一種混合發(fā)光器件、顯示面板和顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種混合發(fā)光器件、顯示面板和顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，為解決顯示裝置的顯示效果較差的問題。所述混合發(fā)光器件包括依次層疊的上電極、第一載流子傳輸層、發(fā)光材料組合層、混合連接組合層、第一發(fā)光材料層、第二載流子傳輸層和下電極；發(fā)光材料組合層包括同層的第二發(fā)光材料層和第三發(fā)光材料層；下電極和上電極分別為陽極和陰極；混合連接組合層包括層疊的至少兩層混合連接層，靠近陽極的混合連接層為p型混合連接層，靠近陰極的混合連接層為n型混合連接層。本發(fā)明提供的混合發(fā)光器件應(yīng)用于顯示裝置中。
【專利說明】
一種混合發(fā)光器件、顯示面板和顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種混合發(fā)光器件、顯示面板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，混合發(fā)光器件由于具有自發(fā)光、全固態(tài)、響應(yīng)快等優(yōu)點，被 認(rèn)為在平板顯示中具有巨大的應(yīng)用前景。在制作混合發(fā)光器件的過程中主要涉及兩種制程 工藝，這兩種制程工藝分別為溶液制程工藝和蒸鍍制程工藝，利用兩種制程工藝分別制得 不同層的發(fā)光材料層，而兩種制程工藝分別制得的發(fā)光材料層接觸時介面特性會受到影 響，從而降低了混合發(fā)光器件的發(fā)光效率、壽命等性能。
[0003] 為了防止混合發(fā)光器件兩種制程工藝分別制得的發(fā)光材料層接觸時的介面特性 受到影響，現(xiàn)有技術(shù)在兩種制程工藝分別制得的發(fā)光材料層之間增加了一層混合連接層 (Hybrid Connecting Layer，以下簡稱HCL)，以改善混合發(fā)光器件的性能。但是，這一層HCL 為溶液制程制得的發(fā)光材料層傳輸?shù)妮d流子為空穴，為蒸鍍制程制得的發(fā)光材料層傳輸?shù)?載流子為電子，很難平衡為兩種制程工藝制得的發(fā)光材料層傳輸?shù)牟煌妮d流子，使得位 于不同層的多個發(fā)光材料層的重合部分同時發(fā)光，從而使顯示裝置中與混合發(fā)光器件對應(yīng) 的多個子像素單元不能發(fā)出預(yù)期顏色的光，降低了顯示裝置的顯示效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的在于提供一種混合發(fā)光器件、顯示面板和顯示裝置，用于提高顯示 裝置的顯示效果。
[0005] 為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：
[0006] 第一方面，本發(fā)明提供了一種混合發(fā)光器件，包括層疊的下電極、第一載流子傳輸 層、發(fā)光材料組合層、混合連接組合層、第一發(fā)光材料層、第二載流子傳輸層和上電極；其 中，所述發(fā)光材料組合層包括同層設(shè)置的第二發(fā)光材料層和第三發(fā)光材料層，所述第一發(fā) 光材料層在所述下電極上的投影至少有一部分不與所述發(fā)光材料組合層在所述下電極上 的投影重合;所述下電極和所述上電極中一個為陽極，另一個為陰極;所述混合連接組合層 包括層疊的至少兩層混合連接層，且所述混合連接組合層中靠近所述陰極的混合連接層為 P型混合連接層，所述混合連接組合層中靠近所述陽極的混合連接層為η型混合連接層。
[0007] 第二方面，本發(fā)明提供了一種顯示面板，包括上述第一方面所述的混合發(fā)光器件。
[0008] 第三方面，本發(fā)明提供了 一種顯示裝置，包括上述第二方面所述的顯示面板。
[0009] 本發(fā)明提供的混合發(fā)光器件、顯示面板和顯示裝置中，混合發(fā)光器件在溶液制程 制得的發(fā)光材料組合層與蒸鍍制程制得的第一發(fā)光材料層之間設(shè)有至少兩層混合連接層， 靠近陰極的為P型混合連接層，靠近陽極的為η型混合連接層;與現(xiàn)有技術(shù)中在兩種制程工 藝轉(zhuǎn)換交替制作的層結(jié)構(gòu)之間增加了一層HCL的混合發(fā)光器件相比，本發(fā)明的混合發(fā)光器 件中靠近電子傳輸層的混合連接層能夠順利傳輸電子到對應(yīng)的發(fā)光材料層，靠近空穴傳輸 層的混合連接層能夠順利傳輸空穴到對應(yīng)的發(fā)光材料層，從而保證多個發(fā)光材料層重合的 部分不會同時發(fā)光，保證子像素單元發(fā)出預(yù)期顏色的光，提高顯示裝置的顯示效果。
【附圖說明】
[0010]此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā) 明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：
[0011] 圖1為本發(fā)明實施例中混合發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖之一；
[0012] 圖2為現(xiàn)有技術(shù)中混合發(fā)光器件發(fā)光的光譜圖；
[0013] 圖3為本發(fā)明實施例中混合發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖之二；
[0014]圖4為本發(fā)明實施例中混合發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖之三；
[0015] 圖5為本發(fā)明實施例中混合發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖之四；
[0016] 圖6為本發(fā)明實施例中混合發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖之五。
[0017]附圖標(biāo)記：
[0018] 10-陽極， 11-空穴傳輸層，
[0019] 12-發(fā)光材料組合層， 13-混合連接組合層，
[0020] 14-第一發(fā)光材料層， 15-電子傳輸層，
[0021] 16-陰極， 17-空穴注入層，
[0022] 18-電子注入層， 131-混合連接層，
[0023] 121-第二發(fā)光材料層， 122-第三發(fā)光材料層。
【具體實施方式】
[0024]為了進(jìn)一步說明本發(fā)明實施例提供的混合發(fā)光器件、顯示面板和顯示裝置，下面 結(jié)合說明書附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0025]本發(fā)明實施例提供的混合發(fā)光器件包括層疊的下電極、第一載流子傳輸層、發(fā)光 材料組合層、混合連接組合層、第一發(fā)光材料層、第二載流子傳輸層和上電極，下電極和上 電極中一個為陽極，另一個為陰極，也就是說，當(dāng)上電極為陽極時，下電極為陰極，當(dāng)上電極 為陰極時，下電極為陽極。其中，靠近陽極的第一載流子傳輸層或第二載流子傳輸層為空穴 傳輸層，靠近陰極的第一載流子傳輸層或第二載流子傳輸層為電子傳輸層。下面將以下電 極為陽極，上電極為陰極，第一載流子傳輸層為空穴傳輸層，第二載流子傳輸層為電子傳輸 層為例，對本發(fā)明實施例中的混合發(fā)光器件進(jìn)行說明：
[0026]請參閱圖1，本發(fā)明實施例提供的混合發(fā)光器件包括層疊的陽極IO(Anode)、空穴 傳輸層ll(HTL，Hole Transport Layer)、發(fā)光材料組合層12、混合連接組合層13、第一發(fā)光 材料層 14、電子傳輸層 15(ETL，Electron Transport Layer)和陰極 16(Cathode);其中，發(fā) 光材料組合層12包括同層設(shè)置的第二發(fā)光材料層121和第三發(fā)光材料層122,第一發(fā)光材料 層14在陽極10上的投影至少有一部分不與發(fā)光材料組合層12在陽極10上的投影重合;混合 連接組合層13包括層疊的至少兩層混合連接層131 (HCL，Hybrid Connecting Layer)，且混 合連接組合層13中靠近陰極16的混合連接層131為p型混合連接層，p型混合連接層由p型主 體材料制成，P型主體材料的空穴迀移率大于電子迀移率，混合連接組合層13中靠近陽極10 的混合連接層131為η型混合連接層，η型混合連接層由η型主體材料制成，η型主體材料的電 子迀移率大于空穴迀移率。具體的，制得混合連接層131的材料可以為聯(lián)苯二胺衍生物、交 叉結(jié)構(gòu)鍵結(jié)二胺聯(lián)苯衍生物、形狀非結(jié)晶型衍生物、咔唑基團(tuán)的衍生物、包含有氧化膦（即 phosphine oxide)的衍生物或包含有四（芳基)硅烷（即tetra(aryl)si lane)的衍生物等 等。
[0027] 需要注意的是，本發(fā)明實施例保護(hù)的混合發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)包括但不限于上述由依 次層疊的陽極10、空穴傳輸層11、發(fā)光材料組合層12、混合連接組合層13、第一發(fā)光材料層 14、電子傳輸層15和陰極16組成的混合發(fā)光器件，還可以包括由依次層疊的陰極、電子傳輸 層、發(fā)光材料組合層、混合連接組合層、第一發(fā)光材料層、空穴傳輸層和陽極組成的混合發(fā) 光器件。根據(jù)上述實施例中的混合發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)進(jìn)行變形或簡單替換所得到的混合發(fā)光 器件均屬于本發(fā)明實施例的保護(hù)范圍內(nèi)，在此不再贅述。
[0028] 在現(xiàn)有技術(shù)中，如表一所示，在沒有設(shè)置混合連接層的混合發(fā)光器件、設(shè)置有一層 Inm的混合連接層的混合發(fā)光器件以及設(shè)置有一層5nm的混合連接層的混合發(fā)光器件中，隨 著混合連接層的從無至有，由薄至厚，電壓隨之上升，發(fā)光效率以及量子效率均有提高，但 現(xiàn)有技術(shù)中的這幾種混合發(fā)光器件中多個發(fā)光材料層重疊的部分還是會同時發(fā)光，子像素 單元發(fā)出預(yù)期外顏色的光。
[0029] 表一
[0031] 圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的混合發(fā)光器件發(fā)綠光的光譜圖，如圖2所示，曲線1為設(shè)置有一 層厚度為5nm的混合連接層的混合發(fā)光器件發(fā)出的光的光譜曲線，曲線2為未設(shè)置有混合連 接層的混合發(fā)光器件發(fā)出的光的光譜曲線，曲線3為設(shè)置有一層厚度為Inm的混合連接層的 混合發(fā)光器件發(fā)出的光的光譜曲線，可以看出，現(xiàn)有技術(shù)中設(shè)置有一層混合連接層或未設(shè) 置有混合連接層的混合發(fā)光器件在應(yīng)該發(fā)出綠光的時候發(fā)出了藍(lán)光。
[0032] 本發(fā)明提供的混合發(fā)光器件在溶液制程制得的發(fā)光材料組合層12與蒸鍍制程制 得的第一發(fā)光材料層14之間設(shè)有至少兩層混合連接層131，這至少兩層混合連接層131中靠 近陰極16的為p型混合連接層，靠近陽極10的為η型混合連接層;與現(xiàn)有技術(shù)中在兩種制程 工藝轉(zhuǎn)換交替制作的層結(jié)構(gòu)之間增加了一層HCL的混合發(fā)光器件相比，本發(fā)明的混合發(fā)光 器件中靠近電子傳輸層15的混合連接層131能夠順利傳輸電子到對應(yīng)的發(fā)光材料層，靠近 空穴傳輸層11的混合連接層131能夠順利傳輸空穴到對應(yīng)的發(fā)光材料層，從而保證多個發(fā) 光材料層重疊的部分不會同時發(fā)光，保證子像素單元發(fā)出預(yù)期顏色的光，提高顯示裝置的 顯示效果。
[0033] 進(jìn)一步的，混合連接組合層13的厚度范圍為Inm~IOnm，即多層混合連接層131的 厚度之和大于或等于lnm，且小于或等于10nm。需要說明的是，混合連接組合層13的厚度如 果小于lnm，則陰極16產(chǎn)生的電子和陽極10產(chǎn)生的空穴可能會穿過混合連接組合層13中的 每一層混合連接層131，使得發(fā)光材料組合層12在陽極10的投影和第一發(fā)光材料層14在陽 極10的投影的重合部分對應(yīng)的部分第一發(fā)光材料層14發(fā)光，顯示裝置中與第二發(fā)光材料層 121和第三發(fā)光材料層122對應(yīng)的子像素單元發(fā)出非預(yù)期顏色的光，降低了顯示裝置的顯示 效果?；旌线B接組合層13的厚度如果大于10nm，則陰極16產(chǎn)生的電子和陽極10產(chǎn)生的空穴 可能會很難穿過混合連接組合層13，也就很難停留在各個發(fā)光材料層（EMUEmitting material layer)(第一發(fā)光材料層14、第二發(fā)光材料層121和第三發(fā)光材料層122)，會引起 各個發(fā)光材料層發(fā)光不均或部分不發(fā)光的問題。在本發(fā)明實施例中，混合連接組合層13中 的多層混合連接層131的厚度之和的范圍為Inm~I Onm，能夠保證陰極16產(chǎn)生的電子通過p 型主體材料制得的混合連接層131傳輸至各個發(fā)光材料層，陽極10產(chǎn)生的空穴通過η型主體 材料制得的混合連接層131傳輸至各個發(fā)光材料層，進(jìn)一步使得各個發(fā)光材料層不重疊的 部分正常發(fā)光，從而進(jìn)一步保證各個發(fā)光材料層對應(yīng)的子像素單元發(fā)出預(yù)期顏色的光，提 高顯示裝置的顯示效果。
[0034] 值得一提的是，混合發(fā)光器件中的陽極10、空穴傳輸層11以及發(fā)光材料組合層12 是通過溶液制程制得的，而混合連接組合層13、第一發(fā)光材料層14、電子傳輸層15以及陰極 16是通過真空熱蒸鍍制程制得的。需要說明的是，發(fā)光材料組合層和第一發(fā)光材料層的位 置可以互換，互換后，發(fā)光材料組合層可以通過真空熱蒸鍍制程制得，第一發(fā)光材料層可以 通過溶液制程制得。
[0035] 當(dāng)混合連接組合層13包括兩層混合連接層131時，如圖3所示，混合連接層13a為η 型混合連接層，混合連接層13b為ρ型混合連接層，混合連接層13a與混合連接層13b各自的 厚度均小于3nm，各個混合連接層的厚度過厚，陰極16產(chǎn)生的電子和陽極10產(chǎn)生的空穴可能 會很難穿過混合連接組合層13,將各混合連接層的厚度設(shè)置小于3nm，能夠提升混合連接層 傳輸電子和空穴的傳輸效率，從而提高混合發(fā)光器件的發(fā)光效率。
[0036] 當(dāng)混合連接組合層13包括兩層以上的混合連接層131時，在沿陽極到陰極的方向 排列的多層混合連接層131的空穴迀移率逐漸增大，電子迀移率逐漸減小。比如，如圖4所 示，混合連接組合層13包括三層混合連接層131時，混合連接層13c為η型混合連接層，混合 連接層13e為ρ型混合連接層，混合連接層13d位于混合連接層13c和混合連接層13e之間，混 合連接層13d的電子迀移率小于混合連接層13c的電子迀移率，且大于混合連接層13e的電 子迀移率;混合連接層13d的空穴迀移率大于混合連接層13c的空穴迀移率，且小于混合連 接層13e的空穴迀移率。
[0037]需要說明的是，上述實施例中的每層混合連接層131的三線態(tài)能級均大于2. leV， 由于混合連接層鄰近發(fā)光材料層（比如本實施例中的第一發(fā)光材料層14、第二發(fā)光材料層 121和第三發(fā)光材料層122)，發(fā)光材料層可以為磷光發(fā)光材料層或者其他材料的發(fā)光材料 層，每層混合連接層131的三線態(tài)能級大于2. leV，能夠進(jìn)一步提升混合發(fā)光器件中各個發(fā) 光材料層的發(fā)光效率。
[0038] 請參閱圖5,在上述實施例的基礎(chǔ)上，還可以在陽極10和空穴傳輸層11之間設(shè)有空 穴注入層17(HIL，Hole Inject Layer)，和/或在陰極16和電子傳輸層15之間設(shè)有電子注入 層18(EIL，Electron Transport Layer)，空穴注入層17進(jìn)一步地將陽極10產(chǎn)生的空穴引入 到空穴傳輸層11，再通過空穴傳輸層11傳輸給對應(yīng)的各層發(fā)光材料層，電子注入層18進(jìn)一 步地將陰極16產(chǎn)生的電子引入到電子傳輸層15,再通過電子傳輸層15傳輸給對應(yīng)的各層發(fā) 光層。需要說明的是，空穴注入層17是通過溶液制程制得的，電子注入層18是通過蒸鍍制程 制得的。
[0039] 下面將具體說明第一發(fā)光材料層14、第二發(fā)光材料層121和第三發(fā)光材料層122的 具體結(jié)構(gòu)，具體內(nèi)容如下：
[0040] 首先，在各個發(fā)光材料層(第一發(fā)光材料層14、第二發(fā)光材料層121和第三發(fā)光材 料層122)中，一層為用于發(fā)紅光的發(fā)光材料層，一層為用于發(fā)綠光的發(fā)光材料層，另一層為 用于發(fā)藍(lán)光的發(fā)光材料層。也就是說，第一發(fā)光材料層14、第二發(fā)光材料層121和第三發(fā)光 材料層122能夠發(fā)出的光的顏色各不相同，但第一發(fā)光材料層14、第二發(fā)光材料層121和第 三發(fā)光材料層122與用于發(fā)紅光的發(fā)光材料層、用于發(fā)綠光的發(fā)光材料層和用于發(fā)藍(lán)光的 發(fā)光材料層之間的對應(yīng)關(guān)系并不限定。比如，第一發(fā)光材料層14為用于發(fā)紅光的發(fā)光材料 層，第二發(fā)光材料層121為用于發(fā)綠光的發(fā)光材料層，第三發(fā)光材料層122為用于發(fā)藍(lán)光的 發(fā)光材料層;優(yōu)選的，第一發(fā)光材料層14為用于發(fā)藍(lán)光的發(fā)光材料層，第二發(fā)光材料層121 為用于發(fā)紅光的發(fā)光材料層，第三發(fā)光材料層122為用于發(fā)綠光的發(fā)光材料層;或優(yōu)選的， 第一發(fā)光材料層14為用于發(fā)藍(lán)光的發(fā)光材料層，第二發(fā)光材料層121為用于發(fā)綠光的發(fā)光 材料層，第三發(fā)光材料層122為用于發(fā)紅光的發(fā)光材料層。第一發(fā)光材料層14、第二發(fā)光材 料層121和第三發(fā)光材料層122與用于發(fā)紅光的發(fā)光材料層、用于發(fā)綠光的發(fā)光材料層和用 于發(fā)藍(lán)光的發(fā)光材料層之間的對應(yīng)關(guān)系包括但并不限于上述組合。
[0041]為了保證各個發(fā)光材料層都能夠?qū)?yīng)有子像素單元，且子像素單元能夠?qū)?yīng)發(fā)出 各個發(fā)光材料層發(fā)出的色光，第一發(fā)光材料層14在陽極10的投影至少有一部分不與發(fā)光材 料組合層12在陽極10的投影重合。具體的，不與發(fā)光材料組合層12在陽極10的投影重合的 第一發(fā)光材料層14在陽極10的投影所對應(yīng)的第一發(fā)光材料層14，發(fā)出的光可以傳輸給對應(yīng) 的子像素單元，陽極產(chǎn)生的空穴也能夠傳輸至第一發(fā)光材料層14。比如，如圖1所示，表 示陰極16產(chǎn)生的電子，"+"表示陽極10產(chǎn)生的空穴，陽極10產(chǎn)生的空穴通過空穴傳輸層11傳 輸至第二發(fā)光材料層121和第三發(fā)光材料層122,陰極16產(chǎn)生的電子通過電子傳輸層15、第 一發(fā)光材料層14以及混合連接組合層13傳輸至第二發(fā)光材料層121和第三發(fā)光材料層122， 第二發(fā)光材料層121和第三發(fā)光材料層122均正常發(fā)光。混合連接組合層13的一部分位于發(fā) 光組合材料層12上，另一部分位于空穴傳輸層11上，位于空穴傳輸層11上的部分混合連接 層在第三發(fā)光材料層122的右側(cè)，陽極10產(chǎn)生的空穴通過空穴傳輸層11以及混合連接組合 層13傳輸至與A區(qū)域?qū)?yīng)的第一發(fā)光材料層14的部分，陰極16產(chǎn)生的電子通過電子傳輸層 傳輸至與A區(qū)域?qū)?yīng)的第一發(fā)光材料層14的部分，與A區(qū)域?qū)?yīng)的第一發(fā)光材料層14的部分 正常發(fā)光，與A區(qū)域?qū)?yīng)的第一發(fā)光材料層14的部分發(fā)出的光能夠傳輸至對應(yīng)的子像素單 元而不被用于發(fā)出其他顏色的光的發(fā)光材料層遮擋?；蛘?，如圖6所示，混合連接組合層13 的一部分位于發(fā)光組合材料層12上，另一部分位于空穴傳輸層11上，位于空穴傳輸層11上 的混合連接組合層13位于第二發(fā)光材料層121和第三發(fā)光材料層122之間，與A區(qū)域?qū)?yīng)的 第一發(fā)光材料層14的部分發(fā)出的光能夠傳輸至對應(yīng)的子像素單元而不被用于發(fā)出其他顏 色的光的發(fā)光材料層遮擋?；旌线B接組合層13、第一發(fā)光材料層14、電子傳輸層15以及陰極 16的具體設(shè)置包括但不限于圖1至圖6所示的位置，這里不再贅述。
[0042] 本發(fā)明實施例還提供了一種顯示面板，顯示面板包括上述實施例中的混合發(fā)光器 件，顯示面板具體可以為0LED(0rganic Light-Emitting Diode，有機(jī)發(fā)光二極管)面板，所 述顯示面板中的混合發(fā)光器件與上述實施例中的混合發(fā)光器件具有的優(yōu)勢相同，此處不再 贅述。
[0043] 本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，顯示裝置中包括上述實施例中的顯示面 板。具體的，顯示裝置可以為電子紙、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相 框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。所述顯示裝置中的顯示面板與上述實施例 中的顯示面板具有的優(yōu)勢相同，此處不再贅述。
[0044] 本說明書中的各個實施例均采用遞進(jìn)的方式描述，各個實施例之間相同相似的部 分互相參見即可，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處。尤其，對于顯示面 板和顯示裝置的實施例而言，由于其基本相似于混合發(fā)光器件的實施例，所以描述得比較 簡單，相關(guān)之處參見方法實施例的部分說明即可。
[0045] 在上述實施方式的描述中，具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點可以在任何的一個或多 個實施例或示例中以合適的方式結(jié)合。
[0046] 以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何 熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵 蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1. 一種混合發(fā)光器件，其特征在于，包括層疊的下電極、第一載流子傳輸層、發(fā)光材料 組合層、混合連接組合層、第一發(fā)光材料層、第二載流子傳輸層和上電極;其中，所述發(fā)光材 料組合層包括同層設(shè)置的第二發(fā)光材料層和第三發(fā)光材料層，所述第一發(fā)光材料層在所述 下電極上的投影至少有一部分不與所述發(fā)光材料組合層在所述下電極上的投影重合;所述 下電極和所述上電極中一個為陽極，另一個為陰極;所述混合連接組合層包括層疊的至少 兩層混合連接層，且所述混合連接組合層中靠近所述陰極的混合連接層為P型混合連接層， 所述混合連接組合層中靠近所述陽極的混合連接層為η型混合連接層。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合發(fā)光器件，其特征在于，所述混合連接組合層的厚度范圍 為lnm~10nm〇3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合發(fā)光器件，其特征在于，所述混合連接組合層包括兩層混 合連接層，每層所述混合連接層的厚度均小于3nm。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合發(fā)光器件，其特征在于，所述混合連接組合層包括兩層以 上的混合連接層，在沿所述陽極到所述陰極的方向排列的多層所述混合連接層的空穴迀移 率逐漸增大，電子迀移率逐漸減小。5. 根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項所述的混合發(fā)光器件，其特征在于，每層所述混合連接層 的三線態(tài)能級均大于2. leV。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合發(fā)光器件，其特征在于，在所述陽極和所述空穴傳輸層之 間設(shè)有空穴注入層。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合發(fā)光器件，其特征在于，在所述陰極和所述電子傳輸層之 間設(shè)有電子注入層。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合發(fā)光器件，其特征在于，所述第一發(fā)光材料層為用于發(fā)藍(lán) 光的發(fā)光材料層，所述第二發(fā)光材料層為用于發(fā)綠光的發(fā)光材料層，所述第三發(fā)光材料層 為用于發(fā)紅光的發(fā)光材料層。9. 根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項所述的混合發(fā)光器件，其特征在于，所述混合連接組合層 為使用真空熱蒸鍍制程得到的層結(jié)構(gòu)。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合發(fā)光器件，其特征在于，混合連接組合層一側(cè)的所述發(fā) 光材料組合層為使用溶液制程得到的層結(jié)構(gòu)，所述第一發(fā)光材料層為使用真空熱蒸鍍制程 得到的層結(jié)構(gòu)。11. 一種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求1-10任意一項所述的混合發(fā)光器件。12. -種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求11中所述的顯示面板。
【文檔編號】H01L51/50GK106058062SQ201610379291
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年5月31日
【發(fā)明人】吳長晏, 宋瑩瑩, 胡春靜
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司