固體攝像裝置、固體攝像裝置制造方法和電子設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及能夠降低彩色濾光片的不均勻涂布的固體攝像裝置、該固體攝像裝置的制造方法和電子設(shè)備。在傳感器板上形成有彩色濾光片和多個連接部區(qū)域。所述多個連接部區(qū)域之中的至少一個連接部區(qū)域被布置成與其他連接部區(qū)域以預(yù)定的間隔分離。本發(fā)明能夠應(yīng)用于例如具有層結(jié)構(gòu)的背側(cè)照射型COMS圖像傳感器、具有層結(jié)構(gòu)的前側(cè)照射型COMS圖像傳感器、或者CCD圖像傳感器等。
【專利說明】
固體攝像裝置、固體攝像裝置制造方法和電子設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及固體攝像裝置、固體攝像裝置制造方法和電子設(shè)備。特別地，本發(fā)明涉及能夠降低彩色濾光片的不均勻涂布的固體攝像裝置、固體攝像裝置制造方法和電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)今，存在著具有層結(jié)構(gòu)的背側(cè)照射型互補金屬-氧化物半導(dǎo)體(CMOS:Complementary Metal-Oxide Semiconductor)圖像傳感器(例如，參見專利文獻I)。該CMOS圖像傳感器是以這樣的方式而被制造的:該方式中，獨立于形成有光電轉(zhuǎn)換器的傳感器板而單獨地制備形成有驅(qū)動電路的電路板，然后將所述電路板粘貼到所述傳感器板的與光接收表面相反的一側(cè)上。
[0003]這樣的CMOS圖像傳感器以如下的方式被形成為層結(jié)構(gòu):在該方式中，所述傳感器板的配線層表面被連接至所述電路板的配線層表面。該CMOS圖像傳感器設(shè)置有使所述傳感器板與所述電路板電連接的連接部。在所述連接部中，穿過所述傳感器板的半導(dǎo)體層且與所述傳感器板的配線層連接的貫通通路(through-via)通過形成于所述傳感器板的所述半導(dǎo)體層的所述光接收表面?zhèn)鹊纳喜可系呐渚€部而被連接至穿過所述傳感器板且與所述電路板的配線層連接的貫通通路。在所述傳感器板的所述半導(dǎo)體層的所述光接收表面?zhèn)壬?，設(shè)置有針對各個像素而配備的彩色濾光片(color filter)和片上透鏡(on-chip lens)。
[0004]在這樣的情況下，所述彩色濾光片與所述光電轉(zhuǎn)換器之間的距離越短，靈敏度或混色特性就變得越好。例如，考慮到由于電路布線或?qū)蕵擞浂斐傻闹萍s，或為了緩解所述傳感器板的應(yīng)力，優(yōu)選的是，所述半導(dǎo)體層的所述光接收表面?zhèn)鹊暮穸?在與所述傳感器板垂直的方向上的長度)是薄的。因此，所述配線部周圍的周邊區(qū)域比所述配線部薄。所述配線部在所述半導(dǎo)體層的所述光接收表面上形成一個高度差。結(jié)果，在形成所述配線部之后，彩色濾光片被不均勻地涂布在所述光接收表面上。
[0005]類似地，對于諸如前側(cè)照射型CMOS圖像傳感器或電荷耦合器件(CCD = ChargeCoupled Device)圖像傳感器等固體攝像裝置，當在該固體攝像裝置中的半導(dǎo)體基板上的像素形成區(qū)域的周圍形成有配線部并且該配線部比該像素形成區(qū)域厚時，由該配線部帶來的高度差就導(dǎo)致了彩色濾光片在表面上的不均勻涂布。
[0006]引用文獻列表
[0007]專利文獻
[0008]專利文獻1:日本專利申請?zhí)亻_第2013-214616號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題
[0010]如上所述，由于配線部的高度差而造成的彩色濾光片的不均勻涂布會降低固體攝像裝置的產(chǎn)量。
[0011]鑒于前述情況，本發(fā)明的目的是降低彩色濾光片的不均勻涂布。
[0012]解決技術(shù)問題的技術(shù)方案
[0013]根據(jù)本發(fā)明的第一方面的固體攝像裝置包括:彩色濾光片，它被形成于第一基板上；以及多個第一高度差部，它們被形成于所述第一基板上。在所述固體攝像裝置中，所述多個第一高度差部中的至少一個第一高度差部被布置成與其他第一高度差部以第一間隔分咼。
[0014]本發(fā)明的第一方面包括:彩色濾光片，它被形成于第一基板上；以及多個第一高度差部，它們被形成于所述第一基板上。所述多個第一高度差部中的至少一個第一高度差部被布置成與其他第一高度差部以第一間隔分離。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的第二方面的固體攝像裝置制造方法包括制造以下固體攝像裝置的步驟，所述固體攝像裝置包括:彩色濾光片，它被形成于第一基板上；以及多個第一高度差部，它們被形成于所述第一基板上。在該方法中，將所述多個第一高度差部中的至少一個第一高度差部布置成與其他第一高度差部以第一間隔分離。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的第二方面，形成如下一種固體攝像裝置，該固體攝像裝置包括:彩色濾光片，它被形成于第一基板上；以及多個第一高度差部，它們被形成于所述第一基板上。而且，在該形成步驟中，將所述多個第一高度差部中的至少一個第一高度差部布置成與其他第一高度差部以第一間隔分離。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的第三方面的電子設(shè)備包括:彩色濾光片，它被形成于第一基板上；以及多個第一高度差部，它們被形成于所述第一基板上。在所述電子設(shè)備中，所述多個第一高度差部中的至少一個第一高度差部被布置成與其他第一高度差部以第一間隔分離。
[0018]本發(fā)明的第三方面包括:彩色濾光片，它被形成于第一基板上；以及多個第一高度差部，它們被形成于所述第一基板上。所述多個第一高度差部中的至少一個第一高度差部被布置成與其他第一高度差部以第一間隔分離。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的第四方面的固體攝像裝置包括:彩色濾光片，它被形成于第一基板上；以及多個第一高度差部，它們在所述第一基板上且被形成為四角柱。在所述固體攝像裝置中，所述多個第一高度差部中的預(yù)定第一高度差部被設(shè)置成使得如下三個部分被排列于一條直線上:所述預(yù)定第一高度差部的四個角部之中的最靠近第一位置的第一角部;第二個第一高度差部的四個角部之中的第二角部，該第二角部與所述第二個第一高度差部的四個角部之中的最靠近所述第一位置的第三角部都位于所述第二個第一高度差部的第一側(cè)；及所述第一位置。而且，所述多個第一高度差部中的所述預(yù)定第一高度差部被設(shè)置成還使得如下三個部分被排列于一條直線上:所述預(yù)定第一高度差部的四個角部之中的第四角部，該第四角部與所述預(yù)定第一高度差部的四個角部之中的最靠近所述第一位置的所述第一角部都位于所述預(yù)定第一高度差部的第二側(cè);所述第二個第一高度差部的四個角部之中的最靠近所述第一位置的所述第三角部;及所述第一位置。
[0020]本發(fā)明的第四方面包括:彩色濾光片，它被形成于第一基板上；以及多個第一高度差部，它們在所述第一基板上被形成為四角柱。所述多個第一高度差部中的預(yù)定第一高度差部被設(shè)置成使得如下三個部分被排列于一條直線上:所述預(yù)定第一高度差部的四個角部之中的最靠近第一位置的第一角部;第二個第一高度差部的四個角部之中的第二角部，該第二角部與所述第二個第一高度差部的四個角部之中的最靠近所述第一位置的第三角部都位于所述第二個第一高度差部的第一側(cè);及所述第一位置。所述多個第一高度差部中的所述預(yù)定第一高度差部被設(shè)置成還使得如下三個部分被排列于一條直線上:所述預(yù)定第一高度差部的四個角部之中的第四角部，該第四角部與所述預(yù)定第一高度差部的四個角部之中的最靠近所述第一位置的所述第一角部都位于所述預(yù)定第一高度差部的第二側(cè);所述第二個第一高度差部的四個角部之中的最靠近所述第一位置的所述第三角部;及所述第一位置。
[0021 ]根據(jù)本發(fā)明的第五方面的固體攝像裝置包括:彩色濾光片，它被形成于第一基板上；以及高度差部，它在所述第一基板上且被形成為環(huán)狀立體(ring-shaped solid)，并且所述高度差部環(huán)繞所述彩色濾光片。
[0022]本發(fā)明的第五方面包括:彩色濾光片，它被形成于第一基板上；以及高度差部，它在所述第一基板上且被形成為環(huán)狀立體，并且所述高度差部環(huán)繞所述彩色濾光片。
[0023]本發(fā)明的效果
[0024]根據(jù)本發(fā)明的第一方面至第五方面，能夠降低不均勻涂布。根據(jù)本發(fā)明的第一方面至第五方面，能夠降低彩色濾光片的不均勻涂布。
[0025]需要注意的是，本發(fā)明的效果不一定局限于這里所說明的效果，并且本發(fā)明的效果能夠是本文中所說明的效果中的任何一個效果。
【附圖說明】
[0026]圖1是作為運用了本發(fā)明技術(shù)的固體攝像裝置而被描述的CMOS圖像傳感器的第一實施例的示例性構(gòu)造的示意圖。
[0027]圖2是連接部區(qū)域9的示例性構(gòu)造的圖。
[0028]圖3是連接部的示例性構(gòu)造的圖。
[0029 ]圖4是圖1中所示的CMOS圖像傳感器的一部分的截面圖。
[0030]圖5是由連接部區(qū)域造成的平坦化膜的高度差的說明性截面圖。
[0031 ]圖6是CMOS圖像傳感器的制造方法的說明圖。
[0032]圖7是CMOS圖像傳感器的制造方法的說明圖。
[0033]圖8是CMOS圖像傳感器的制造方法的說明圖。
[0034]圖9是CMOS圖像傳感器的制造方法的說明圖。
[0035]圖10是連接部區(qū)域中的連接部的另一個示例性布置的圖。
[0036]圖11是連接部區(qū)域中的連接部的另一個示例性布置的圖。
[0037]圖12是連接部區(qū)域中的連接部的另一個示例性布置的圖。
[0038]圖13是連接部區(qū)域中的另一個示例性布置的圖。
[0039]圖14是連接部區(qū)域中的另一個示例性布置的圖。
[0040]圖15是連接部區(qū)域中的另一個示例性布置的圖。
[0041]圖16是運用了本發(fā)明技術(shù)的CMOS圖像傳感器的第二實施例的傳感器板的示例性構(gòu)造的圖。
[0042]圖17是連接部區(qū)域中的位置關(guān)系的說明圖。
[0043]圖18是連接部區(qū)域的另一個示例的說明圖。
[0044]圖19是連接部區(qū)域的另一個示例的說明圖。
[0045]圖20是傳感器板的一個示例性構(gòu)造的圖，在此例中，彩色濾光片向該傳感器板內(nèi)的流入方向是與水平線呈30度角的右上方向。
[0046]圖21是傳感器板的另一個示例性構(gòu)造的圖，在此例中，彩色濾光片向該傳感器板內(nèi)的流入方向是與水平線呈30度角的右上方向。
[0047]圖22是傳感器板的另一個示例性構(gòu)造的圖，在此例中，彩色濾光片向該傳感器板內(nèi)的流入方向是與水平線呈30度角的右上方向。
[0048]圖23是傳感器板的另一個示例性構(gòu)造的圖，在此例中，彩色濾光片向該傳感器板內(nèi)的流入方向是與水平線呈45度角的右上方向、與水平線呈135度角的左上方向、與水平線呈225度角的左下方向和與水平線呈315度角的右下方向。
[0049]圖24是傳感器板的另一個示例性構(gòu)造的圖，在此例中，彩色濾光片向該傳感器板內(nèi)的流入方向是與水平線呈45度角的右上方向、與水平線呈135度角的左上方向、與水平線呈225度角的左下方向和與水平線呈315度角的右下方向。
[0050]圖25是傳感器板的另一個示例性構(gòu)造的圖，在此例中，彩色濾光片向該傳感器板內(nèi)的流入方向是與水平線呈45度角的右上方向、與水平線呈135度角的左上方向、與水平線呈225度角的左下方向和與水平線呈315度角的右下方向。
[0051 ]圖26是布置于彩色濾光片下方的示例性傳感器板的圖。
[0052]圖27是運用了本發(fā)明技術(shù)的CMOS圖像傳感器的第三實施例的傳感器板的示例性構(gòu)造的圖。
[0053]圖28是圖27中所示的連接部區(qū)域的示例性構(gòu)造的圖。
[0054]圖29是在存在著許多面向連接部區(qū)域中的流入口的角部的情況下傳感器板的示例性構(gòu)造的圖。
[0055]圖30是另一個示例性連接部區(qū)域的圖。
[0056]圖31是另一個示例性連接部區(qū)域的圖。
[0057]圖32是另一個示例性連接部區(qū)域的圖。
[0058]圖33是另一個示例性連接部區(qū)域的圖。
[0059]圖34是作為運用了本發(fā)明技術(shù)的固體攝像裝置而被描述的CCD圖像傳感器的一個實施例的示例性構(gòu)造的示意圖。
[0060]圖35是由配線部造成的彩色濾光片的不均勻涂布的說明圖。
[0061]圖36是其中配線部以零間隔布置著的情況下傳感器板的說明圖。
[0062]圖37是作為運用了本發(fā)明技術(shù)的電子設(shè)備而被描述的攝像設(shè)備的示例性構(gòu)造的框圖。
【具體實施方式】
[0063]下文中將會說明本發(fā)明的前提和用于實施本發(fā)明的方式(以下，稱為實施例)。需要注意的是，將按照下列順序說明這些實施例。
[0064]1.第一實施例:具有層結(jié)構(gòu)的背側(cè)照射型CMOS圖像傳感器(圖1至圖15)
[0065]2.第二實施例:具有層結(jié)構(gòu)的背側(cè)照射型CMOS圖像傳感器(圖16至圖26)
[0066]3.第三實施例:具有層結(jié)構(gòu)的背側(cè)照射型CMOS圖像傳感器(圖27至圖33)
[0067]4.第四實施例:C⑶圖像傳感器(圖34至圖36)
[0068]5.第五實施例:攝像設(shè)備(圖37)
[0069]第一實施例
[0070]CMOS圖像傳感器的第一實施例的示例性構(gòu)造
[0071]圖1是作為運用了本發(fā)明技術(shù)的固體攝像裝置而被描述的CMOS圖像傳感器的第一實施例的示例性構(gòu)造的示意圖。
[0072]圖1中所示的CMOS圖像傳感器I是具有層結(jié)構(gòu)的背側(cè)照射型固體攝像裝置，該固體攝像裝置是以這樣的方式而被制造的:在傳感器板2的光接收表面S上形成光電轉(zhuǎn)換器，在電路板3上形成驅(qū)動電路，然后將傳感器板2的與光接收表面S相反的表面粘貼到電路板3上。
[0073]傳感器板2包括中央的像素區(qū)域4和布置于像素區(qū)域4周圍的周邊區(qū)域5。像素區(qū)域4是如下的區(qū)域:該區(qū)域中，像素6以矩陣的方式呈二維狀布置著，各個像素6包括光電轉(zhuǎn)換器，該光電轉(zhuǎn)換器生成與入射光的強度對應(yīng)的電荷且將該電荷積累在自身內(nèi)。像素區(qū)域4還包括按行進行布線的多個像素驅(qū)動線7和按列進行布線的多個垂直信號線8。各個像素6例如包括光電轉(zhuǎn)換器、電荷積累部、電容元件和多個金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)，并且被連接至像素驅(qū)動線7和垂直信號線8。
[0074]在周邊區(qū)域5中，沿著傳感器板2上的像素區(qū)域4的各個側(cè)邊排列有作為高度差部的多個連接部區(qū)域9，各連接部區(qū)域9被形成為四角柱。連接部區(qū)域9包括多個連接部(稍后說明)，這些連接部將設(shè)置于傳感器板2上的像素6、像素驅(qū)動線7和垂直信號線8連接至設(shè)置于電路板3上的驅(qū)動電路。連接部區(qū)域9在彼此分隔開的方向上以預(yù)定的間隔dl排列著。間隔dl大于或等于連接部區(qū)域9的在這些連接部區(qū)域9以間隔dl排列著的方向上的長度e。
[0075]電路板3例如包括如下一些用于驅(qū)動設(shè)置于傳感器板2上的各個像素6的驅(qū)動電路:垂直驅(qū)動電路1、列信號處理電路11、水平驅(qū)動電路12和系統(tǒng)控制電路13，它們位于電路板3的面向傳感器板2的一側(cè)上。這些驅(qū)動電路通過連接部區(qū)域9中的連接部而被連接至傳感器板2上的所期望的配線。
[0076]垂直驅(qū)動電路10例如包括移位寄存器或地址解碼器，以便對設(shè)置于傳感器板2上的像素6以行為單位進行驅(qū)動。垂直驅(qū)動電路10上的輸出端子(未圖示)分別是針對各個行而設(shè)置的，且被連接至像素驅(qū)動線7的第一端。這里省略了垂直驅(qū)動電路10的具體構(gòu)造的圖。然而，垂直驅(qū)動電路10包括兩個掃描系統(tǒng):讀取掃描系統(tǒng)和清除掃描系統(tǒng)(dischargescanning system)。
[0077]讀取掃描系統(tǒng)順序地選擇各行，以便以行為單位讀取各個像素6的像素信號，并且把選擇脈沖從與所選擇行的像素驅(qū)動線7連接的上述輸出端子輸出。
[0078]在比由讀取掃描系統(tǒng)進行的掃描提前一個快門速度的時間長度的時刻，清除掃描系統(tǒng)把控制脈沖從與各行的像素驅(qū)動線7連接的上述輸出端子輸出，以便清除(復(fù)位)光電轉(zhuǎn)換元件的不必要電荷。通過由清除掃描系統(tǒng)進行的掃描，以行為單位而順序地執(zhí)行了所謂的電子快門操作。電子快門操作在這里是指排出光電轉(zhuǎn)換元件中的電荷、且重新開始曝光(開始電荷的積累)的操作。
[0079]從被垂直驅(qū)動電路10中的讀取掃描系統(tǒng)選擇的那一行中的各個像素輸出的與所接收的光量對應(yīng)的像素信號經(jīng)由各個垂直信號線8而被提供給列信號處理電路11。
[0080]列信號處理電路11包括針對像素6的各個列而設(shè)置的信號處理電路。列信號處理電路11中的各個信號處理電路對從所選擇行中的各個像素經(jīng)由垂直信號線8而輸出的像素信號進行信號處理，該信號處理例如是諸如相關(guān)雙采樣(CDS: Corre lated DoubleSampling)處理等噪聲消除處理或者是A/D轉(zhuǎn)換處理。利用CDS處理，能夠消除像素所特有的固定模式噪聲，例如復(fù)位噪聲或放大晶體管的閾值差異。列信號處理電路11臨時地保存由上述信號處理處理過的像素信號。
[0081 ] 水平驅(qū)動電路12例如包括移位寄存器或地址解碼器，以便順序地選擇列信號處理電路11中的信號處理電路。通過由水平驅(qū)動電路12進行的選擇掃描，由列信號處理電路11中的各個信號處理電路在上述信號處理中處理過的像素信號順序地從輸出端子Vout被輸出。
[0082]系統(tǒng)控制電路13例如包括用于生成各種時序信號的時序發(fā)生器，以便根據(jù)由該時序發(fā)生器生成的各種時序信號來控制垂直驅(qū)動電路10、列信號處理電路11和水平驅(qū)動電路
12ο
[0083]在本實施例中，垂直驅(qū)動電路10、列信號處理電路11和水平驅(qū)動電路12被設(shè)置于電路板3上。然而，需要注意的是，這些電路可以被設(shè)置于傳感器板2上，并且只有系統(tǒng)控制電路13被設(shè)置于電路板3上。換言之，能夠以各種不同的方式選擇要形成于電路板3上的電路。
[0084][連接部區(qū)域的示例性構(gòu)造]
[0085]圖2是從連接部區(qū)域9的光接收表面S的上方觀察的連接部區(qū)域9的示例性構(gòu)造的圖。
[0086]在圖2所示的連接部區(qū)域9中，在與連接部區(qū)域9的排列方向垂直的方向上以比間隔dl短的間隔(在圖2的示例中，該間隔近似為零)排列有連接部9a，且連接部9a的縱向側(cè)邊垂直于連接部區(qū)域9的排列方向。另一方面，在連接部區(qū)域9的排列方向上只放置有一個連接部9a。在連接部區(qū)域9中的連接部9a的周圍形成有周邊部％。
[0087][連接部的示例性構(gòu)造]
[0088]圖3是從連接部9a的光接收表面S的上方觀察的連接部9a的示例性構(gòu)造的圖。
[0089]圖3中的連接部9a包括電極19a、貫穿電極19b和配線部19c，電極19a被連接至傳感器板2的配線層，貫穿電極19b被連接至電路板3的配線層，配線部19c將電極19a和貫穿電極19b連接起來。
[0090][CMOS圖像傳感器的截面]
[0091]圖4是圖1中所示的CMOS圖像傳感器I的一部分的截面圖。
[0092]在如圖4所示的CMOS圖像傳感器I中，連接部9a使傳感器板2和被粘貼到傳感器板2的與光接收表面S相反的表面上的電路板3電連接。
[0093]傳感器板2包括半導(dǎo)體層2a和配線層2b。半導(dǎo)體層2a例如是減薄的單晶硅半導(dǎo)體基板。在半導(dǎo)體層2a的像素區(qū)域4中，沿著光接收表面S以二維陣列的方式排列有分別與像素6對應(yīng)的光電轉(zhuǎn)換器20。各個光電轉(zhuǎn)換器20例如是通過將η型擴散層和P型擴散層層疊起來而形成的。需要注意的是，圖4中只圖示了一個像素的光電轉(zhuǎn)換器的截面。
[0094]在半導(dǎo)體層2a的與光接收表面S相反的表面上形成有:由η+型雜質(zhì)層構(gòu)成的浮動擴散區(qū)域H);像素晶體管Tr的源極/漏極區(qū)域21;以及用于使各像素6相互分離的元件分離部22。在半導(dǎo)體層2a的連接部區(qū)域9中形成有連接部9a所包括的電極19a和貫穿電極19b。
[0095]配線層2b包括像素晶體管Tr的柵極電極23且包括多層(圖4中為三層)配線25。各個柵極電極23被設(shè)置于半導(dǎo)體層2a的與光接收表面S相反的表面上，且該表面與柵極電極23之間隔著柵極絕緣體(未圖示)。各層配線25被層疊在柵極電極23之上，且柵極電極23與配線25之間以及各層配線25之間隔著層間絕緣體24。配線25例如是由銅(Cu)制成的。如果有必要，配線25和配線25通過通路(via)25a而被連接，并且配線25和像素晶體管Tr通過通路25a而被連接。在各個像素6的光電轉(zhuǎn)換器20中積累的信號電荷通過像素晶體管Tr和配線25而被讀取。
[0096]在配線層2b的與接觸著半導(dǎo)體層2a的表面相反的表面上，設(shè)置有覆蓋著最上層的配線25(離半導(dǎo)體層2a最遠的配線25)的絕緣性保護膜51。保護膜51的表面是當傳感器板2粘貼到電路板3上時的粘接表面。
[0097]電路板3包括半導(dǎo)體層3a和配線層3b。半導(dǎo)體層3a例如是減薄的單晶硅半導(dǎo)體基板。例如，在半導(dǎo)體層3a的面向傳感器板2的一側(cè)上形成有晶體管Tr的源極/漏極區(qū)域31和兀件分尚部32。
[0098]配線層3b包括晶體管Tr的柵極電極35且包括多層(圖4中為三層)配線37。各個柵極電極35被設(shè)置于配線層3b的接觸著半導(dǎo)體層3a的表面上，且該表面與柵極電極35之間隔著柵極絕緣體(未圖示)。各層配線37被層疊在柵極電極35之上，且柵極電極35與配線37之間以及各層配線37之間隔著層間絕緣體36。配線37例如是由銅(Cu)制成的。如果有必要，配線37和配線37通過通路37a而被連接，并且配線37和像素晶體管Tr通過通路37a而被連接。上述驅(qū)動電路包括設(shè)置于配線層3b中的晶體管Tr和配線37。貫穿電極19b被連接至連接部區(qū)域9中的配線層3b。
[0099]在配線層3b的與接觸著半導(dǎo)體層3a的表面相反的表面上，設(shè)置有覆蓋著最上層的配線37(離半導(dǎo)體層3a最遠的配線37)的絕緣性保護膜52。保護膜52的表面是當傳感器板2粘貼到電路板3上時的粘接表面。
[0100]連接部9a中的電極19a具有如下的形式:其從半導(dǎo)體層2a的光接收表面S穿過半導(dǎo)體層2a，并且被連接至配線層2b中的最下層的配線25(離半導(dǎo)體層2a最近的配線25)。具體地，連接孔26被配置成使配線層2b中的最下層的配線25從半導(dǎo)體層2a的光接收表面S露出，電極19a是由埋入在連接孔26中的導(dǎo)電材料制成的，該導(dǎo)電材料與連接孔26之間隔著分離絕緣體27和阻擋金屬膜28。電極19a使配線層2b中的最下層的配線25電連接至配線部19c。
[0101]貫穿電極19b被形成于電極19a的附近，且從半導(dǎo)體層2a的光接收表面S穿過半導(dǎo)體層2a和配線層2b并且被連接至配線層3b中的最上層的配線37(離半導(dǎo)體層3a最遠的配線37)。具體地，連接孔29被配置成使配線層3b中的最上層的配線37從半導(dǎo)體層2a的光接收表面S露出，貫穿電極19b是由埋入在連接孔29中的導(dǎo)電材料制成的，該導(dǎo)電材料與連接孔29之間隔著分離絕緣體27和阻擋金屬膜28。貫穿電極19b使配線層3b中的最上層的配線37電連接至配線部19c。
[0102]配線部19c是由半導(dǎo)體層2a上的導(dǎo)電材料制成的。配線部19c使電極19a和貫穿電極19b電連接。該連接使傳感器板2和電路板3電連接。
[0103]電極19a、貫穿電極19b和配線部19c能夠由例如銅(Cu)、鋁(Al)或鎢(W)等導(dǎo)電材料制成。然而，在這個示例中，使用銅(Cu)作為該導(dǎo)電材料。
[0104]周邊部9b是絕緣層，其形成于半導(dǎo)體層2a的光接收表面S上，并且將連接部9a埋入該絕緣層中。周邊部9b的膜厚從連接部區(qū)域9朝著像素區(qū)域4是逐漸變薄的。換言之，周邊部9b具有呈錐狀形式的傾斜側(cè)面。周邊部9b是以把防反射膜40、界面態(tài)發(fā)生(interfacestate generat1n)抑制膜41、蝕刻停止膜42、上層絕緣體43和蓋膜44按照此順序從傳感器板2的光接收表面S層疊起來的方式而被制造的五層絕緣膜。
[0105]防反射膜40是由絕緣材料制成的，該絕緣材料例如是折射率比氧化硅的折射率高的氧化鉿(HfO2)、氧化鉭(Ta2O5)或氮化硅。界面態(tài)發(fā)生抑制膜41是由例如氧化硅(S12)制成的。蝕刻停止膜42是由例如氮化硅(SiN)等具有比上層絕緣體43的蝕刻選擇性低的蝕刻選擇性的材料制成的。上層絕緣體43是由例如氧化硅(S12)制成的。蓋膜44是由例如碳氮化硅(SiCN)或氮化硅(SiN)制成的。
[0106]需要注意的是，周邊部9b中的防反射膜40和界面態(tài)發(fā)生抑制膜41延伸到像素區(qū)域4中的半導(dǎo)體層2a的光接收表面S。換言之，所述絕緣層在周邊區(qū)域5中具有五層，但是在像素區(qū)域4中具有兩層。這造成了高度差。
[0107]在像素區(qū)域4中的界面態(tài)發(fā)生抑制膜41上形成有遮光膜45。遮光膜45包括多個光接收開口 45a，以便在相鄰的像素6之間遮光，各個光接收開口 45a被設(shè)置在位于各個像素6的光電轉(zhuǎn)換器20上方的區(qū)域中。
[0108]遮光膜45是由具有高的遮光效果的導(dǎo)電材料制成的，該導(dǎo)電材料例如是鎢(W)、鋁(Al)、Ti(鈦)、TiN(氮化鈦)、Cu(銅)或Ta(鉭)，或者遮光膜45是上述材料的多層膜制成的。
[0109]為了使周邊區(qū)域5和像素區(qū)域4平坦化，平坦化膜46被配置成覆蓋遮光膜45和周邊部9b的上部。該平坦化減小了周邊區(qū)域5與像素區(qū)域4之間的高度差。平坦化膜46是由例如丙烯酸樹脂制成的。
[0110]在平坦化膜46上與各個像素6的光電轉(zhuǎn)換器20對應(yīng)地形成有彩色濾光片47。彩色濾光片47是由選擇性地允許例如紅色(R)、綠色(G)或藍色(B)的光透過的濾光層制成的。彩色濾光片47的顏色以例如拜耳布局的方式被布置著。彩色濾光片47允許R、G或B的光透過并且允許該R、G或B的光進入半導(dǎo)體層2a中的光電轉(zhuǎn)換器20。
[0111]這里，透過彩色濾光片47的光的顏色是R、G和B中的一者。然而，需要注意的是，該顏色能夠是其他顏色，例如，青色、黃色或品紅色。
[0112]在各個像素6的彩色濾光片47上形成有片上透鏡48。片上透鏡48聚集入射光，并且讓所聚集的光透過彩色濾光片47而進入光電轉(zhuǎn)換器20。
[0113][平坦化膜的高度差的說明]
[0114]圖5是由連接部區(qū)域9造成的平坦化膜46的高度差的說明性截面圖。
[0115]當連接部區(qū)域以比間隔dl短的間隔(在這個示例中為零)排列著時，這些連續(xù)地排列著的連接部區(qū)域形成如圖5中的A所示的、在連接部區(qū)域的排列方向上延伸的連接部區(qū)域61。換言之，連接部區(qū)域61的上部的面積是相對大的。因此，如圖5中的A所示，由連接部區(qū)域9造成的高度差轉(zhuǎn)移到被配置成覆蓋連接部區(qū)域61的上部的平坦化膜62上，且因此平坦化膜62的高度差hi是相對大的。
[0116]另一方面，在CMOS圖像傳感器I中，連接部區(qū)域9以間隔dl排列著。因此，連接部區(qū)域9不連續(xù)地排列著。因此，各個連接部區(qū)域9的上部的面積是相對小的。因此，如圖5中的B所示，與由連接部區(qū)域61造成的高度差相比而言，被配置成覆蓋連接部區(qū)域9的上部的平坦化膜46使高度差減小了。平坦化膜46的高度差h2小于高度差hi。
[0117]CMOS圖像傳感器的制造方法
[0118]圖6至圖9是CMOS圖像傳感器I的制造方法的說明圖。
[0119]如圖6中的A所示，首先制備半導(dǎo)體層2a。通過從半導(dǎo)體層2a的像素區(qū)域4的表面(與光接收表面S相反的表面)注入離子，形成多個光電轉(zhuǎn)換器20。通過從半導(dǎo)體層2a的期望區(qū)域的表面注入離子，形成浮動擴散區(qū)域FD、源極/漏極區(qū)域21和元件分離部22。
[0120]然后，通過柵極絕緣體(未圖示)而在半導(dǎo)體層2a上形成柵極電極23。通過層間絕緣體24而在柵極電極23上形成多層(圖6的A中為三層)配線25。同時，在層間絕緣體24中形成垂直孔，并且在這些垂直孔中埋入導(dǎo)電材料。這形成了通路25a。此后，在層間絕緣體24上形成保護膜51。
[0121]另一方面，以與半導(dǎo)體層2a獨立的方式制備半導(dǎo)體層3a。通過從半導(dǎo)體層3a的第一表面注入離子，在第一表面上形成源極/漏極區(qū)域31和元件分離部32。
[0122]然后，通過柵極絕緣體(未圖示)而在半導(dǎo)體層3a的第一表面上形成柵極電極35。通過層間絕緣體36而在柵極電極35上形成多層(圖6的A中為三層)配線37。同時，在層間絕緣體36中形成垂直孔，并且在這些垂直孔中埋入導(dǎo)電材料。這形成了通路37a。此后，在層間絕緣體36上形成保護膜52。
[0123]讓傳感器板2的形成有保護膜51的表面面向電路板3的形成有保護膜52的表面。然后，將傳感器板2粘接到電路板3上。在粘接之后，如果必要，對半導(dǎo)體層2a的光接收表面S進行減薄。
[0124]然后，如圖6中的B所示，在半導(dǎo)體層2a的光接收表面S上，將防反射膜40、界面態(tài)發(fā)生抑制膜41、蝕刻停止膜42和上層絕緣體43按照此順序?qū)盈B起來而形成為膜。作為防反射膜40，例如，以原子層沉積方法使氧化給形成為具有1nm至300nm(例如，60nm)的膜厚的膜。作為界面態(tài)發(fā)生抑制膜41，例如，以等離子體化學(xué)氣相沉積(P-CVD = Plasma-ChemicalVapor Deposit1n)方法使S12形成為具有200nm的膜厚的膜。作為蝕刻停止膜42，例如，以P-CVD方法使氮化硅(SiN)形成為具有50nm至200nm的膜厚的膜。作為上層絕緣體43，例如，以P-CVD方法使氧化硅形成為具有200nm的膜厚的膜。
[0125]然后，如圖6中的C所示，通過例如使用抗蝕劑圖形作為掩模而對連接部區(qū)域9進行蝕刻，形成了連接孔26，該連接孔26具有從上層絕緣體43到如下位置的深度:該位置沒有深至到達配線層2b中的最下層(離半導(dǎo)體層2a最近的層)的配線25。通過例如使用抗蝕劑圖形作為掩模而對連接部區(qū)域9進行蝕刻，還形成了連接孔29，該連接孔29具有從上層絕緣體43到如下位置的深度:該位置沒有深至到達配線層2b中的最上層(離半導(dǎo)體層2a最遠的層)的配線25。
[0126]然后，如圖7中的A所示，通過例如使用抗蝕劑圖形作為掩模而對連接部區(qū)域9進行蝕刻，在上層絕緣體43中的包括連接孔26和連接孔29的區(qū)域中形成了連接孔19d，該連接孔19d具有沒有深至到達蝕刻停止膜42的深度。
[0127]然后，如圖7中的B所示，使分離絕緣體27以覆蓋連接孔26、連接孔29和連接孔19d的內(nèi)壁的方式形成為膜。作為分離絕緣體27，例如，以P-CVD方法使氧化硅形成為具有10nm至100nm的膜厚的膜。分離絕緣體27使形成于連接孔26中的電極19a和形成于連接孔29中的貫穿電極19b與半導(dǎo)體層2a電分離。[Ο128] 然后，如圖7中的(3所示，通過在高各向異性蝕刻(highly anisotropic etching)條件下的蝕刻，對分離絕緣體27進行去除。該蝕刻從連接孔26的底部和連接孔29的底部除去了分離絕緣體27。在高各向異性蝕刻條件下，進一步挖掘連接孔26的底部和連接孔29的底部。該蝕刻使配線層2b中的最下層的配線25暴露于連接孔26的底部中，并且使配線層3b中的最上層的配線37暴露于連接孔29的底部中。
[0129]然后，如圖8中的A所示，使阻擋金屬膜28以覆蓋連接孔26、連接孔29和連接孔19d的內(nèi)壁的方式形成為膜。作為阻擋金屬膜28，例如，以PVD方法使氮化鉭(TaN)形成為具有5nm至10nm的膜厚的膜。隨后，以電鍍方法在阻擋金屬膜28上形成由銅(Cu)制成的導(dǎo)電材料。這就使得用銅(Cu)填充了連接孔26、連接孔29和連接孔19d。
[0130]然后，如圖8中的13所示，利用化學(xué)機械研磨(CMP: Chemi cal MechanicalPolishing)方法磨削上述導(dǎo)電材料層，并且使該導(dǎo)電材料層的表面平坦化，直到露出上層絕緣體43。這形成了電極19a、貫穿電極19b以及使電極19a和貫穿電極19b電連接的配線部19c。換言之，在所謂的雙鑲嵌(dual damascene)工藝中形成了連接部9a。
[0131 ]然后，在上層絕緣體43的表面上形成蓋膜44。作為蓋膜44，例如，以P-CVD方法使氮化硅(SiN)形成為具有5nm至10nm的膜厚的膜。
[0132]然后，如圖9中的A所示，從連接部區(qū)域9中選擇性地使周邊部9b的處于像素區(qū)域4中的一部分變薄。具體地，首先，在周邊部％上全面地形成抗蝕劑材料層，然后在與像素區(qū)域4對應(yīng)的區(qū)域中形成開口，并且在后烘烤工藝(post bake process;堅膜工藝)中對周邊部9b的面向該開口的端部進行回流處理(ref low)。該回流處理在周邊部9b上形成了抗蝕劑圖形63。
[0133]然后，通過使用抗蝕劑圖形63作為掩模而進行蝕刻，將處于像素區(qū)域4上的周邊部9b去除至預(yù)定深度。在該蝕刻工藝中，在蝕刻條件根據(jù)需要而發(fā)生改變的同時對蓋膜44和上層絕緣體43進行蝕刻，以使得周邊部9b從連接部區(qū)域9朝著像素區(qū)域4逐漸變薄。然后，該蝕刻在蝕刻停止膜42處停止，蝕刻停止膜42是蓋膜44及上層絕緣體43的下層。
[0134]如上所述，蝕刻停止膜42被形成于CMOS圖像傳感器I中。在對上層絕緣體43進行蝕刻時可能造成的蝕刻不規(guī)則性能夠在蝕刻停止膜42的表面上一度被消除。該消除使界面態(tài)發(fā)生抑制膜41的在像素區(qū)域4上的表面保持平坦。
[0135]在完成了上層絕緣體43的蝕刻之后，蝕刻條件以使得周邊部9b從連接部區(qū)域9朝著像素區(qū)域4逐漸變薄的方式發(fā)生改變。由此，對蝕刻停止膜42進行蝕刻。當界面態(tài)發(fā)生抑制膜41露出時，終止該蝕刻。結(jié)果，在五層的周邊部9b保留在連接部區(qū)域9中而沒有被去除的同時，只有防反射膜40和界面態(tài)發(fā)生抑制膜41保留在像素區(qū)域4中。此時，周邊部9b的側(cè)面是呈錐狀形式的傾斜表面。
[0136]然后，如圖9中的B所示，使用抗蝕劑圖形(未圖示)作為掩模，在像素區(qū)域4的預(yù)定位置處對界面態(tài)發(fā)生抑制膜41和防反射膜40進行蝕刻。該蝕刻形成開口 45b，以使半導(dǎo)體層2a露出。需要注意的是，開口 45b被形成于避開了處于光電轉(zhuǎn)換器20正上方的區(qū)域的位置處。
[0137]然后，利用濺射成膜方法使由例如鎢制成的導(dǎo)電材料在像素區(qū)域4中的界面態(tài)發(fā)生抑制膜41上形成為膜。這形成了遮光膜45。其后，通過使用抗蝕劑圖形(未圖示)作為掩模的圖形蝕刻來對該導(dǎo)電材料膜進行蝕刻。該圖形蝕刻形成了針對各個光電轉(zhuǎn)換器20而設(shè)的光接收開口 45a。
[0138]然后，如圖9中的C所示，在例如旋轉(zhuǎn)涂布(spincoating)法等涂布方法中形成由透光材料制成的平坦化膜46，以覆蓋遮光膜45和周邊部9b的上部。然后，在例如旋轉(zhuǎn)涂布法等涂布方法中，使與光電轉(zhuǎn)換器20適應(yīng)的各個顏色的彩色濾光片47從連接部區(qū)域9的外側(cè)流入并且涂布到平坦化膜46上。
[0139]在這個示例中，如參照圖5所說明的，平坦化膜46的高度差h2小于平坦化膜62的高度差hi。與由平坦化膜62的高度差hi造成的不均勻涂布比較而言，由平坦化膜46的高度差h2造成的彩色濾光片47的不均勻涂布降低了。同時，周邊部9b的側(cè)面是呈錐狀形式的傾斜表面。這能夠防止當彩色濾光片47爬過高度差h2時彩色濾光片47的在高度差h2上的流體壓力的集中。這就降低了不均勻涂布。
[0140]在涂布了彩色濾光片47之后，在彩色濾光片47上形成與光電轉(zhuǎn)換器20適應(yīng)的片上透鏡48。如上所述，制造出CMOS圖像傳感器I。
[0141]如上所述，在CMOS圖像傳感器I中，連接部區(qū)域9以間隔dl被排列著，以使得連接部區(qū)域9是彼此分離的。該布置使得由連接部區(qū)域9引起的平坦化膜46的高度差減小，且因此降低了彩色濾光片47的不均勻涂布(不均勻噴涂)。結(jié)果，產(chǎn)量提高了。
[0142][連接部的其他示例性布置]
[0143]圖10至圖12是連接部區(qū)域9中的連接部9a的其他示例性布置的圖。
[0144]在圖2的示例中，連接部9a在連接部區(qū)域9中被布置成使得連接部9a的縱向側(cè)邊垂直于連接部區(qū)域9的排列方向。然而，如圖1O所示，連接部9a能夠被布置成使它的縱向側(cè)邊在連接部區(qū)域9的排列方向上。
[0145]在圖2的示例中，在連接部區(qū)域9中在連接部區(qū)域9的排列方向上只設(shè)置有一個連接部9a。然而，如圖11所示，能夠布置兩個以上(在圖11的示例中為兩個)連接部9a。在這個示例中，連接部區(qū)域9的上部的面積大于當只設(shè)置有一個連接部9a時的面積。這增加了平坦化膜62的高度差。因此，會減小使彩色濾光片47的不均勻涂布降低的效果。然而，安裝連接部區(qū)域9所必需的面積減小了。這能夠減小CMOS圖像傳感器I的芯片尺寸。
[0146]類似地，即使當連接部區(qū)域9中的連接部9a的縱向側(cè)邊在連接部區(qū)域9的排列方向上時，如圖12所示，也能夠在連接部區(qū)域9的排列方向上布置兩個以上(在圖12的示例中為兩個)連接部9a。
[0147][連接部區(qū)域的其他示例性布置]
[0148]圖13至圖15是連接部區(qū)域9的其他示例性布置的圖。
[0149]在圖1的示例中，連接部區(qū)域9是沿著像素區(qū)域4的各個側(cè)邊而被排列著的。然而，如圖13所示，連接部區(qū)域9能夠在該圖中的傳感器板2的水平方向(橫向方向)上以預(yù)定的間隔dl而被排列著。需要注意的是，雖然圖13中沒有圖示，但是類似于圖1那樣，在像素區(qū)域4中布置有像素6、像素驅(qū)動線7和垂直信號線8。這些元件也類似地被布置于將要在下文中參照圖14至圖27、圖29至圖34和圖36而被說明的各示例中。
[0150]可供替代地，如圖14所示，連接部區(qū)域9能夠在該圖中的傳感器板2的垂直方向(縱向方向)上以預(yù)定的間隔dl而被排列著。此外，如圖15所示，在周邊區(qū)域5中不僅能夠布置有連接部區(qū)域9，還能夠布置有連接部區(qū)域71。連接部區(qū)域71沿著像素區(qū)域4的各個側(cè)邊以零間隔而被排列著，且因此在像素區(qū)域4的各個側(cè)邊的方向上延伸。
[0151]在上述說明中，所有的連接部區(qū)域9都以預(yù)定的間隔dl而被排列著，且連接部區(qū)域9是彼此分離的。然而，只需要至少一個連接部區(qū)域9與其他連接部區(qū)域9以間隔dl分離即可。當至少一個連接部區(qū)域9與其他連接部區(qū)域9以間隔dl分離時，與當所有的連接部區(qū)域都以比間隔dl短的間隔而被排列著時的高度差比較而言，平坦化膜46的高度差減小了。因此，彩色濾光片47的不均勻涂布降低了。
[0152]第二實施例
[0153]CMOS圖像傳感器的第二實施例的示例性構(gòu)造
[0154]除了傳感器板2有所不同以外，運用了本發(fā)明技術(shù)的CMOS圖像傳感器的第二實施例的構(gòu)造類似于圖1中所示的CM0i5圖像傳感器I的構(gòu)造。因此，以下將會只說明傳感器板2。
[0155]圖16是運用了本發(fā)明技術(shù)的CMOS圖像傳感器的第二實施例的傳感器板的示例性構(gòu)造的圖。
[0156]在圖16所示的構(gòu)造中，與圖1中所示的部件相同的部件用相同的附圖標記表示。將會適當?shù)厥÷灾貜?fù)說明。
[0157]與圖1中所示的構(gòu)造不同的是，圖16中所示的傳感器板2的構(gòu)造設(shè)置有用于代替連接部區(qū)域9的連接部區(qū)域91至95。
[0158]在圖16中所示的傳感器板2上的周邊區(qū)域5中，沿著像素區(qū)域4的各個側(cè)邊分別形成有四個連接部區(qū)域91至94。連接部區(qū)域91至94中的各者被形成為傳感器板2上的四角柱。在比連接部區(qū)域91至94更靠近彩色濾光片47的流入口(inlet)I的位置上形成有連接部區(qū)域95。流入口 I的位置被設(shè)置于例如上面形成有傳感器板2的硅片的中心處。
[0159]圖17是連接部區(qū)域92、93和95之間的位置關(guān)系的說明圖。
[0160]在圖17的示例中，流入口I的位置位于連接部區(qū)域92和93的左下側(cè)上，并且彩色濾光片47從流入口 I以45度角的方式向右上方流動。
[0161]連接部區(qū)域95的最靠近流入口I的角部C3被配置成使得:角部C3附近、連接部區(qū)域92的角部C14(該角部C14與連接部區(qū)域92的最靠近流入口 I的另一個角部C13位于同一側(cè)邊上)、以及流入口 I被布置于一條直線上;并且角部C3附近、連接部區(qū)域93的角部C21(該角部C21與連接部區(qū)域93的最靠近流入口 I的另一個角部C23位于同一側(cè)邊上)、以及流入口 I被布置于一條直線上。而且，連接部區(qū)域95的角部Cl(該角部Cl與連接部區(qū)域95的角部C3位于同一側(cè)邊上)被配置成使得:角部Cl、連接部區(qū)域92的最靠近流入口 I的另一個角部C13、以及流入口 I被布置于一條直線上。
[0162]此外，連接部區(qū)域95的角部C4(該角部C4與連接部區(qū)域95的角部C3位于同一側(cè)邊上)被配置成使得:角部C4、連接部區(qū)域93的最靠近流入口 I的另一個角部C23、以及流入口 I被布置于一條直線上。
[0163]按如上所述的方式來布置連接部區(qū)域92、93和95，能夠降低彩色濾光片47的不均勻涂布。
[0164]換言之，當彩色濾光片47從流入口I流入到布置有連接部區(qū)域91至95的傳感器板2上時，連接部區(qū)域92的角部Cll和C14(它們分別與連接部區(qū)域92的最靠近流入口 I的角部C13位于同一側(cè)邊上)上的流體壓力低于角部C13上的流體壓力。類似地，連接部區(qū)域93的角部C21和C24(它們分別與連接部區(qū)域93的最靠近流入口 I的角部C23位于同一側(cè)邊上)上的流體壓力低于角部C23上的流體壓力。流體壓力之間的差別造成了存在于連接部區(qū)域92和93內(nèi)側(cè)(與流入口 I相反的一側(cè))的像素區(qū)域4上的彩色濾光片47的不均勻涂布。
[0165]然而，在圖16所示的傳感器板2中，被施加有比連接部區(qū)域95的最靠近流入口I的角部C3上的流體壓力低的流體壓力的角部Cl、連接部區(qū)域92的最靠近流入口 I且被施加有高的流體壓力的角部C13、以及流入口 I被布置于一條直線上。此外，連接部區(qū)域95的最靠近流入口 I且被施加有高的流體壓力的角部C3附近、被施加有比連接部區(qū)域92的最靠近流入口 I的角部C13上的流體壓力低的流體壓力的角部C14、以及流入口 I被布置于一條直線上。
[0166]此外，被施加有比連接部區(qū)域95的最靠近流入口I的角部C3上的流體壓力低的流體壓力的角部C4、連接部區(qū)域93的最靠近流入口 I且被施加有高的流體壓力的角部C23、以及流入口 I被布置于一條直線上。而且，連接部區(qū)域95的最靠近流入口 I且被施加有高的流體壓力的角部C3附近、被施加有比連接部區(qū)域93的最靠近流入口 I的角部C23上的流體壓力低的流體壓力的角部C21、以及流入口 I被布置于一條直線上。
[0167]因此，下列四個流體壓力是一樣的:在將流入口1、角部Cl和角部C13連接起來的直線方向上的流體壓力;在將流入口 1、角部C3附近和和角部C14連接起來的直線方向上的流體壓力;在將流入口 1、角部C4和角部C23連接起來的直線方向上的流體壓力；以及在將流入口 1、角部C3附近和角部C21連接起來的直線方向上的流體壓力。結(jié)果，減小了彩色濾光片47的局部的流體壓力之間的差別，且因此降低了彩色濾光片47的不均勻涂布。
[0168]需要注意的是，能夠通過調(diào)節(jié)連接部區(qū)域92、93和95的位置和尺寸來控制流入口 I與角部(:1至04、(:13、(:14工21工23之間的位置關(guān)系。
[0169]在圖16的示例中，連接部區(qū)域95被設(shè)置于比連接部區(qū)域91至94更靠近流入口I的位置上。然而，如圖18所示，連接部區(qū)域95能夠被設(shè)置于比連接部區(qū)域91至94更遠離流入口1的位置上。在這樣的情況下，流入口1與角部(:1至04、(:13、(:14工21工23之間的位置關(guān)系類似于圖17中所示的位置關(guān)系。因此，降低了彩色濾光片47的不均勻涂布。
[0170]在圖16的示例中，在連接部區(qū)域91至94之間，靠近流入口I的角部C13、C14、C21、C23上的流體壓力之間的差別被減小了。然而，在各個連接部區(qū)域中，最靠近流入口 I的角部上的流體壓力與跟該最靠近的角部位于同一側(cè)邊上的兩個角部上的流體壓力之間的差別都能夠被減小。
[0171]在這樣的情況下，如圖19所示，各個連接部區(qū)域111被配置成使得:最靠近流入口I的角部C43的附近、另一個連接部區(qū)域111的與最靠近流入口 I的角部C43位于同一側(cè)邊上的角部C41或C44、以及流入口 I被布置于一條直線上。該配置使得在所有的將各個連接部區(qū)域111的流入口 1、該連接部區(qū)域111的角部C43和另一個連接部區(qū)域111的角部C41或C44連接起來的各條直線方向上的流體壓力都是一樣。結(jié)果，降低了彩色濾光片47的不均勻涂布。
[0172]在圖16至圖19中，彩色濾光片47的流入方向是與水平線呈45度角的右上方向。然而，彩色濾光片47的流入方向不局限于圖16至圖19中的方向，并且彩色濾光片47的流入方向能夠是任意的方向。
[0173][彩色濾光片的流入方向的其他示例]
[0174]圖20至圖22是當彩色濾光片47以與水平線呈30度角的右上方向作為流入方向時傳感器板2的一些示例性構(gòu)造的圖。
[0175]需要注意的是，圖20至圖22中的與圖16和圖17中的部件相同的部件用相同的附圖標記表示。為了避免重復(fù)，將適當?shù)厥÷砸恍┱f明。
[0176]當如圖16所示將連接部區(qū)域95設(shè)置于比連接部區(qū)域91至94更靠近流入口I的位置上時，連接部區(qū)域92、93和95具有如圖20所示的位置關(guān)系。
[0177]可供替代地，當如圖18所示將連接部區(qū)域95設(shè)置于比連接部區(qū)域91至94更遠離流入口 I的位置上時，連接部區(qū)域92、93和95具有如圖21所示的位置關(guān)系。
[0178]為了如圖19所示那樣減小最靠近流入口I的角部上的流體壓力與各個連接部區(qū)域的跟該最靠近的角部位于同一側(cè)邊上的兩個角部上的流體壓力之間的差別，各連接部區(qū)域111如圖22所示那樣被設(shè)置在傳感器板2上。
[0179]以如上所述的方式，根據(jù)彩色濾光片47的流入方向來配置連接部區(qū)域，就能夠降低當彩色濾光片47在任何方向上流入時該彩色濾光片47的不均勻涂布。結(jié)果，當在硅片上圍繞著該硅片的中心以各種不同角度形成有多個傳感器板2并且彩色濾光片47從該硅片的中心流入時，能夠降低各個傳感器板2上的彩色濾光片47的不均勻涂布。
[0180]需要注意的是，彩色濾光片47能夠在多個方向上流入到傳感器板2上。換言之，各個連接部區(qū)域能夠被設(shè)置成使得:當彩色濾光片47在這些方向中的任何一個方向上流入時，能夠減小角部上的流體壓力之間的差別且因此能夠降低彩色濾光片47的不均勻涂布。
[0181][彩色濾光片在多個方向上流入時的示例性傳感器板]
[0182]圖23至圖25是當彩色濾光片47向傳感器板2內(nèi)的流入方向能夠是與水平線呈45度角的右上方向、與水平線呈135度角的左上方向、與水平線呈225度角的左下方向和與水平線呈315度角的右下方向時傳感器板2的一些示例性構(gòu)造的圖。
[0183 ]需要注意的是，圖23至圖25中的與圖16中的部件相同的部件用相同的附圖標記表示。為了避免重復(fù)，將會適當?shù)厥÷砸恍┱f明。
[0184]當如圖17所示那樣在比連接部區(qū)域91至94更靠近彩色濾光片47的流入口的位置上分別設(shè)置有用于緩和流體壓力的連接部區(qū)域時，這些連接部區(qū)域如圖23所示那樣被布置著。
[0185]換言之，如圖23所示，連接部區(qū)域95類似于圖17而被設(shè)置成使得:彩色濾光片47向著與水平線呈45度角的右上方向流入。此外，針對流入口 Il而設(shè)置有連接部區(qū)域131，彩色濾光片47從流入口 Il向著與水平線呈315度角的右下方向流入。此外，針對流入口 12而設(shè)置有連接部區(qū)域132，彩色濾光片47從流入口 12向著與水平線呈225度角的左下方向流入。此夕卜，針對流入口 13而設(shè)置有連接部區(qū)域133，彩色濾光片47從流入口 13向著與水平線呈135度角的左上方向流入。
[0186]需要注意的是，流入口Il與連接部區(qū)域91、92、131的角部之間的位置關(guān)系類似于流入口 I與連接部區(qū)域92、93、95的角部之間的位置關(guān)系。因此，將會省略說明。流入口 12與連接部區(qū)域91、94、132的角部之間的位置關(guān)系以及流入口 13與連接部區(qū)域93、94、133的角部之間的位置關(guān)系也同樣如此。
[0187]當類似于圖18在比連接部區(qū)域91至94更遠離彩色濾光片47的流入口的位置上分別設(shè)置有用于緩和流體壓力的連接部區(qū)域時，連接部區(qū)域91至95以及131至133如圖24所示那樣被布置著。
[0188]為了如圖19所示那樣減小最靠近流入口的角部上的流體壓力與各個連接部區(qū)域的跟最靠近流入口的該角部位于同一側(cè)邊上的兩個角部上的流體壓力之間的差別，各連接部區(qū)域如圖25所示那樣被布置著。
[0189]換言之，如圖25所示，多個連接部區(qū)域111類似于圖19而被設(shè)置成使得:彩色濾光片47能夠向著與水平線呈45度角的右上方向流入。此外，針對流入口 Il而設(shè)置有多個連接部區(qū)域151，彩色濾光片47從流入口 Il向著與水平線呈315度角的右下方向流入。此外，針對流入口 12而設(shè)置有多個連接部區(qū)域152，彩色濾光片47從流入口 12向著與水平線呈225度角的左下方向流入。此外，針對流入口 13而設(shè)置有多個連接部區(qū)域153，彩色濾光片47從流入口 13向著與水平線呈135度角的左上方向流入。
[0190]需要注意的是，流入口Il與連接部區(qū)域151的角部之間的位置關(guān)系類似于流入口 I與連接部區(qū)域111的角部之間的位置關(guān)系。因此，將會省略說明。流入口 12與連接部區(qū)域152的角部之間的位置關(guān)系以及流入口 13與連接部區(qū)域153的角部之間的位置關(guān)系也同樣如此。
[0191]如上所述，連接部區(qū)域如圖23至圖25中所示那樣被布置于傳感器板2上，以使得彩色濾光片47能夠向著與水平線呈45度角的右上方向流入、向著與水平線呈135度角的左上方向流入、向著與水平線呈225度角的左下方向流入并且向著與水平線呈315度角的右下方向流入。因此，如圖26所示，圍繞著硅片170的中心0、且在彩色濾光片47以45度、135度、225度和315度的角度流入的位置處能夠形成有圖23至圖25中所示的那些類型的傳感器板2之中的一種類型的傳感器板2(在圖26的示例中，布置有圖23的傳感器板2)。
[0192]需要注意的是，在第二實施例中，為了減小流體壓力的差別而形成有連接部區(qū)域。代替這些連接部區(qū)域的是，能夠在傳感器板2上形成四角柱形狀的虛設(shè)部(du_y)。
[0193]第三實施例
[0194]CMOS圖像傳感器的第三實施例的傳感器板的示例性構(gòu)造
[0195]除了傳感器板2有所不同以外，運用了本發(fā)明技術(shù)的CMOS圖像傳感器的第三實施例的構(gòu)造類似于圖1中所示的CM0i5圖像傳感器I的構(gòu)造。因此，以下將會只說明傳感器板2。
[0196]圖27是運用了本發(fā)明技術(shù)的CMOS圖像傳感器的第三實施例的傳感器板的示例性構(gòu)造的圖。
[0197]在圖27所示的部件之中，與圖1中的部件相同的部件用相同的附圖標記表示。將會適當?shù)厥÷灾貜?fù)說明。
[0198]與圖1中的構(gòu)造不同的是，在圖27中所示的傳感器板2上設(shè)置有用于代替連接部區(qū)域9的連接部區(qū)域191。
[0199]連接部區(qū)域191被設(shè)置于圖27中的傳感器板2的周邊區(qū)域5中，以使得連接部區(qū)域191環(huán)繞像素區(qū)域4的各個側(cè)邊。換言之，連接部區(qū)域191在傳感器板2上以環(huán)繞著像素區(qū)域4的方式被形成為環(huán)狀立體。
[0200][連接部區(qū)域的示例性構(gòu)造]
[0201 ]圖28是圖27中所示的連接部區(qū)域191的示例性構(gòu)造的圖。
[0202]在圖28的連接部區(qū)域191中，連接部9a被排列成使得連接部9a的縱向側(cè)邊都布置于一個方向上，并且圍繞著連接部9a而形成有周邊部191b。即使當連接部9a以寬的間隔而被排列著時，連接部9a也沒有被分割為不同的連接部區(qū)域，而是被連接部區(qū)域191中的周邊部191b連接至彼此。換言之，不論連接部9a的排列如何，周邊部191b都延伸得形成圖27中的傳感器板2上的連接部區(qū)域191。
[0203]該形成方式減少了傳感器板2上的連接部區(qū)域的靠近流入口I的角部的數(shù)量，且因此降低了由這些角部上的流體壓力之間的差別造成的彩色濾光片47的不均勻涂布。
[0204]另一方面，如圖29所示，通過將連接部區(qū)域191分割為與像素區(qū)域4的各個側(cè)邊分別對應(yīng)的四個連接部區(qū)域201至204;把與像素區(qū)域4的水平側(cè)邊對應(yīng)地分割出來的連接部區(qū)域201和203中的各者進一步分割為兩個連接部區(qū)域，且使得進一步被分割出來的這兩個連接部區(qū)域中的各者都包括一條水平線上的連接部9a;而且把各水平線中所包含的那些連接部9a之中的以較寬的間隔排列著的連接部9a進一步分割為各個連接部區(qū)域，由此，朝著流入口 I的角部的數(shù)量增多了。
[0205]換言之，當代替連接部區(qū)域191而設(shè)置有連接部區(qū)域201a至201e、202、203a至203e和204時，靠近流入口 I的角部的數(shù)量增多了。這使得由這些角部的流體壓力之間的差別造成的彩色濾光片47的不均勻涂布增多了。
[0206]連接部區(qū)域191的形狀和位置不局限于圖27中的那些形狀和位置。例如，如圖30所示，連接部區(qū)域191能夠被配置成圍住像素區(qū)域4的各個側(cè)邊的外側(cè)?？晒┨娲兀鐖D31所示，連接部區(qū)域191能夠在傳感器板2上被形成為圓角的環(huán)狀立體。
[0207]可供替代地，如圖32所示，連接部區(qū)域191能夠分別布置在像素區(qū)域4的四個側(cè)邊上，并且布置于像素區(qū)域4的水平側(cè)邊上的各個連接部區(qū)域191能夠被分割為在垂直方向上排列的兩個連接部區(qū)域?？晒┨娲?，如圖33所示的連接部區(qū)域191能夠分別布置在像素區(qū)域4的四個側(cè)邊上。
[0208]第四實施例
[0209 ] CXD圖像傳感器的一個實施例的示例性構(gòu)造
[0210]圖34是作為運用了本發(fā)明技術(shù)的固體攝像裝置的CCD圖像傳感器的一個實施例的示例性構(gòu)造的圖。
[0211]如圖34所示，CXD圖像傳感器210是由半導(dǎo)體基板211形成的。半導(dǎo)體基板211包括中央的像素區(qū)域212和設(shè)置于像素區(qū)域212外側(cè)的周邊區(qū)域213。像素區(qū)域212是其中以二維的方式布置有多個像素的區(qū)域，各個像素具有光電轉(zhuǎn)換器。類似于CMOS圖像傳感器I，在各個像素的半導(dǎo)體基板211上形成有彩色濾光片。
[0212]在周邊區(qū)域213中，各自包括不同配線的兩個配線部214作為高度差部而在半導(dǎo)體基板211上被形成為環(huán)狀立體，且這兩個配線部214都環(huán)繞像素區(qū)域212的四個側(cè)邊。這兩個配線部214以預(yù)定的間隔d2被布置著，以使得這兩個配線部214以間隔d2彼此分離。間隔d2大于或等于配線部214的在這兩個配線部214以間隔d2被布置著的方向上的長度。
[0213][由配線部造成的彩色濾光片的不均勻涂布的說明]
[0214]圖35是由配線部214造成的彩色濾光片的不均勻涂布的說明圖。
[0215]在CCD圖像傳感器210中，配線部214以間隔d2被布置著，且因此配線部214的上部的面積是相對小的。于是，如圖35所示，當從配線部214的外側(cè)流入的彩色濾光片的高度差h3是由配線部214造成時，高度差h3是相對小的。
[0216]另一方面，在如圖36中的A所示的半導(dǎo)體基板230中，配線部214以比間隔d2短的零間隔被布置著，且因此在半導(dǎo)體基板231上的周邊區(qū)域233中形成了環(huán)繞著像素區(qū)域232的配線部234。因此，配線部234的上部的面積是相對大的。于是，如圖36中的B所示，當從配線部234的外側(cè)流入的彩色濾光片的高度差h4是由配線部234造成時，高度差h4大于高度差
h3o
[0217]如上所述，在CCD圖像傳感器210中，配線部214以間隔d2被布置著，且因此由配線部214造成的彩色濾光片的高度差h3小于高度差h4。這能夠降低彩色濾光片的不均勻涂布。
[0218]需要注意的是，電阻是依賴于配線部(金屬)的體積而被確定的。雖然兩個配線部214之間的間隔不同于配線部234中的間隔，但是兩個配線部214的體積等于配線部234的體積。因此，即使當形成兩個配線部214以代替配線部234的時，該形成方式也不會造成傳播延遲。
[0219]第五實施例
[0220]電子設(shè)備的一個實施例的示例性構(gòu)造
[0221]圖37是作為運用了本發(fā)明技術(shù)的電子設(shè)備而被描述的攝像設(shè)備的示例性構(gòu)造的框圖。
[0222]圖37中所示的攝像設(shè)備1000例如是攝影機或數(shù)碼相機。攝像設(shè)備1000包括鏡頭組1001、固體攝像元件1002、DSP(數(shù)字信號處理)電路1003、幀存儲器1004、顯示部1005、記錄部1006、操作部1007和電源部1008 ASP電路1003、幀存儲器1004、顯示部1005、記錄部1006、操作部1007和電源部1008通過總線1009而彼此連接。
[0223]鏡頭組1001攝取來自被攝對象的入射光(圖像光)，并且在固體攝像元件1002的成像表面上形成圖像。固體攝像元件1002包括CMOS圖像傳感器I或CCD圖像傳感器210。固體攝像元件1002把被鏡頭組1001用來在成像表面上形成圖像的入射光的光強度以像素為單位轉(zhuǎn)換成電信號，然后將這些電信號作為像素信號提供給DSP電路1003。
[0224]DSP電路1003以預(yù)定的圖像處理方法對從固體攝像元件1002提供過來的像素信號進行處理。然后，DSP電路1003把在圖像處理方法中經(jīng)過處理的圖像信號以幀為單位提供給幀存儲器1004，并且將這些圖像信號以幀為單位而臨時地存儲于幀存儲器1004中。
[°225] 顯示部1005包括具有例如液晶面板或有機電致發(fā)光(EL:Electro Luminescence)面板的面板顯示裝置，以便基于以幀為單位而臨時地存儲于幀存儲器1004中的像素信號來顯示圖像。
[0226]記錄部1006包括例如數(shù)字式多用盤(DVD:Digital Versatile Disk)或閃存，以便讀取和記錄以幀為單位而臨時地存儲于幀存儲器1004中的像素信號。
[0227]操作部1007在用戶的操作下發(fā)出與攝像設(shè)備1000所具有的各種功能相關(guān)的操作指令。電源部1008適當?shù)叵駾SP電路1003、幀存儲器1004、顯示部1005、記錄部1006和操作部1007提供電力。
[0228]運用了本技術(shù)的電子設(shè)備只需要是將固體攝像裝置用在圖像攝取部(光電轉(zhuǎn)換器)中的電子設(shè)備。本發(fā)明適用的電子設(shè)備不僅可以是攝像設(shè)備1000，而且可以是例如具有攝像功能的移動終端設(shè)備或?qū)⒐腆w攝像裝置用在圖像讀取部中的復(fù)印機。
[0229]這里所說明的效果僅僅是示例。本發(fā)明的效果不局限于上述效果，并且能夠包括其他效果。
[0230]此外，本發(fā)明的實施例不局限于上述各實施例，并且能夠在不脫離本發(fā)明的主旨的情況下對本發(fā)明的實施例做出各種改變。
[0231 ]例如，雖然在上述說明中周邊部9b的側(cè)面被形成為錐形，但是周邊部9b的膜厚不一定需要發(fā)生改變，或者可以分階段地變薄。當周邊部9b的側(cè)面具有錐形時，彩色濾光片47更順暢地流入。這能夠進一步降低彩色濾光片47的不均勻涂布。
[0232]本發(fā)明還能夠被應(yīng)用于具有層結(jié)構(gòu)的前側(cè)照射型CMOS圖像傳感器。
[0233]當?shù)诙嵤├偷谌龑嵤├械倪B接部區(qū)域的構(gòu)造被應(yīng)用于CCD圖像傳感器中的配線部時，能夠降低彩色濾光片的不均勻涂布。
[0234]第一實施例至第三實施例中的連接部的構(gòu)造能夠是共用型接觸結(jié)構(gòu)。日本專利申請?zhí)亻_第2013-80813號公報中說明了該共用型接觸結(jié)構(gòu)的示例。
[0235]本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)下列技術(shù)方案。
[0236](I) 一種固體攝像裝置，它包括:
[0237]彩色濾光片，它被形成于第一基板上；以及
[0238]多個第一高度差部，它們被形成于所述第一基板上，
[0239]其中，所述第一高度差部中的至少一個第一高度差部被布置成與其他第一高度差部以第一間隔分離。
[0240](2)根據(jù)(I)所述的固體攝像裝置，其中，所述第一高度差部在所述至少一個第一高度差部與其他第一高度差部以所述第一間隔分離的方向上具有長度，所述第一間隔大于或等于所述長度。
[0241](3)根據(jù)(I)或(2)所述的固體攝像裝置，其中，所述多個第一高度差部被配置成使所述第一基板與第二基板電連接。
[0242](4)根據(jù)(3)所述的固體攝像裝置，其中，所述多個第一高度差部中的各個第一高度差部都被排列成與其他第一高度差部以所述第一間隔分離。
[0243 ] (5)根據(jù)(4)所述的固體攝像裝置，它還包括:
[0244]第二高度差部，它被形成于所述第一基板上，
[0245]其中，所述第二高度差部被布置成在與所述第一高度差部的排列方向垂直的方向上與所述第一高度差部以第二間隔分離，所述第二間隔小于所述第一間隔。
[0246](6)—種固體攝像裝置制造方法，它包括用于制造固體攝像裝置的步驟，所述固體攝像裝置包括:
[0247]彩色濾光片，它被形成于第一基板上；以及
[0248]多個第一高度差部，它們被形成于所述第一基板上，
[0249]其中，將所述多個第一高度差部中的至少一個第一高度差部布置成與其他第一高度差部以第一間隔分咼。
[0250](7) 一種電子設(shè)備，它包括:
[0251 ]彩色濾光片，它被形成于第一基板上；以及
[0252]多個第一高度差部，它們被形成于所述第一基板上，
[0253]其中，所述多個第一高度差部中的至少一個第一高度差部被布置成與其他第一高度差部以第一間隔分咼。
[0254](8) —種固體攝像裝置，它包括:
[0255]彩色濾光片，它被形成于第一基板上；以及
[0256]多個第一高度差部，它們在所述第一基板上且被形成為四角柱，
[0257]其中，所述多個第一高度差部中的預(yù)定第一高度差部被布置成使得:
[0258]如下三個部分被排列于一條直線上:所述預(yù)定第一高度差部的四個角部之中的最靠近第一位置的第一角部;第二個第一高度差部的四個角部之中的第二角部，該第二角部與所述第二個第一高度差部的四個角部之中的最靠近所述第一位置的第三角部都位于所述第二個第一高度差部的第一側(cè);及所述第一位置，并且
[0259]如下三個部分被排列于一條直線上:所述預(yù)定第一高度差部的四個角部之中的第四角部，該第四角部與所述預(yù)定第一高度差部的四個角部之中的最靠近所述第一位置的所述第一角部都位于所述預(yù)定第一高度差部的第二側(cè);所述第二個第一高度差部的四個角部之中的最靠近所述第一位置的所述第三角部;及所述第一位置。
[0260 ] (9)根據(jù)(8)所述的固體攝像裝置，
[0261 ]其中，所述多個第一高度差部被配置成使所述第一基板和第二基板連接。
[0262](10)根據(jù)(8)或(9)所述的固體攝像裝置，
[0263]所述多個第一高度差部中的每個第一高度差部都被布置成使得:
[0264]如下三個部分被排列于一條直線上:該第一高度差部的四個角部之中的最靠近所述第一位置的角部；另一個第一高度差部的四個角部之中的一個角部，這個角部與所述另一個第一高度差部的四個角部之中的最靠近所述第一位置的角部位于所述另一個第一高度差部的同一側(cè);及所述第一位置，并且
[0265]如下三個部分被排列于一條直線上:該第一高度差部的四個角部之中的一個角部，這個角部與該第一高度差部的四個角部之中的最靠近所述第一位置的所述角部位于同一側(cè);所述另一個第一高度差部的四個角部之中的最靠近所述第一位置的所述角部;及所述第一位置。
[0266](11)根據(jù)(8)至(10)中任一項所述的固體攝像裝置，它還包括:
[0267]多個第二高度差部，它們在所述第一基板上且被形成為四角柱，
[0268]其中，所述多個第二高度差部中的預(yù)定第二高度差部被布置成使得:
[0269]如下三個部分被排列于一條直線上:所述預(yù)定第二高度差部的四個角部之中的最靠近第二位置的第五角部;第二個第二高度差部的第六角部，該第六角部與所述第二個第二高度差部的四個角部之中的最靠近所述第二位置的第七角部都位于所述第二個第二高度差部的第三側(cè);及所述第二位置，并且
[0270]如下三個部分被排列于一條直線上:所述預(yù)定第二高度差部的四個角部之中的第八角部，該第八角部與所述預(yù)定第二高度差部的四個角部之中的最靠近所述第二位置的所述第五角部都位于所述預(yù)定第二高度差部的第四側(cè);所述第二個第二高度差部的四個角部之中的最靠近所述第二位置的所述第七角部;及所述第二位置。
[0271](12)根據(jù)(11)所述的固體攝像裝置，其中，所述多個第二高度差部中的每個第二高度差部都被布置成使得:
[0272]如下三個部分被排列于一條直線上:該第二高度差部的四個角部之中的最靠近所述第二位置的角部；另一個第二高度差部的四個角部之中的一個角部，這個角部與所述另一個第二高度差部的最靠近所述第二位置的角部位于同一側(cè);及所述第二位置，并且
[0273]如下三個部分被排列于一條直線上:該第二高度差部的四個角部之中的一個角部，這個角部與該第二高度差部的四個角部之中的最靠近所述第二位置的所述角部位于同一側(cè);所述另一個第二高度差部的四個角部之中的最靠近所述第二位置的所述角部;及所述第二位置。
[0274](13) —種固體攝像裝置，它包括:
[0275]彩色濾光片，它被形成于第一基板上；以及
[0276]高度差部，它在所述第一基板上且被形成為環(huán)狀立體，并且所述高度差部環(huán)繞所述彩色濾光片。
[0277](14)根據(jù)(13)所述的固體攝像裝置，其中，所述高度差部被配置成使所述第一基板和第二基板電連接。
[0278]附圖標記列表
[0279]1: CMOS圖像傳感器
[0280]2:傳感器板
[0281]3:電路板
[0282]9:連接部區(qū)域
[0283]47:彩色濾光片
[0284]91至95、111、191:連接部區(qū)域
[0285]210: CCD圖像傳感器
[0286]214:配線部
[0287]1000:攝像設(shè)備
【主權(quán)項】
1.一種固體攝像裝置，其包括: 彩色濾光片，所述彩色濾光片被形成于第一基板上；以及 多個第一高度差部，所述多個第一高度差部被形成于所述第一基板上， 其中，所述多個第一高度差部中的至少一個第一高度差部被布置成與其他第一高度差部以第一間隔分離。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，其中，所述第一高度差部在所述至少一個第一高度差部與其他第一高度差部以所述第一間隔分離的方向上具有長度，所述第一間隔大于或等于所述長度。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體攝像裝置，其中，所述多個第一高度差部被配置成使所述第一基板與第二基板電連接。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的固體攝像裝置，其中，所述多個第一高度差部中的各個第一高度差部都被排列成與其他第一高度差部以所述第一間隔分離。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的固體攝像裝置，其還包括: 第二高度差部，所述第二高度差部被形成于所述第一基板上， 其中，所述第二高度差部被布置成在與所述第一高度差部的排列方向垂直的方向上與所述第一高度差部以第二間隔分離，所述第二間隔小于所述第一間隔。6.—種固體攝像裝置制造方法，其包括用于制造固體攝像裝置的步驟，所述固體攝像裝置包括: 彩色濾光片，所述彩色濾光片被形成于第一基板上；以及 多個第一高度差部，所述多個第一高度差部被形成于所述第一基板上， 其中，將所述多個第一高度差部中的至少一個第一高度差部布置成與其他第一高度差部以第一間隔分離。7.—種電子設(shè)備，其包括: 彩色濾光片，所述彩色濾光片被形成于第一基板上；以及 多個第一高度差部，所述多個第一高度差部被形成于所述第一基板上， 其中，所述多個第一高度差部中的至少一個第一高度差部被布置成與其他第一高度差部以第一間隔分離。8.—種固體攝像裝置，其包括: 彩色濾光片，所述彩色濾光片被形成于第一基板上；以及 多個第一高度差部，所述多個第一高度差部在所述第一基板上且被形成為四角柱， 其中，所述多個第一高度差部中的預(yù)定第一高度差部被布置成使得: 如下三個部分被排列于一條直線上:所述預(yù)定第一高度差部的四個角部之中的最靠近第一位置的第一角部;第二個第一高度差部的四個角部之中的第二角部，該第二角部與所述第二個第一高度差部的四個角部之中的最靠近所述第一位置的第三角部都位于所述第二個第一高度差部的第一側(cè);及所述第一位置，并且 如下三個部分被排列于一條直線上:所述預(yù)定第一高度差部的四個角部之中的第四角部，該第四角部與所述預(yù)定第一高度差部的四個角部之中的最靠近所述第一位置的所述第一角部都位于所述預(yù)定第一高度差部的第二側(cè);所述第二個第一高度差部的四個角部之中的最靠近所述第一位置的所述第三角部;及所述第一位置。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的固體攝像裝置，其中，所述多個第一高度差部被配置成使所述第一基板與第二基板連接。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的固體攝像裝置，其中，所述多個第一高度差部中的每個第一高度差部都被布置成使得: 如下三個部分被排列于一條直線上:該第一高度差部的四個角部之中的最靠近所述第一位置的角部；另一個第一高度差部的四個角部之中的一個角部，這個角部與所述另一個第一高度差部的四個角部之中的最靠近所述第一位置的角部位于所述另一個第一高度差部的同一側(cè);及所述第一位置，并且 如下三個部分被排列于一條直線上:該第一高度差部的四個角部之中的一個角部，這個角部與該第一高度差部的四個角部之中的最靠近所述第一位置的所述角部位于同一側(cè)；所述另一個第一高度差部的四個角部之中的最靠近所述第一位置的所述角部;及所述第一位置。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的固體攝像裝置，其還包括: 多個第二高度差部，所述多個第二高度差部在所述第一基板上且被形成為四角柱， 其中，所述多個第二高度差部中的預(yù)定第二高度差部被布置成使得: 如下三個部分被排列于一條直線上:所述預(yù)定第二高度差部的四個角部之中的最靠近第二位置的第五角部;第二個第二高度差部的第六角部，該第六角部與所述第二個第二高度差部的四個角部之中的最靠近所述第二位置的第七角部都位于所述第二個第二高度差部的第三側(cè);及所述第二位置，并且 如下三個部分被排列于一條直線上:所述預(yù)定第二高度差部的四個角部之中的第八角部，該第八角部與所述預(yù)定第二高度差部的四個角部之中的最靠近所述第二位置的所述第五角部都位于所述預(yù)定第二高度差部的第四側(cè);所述第二個第二高度差部的四個角部之中的最靠近所述第二位置的所述第七角部;及所述第二位置。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的固體攝像裝置，其中，所述多個第二高度差部中的每個第二高度差部都被布置成使得: 如下三個部分被排列于一條直線上:該第二高度差部的四個角部之中的最靠近所述第二位置的角部；另一個第二高度差部的四個角部之中的一個角部，這個角部與所述另一個第二高度差部的最靠近所述第二位置的角部位于同一側(cè);及所述第二位置，并且 如下三個部分被排列于一條直線上:該第二高度差部的四個角部之中的一個角部，這個角部與該第二高度差部的四個角部之中的最靠近所述第二位置的所述角部位于同一側(cè)；所述另一個第二高度差部的四個角部之中的最靠近所述第二位置的所述角部;及所述第二位置。13.—種固體攝像裝置，其包括: 彩色濾光片，所述彩色濾光片被形成于第一基板上；以及 高度差部，所述高度差部在所述第一基板上且被形成為環(huán)狀立體，并且所述高度差部環(huán)繞所述彩色濾光片。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的固體攝像裝置，其中，所述高度差部被配置成使所述第一基板和第二基板電連接。
【文檔編號】H04N9/07GK106062955SQ201580011344
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2015年2月24日 公開號201580011344.5, CN 106062955 A, CN 106062955A, CN 201580011344, CN-A-106062955, CN106062955 A, CN106062955A, CN201580011344, CN201580011344.5, PCT/2015/55141, PCT/JP/15/055141, PCT/JP/15/55141, PCT/JP/2015/055141, PCT/JP/2015/55141, PCT/JP15/055141, PCT/JP15/55141, PCT/JP15055141, PCT/JP1555141, PCT/JP2015/055141, PCT/JP2015/55141, PCT/JP2015055141, PCT/JP201555141
【發(fā)明人】桝田佳明, 水田恭平, 井上啟司, 筱崎明
【申請人】索尼公司