光層150a發(fā)出的光(例如，黃光)并沿第一基底110的方向發(fā)射第二顏色光(例如，黃光)的濾色器。
[0129]第三濾色器380C可以是過濾從第三像素P3的第二發(fā)光層150b發(fā)出的光(例如，藍(lán)光)并沿第一基底110的方向發(fā)射具有與從第二發(fā)光層150發(fā)出的光的色純度不同的色純度的光的濾色器。
[0130]黑色矩陣390與圖4和圖5的黑色矩陣190相似。然而，黑色矩陣390可以形成在第一基底110與第一電極130之間(例如，第一基底110與活性層111之間)不與第一濾色器380A、第二濾色器380B和第三濾色器380C疊置的區(qū)域中。黑色矩陣390可以阻止因為從濾色器380發(fā)射的光被諸如柵電極117、源電極119和漏電極120的金屬布線的反射而導(dǎo)致在第一濾色器380A、第二濾色器380B和第三濾色器380C中發(fā)生的顏色混合。
[0131]另一方面，在通過底部發(fā)光顯示裝置實施發(fā)光顯示裝置300的情況下，第一電極130可以用作透明電極，第二電極160可以用作反射電極。
[0132]如上所述，因為根據(jù)本發(fā)明的又一實施例的發(fā)光顯示裝置300包括連續(xù)地形成在沿同一行線布置的單元像素UP中的發(fā)射不同顏色的第一像素Pl和第二像素P2的第一電極130上的第一發(fā)光層150a、將從第一像素Pl的第一發(fā)光層150a發(fā)出的光轉(zhuǎn)換為第一顏色光以發(fā)射第一顏色光的第一濾色器380A，以及將從第二像素P2的第一發(fā)光層150a發(fā)出的光轉(zhuǎn)換為第二顏色光以發(fā)射第二顏色光的第二濾色器380B，所以可以減小在沿同一行線布置的單元像素UP中發(fā)射不同顏色光的第一像素Pl與第二像素P2之間的間隙距離，并因此可以增大第一像素Pl和第二像素P2的開口率。
[0133]因此，可以增大發(fā)光顯示裝置300的整個像素開口率。
[0134]另一方面，根據(jù)本發(fā)明的又一實施例的用于制造發(fā)光顯示裝置300的方法與上面參照圖8至圖18描述的用于制造發(fā)光顯示裝置100的方法相似。然而，根據(jù)本發(fā)明的又一實施例的方法與根據(jù)本發(fā)明的實施例的方法的不同之處在于濾色器380布置在第一基底110與第一電極130之間并且黑色矩陣390形成在第一基底110與活性層111之間。
[0135]在結(jié)束詳細(xì)描述時，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將領(lǐng)會在基本不脫離本發(fā)明的原理的情況下可以對示例實施例做出許多改變和修改。因此，所公開的發(fā)明的示例實施例僅在一般性的和描述性的含義上使用，而非出于限制性的目的。相反，應(yīng)該理解的是，在如權(quán)利要求及其等同物所限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可由本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員做出各種改變和修改。
【主權(quán)項】
1.一種發(fā)光顯示裝置，所述發(fā)光顯示裝置包括: 第一基底； 多個像素，按矩陣布置在所述第一基底上并分為沿行方向和沿列方向布置的多個單元像素，每個單元像素包括沿所述行方向布置的第一像素和第二像素以及相對于所述第一像素和所述第二像素沿所述列方向布置的第三像素； 第一電極，對應(yīng)于每個像素； 像素限定層，隔開所述第一基底上的各個像素并具有穿過所述像素限定層暴露所述第一電極的開口 ； 第一發(fā)光層，連續(xù)地設(shè)置在沿同一行線布置的單元像素的第一像素和第二像素的第一電極上； 第二發(fā)光層，連續(xù)地設(shè)置在沿同一行線布置的單元像素的第三像素的第一電極上；以及 第二電極，設(shè)置在所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述第一發(fā)光層設(shè)置在所述像素限定層的處于同一行線中的單元像素的第一像素與第二像素之間的上表面以及所述像素限定層的處于所述多個單元像素之間的上表面兩者上，并具有條形狀。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述第一發(fā)光層和所述第二發(fā)光層沿所述列方向交替。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述第一發(fā)光層或所述第二發(fā)光層在所述列方向上的相鄰的單元像素之間彼此面對。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述第一發(fā)光層是被構(gòu)造為發(fā)射黃光的黃色發(fā)光層，所述第二發(fā)光層是被構(gòu)造為發(fā)射藍(lán)光的藍(lán)色發(fā)光層。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示裝置，所述發(fā)光顯示裝置還包括: 第二基底，設(shè)置在所述第二電極上；以及 濾色器，設(shè)置在所述第二基底上， 其中，所述濾色器包括: 第一濾色器，對應(yīng)于所述第一像素，并被構(gòu)造為執(zhí)行對從所述第一發(fā)光層發(fā)出的光的過濾且沿所述第二基底的方向發(fā)射第一顏色的光；以及 第二濾色器，對應(yīng)于所述第二像素，并被構(gòu)造為執(zhí)行對從所述第一發(fā)光層發(fā)出的光的過濾且沿所述第二基底的方向發(fā)射與所述第一顏色不同的第二顏色的光。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述第一顏色是紅色，所述第二顏色是綠色。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述濾色器還包括:第三濾色器，對應(yīng)于所述第三像素，并被構(gòu)造為執(zhí)行對從所述第二發(fā)光層發(fā)出的光的過濾并沿所述第二基底的方向發(fā)射色純度與從所述第二發(fā)光層發(fā)出的光的色純度不同的光。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示裝置，所述發(fā)光顯示裝置還包括: 第二基底，設(shè)置在所述第二電極上；以及 濾色器，設(shè)置在所述第一基底與所述第一電極之間， 其中，所述濾色器包括: 第一濾色器，對應(yīng)于所述第一像素，并被構(gòu)造為執(zhí)行對從所述第一發(fā)光層發(fā)出的光的過濾且沿所述第一基底的方向發(fā)射第一顏色的光；以及 第二濾色器，對應(yīng)于所述第二像素，并被構(gòu)造為執(zhí)行對從所述第一發(fā)光層發(fā)出的光的過濾且沿所述第一基底的方向發(fā)射與所述第一顏色不同的第二顏色的光。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述第一像素或所述第二像素在沿同一行線布置的單元像素中的相鄰單元像素之間彼此面對。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述開口包括暴露所述第一像素的第一電極的第一開口、暴露所述第二像素的第一電極的第二開口和暴露所述第三像素的第一電極的第三開口，以及 其中，所述第三開口與所述第二開口之間的間隙距離比所述第一開口與所述第二開口之間的間隙距離長。
【文檔編號】H01L51/52GK106057854SQ201610228093
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年4月13日 公開號201610228093.2, CN 106057854 A, CN 106057854A, CN 201610228093, CN-A-106057854, CN106057854 A, CN106057854A, CN201610228093, CN201610228093.2
【發(fā)明人】金東奎
【申請人】三星顯示有限公司