曝光裝置及曝光方法
【專利摘要】本發(fā)明使用帶電粒子束使平臺的移動誤差降低而形成復(fù)雜且微細的圖案。本發(fā)明提供一種曝光裝置及曝光方法，該曝光裝置具備：射束產(chǎn)生部，產(chǎn)生帶電粒子束；平臺部，搭載樣品，并使該樣品相對于射束產(chǎn)生部相對性地移動；檢測部，對平臺部的位置進行檢測；預(yù)測部，基于平臺部的檢測位置而生成預(yù)測平臺部的驅(qū)動量所得的預(yù)測驅(qū)動量；及照射控制部，基于預(yù)測驅(qū)動量而進行向樣品照射帶電粒子束的照射控制。
【專利說明】
曝光裝置及曝光方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及一種曝光裝置及曝光方法。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，已知有一種互補光刻法，利用使用電子束等帶電粒子束的曝光技術(shù)對線寬為數(shù)十納米左右的利用光學(xué)曝光技術(shù)而形成的單純的線圖案進行加工，由此形成微細的配線圖案(例如，參照專利文獻I及2)。另外，也已知有一種使用多個帶電粒子束的多射束曝光技術(shù)(例如，參照專利文獻3及4)。
[0003]專利文獻I:日本專利特開2013-16744號公報
[0004]專利文獻2:日本專利特開2013-157547號公報
[0005]專利文獻3:美國專利第7276714號說明書
[0006]專利文獻4:日本專利特開2013-93566號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007][發(fā)明要解決的問題]
[0008]然而，在這種方法中，如果使用將多個帶電粒子束照射至圖案的多射束曝光技術(shù)，那么難以利用該多射束對以不同的線寬及不同的間距形成的線圖案進行加工。另一方面，也存在僅對相同線寬且相同間距的單純的線圖案進行加工無法應(yīng)對應(yīng)制作的半導(dǎo)體裝置的圖案的情況，從而期待能對以不同的線寬及不同的間距形成的線圖案進行加工的技術(shù)。另外，雖然較理想為使樣品相對于帶電粒子束以預(yù)先設(shè)定的相對速度而移動，但實際上會產(chǎn)生移動誤差等，因此該移動誤差成為曝光位置及曝光量的誤差的因素。
[0009][解決問題的技術(shù)手段]
[0010]在本發(fā)明的第I方式中提供一種曝光裝置，具備:射束產(chǎn)生部，產(chǎn)生帶電粒子束;平臺部，搭載樣品，并使該樣品相對于射束產(chǎn)生部相對性地移動;檢測部，對平臺部的位置進行檢測;預(yù)測部，基于平臺部的檢測位置，而生成預(yù)測平臺部的驅(qū)動量所得的預(yù)測驅(qū)動量；及照射控制部，基于預(yù)測驅(qū)動量而進行向樣品照射帶電粒子束的照射控制。
[0011]在本發(fā)明的第2方式中提供一種曝光方法，其是向樣品照射帶電粒子束的曝光方法，且具備:射束產(chǎn)生階段，射束產(chǎn)生部產(chǎn)生帶電粒子束;移動階段，搭載有樣品的平臺部使該樣品相對于射束產(chǎn)生部而相對性地移動；檢測階段，對平臺部的位置進行檢測；預(yù)測階段，基于平臺部的檢測位置，而生成預(yù)測平臺部的驅(qū)動量所得的預(yù)測驅(qū)動量；照射控制階段，基于預(yù)測驅(qū)動量而進行向樣品照射帶電粒子束的照射控制;及偏向階段，基于與預(yù)測驅(qū)動量對應(yīng)的平臺部的預(yù)測位置與檢測位置的差量而使帶電粒子束偏向。
[0012]在本發(fā)明的第3方式中提供一種曝光方法，其是向樣品照射帶電粒子束的曝光方法，且包括:射束產(chǎn)生階段，射束產(chǎn)生部產(chǎn)生帶電粒子束;移動階段，搭載有樣品的平臺部使該樣品相對于射束產(chǎn)生部而相對性地移動；檢測階段，對平臺部的位置進行檢測，預(yù)測階段，基于平臺部的檢測位置而生成預(yù)測平臺部的驅(qū)動量所得的預(yù)測驅(qū)動量;及照射控制階段，基于預(yù)測驅(qū)動量而進行向樣品照射帶電粒子束的照射控制；照射控制階段基于平臺部的移動速度與平臺部的預(yù)測移動速度的差而控制帶電粒子束的照射量。
[0013]此外，上述發(fā)明的概要并未列舉出本發(fā)明的全部特征。另外，這些特征群的子組合也可成為發(fā)明。
【附圖說明】
[0014]圖1表示本實施方式的曝光裝置100的第I構(gòu)成例。
[0015]圖2表不本實施方式的曝光裝置100掃描陣列射束而形成在樣品10的表面的一部分上的能夠照射區(qū)域200的一例。
[0016]圖3表示本實施方式的曝光裝置100的動作流程。
[0017]圖4表示應(yīng)該形成在樣品10上的切割圖案的信息的一例。
[0018]圖5表示本實施方式的掃描控制部190將陣列射束的照射位置移動至圖框的開始點的情況的一例。
[0019]圖6表不本實施方式的選擇部160的一例。
[0020]圖7表示本實施方式的曝光控制部140向消隱電極64供給的控制信號的時序圖的一例。
[0021 ]圖8表不形成在樣品10的表面的線圖案802的一例。
[0022]圖9表不形成在樣品10的表面的配線圖案900的一例。
[0023]圖10表示形成有不同的線寬及不同的線間隔的線圖案的樣品10的一例。
[0024]圖11表示使本實施方式的電子束的照射區(qū)域502與格柵800對應(yīng)而配置的例子。
[0025]圖12表示本實施方式的照射控制部170所生成的調(diào)節(jié)切割圖案的曝光量的控制信號的一例。
[0026 ]圖13表示執(zhí)行圖12所示的時序圖所示的曝光量控制的選擇部160的構(gòu)成例。
[0027]圖14表示本實施方式的消隱部60的一例。
[0028]圖15表示本實施方式的曝光裝置100的第2構(gòu)成例。
[0029]圖16表示第2構(gòu)成例中的掃描控制部190及預(yù)測部1000的一例。
[0030]圖17表示本實施方式的曝光裝置100的動作流程的一部分的第I例。
[0031 ]圖18表示本實施方式的曝光裝置100的動作流程的一部分的第2例。
[0032]圖19表示本實施方式的曝光裝置100的動作流程的一部分的第3例。
[0033]圖20表示本實施方式的曝光裝置100的變化例。
[0034][符號的說明]
[0035]10樣品
[0036]20電子槍
[0037]30孔徑板
[0038]32開口
[0039]40射束形狀變形部
[0040]50孔徑陣列[0041 ]52 開口
[0042]60 消隱部
[0043]62開口
[0044]62a第 I 開口
[0045]62b第 2開口
[0046]64消隱電極
[0047]64a第I消隱電極
[0048]64b第2消隱電極
[0049]66共用電極
[0050]68電極配線[0051 ]70擋板
[0052]72開口
[0053]80偏向部
[0054]90外部存儲部
[0055]100曝光裝置
[0056]HO平臺部
[0057]114檢測部
[0058]120圓柱部
[0059]130CPU
[0060]132總線
[0061]140曝光控制部
[0062]150存儲部
[0063]160選擇部
[0064]162數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路
[0065]164射束選擇電路
[0066]166經(jīng)過時間運算電路
[0067]168曝光量調(diào)整電路
[0068]170照射控制部
[0069]172放大器
[0070]180偏向量決定部
[0071]182偏向部驅(qū)動電路
[0072]190掃描控制部
[0073]192平臺驅(qū)動電路
[0074]200能夠照射區(qū)域
[0075]210照射位置
[0076]220區(qū)域
[0077]232第 I 圖框
[0078]234第 2 圖框
[0079]236第 3 圖框
[0080]400格柵[0081 ]402線圖案
[0082]410第 I 圖案
[0083]412、414、416、418圖案
[0084]420第 2 圖案
[0085]422、424圖案
[0086]430第 3 圖案
[0087]432、434、436、438圖案
[0088]500陣列射束
[0089]502照射區(qū)域
[0090]800格柵
[0091]802、804、806線圖案
[0092]810、820、830、832切割圖案
[0093]900配線圖案
[0094]1000預(yù)測部
[0095]1010速度計算部
[0096]1020軌道預(yù)測部
[0097]1902差量檢測部
[0098]1904偏向修正量計算部
[0099]1906延遲時間修正部
[0100]1908時間幀信號產(chǎn)生部
【具體實施方式】
[0101]以下，通過發(fā)明的實施方式對本發(fā)明進行說明，但以下的實施方式并不限定本發(fā)明。另外，實施方式中所說明的特征的所有組合并不固定為發(fā)明的解決手段所必需。
[0102]圖1表示本實施方式的曝光裝置100的第I構(gòu)成例。曝光裝置100對與基于預(yù)先設(shè)定的格柵而以不同的線寬及不同的間距形成的樣品上的線圖案對應(yīng)的位置，照射具有與該格柵對應(yīng)的照射區(qū)域的帶電粒子束而將該線圖案曝光。曝光裝置100具備平臺部110、檢測部114、圓柱部120、CPU130、及曝光控制部140。
[0103]平臺部110載置樣品10并使樣品10移動。此處，樣品10可為由半導(dǎo)體、玻璃、及/或陶瓷等所形成的基板，作為一例，該樣品10是由硅等所形成的半導(dǎo)體晶片。樣品10是利用金屬等導(dǎo)電體而在表面形成有線圖案的基板。本實施方式的曝光裝置100為了將該線圖案切斷來進行微細的加工(電極、配線、及/或通孔等的形成)，而將形成在該線圖案上的抗蝕劑曝光。
[0104]平臺部110搭載樣品1，并使該樣品1在圖1所示的XY平面上移動。平臺部110可為XY平臺，另外，除了 XY平臺以外，也可與Z平臺、旋轉(zhuǎn)平臺、及傾斜平臺中的I個以上組合。
[0105]平臺部110將形成在樣品10上的線圖案的較長方向設(shè)為預(yù)先設(shè)定的方向而使樣品10移動。平臺部110是以線圖案的較長方向成為與例如X方向或Y方向等平臺的移動方向大致平行的方式搭載樣品10。對如下例子進行說明:本實施方式的平臺部110是在圖1中沿著X方向及Y方向移動的XY平臺，且是以線圖案的較長方向與X方向大致平行的方式搭載樣品10。
[0106]檢測部114對平臺部110的位置進行檢測。作為一例，檢測部114對移動的平臺照射激光，通過檢測反射光而檢測該平臺的位置。較理想為，檢測部114以大致Inm以下的精度檢測平臺的位置。
[0107]圓柱部120對載置在平臺部110的樣品10，照射具有電子及離子的帶電粒子束。在本實施方式中，對圓柱部120照射電子束的例子進行說明。本實施方式的圓柱部120是在形成在樣品10上的線圖案的寬度方向產(chǎn)生照射位置不同的多個帶電粒子束的射束產(chǎn)生部。圓柱部120具有電子槍20、孔徑板30、射束形狀變形部40、孔徑陣列50、消隱部60、擋板70、及偏向部80。
[0108]電子槍20通過電場或熱而放出電子，并對該放出的電子施加預(yù)先設(shè)定的電場，使該電子沿著成為圖1的-Z方向的樣品10的方向加速而以電子束的形式輸出。電子槍20可施加預(yù)先設(shè)定的加速電壓(作為一例為50keV)而輸出電子束。電子槍20可從與XY平面平行的樣品10的表面設(shè)置在與Z軸平行的垂線上。
[0109]孔徑板30設(shè)置在電子槍20與樣品10之間，屏蔽電子槍20所放出的電子束的一部分。作為一例，孔徑板30具有圓形的開口 32，利用該開口 32而屏蔽一部分電子束，并使剩余的電子束通過。開口 32的中心能以與連接電子槍20和樣品10的垂線相交的方式而形成。也就是說，孔徑板30使從電子槍20放出的電子束中預(yù)先設(shè)定的放出角度以內(nèi)的電子束通過。
[0110]射束形狀變形部40設(shè)置在孔徑板30與樣品10之間，使通過孔徑板30的電子束的大致圓形的截面形狀變形。射束形狀變形部40例如可為靜電四極電極等電子透鏡，使電子束的截面形狀變成橢圓等向單向延伸的截面形狀。在圖1的例子中，射束形狀變形部40使電子束的截面形狀變成沿著與Y軸平行的方向延伸的截面形狀。
[0111]孔徑陣列50設(shè)置在射束形狀變形部40與樣品10之間，屏蔽通過射束形狀變形部40而變形的截面形狀的電子束的一部分?？讖疥嚵?0具有沿單向排列的多個開口 52，利用該多個開口 52而屏蔽一部分電子束，并使剩余的電子束通過。
[0112]在圖1的例子中，多個開口52是在與Y軸平行的方向上隔開預(yù)先設(shè)定的間隔而排列，并且是以由沿著與Y軸平行的方向延伸的截面形狀的電子束形成多個電子束的方式切割而成。孔徑陣列50使所輸入的電子束以與多個開口 52對應(yīng)的陣列狀電子束群(在本實施例中，設(shè)定為陣列射束)的形式輸出。
[0113]消隱部60設(shè)置在孔徑陣列50與樣品10之間，對是否使孔徑陣列50所輸出的多個帶電粒子束的各者照射至樣品10進行切換。也就是說，消隱部60分別對是否使陣列射束的各者偏向于與樣品10的方向不同的方向進行切換。消隱部60對應(yīng)于陣列射束的各者，而具有沿單向排列的多個開口 62、及對該多個開口 62內(nèi)施加電場的多個消隱電極64。
[0114]在圖1的例子中，多個開口62在與Y軸平行的方向上隔開預(yù)先設(shè)定的間隔而排列，使陣列射束的各者個別地通過。例如，在不對消隱電極64供給電壓的情況下，在對應(yīng)的開口62內(nèi)不產(chǎn)生施加于電子束的電場，因此入射至該開口 62的電子束未偏向而朝著樣品10的方向通過(成為射束ON狀態(tài))。另外，在對消隱電極64供給電壓的情況下，在對應(yīng)的開口 62內(nèi)產(chǎn)生電場，因此入射至該開口 62的電子束偏向于與沿著樣品10的方向而通過的方向不同的方向(成為射束OFF狀態(tài))。
[0115]擋板70設(shè)置在消隱部60與樣品10之間，屏蔽經(jīng)消隱部60偏向的電子束。擋板70具有開口 72。開口 72可具有向單向延伸的大致橢圓或大致長方形的形狀，開口 72的中心能以與連接電子槍20和樣品10的直線相交的方式而形成。在圖1的例子中，開口72具有沿著與Y軸平行的方向延伸的形狀。
[0116]開口 72使未經(jīng)消隱部60偏向而通過的電子束通過，并阻止經(jīng)消隱部60偏向的電子束的前進。也就是說，圓柱部120使消隱部60及擋板70組合而控制供給至消隱電極64的電壓，由此能對是(射束ON(接通)狀態(tài))否(射束OFF(斷開)狀態(tài))將陣列射束中所包含的各個電子束照射至樣品10進行切換(實施消隱動作)。
[0117]偏向部80設(shè)置在擋板70與樣品10之間，使多個帶電粒子束偏向而調(diào)整照射至樣品1的陣列射束的照射位置。偏向部80具有偏向器，以使陣列射束偏向而調(diào)整該陣列射束的照射位置，該偏向器對通過的電子束施加與所輸入的驅(qū)動信號對應(yīng)的電場而使該電子束偏向。另外，偏向部80也可具有I個或多個電磁線圈，對陣列射束施加磁場而調(diào)整該陣列射束的照射位置。
[0118]以上的本實施方式的圓柱部120生成沿著預(yù)先設(shè)定的方向而排列的多個電子束，并對是否將各電子束照射至樣品10進行切換。在圓柱部120中，多個電子束的排列方向是由射束形狀變形部40使射束截面形狀變形的方向、孔徑陣列50的多個開口52的排列方向、消隱部60的多個開口 62及對應(yīng)的消隱電極64的排列方向等決定。
[0119]如果使這些方向與正交于平臺部110的移動方向的線圖案的寬度方向大體一致，那么由于平臺部110是以使該移動方向與樣品10上的線圖案的較長方向大體一致的方式搭載樣品10，所以圓柱部120沿著該線圖案的寬度方向產(chǎn)生照射位置不同的多個電子束。在本實施方式中，對圓柱部120照射如下陣列射束的例子進行說明，所述陣列射束排列在相對于與X方向大致平行的線圖案垂直的方向即Y方向。
[0120]CPU130對曝光裝置100整體的動作進行控制。CPU130可具有輸入來自使用者的操作指示的輸入終端的功能。CPU130可為電腦或工作站等。CPU130連接于曝光控制部140，根據(jù)使用者的輸入而控制曝光裝置100的曝光動作。作為一例，CPU130經(jīng)由總線132而與曝光控制部140所具有的各部分別連接，收發(fā)控制信號等。
[0121]曝光控制部140連接于平臺部110及圓柱部120，根據(jù)從CPU130接收的控制信號等而控制平臺部110及圓柱部120來執(zhí)行樣品1的曝光動作。另外，曝光控制部140可經(jīng)由總線132而與外部存儲部90連接，收發(fā)存儲在外部存儲部90中的圖案的數(shù)據(jù)等。代替此，外部存儲部90也可直接連接于CPU130。代替此，曝光控制部140也可在內(nèi)部具有存儲圖案數(shù)據(jù)等的存儲部。曝光控制部140具有存儲部150、選擇部160、照射控制部170、偏向量決定部180、及掃描控制部190。
[0122]存儲部150分別存儲曝光裝置100曝光的圖案即切割圖案以用于切斷形成在樣品10上的線圖案，另外，存儲曝光裝置100曝光的圖案即通孔圖案以用于在樣品10上形成通孔。存儲部150例如從外部存儲部90接收切割圖案及通孔圖案的信息并加以存儲。另外，存儲部150也可經(jīng)由CPU130來接收由使用者輸入的切割圖案及通孔圖案的信息并加以存儲。
[0123]另外，存儲部150存儲樣品10的配置信息及形成在樣品10上的線圖案的配置信息。存儲部150可在進入曝光動作之前，存儲預(yù)先測定的測定結(jié)果來作為配置信息。存儲部150可存儲例如樣品10的縮率(制造制程所致的變形誤差)、(搬送等所致的)旋轉(zhuǎn)誤差、基板等的形變、及高度分布等成為定位誤差的因素的信息來作為樣品10的配置信息。
[0124]另外，存儲部150存儲與陣列射束的照射位置和線圖案的位置之間的位置偏移相關(guān)的信息來作為線圖案的配置信息。較理想的是，存儲部150將樣品10的配置信息及線圖案的配置信息，即通過對載置在平臺部110上的樣品10進行測量而取得的信息作為配置信息來加以存儲。代替此，存儲部150也可存儲樣品10的過去的測定結(jié)果、或同一批次的其他樣品的測定結(jié)果等。
[0125]選擇部160連接于存儲部150，讀出切割圖案及通孔圖案的信息而判別線圖案上的較長方向的照射位置的指定。選擇部160在線圖案上的較長方向的指定的照射位置，選擇圓柱部120所產(chǎn)生的多個帶電粒子束中應(yīng)該照射至樣品10的至少I個帶電粒子束。選擇部160基于切割圖案及通孔圖案的信息而選擇陣列射束中應(yīng)該照射的電子束，并將選擇結(jié)果供給至照射控制部170。
[0126]照射控制部170連接于選擇部160，接收選擇部160的選擇結(jié)果。照射控制部170連接于圓柱部120，以使所選擇的至少I個帶電粒子束向樣品10照射的方式對圓柱部120進行控制。照射控制部170經(jīng)由放大器172，而對消隱部60的消隱電極64供給切換電子束的ON狀態(tài)及OFF狀態(tài)的信號。放大器172可包含具有預(yù)先設(shè)定的放大度的放大電路。
[0127]偏向量決定部180連接于存儲部150，讀出樣品10的配置信息及線圖案的配置信息，根據(jù)樣品10的位置誤差及陣列射束的照射位置誤差的信息而計算出應(yīng)該對陣列射束的照射位置加以調(diào)整的調(diào)整量，并決定與該調(diào)整量對應(yīng)的偏向量。偏向量決定部180連接于圓柱部120，基于所決定的偏向量而調(diào)整陣列射束的照射位置。偏向量決定部180經(jīng)由偏向部驅(qū)動電路182而將根據(jù)所決定的偏向量來使陣列射束偏向的控制信號供給至偏向部80。此處，偏向部驅(qū)動電路182將與從偏向量決定部180輸出的偏向量對應(yīng)的控制信號轉(zhuǎn)換成輸入至偏向部80的驅(qū)動信號。
[0128]掃描控制部190連接于平臺部110，使多個帶電粒子束的照射位置沿著線圖案的較長方向掃描。本實施方式中的掃描控制部190通過使搭載樣品1的平臺部110與X方向大致平行地移動，而使陣列射束沿著線圖案的較長方向掃描。掃描控制部190經(jīng)由平臺驅(qū)動電路192而供給使平臺部110移動的控制信號。平臺驅(qū)動電路192將與從掃描控制部190輸出的移動方向及移動量對應(yīng)的控制信號轉(zhuǎn)換成平臺部110的對應(yīng)的驅(qū)動信號。
[0129]掃描控制部190連接于檢測部114，接收平臺部110的平臺位置的檢測結(jié)果。掃描控制部190可基于檢測結(jié)果而取得平臺部110實際移動的移動量及平臺的位置誤差(也就是移動誤差)等，并將其反饋給平臺部110的移動控制。另外，掃描控制部190可連接于偏向量決定部180，根據(jù)由平臺部110所致的樣品10的移動誤差而調(diào)整帶電粒子束的通過路徑。
[0130]另外，掃描控制部190分別連接于選擇部160及照射控制部170，將平臺部110的位置信息供給至選擇部160及照射控制部170。照射控制部170基于平臺部110的位置信息而取得對樣品10的線圖案照射陣列射束的時序。
[0131]另外，掃描控制部190以使陣列射束的照射位置也沿著線圖案的寬度方向移動而使樣品10的表面上的預(yù)先設(shè)定的區(qū)域為陣列射束的能夠照射區(qū)域的方式使陣列射束的照射位置掃描。使用圖2對掃描控制部190掃描陣列射束的一例進行說明。
[0132]表不本實施方式的曝光裝置100掃描陣列射束而形成在樣品10的表面的一部分上的能夠照射區(qū)域200的一例。圖2表示與XY面大致平行的樣品10的表面，以fw表示曝光裝置100所照射的陣列射束的沿著Y方向(線圖案的寬度方向)排列的多個電子束整體的射束寬。此處，作為一例，射束寬fw大致為30μηι。
[0133]掃描控制部190在維持帶電粒子束的通過路徑的狀態(tài)下，通過平臺部110使樣品10向線圖案的較長方向移動。圖2表示掃描控制部190使平臺部110向-X方向移動的例子。由此，陣列射束的照射位置210沿著+X方向在樣品10的表面上掃描，該陣列射束將帶狀的區(qū)域220作為電子束的能夠照射區(qū)域。也就是說，掃描控制部190使平臺部110在X方向上移動預(yù)先設(shè)定的距離，而將第I圖框232作為能夠照射區(qū)域。此處，作為一例，第I圖框232具有30μπιX 30mm的面積。
[0134]其次，掃描控制部190使平臺部110向-Y方向移動射束陣列的射束寬fw的距離，其次，使平臺部110以倒退前次向-X方向移動的預(yù)先設(shè)定的距離的方式向+X方向移動。由此，陣列射束的照射位置210沿著-X方向在與第I圖框232不同的樣品10的表面上掃描，而使與第I圖框232面積大致相同且在+Y方向上相鄰的第2圖框234為能夠照射區(qū)域。同樣地，掃描控制部190使平臺部110向-Y方向移動射束陣列的射束寬fw的距離，并再次使平臺部110向-X方向移動該預(yù)先設(shè)定的距離而使第3圖框236為能夠照射區(qū)域。
[0135]以此方式，掃描控制部190使平臺部110在線圖案的較長方向即X方向上往返動作，而使樣品10表面的預(yù)先設(shè)定的區(qū)域為陣列射束的能夠照射區(qū)域200。此處，作為一例，掃描控制部190使30 X 30mm的正方形區(qū)域為能夠照射區(qū)域200。
[0136]此外，雖然在本實施方式中，對掃描控制部190通過使平臺部110往返動作而使正方形區(qū)域為陣列射束的能夠照射區(qū)域200進行了說明，但并不限定于此，掃描控制部190也可使陣列射束的照射方向偏向而掃描。在該情況下，掃描控制部190可將與掃描的距離對應(yīng)的偏向量供給至偏向量決定部180而掃描陣列射束。另外，雖然對掃描控制部190使陣列射束的能夠照射區(qū)域200為矩形的形狀進行了說明，但并不限定于此，也可將通過陣列射束的掃描而形成的預(yù)先設(shè)定的區(qū)域作為陣列射束的能夠照射區(qū)域200。
[0137]以上的本實施方式的曝光裝置100—面使平臺部110在線圖案的較長方向即X方向上往返動作，一面照射與線圖案上的照射位置對應(yīng)的陣列射束而曝光樣品10。也就是說，曝光裝置100對于陣列射束的能夠照射區(qū)域200內(nèi)的線圖案，對與應(yīng)該形成的切割圖案及通孔圖案對應(yīng)的曝光位置照射帶電粒子束而曝光所述切割圖案及通孔圖案。使用圖3對曝光裝置100的曝光動作進行說明。
[0138]圖3表示本實施方式的曝光裝置100的動作流程。在本實施方式中，對曝光裝置100通過執(zhí)行S300至S370的處理而在樣品10表面的線圖案上曝光切割圖案的例子進行說明。
[0139]首先，平臺部110載置形成有線圖案且涂布有抗蝕劑的樣品10(S300)。其次，曝光裝置100取得所載置的樣品10的配置信息及線圖案的配置信息(S310)。曝光裝置100將所取得的配置信息存儲在存儲部150中。
[0140]作為一例，曝光裝置100通過觀察設(shè)置在樣品10上的多個定位標記等而取得樣品10的配置信息及/或線圖案的配置信息。在該情況下，曝光裝置100可將電子束照射至該定位標記，從通過對二次電子或反射電子等進行檢測而獲得的樣品10的表面圖像檢測出該定位標記的位置與電子束的照射位置，從而取得線圖案的配置信息等。
[0141]另外，曝光裝置100也可將激光等照射至該定位標記，通過對反射光或散射光等進行檢測而取得樣品10的配置信息等。在曝光裝置100如此地通過測定而取得樣品10的配置信息及線圖案的配置信息的情況下，曝光裝置100可進而具備對二次電子或反射電子等進行檢測的檢測部、激光照射裝置、及光檢測部等。
[0142]其次，掃描控制部190以陣列射束的照射位置位于應(yīng)該曝光的圖框的開始點的方式，使平臺部110移動至與該開始點對應(yīng)的位置(S320)。掃描控制部190在使平臺部110向+X方向移動(使陣列射束的照射位置向-X方向移動)而將圖框曝光的情況下，將該圖框的+X方向側(cè)的端部作為圖框的開始點。如此地，平臺部110搭載樣品10，并使該樣品10相對于射束產(chǎn)生部而相對性地移動。
[0143]另外，掃描控制部190在使平臺部110向-X方向移動(使陣列射束的照射位置向+X方向移動)而將圖框曝光的情況下，將該圖框的-X方向側(cè)的端部作為圖框的開始點。掃描控制部190在針對每一圖框而使平臺部110在線圖案的較長方向即X方向上往返動作的情況下，根據(jù)該往返動作而交替地切換-X方向的端部及+X方向的端部來作為該圖框的開始點。
[0144]掃描控制部190可在曝光動作的開始階段使圖框的開始點為預(yù)先設(shè)定的位置。作為一例，掃描控制部190將位于最-Y方向側(cè)的圖框的-X方向側(cè)的端部作為圖框的開始點。
[0145]其次，選擇部160從存儲部150取得應(yīng)該曝光的圖框內(nèi)的切割圖案的信息(S330)。圖4表示應(yīng)該形成在樣品10上的切割圖案的信息的一例。切割圖案的信息可具有以矩形表示的切割圖案的大小及位置的數(shù)據(jù)。圖4表示將切割圖案的兩邊的長度、及預(yù)先設(shè)定的部分(-X方向側(cè)及-Y方向側(cè)的頂點，在圖中為左下方的頂點)的坐標作為切割圖案數(shù)據(jù)的例子。
[0146]更具體地講，將第I圖案410的切割圖案數(shù)據(jù)的{(位置)，大小}表示為KXcl，Ycl)，SxI，Sy I}。同樣地，將第2圖案420的切割圖案數(shù)據(jù)的{(位置)，大小}表示為{(Xe2，Yc2)，512，572}，將第3圖案430的切割圖案數(shù)據(jù)的{(位置)，大小}表示為{0(:3，￥(33)，513，573}。
[0147]此外，圖4的X方向與將切割圖案重疊的對象即線圖案的較長方向大體一致。另外，在圖4中，用虛線表示在Y方向上每隔間隔g而排列且與X方向平行的多個線段來作為線圖案及切割圖案的設(shè)計中所使用的格柵400。例如，間隔g為格柵寬度，該格柵寬度g大致等于線圖案的較短方向(Y方向)的線寬的最小值。另外，在線圖案具有多種線寬的情況下，多個線寬都可使用格柵寬度g的η倍的值(此處，η是I以上的自然數(shù))。另外，相鄰的線圖案的Y方向的圖案間隔可使用格柵寬度8的111倍的值(此處，m是I以上的自然數(shù))。
[0148]同樣地，切割圖案的Y方向的長度、及Y方向的圖案間隔可使用格柵寬度g的(I以上的)自然數(shù)倍的值。例如，第I圖案410的Y方向的長度大致等于4g，第2圖案420的Y方向的長度大致等于2g，另外，第I圖案410及第2圖案420的Y方向的圖案間隔大致等于2g。另外，圖4的例子表示切割圖案的Y坐標是以在格柵400上大致相等的方式設(shè)計的例子。如此，本實施方式的切割圖案及線圖案是以格柵400的坐標值為基準而設(shè)計Y坐標的圖案。
[0149]圖5表示本實施方式的掃描控制部190將陣列射束的照射位置移動至圖框的開始點(圖框的-X方向側(cè)的端部)的情況的一例。也就是說，圖5是表示形成在樣品表面上的線圖案402與陣列射束500的照射位置的位置關(guān)系的一例的XY俯視圖。另外，圖5也是表示線圖案40 2與圖4所示的切割圖案的位置關(guān)系的一例的XY俯視圖。
[0150]圖5的例子表示如下情況:I個圖框具有4根線圖案402，各線圖案402的線寬、及相鄰的線圖案402之間的間隔都大致等于格柵400的格柵寬度g。另外，在圖中，第I圖案410是從最上部同時切割2根線圖案402的圖案，第2圖案420是切割最下部的線圖案402的圖案，第3圖案430是同時切割中央的2根線圖案402的圖案。
[0151]另外，在圖5中，對陣列射束500具有BI至B8的共計8個電子束的例子進行說明。陣列射束500對樣品10上的多個照射區(qū)域502的各者照射電子束。電子束BI至B8的線圖案的寬度方向(也就是說，Y方向)的射束寬分別具有與格柵寬度g大致相等的射束寬。另外，電子束BI至B8在樣品10上的各自的照射位置是在Y方向上分別均錯開格柵寬度g而排列，共計具有大致8g的寬度，而在圖框內(nèi)對具有大致8g的寬度的范圍進行曝光。也就是說，陣列射束500在Y方向上，具有該陣列射束500所具有的電子束的個數(shù)加上格柵寬度g所得的值的射束寬，而將具有大致等于該射束寬的Y方向的寬度的圖框曝光。
[0152]此處，圓柱部120在能使多個電子束的照射位置均錯開格柵寬度g而排成一列的情況下，可將該排成一列的陣列射束500照射至樣品10。代替此，圓柱部120也可將多個電子束的照射位置具有多列的陣列射束500照射至樣品10。
[0153]圖5表示陣列射束500具有在線圖案的較長方向上相隔間隔δ而排列的2列電子束的例子。另外，各列中所包含的多個電子束的照射位置是以與格柵寬度g大致相等的距離相隔而排列在線圖案的寬度方向上。因此，具有電子束B1、B3、B5、及B7這些奇數(shù)編號的電子束的列(設(shè)為第I列)共計具有大致7g的Y方向的寬度。同樣地，具有偶數(shù)編號的電子束的列(稱為第2列)也共計具有大致7g的Y方向的寬度。
[0154]另外，在掃描控制部190將陣列射束500的照射位置移動至圖框的開始點的階段S320，多個電子束的照射位置分別配置在對應(yīng)的格柵間。圖5表不如下例子:從-Y方向側(cè)數(shù)起配置在第I個的電子束BI的照射位置位于從-Y方向側(cè)數(shù)起第I與第2個格柵之間，同樣地，從-Y方向側(cè)數(shù)起配置在第η個的電子束Bn的照射位置位于從-Y方向側(cè)數(shù)起第η個與第n+1個格柵之間。
[0155]為了將如上所述以格柵400的坐標值為基準而設(shè)計的切割圖案曝光，掃描控制部190使陣列射束500的照射位置移動至基于該格柵400的位置。由此，掃描控制部190通過沿著線圖案的較長方向掃描具有η個電子束的陣列射束500的照射位置，能將對應(yīng)的第I個至第n+1個格柵之間的具有nXg的寬度的圖框曝光。
[0156]其次，選擇部160選擇用于曝光的帶電粒子束(S340)。選擇部160可基于從掃描控制部190接收到的陣列射束的照射位置的信息而判斷應(yīng)該曝光的切割圖案。切割圖案的Y坐標是以在格柵400上大致相等的方式設(shè)計，因此選擇部160例如通過一面沿著線圖案的較長方向掃描陣列射束500的照射位置一面照射電子束B5至B8這4個電子束，能將具有4g的寬度的第I圖案410曝光。
[0157]也就是說，為了將第I圖案410曝光，選擇部160選擇電子束B5至B8這4個電子束作為用于曝光的電子束。而且，電子束B5曝光第I圖案410的部分圖案418，電子束B6曝光第I圖案410的部分圖案416，電子束B7曝光第I圖案410的部分圖案414，電子束B8曝光第I圖案410的部分圖案412。
[0158]此處，選擇部160能根據(jù)切割圖案的Y坐標的值而選擇用于曝光的電子束。例如，選擇部160根據(jù)第2圖案420的Y坐標的值位于從-Y方向側(cè)數(shù)起第I個與第3個之間，而選擇該區(qū)域成為照射位置的電子束BI及B2。另外，選擇部160根據(jù)第3圖案430的Y坐標的值位于從-Y方向側(cè)數(shù)起第3個與第7個之間，而選擇該區(qū)域成為照射位置的電子束B3至B6。
[0159]由此，電子束BI曝光第2圖案420的部分圖案422，電子束B2曝光第2圖案420的部分圖案424。另外，電子束B3曝光第3圖案430的部分圖案432，電子束B4曝光第3圖案430的部分圖案434，電子束B5曝光第3圖案430的部分圖案436，電子束B6曝光第3圖案430的部分圖案438。
[0160]另外，選擇部160檢測應(yīng)該照射所選擇的電子束的照射位置。選擇部160檢測根據(jù)切割圖案而應(yīng)該照射的照射位置作為指定的照射位置。選擇部160根據(jù)多個帶電粒子束的照射位置經(jīng)過線圖案的較長方向上的預(yù)先設(shè)定的基準位置之后的經(jīng)過時間而檢測指定的照射位置。
[0161]圖5表示在線圖案的較長方向上預(yù)先設(shè)定有第I基準位置及第2基準位置這2個基準位置的例子。也就是說，將第I基準位置及第2基準位置之間的區(qū)域作為曝光范圍，選擇部160根據(jù)陣列射束500的照射位置經(jīng)過第I基準位置之后的經(jīng)過時間，而分別檢測多個電子束的指定的照射位置。
[0162]除此以外，也可在線圖案的較長方向上預(yù)先設(shè)定3個以上基準位置。也就是說，可將I個圖框分割成多個曝光范圍，選擇部160于每個曝光范圍分別檢測多個電子束的指定的照射位置。在該情況下，選擇部160根據(jù)線圖案的較長方向上的多個基準位置中多個帶電粒子束的照射位置最后經(jīng)過的基準位置、及經(jīng)過該基準位置之后的經(jīng)過時間而檢測指定的照射位置。使用圖6及圖7，對選擇部160的電子束的選擇、及照射位置的檢測進行說明。
[0163]圖6表示本實施方式的選擇部160的一例。選擇部160包含數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路162、射束選擇電路164、及經(jīng)過時間運算電路166。
[0164]數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路162從存儲部150取得切割圖案數(shù)據(jù)，并將該切割圖案數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成與樣品10上的線圖案的配置相關(guān)的坐標系。數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路162例如從存儲部150取得(Xci，Yci)，Sxi，SyKi = 1、2、3、...)作為切割圖案數(shù)據(jù)，并將其轉(zhuǎn)換成樣品10上的坐標系的曝光數(shù)據(jù)0吐丨，￥^^)，511^，571^(丨=1、2、3^")。此處，由于切割圖案數(shù)據(jù)的￥坐標的值￥(^、Syi是格柵寬度g的整數(shù)倍的值，所以轉(zhuǎn)換后的Ycb1、Sybi也成為離散的值。
[0165]此外，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路162所執(zhí)行的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換是用以修正在將樣品10裝載在平臺部110時產(chǎn)生的旋轉(zhuǎn)誤差、及樣品10經(jīng)歷蝕刻或成膜等元件制造制程而導(dǎo)致的樣品10的變形誤差等。也就是說，如果平臺部110的精度、及制造制程的精度等足夠高，那么該修正成為例如將距離修正為1ppm左右以下、將角度修正為Imrad左右以下的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換。
[0166]例如，在圖案寬度Sx1、Syi為數(shù)10?10nm的情況下，即便執(zhí)行該數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換也不會發(fā)生0.1nm以上的變化。也就是說，在該情況下，如果對0.1nm以下進行舍去處理，那么Sxi =Sxb1、Syi = Sybi成立。因此，于在樣品10產(chǎn)生的旋轉(zhuǎn)誤差及變化誤差等處于預(yù)先設(shè)定的范圍內(nèi)的情況下，選擇部160也可將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換電路162的有關(guān)于Sx1、Syi的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換省略。
[0167]射束選擇電路164基于曝光數(shù)據(jù)(Xcb, Ycb)，Sxb ,Syb而選擇用于曝光的電子束。例如，在圖5所示的格柵400的Y方向的坐標從-Y方向側(cè)起為Ycl、Yc2、…、Yc8的情況下，射束選擇電路164選擇電子束BI作為用于坐標Ycl至Yc2的范圍的曝光的電子束。也就是說，射束選擇電路164對于位于坐標Ycb至坐標Ycb+Syb的切割圖案，選擇與該坐標的范圍對應(yīng)的電子束作為用于曝光的電子束B1、B2、…、Bn。
[0168]經(jīng)過時間運算電路166對于射束選擇電路164所選擇的電子束BI至Bn，分別檢測將電子束切換成ON狀態(tài)或OFF狀態(tài)的時序。經(jīng)過時間運算電路166基于曝光數(shù)據(jù)的X坐標而檢測該時序，作為一例，將該時序作為經(jīng)過時間而輸出。此處，所謂經(jīng)過時間是指以陣列射束500通過基準位置的時間為起點至使陣列射束中所包含的各電子束為ON狀態(tài)及OFF狀態(tài)為止的時間。
[0169]掃描控制部190沿著線圖案的較長方向即+X方向或-X方向掃描陣列射束500。在用曝光數(shù)據(jù)(XcbJcb)，Sxb，Syb表示切割圖案，且掃描控制部190沿著+X方向掃描陣列射束500的情況下，于在X軸坐標上對應(yīng)的電子束的照射位置到達Xcb的位置的時間點，使該電子束成為ON狀態(tài)，在到達Xcb+Sxb的位置的時間點使該電子束成為OFF狀態(tài)，由此該電子束能將該切割圖案的圖案區(qū)域內(nèi)曝光。也就是說，經(jīng)過時間運算電路166檢測如下時間作為經(jīng)過時間，該時間為從陣列射束500通過曝光范圍的-X側(cè)的第I基準位置的時間點開始至將電子束切換成ON狀態(tài)及OFF狀態(tài)為止的時間。
[0170]另一方面，在掃描控制部190沿著-X方向掃描陣列射束500的情況下，于在X軸坐標上對應(yīng)的電子束的照射位置到達Xcb+Sxb的位置的時間點，使該電子束成為ON狀態(tài)，在到達Xcb的位置的位置的時間點，使該電子束成為OFF狀態(tài)，由此該電子束能將該切割圖案的圖案區(qū)域內(nèi)曝光。在該情況下，經(jīng)過時間運算電路166檢測如下時間作為經(jīng)過時間，該時間為從陣列射束500通過曝光范圍的+X側(cè)的第2基準位置的時間點開始至將電子束切換成ON狀態(tài)及OFF狀態(tài)為止的時間。
[0171]另外，于在圖框內(nèi)設(shè)定有多個基準位置的情況下，經(jīng)過時間運算電路166可檢測如下時間作為經(jīng)過時間，該時間為從通過多個基準位置中的最后一個基準位置的時間點至將電子束切換成ON狀態(tài)及OFF狀態(tài)為止的時間。作為一例，經(jīng)過時間運算電路166根據(jù)掃描控制部190沿著線圖案的較長方向掃描陣列射束500的速度而計算出經(jīng)過時間。在該情況下，較理想為掃描控制部190—面使陣列射束500在圖框內(nèi)連續(xù)地移動一面進行曝光，在沿著線圖案的較長方向進行掃描的情況下，以陣列射束500的速度V至少不會成為O而使速度V平緩地變化的方式進行控制即可。
[0172]如果掃描控制部190沿著+X方向掃描陣列射束500，并將第I基準位置的X坐標設(shè)為S，將應(yīng)該曝光的切割圖案的圖案開始位置設(shè)為Xcb，將圖案的寬度(X軸方向的圖案寬度)設(shè)為Sxb，那么經(jīng)過時間運算電路166能利用以下的關(guān)系式而計算出直到使電子束成為ON狀態(tài)為止的經(jīng)過時間(DLa)。此外，經(jīng)過時間運算電路166可從掃描控制部190接收速度V的信息。
[0173](數(shù)學(xué)式I)
[0174]DLa=(Xcb-S)/V
[0175]另外，經(jīng)過時間運算電路166能利用以下的關(guān)系式而計算出直到在圖案結(jié)束位置Xcb+Sxb使電子束成為OFF狀態(tài)為止的經(jīng)過時間(DLb)。
[0176](數(shù)學(xué)式2)
[0177]DLb = (Xcb+Sxb —S)/V
[0178]經(jīng)過時間運算電路166對于利用射束選擇電路164而選擇的電子束則、82、‘"、811的各者，計算出直到使電子束成為ON狀態(tài)為止的經(jīng)過時間為DLla、DL2a、…、DLna。另外，經(jīng)過時間運算電路166計算出直到使電子束成為OFF狀態(tài)為止的經(jīng)過時間為DLlb、DL2b、…、DLnb0
[0179]如上所述，射束選擇電路164及經(jīng)過時間運算電路166對應(yīng)于應(yīng)該曝光的切割圖案，而分別執(zhí)行應(yīng)該曝光的電子束的選擇與經(jīng)過時間的檢測。選擇部160將射束選擇電路164的選擇結(jié)果及經(jīng)過時間運算電路166的檢測結(jié)果供給至照射控制部170。
[0180]其次，曝光控制部140—面掃描陣列射束500的照射位置，一面控制帶電粒子束的照射(S350) ο也就是說，掃描控制部190移動平臺部110而使陣列射束500的照射位置以速度V掃描，并將基于檢測部114的位置檢測結(jié)果的陣列射束500的照射位置供給至照射控制部170。照射控制部170根據(jù)陣列射束500的照射位置與經(jīng)過時間，對消隱部60的對應(yīng)的消隱電極64供給控制信號以控制所選擇的電子束的照射。
[0181]圖7表示本實施方式的照射控制部170對消隱電極64供給的控制信號的時序圖的一例。也就是說，圖7表示例如相對于將圖5所示的曝光范圍的切割圖案曝光的電子束BI至B8的消隱動作的時序。圖7的橫軸表不時間，縱軸表不電壓。
[0182]圖7所示的8個控制信號是對與電子束BI至B8對應(yīng)的消隱電極64供給的控制信號的一例。也就是說，照射控制部170在該控制信號的電壓電平為較高的狀態(tài)的情況下，對消隱電極6 4供給與該控制信號對應(yīng)的信號電壓而使對應(yīng)的電子束偏向，因此使該電子束成為射束OFF狀態(tài)。另外，照射控制部170在該控制信號的電壓電平為較低的狀態(tài)的情況下，不對消隱電極64供給信號電壓，而使對應(yīng)的電子束通過，因此使該電子束成為射束ON狀態(tài)。
[0183]此處，在時間軸上，Tl所示的時間點表示具有電子束B2、B4、B6、及B8的第2列通過第I基準位置的時間點。另外，T2所示的時間點表示具有電子束B1、B3、B5、及B7的第I列通過第I基準位置的時間點。也就是說，T2 — TI = δ/V。
[0184]圖7的BI及Β2所示的信號是使用電子束BI及Β2將圖5所示的切割圖案的第2圖案420曝光的控制信號。也就是說，圖7表示如下例子:選擇部160基于第2圖案420的切割圖案數(shù)據(jù)來選擇電子束BI及Β2而檢測經(jīng)過時間。然后，照射控制部170根據(jù)經(jīng)過時間而生成控制信號BI及Β2。
[0185]照射控制部170于在電子束BI的照射位置通過第I基準位置的時間點Τ2之后經(jīng)過了經(jīng)過時間DLla的時間點Τ4，將該電子束BI從OFF狀態(tài)切換成ON狀態(tài)。然后，照射控制部170于在時間點Τ2之后經(jīng)過了經(jīng)過時間DLlb的時間點Τ6，將該電子束BI從ON狀態(tài)切換成OFF狀
??τ O
[0186]另外，照射控制部170于在電子束Β2的照射位置通過第I基準位置的時間點Tl之后經(jīng)過了經(jīng)過時間DL2a的時間點T3，將該電子束B2從OFF狀態(tài)切換成ON狀態(tài)。然后，照射控制部170于在時間點TI之后經(jīng)過了經(jīng)過時間DL2b的時間點T5，將該電子束B2從ON狀態(tài)切換成OFF狀態(tài)。
[0187]以此方式，照射控制部170能根據(jù)選擇部160的選擇結(jié)果及經(jīng)過時間、以及利用掃描控制部190而掃描的照射位置的位置信息，而生成控制電子束的照射的控制信號。而且，通過將照射控制部170所生成的控制信號供給至消隱電極64，圓柱部120能將切割圖案的第2圖案420曝光在樣品10上。
[0188]同樣地，照射控制部170生成由選擇部160所選擇的電子束B3至B8的控制信號，而在樣品10上將第I圖案410及第3圖案430曝光。如上所述，本實施方式的照射控制部170基于從照射位置通過基準位置的時間點的經(jīng)過時間，而控制電子束的ON狀態(tài)及OFF狀態(tài)的切換動作。因此，從第I基準位置到第2基準位置之間的曝光范圍的長度是根據(jù)對經(jīng)過時間進行計數(shù)的時鐘的位數(shù)而規(guī)定。
[0189]此處，時鐘的最小周期可根據(jù)預(yù)先設(shè)定的位置分辨率及平臺速度而設(shè)定。例如，在曝光位置的數(shù)據(jù)間隔為0.125nm的情況下，如果將位置分辨率設(shè)定為其一半的0.0625nm，將平臺的最大移動速度設(shè)定為50mm/sec，那么要求時鐘的周期最小為1.25ns。此處，如果將時鐘計數(shù)器的計數(shù)位數(shù)設(shè)定為12位(=4096)，那么甚至能計數(shù)5ys的經(jīng)過時間。在該經(jīng)過時間內(nèi)，平臺以最大移動速度50mm/sec移動0.25μηι。
[0190]如此，本實施方式的曝光裝置100能基于時鐘周期而預(yù)先設(shè)計曝光范圍的長度。而且，曝光裝置100通過設(shè)置多個基準位置，而基于從通過各個基準位置的經(jīng)過時間來控制電子束的照射，能將具有比該曝光范圍長的曝光范圍的圖框曝光。
[0191]也就是說，曝光控制部140對于I個圖框中所包含的全部曝光范圍，一面使陣列射束500的照射位置掃描，一面針對所通過的每個基準位置而基于從通過該基準位置的經(jīng)過時間來控制電子束的照射。也就是說，曝光控制部140對圖5的例子所示的從第I基準位置到下一第2基準位置的曝光范圍，通過一面使陣列射束500的照射位置掃描一面控制多個電子束的照射而進行曝光。
[0192]而且，于在該圖框存在其他基準位置的情況下，曝光控制部140返回到選擇帶電粒子束的階段S340，以使該圖框的曝光繼續(xù)進行(S360:No)而將從第2基準位置到第3基準位置為止的下一曝光范圍曝光。曝光控制部140反復(fù)進行S340至S350的動作，直到在該圖框不再存在供陣列射束500的照射位置通過的基準位置為止。此外，在掃描控制部190對從陣列射束500的照射位置最后通過的基準位置到下一基準位置為止的曝光范圍進行掃描之間，選擇部160可執(zhí)行與緊接著該下一基準位置以后的下一曝光范圍對應(yīng)的電子束的選擇及經(jīng)過時間的檢測。由此，曝光控制部140能在時間上連續(xù)地將相鄰的曝光范圍曝光。
[0193]于在該圖框不存在其他基準位置的情況下，曝光控制部140結(jié)束該圖框的曝光(3360:￥68)。然后，在存在接下來應(yīng)該曝光的圖框的情況下(3370:如)，返回到3320，使陣列射束500的照射位置移動至下一圖框的開始點，而執(zhí)行該下一圖框的曝光。曝光控制部140反復(fù)進行S320至S360的動作直到不存在應(yīng)該曝光的圖框。在無應(yīng)該曝光的圖框的情況下，曝光控制部140結(jié)束該圖框的曝光(S370: Yes)。
[0194]如上所述，本實施方式的曝光裝置100將陣列射束的能夠照射區(qū)域200分割成圖框，于每一圖框反復(fù)進行一面沿著線圖案的較長方向掃描陣列射束500的照射位置一面控制多個電子束的照射的曝光動作，從而將該能夠照射區(qū)域200曝光。曝光裝置100通過利用平臺部110使樣品10移動，而能在樣品10的表面上形成不同的多個能夠照射區(qū)域200，因此也能利用I個圓柱部120而對形成在樣品10表面的全部線圖案進行曝光。
[0195]圖8表示形成在樣品10的表面的線圖案802的一例。本實施方式的曝光裝置100對形成在這種線圖案802上的抗蝕劑的以切割圖案810所示的區(qū)域，執(zhí)行圖3中所說明的動作而進行曝光。通過該曝光而能將切割圖案810的區(qū)域的抗蝕劑除去，因此能使位于該切割圖案的線圖案802露出，對該露出的線圖案802進行蝕刻而形成微細的配線圖案等。
[0196]圖9表示形成在樣品10的表面的微細的配線圖案900的一例。根據(jù)本實施方式的曝光裝置100，通過將預(yù)先形成有線圖案的樣品10曝光而能形成更微細的配線圖案900。例如，圖8所示的線圖案802由于是單純的線與間隙圖案，所以能通過使用光學(xué)曝光技術(shù)等而以大致1nm左右的線寬及線間隔來形成。而且，由于通過使用利用電子束的本實施方式的曝光裝置100，能對該線圖案802進行加工，所以能形成僅以(例如柵極電極等的)光學(xué)曝光技術(shù)無法實現(xiàn)的微細的配線圖案900。另外，通過利用光學(xué)曝光技術(shù)等而執(zhí)行線圖案802的形成，能減少至形成微細的配線圖案900為止的總加工時間。
[0197]另外，由于是基于線圖案802的設(shè)計中所使用的格柵而配置切割圖案的坐標及陣列射束500的照射位置，所以曝光控制部140不進行復(fù)雜的反饋控制而能以簡便的控制動作執(zhí)行微細的曝光。此外，在以上的說明中，對本實施方式的曝光裝置100是使用電子束的電子束曝光裝置進行了說明，但實施方式并不限定于此，同樣地也可應(yīng)用于使用各種帶電粒子束的曝光裝置。另外，以切割圖案的曝光為例進行了說明，但并不限定于此，同樣地也可應(yīng)用于通孔圖案的曝光。
[0198]在以上的本實施方式的曝光裝置100中，對將形成有大致相同的線寬及線間隔的線圖案的樣品10曝光進行了說明。代替此，曝光裝置100也可將形成有不同的線寬及不同的線間隔的線圖案的樣品10曝光。在基于格柵而形成有這種不同的線寬及不同的線間隔的線圖案的情況下，曝光裝置100能使下述照射位置與該格柵對應(yīng)而在線圖案的指定的照射位置進行曝光。
[0199]圖10表示形成有不同的線寬及不同的線間隔的線圖案的樣品10的一例。表示如下例子:樣品10具有第I部分、第2部分、及第3部分，且在各部分形成有不同的線寬及不同的線間隔的線圖案。如此，即便在多種線圖案形成在I個樣品上的情況下，各線圖案也是使用共用的格柵而設(shè)計。
[0200]圖10表示如下例子:第I部分的線圖案802的線寬及線間隔都是g，第2部分的線圖案804的線寬為2g，線間隔為g，第3部分的線圖案806的線寬為3g，線間隔為2g。
[0201]如此，如果線圖案的寬度及間隔不同，那么與各個線圖案對應(yīng)的切割圖案810、820、830的大小也分別不同。然而，在各線圖案是基于同一格柵800而設(shè)計的情況下，各切割圖案的Y坐標如圖4及圖5中所說明般，能用該格柵800的離散的坐標來表示。在該情況下，本實施方式的曝光裝置100使電子束的照射位置與間隔g的格柵對應(yīng)，因此對于這種切割圖案也能予以曝光。
[0202]圖11表示使本實施方式的電子束的照射區(qū)域502與格柵800對應(yīng)而配置的例子。也就是說，圖11表示如下例子:如圖5中所說明般，從-Y方向側(cè)數(shù)起配置在第η個的電子束Bn的照射區(qū)域位于從-Y方向側(cè)數(shù)起第η個與第n+1個格柵之間。由此，例如，在切割圖案位于第k個與第I(L)個格柵之間的情況下，曝光裝置100通過使用第k個至第(I 一 I)個電子束而能將該切割圖案曝光。
[0203]也就是說，在該情況下，選擇部160根據(jù)指定的照射位置的線圖案的寬度，而選擇多個帶電粒子束中在寬度方向上連續(xù)的至少I個帶電粒子束。選擇部160例如根據(jù)第I部分的線圖案802的線寬g而選擇陣列射束中沿著寬度方向排列的2個電子束，以將切割該線圖案802的圖案寬度2g的切割圖案曝光。
[0204]另外，選擇部160例如根據(jù)第2部分的線圖案804的線寬2g而選擇陣列射束中沿著寬度方向排列的3個電子束，以將切割該線圖案804的圖案寬度3g的切割圖案曝光。同樣地，選擇部160根據(jù)第3部分的線圖案806的線寬3g而選擇陣列射束中沿著寬度方向排列的4個電子束，以將切割該線圖案806的圖案寬度4g的切割圖案曝光。以此方式，選擇部160根據(jù)mXg的線寬而選擇(m+1)個電子束。
[0205]另外，選擇部160如圖6及圖7中所說明，決定與所選擇的電子束對應(yīng)的經(jīng)過時間而分別檢測照射位置。由此，曝光控制部140通過一面掃描陣列射束500的照射位置一面控制電子束的照射，能將切割圖案810、820、及830分別曝光。此外，在圖11的例子中，曝光裝置100也可掃描與電子束的束數(shù)η對應(yīng)的射束寬n Xg的陣列射束，而在具有相當于該射束寬ηXg的圖框?qū)挾鹊拿恳粓D框?qū)悠?0曝光。由此，即便在樣品10上形成有不同的線寬及不同的線間隔的線圖案，本實施方式的曝光裝置100也能通過對應(yīng)于照射位置選擇適當?shù)碾娮邮鴮?yīng)的切割圖案曝光。
[0206]對以上的本實施方式的曝光裝置100在與經(jīng)過時間對應(yīng)的切割圖案的區(qū)域，將選擇部160所選擇的電子束照射至樣品10進行了說明。除此以外，曝光裝置100也可調(diào)節(jié)照射電子束的控制信號而調(diào)整切割圖案的區(qū)域內(nèi)的曝光量。也就是說，照射控制部170在將至少I個帶電粒子束照射至沿著線圖案的較長方向而指定的長度的范圍的情況下，根據(jù)該范圍內(nèi)的照射位置而變更該至少I個帶電粒子束的照射量。
[0207]圖12表示本實施方式的照射控制部170所生成的調(diào)節(jié)切割圖案的曝光量的控制信號的一例。圖12與圖7同樣地，橫軸表不時間，縱軸表不電壓。在時間點T7，為了將電子束B2及B4照射至樣品10，控制信號B2及B4從高電平狀態(tài)切換至低電平狀態(tài)。另外，在時間點T9，為了停止電子束B2及B4的照射，控制信號B2及B4從低電平狀態(tài)切換至高電平狀態(tài)。
[0208]同樣地，在時間點T8，為了將電子束BI及B3照射至樣品1，控制信號BI及B3從高電平狀態(tài)切換至低電平狀態(tài)，在時間點T10，為了停止電子束BI及B3的照射，控制信號BI及B3從低電平狀態(tài)切換至高電平狀態(tài)。此處，時間點T7與T8的時間差、及時間點T9與TlO的時間差均大致等于與電子束的列的間隔δ對應(yīng)的時間差(δ/V)。由此，電子束BI至B4在X軸上在大致同一坐標開始照射，在大致同一坐標停止照射。也就是說，例如，電子束BI至Β4是以將圖11中的切割圖案832曝光的方式被驅(qū)動。
[0209]如此，在使用多個電子束將切割圖案曝光的情況下，存在曝光區(qū)域的曝光面積越大，該曝光區(qū)域的分界越模糊不清的傾向。因此，本實施方式的曝光裝置100可調(diào)節(jié)照射電子束的控制信號而使曝光量減少，從而減少曝光區(qū)域的分界變得模糊的情況。
[0210]也就是說，照射控制部170在將至少I個帶電粒子束照射至沿著線圖案的較長方向而指定的長度的范圍的情況下，根據(jù)該范圍內(nèi)的照射位置而變更是否將至少I個帶電粒子束照射至樣品10。例如，照射控制部170在將電子束Β2&Β4照射至樣品10而進行曝光的時間點Τ7至?xí)r間點T9之間的期間，反復(fù)進行該電子束Β2及Β4的照射與停止。同樣地，照射控制部170在將電子束BI及Β3照射至樣品10而進行曝光的時間點Τ8至?xí)r間點TlO之間的期間，反復(fù)進行該電子束BI及Β3的照射與停止。
[0211]以此方式，照射控制部170通過在照射電子束而進行曝光的期間設(shè)置停止電子束的照射的期間，能調(diào)節(jié)曝光區(qū)域整體的曝光量。此處，照射控制部170可將多個帶電粒子束中路徑最接近的2個帶電粒子束的照射至樣品10的時序錯開。例如，照射控制部170以在進行曝光的期間，停止電子束BI的照射的期間與停止電子束Β2的照射的期間在時間上不重疊的方式進行控制。由此，照射控制部170能在曝光區(qū)域內(nèi)，使未被電子束照射的位置分散，從而防止電子束的照射量局部集中。
[0212]圖13表示執(zhí)行圖12所示的時序圖所示的曝光量控制的選擇部160的構(gòu)成例。在圖13中，對于與圖6所示的本實施方式的選擇部160的動作大致相同的動作標注相同的符號，并省略說明。圖13所示的經(jīng)過時間運算電路166進而包含曝光量調(diào)整電路168，除了檢測出應(yīng)該使射束選擇電路164所選擇的電子束為ON狀態(tài)及OFF狀態(tài)的經(jīng)過時間以外，還計算出用來控制曝光量的經(jīng)過時間。
[0213]經(jīng)過時間運算電路166例如使用(數(shù)學(xué)式I)及(數(shù)學(xué)式2)式，計算出如圖12所示應(yīng)該使4個電子束81、82、83、84為(^狀態(tài)及0??狀態(tài)的經(jīng)過時間(01^13、01^3、01^33、01^43、01^113、DL2b、DL3b、DL4b)。然后，曝光量調(diào)整電路168計算出在應(yīng)該為ON狀態(tài)的經(jīng)過時間至應(yīng)該為OFF狀態(tài)的經(jīng)過時間之間的期間，進而使其為ON狀態(tài)及OFF狀態(tài)而調(diào)整曝光量的經(jīng)過時間。如果將調(diào)整曝光量的經(jīng)過時間設(shè)為DLll、DL12、DL13、...等，那么滿足以下的關(guān)系式:
[0214](數(shù)學(xué)式3)
[0215]DLla<DLll <DL12<DL13<...<DLlb
[0216]DL2a<DL21 <DL22<DL23<...<DL2b
[0217]DL3a<DL31 <DL32<DL33<...<DL3b
[0218]DL4a<DL41 <DL42<DL43<...<DL4b
[0219]調(diào)整曝光量的經(jīng)過時間也與抗蝕劑的材料等相關(guān)，因此較理想為，曝光裝置100預(yù)先觀測相對于曝光量的曝光區(qū)域的分界的狀態(tài)，而將成為適當?shù)钠毓饬康臈l件存儲在存儲部150等中。代替此，也可為使用者使用CPU130等而輸入與調(diào)整曝光量的經(jīng)過時間對應(yīng)的參數(shù)等。由此，經(jīng)過時間運算電路166能計算出調(diào)節(jié)曝光區(qū)域的分界的狀態(tài)的經(jīng)過時間。
[0220]對以上的本實施方式的曝光裝置100在消隱部60中，根據(jù)供給至消隱電極64的電壓而切換是否使電子束偏向的內(nèi)容進行了說明。使用圖14對具有這種功能的消隱部60的一例進行說明。
[O2 21 ]圖14表不本實施方式的消隱部6 O的一例。消隱部6 O具有多個開口 6 2、第I消隱電極64a、第2消隱電極64b、共用電極66、及電極配線68。
[0222]多個開口62使多個帶電粒子束的各者個別地通過。也就是說，較理想為，在消隱部60設(shè)置與作為射束陣列而輸出的多個電子束對應(yīng)的數(shù)量的多個開口 62。在圖14中，多個開口 62是在與線圖案的較長方向?qū)?yīng)的方向即X方向上，分為第I開口 62a與第2開口 62b而表示。第I開口 62a是在-X方向側(cè)，沿著Y方向排列的多個開口 62，例如，與圖5中的電子束B1、B3、B5、及B7對應(yīng)而形成。第2開口 62b是在+X方向側(cè)，沿著Y方向排列的多個開口 62，例如，與圖5中的電子束B2、B4、B6、及B8對應(yīng)而形成。
[0223]第I消隱電極64a設(shè)置在第I開口62a的與共用電極66為相反側(cè)的壁面。第2消隱電極64b設(shè)置在第2開口 62b的與共用電極66為相反側(cè)的壁面。共用電極66是在X方向上設(shè)置在第I開口62a與第2開口 62b之間的壁面的由第I開口62a及第2開口62b共用的電極。另外，共用電極66分別設(shè)置在沿著Y方向排列的多個開口 62中相鄰的開口 62之間。
[0224]電極配線68經(jīng)由對應(yīng)的放大器172而將第I消隱電極64a及第2消隱電極64b的各者與照射控制部170連接。照射控制部170根據(jù)選擇部160的選擇而變更第I消隱電極64a及第2消隱電極64b的電壓，分別切換電子束的ON狀態(tài)及OFF狀態(tài)。
[0225]如上所述，消隱部60具有沿著Y方向排成2列的多個開口62，因此能一面利用共用電極66而將多個開口 62的各者分離，一面使該多個開口 62的Y坐標上的配置連續(xù)而配置。由此，照射控制部170能向與多個開口 62的各者對應(yīng)的消隱電極個別地供給分別切換電子束的ON狀態(tài)及OFF狀態(tài)的電壓，并個別地進行控制。另外，通過多個開口 62的多個電子束能成為使照射區(qū)域的Y坐標連續(xù)的陣列射束。也就是說，通過該陣列射束的I次掃描，能使以在Y坐標上連續(xù)的電子束照射的范圍為圖框?qū)挾惹已刂鳻軸方向延伸的圖框成為該陣列射束的能夠照射區(qū)域。
[0226]對以上的本實施方式的消隱部60具有沿著Y方向排成2列的多個開口62進行了說明，但代替此，消隱部60也可具有沿著Y方向排成3列以上的多個開口62。在該情況下，也能一面利用共用電極66而將多個開口 62分別分離，一面使該多個開口 62的Y坐標上的配置連續(xù)而配置，因此圓柱部120能針對每一圖框而掃描陣列射束來將樣品10的表面曝光。
[0227]作為一例，對以上的本實施方式的曝光裝置100的如下動作進行了說明:掃描控制部190—面使平臺部110以速度V移動而掃描陣列射束500的照射位置，一面控制帶電粒子束的照射。此處，較理想為，平臺部110根據(jù)掃描控制部190的移動的指示而以預(yù)先設(shè)定的速度V移動。然而，實際的平臺部110的位置及速度包含與所指示的移動動作的目標值的誤差。例如，平臺部110的位置有可能從載置裝置的地板或周邊部受到干擾振動的影響，而包含意料之外的變動成分。另外，位置的變動有可能使移動速度發(fā)生意料之外的變動。即便測定這種移動誤差，并反饋給平臺部110的移動控制，也難以使該誤差降低至固定程度以下。其理由在于:平臺部110具有固定的慣性質(zhì)量，且具有摩擦阻力，因此無法完全地反饋所測定出的誤差的所有成分。
[0228]在平臺部110包含這種移動誤差的情況下，陣列射束500的照射位置及曝光量根據(jù)該移動誤差而變動。因此，本實施方式的曝光裝置100的第2構(gòu)成為即便產(chǎn)生這種平臺部110的移動誤差，也使該移動誤差的影響降低而形成復(fù)雜且微細的圖案。
[0229]圖15表示本實施方式的曝光裝置100的第2構(gòu)成例。在第2構(gòu)成例的曝光裝置100中，對于與圖1所示的本實施方式的曝光裝置100的動作大致相同的動作標注相同的符號，并省略說明。第2構(gòu)成例的曝光裝置100的曝光控制部140進而具備預(yù)測部1000。
[0230]預(yù)測部1000連接于檢測部114，接收該檢測部114檢測出的平臺部110的檢測位置。預(yù)測部1000基于平臺部110的檢測位置，而生成對平臺部110的驅(qū)動量進行預(yù)測所得的預(yù)測驅(qū)動量。此處，作為一例，預(yù)測部1000預(yù)測的驅(qū)動量為相對于時間t的平臺部110的(也就是樣品10的)移動位置。
[0231]例如，在掃描控制部190以使平臺部110進行速度V的勻速直線運動的方式進行控制的情況下，預(yù)測部1000生成時間t的一次函數(shù)所示的V-t直線而作為預(yù)測驅(qū)動量。此外，預(yù)測部1000預(yù)測的預(yù)測驅(qū)動量也可根據(jù)掃描控制部190對平臺部110的控制，而為v-t曲線。預(yù)測部1000連接于掃描控制部190，將與生成的預(yù)測驅(qū)動量對應(yīng)的平臺部110的預(yù)測位置供給至掃描控制部190。
[0232]第2構(gòu)成例的掃描控制部190基于預(yù)測驅(qū)動量而進行向樣品10照射帶電粒子束的照射控制。例如，掃描控制部190將接下來所要檢測的(作為一例，時刻^的)平臺部110的預(yù)測位置與實際檢測出的(時刻^的)平臺部110的檢測位置的差作為該平臺部110的移動誤差，所述平臺部110的預(yù)測位置是基于過去(作為一例，時刻to)所生成的預(yù)測驅(qū)動量(to<ti)。然后，掃描控制部190以使帶電粒子束偏向而修正該移動誤差的方式，向偏向量決定部180供給該移動誤差或基于該移動誤差的信息。
[0233]由此，偏向量決定部180能以修正動態(tài)地產(chǎn)生的平臺部110的移動誤差的方式?jīng)Q定偏向部80的偏向量。也就是說，偏向部80基于與預(yù)測驅(qū)動量對應(yīng)的平臺部110的預(yù)測位置和檢測位置的差量而使帶電粒子束偏向。由此，本實施方式的曝光裝置100能修正在使樣品10相對于帶電粒子束而相對性地移動的情況下所產(chǎn)生的移動誤差等，從而降低該帶電粒子束的曝光位置及曝光量的誤差。
[0234]另外，預(yù)測部1000可基于與預(yù)測驅(qū)動量對應(yīng)的平臺部110的預(yù)測位置，而產(chǎn)生決定曝光裝置100內(nèi)部的時序的時間幀信號。在該情況下，每當預(yù)測位置達到預(yù)先設(shè)定的分界值時，預(yù)測部1000可產(chǎn)生時間幀信號并將其供給至照射控制部170。另外，也可為對應(yīng)于預(yù)測部1000將預(yù)測驅(qū)動量供給至掃描控制部190的動作，而掃描控制部190產(chǎn)生時間幀信號并將其供給至照射控制部170。在該分界值例如大致相等間隔地排列在V-t直線上，且平臺部110理想性地在V-t直線上勻速直線運動的情況下(也就是說，成為預(yù)測驅(qū)動量始終大致相同的V-t直線的情況下)，產(chǎn)生大致固定周期的時間幀信號。
[0235]照射控制部170基于從預(yù)測部1000接收到的時間幀信號之后的經(jīng)過時間，而決定該時間幀內(nèi)的帶電粒子束的照射時序。由此，即便在平臺部110產(chǎn)生移動誤差，預(yù)測部1000也會生成考慮到所產(chǎn)生的誤差的預(yù)測驅(qū)動量，并生成基于該預(yù)測驅(qū)動量的時間幀信號，因此與使用外部的時鐘信號等的情況相比，能容易地執(zhí)行與平臺部110的實際移動誤差對應(yīng)的射束照射的時序控制。
[0236]圖16表示第2構(gòu)成例中的掃描控制部190及預(yù)測部1000的一例。在圖16中，對于與圖15所示的第2構(gòu)成例的曝光裝置100的動作大致相同的動作標注相同的符號，并省略說明。
[0237]預(yù)測部1000包含速度計算部1010、及軌道預(yù)測部1020。速度計算部1010接收檢測部114檢測出的平臺部110的多個檢測位置，并基于該多個檢測位置而計算出平臺部110的速度。
[0238]軌道預(yù)測部1020根據(jù)速度計算部1010計算出的速度而生成預(yù)測驅(qū)動量。軌道預(yù)測部1020使用生成的預(yù)測驅(qū)動量而預(yù)測平臺部110的軌道(也就是經(jīng)過預(yù)先設(shè)定的時間的時間點的平臺部110的位置)，并將平臺部110的預(yù)測位置供給至掃描控制部190。此外，預(yù)測部1000除了平臺部110的預(yù)測位置以外，也可將速度計算部1010計算出的平臺部110的速度供給至掃描控制部190。
[0239]掃描控制部190從預(yù)測部1000接收平臺部110的預(yù)測位置及速度的信息。除此以夕卜，掃描控制部190也可接收檢測部114檢測出的平臺部110的檢測位置。掃描控制部190包含差量檢測部1902、偏向修正量計算部1904、延遲時間修正部1906、及時間幀信號產(chǎn)生部1908ο
[0240]差量檢測部1902接收平臺部110的檢測位置及預(yù)測位置的信息，并根據(jù)檢測位置與預(yù)測位置的差量而計算出平臺部110的位置誤差。差量檢測部1902將計算出的平臺部110的位置誤差供給至偏向修正量計算部1904。
[0241 ]偏向修正量計算部1904根據(jù)接收到的平臺部110的位置誤差，而計算出修正該位置誤差的帶電粒子束的偏向量。偏向修正量計算部1904將計算出的偏向量的信息供給至偏向量決定部180。此外，在圖16中，對偏向修正量計算部1904包含在掃描控制部190進行了說明，但代替此，偏向修正量計算部1904也可包含在偏向量決定部180。
[0242]延遲時間修正部1906在電信號等在曝光裝置100的內(nèi)部傳輸?shù)钠陂g，計算出修正移動誤差的修正量，所述移動誤差是平臺部110移動而在帶電粒子束的照射位置產(chǎn)生。延遲時間修正部1906可經(jīng)由總線132而接收由于電信號等傳輸而產(chǎn)生的延遲時間的信息。延遲時間修正部1906例如從外部存儲部90、CPU130、或存儲部150接收延遲時間的信息。此外，在圖16中，對延遲時間修正部1906包含在掃描控制部190進行了說明，但代替此，延遲時間修正部1906也可包含在預(yù)測部1000。
[0243]延遲時間修正部1906將根據(jù)延遲時間而計算出的修正量的信息供給至偏向修正量計算部1904。在該情況下，偏向修正量計算部1904計算出帶電粒子束的偏向量，并將其供給至偏向量決定部180，所述偏向量加入有與平臺部110的位置誤差對應(yīng)的修正量、及與延遲時間對應(yīng)的修正量。
[0244]時間幀信號產(chǎn)生部1908產(chǎn)生時間幀信號。時間幀信號產(chǎn)生部1908可經(jīng)由總線132而接收預(yù)先設(shè)定的分界值的信息。延遲時間修正部1906例如從外部存儲部90、CPU130、或存儲部150接收該分界值的信息。時間幀信號產(chǎn)生部1908從預(yù)測部1000接收預(yù)測驅(qū)動量的信息，每當平臺部110的預(yù)測位置達到預(yù)先設(shè)定的分界值時產(chǎn)生時間幀信號。時間幀信號產(chǎn)生部1908可將產(chǎn)生的時間幀信號供給至照射控制部170等。此外，在圖16中，對時間幀信號產(chǎn)生部1908包含在掃描控制部190進行了說明，但代替此，時間幀信號產(chǎn)生部1908也可包含在預(yù)測部1000。
[0245]使用圖17對以上的第2構(gòu)成例的曝光裝置100的動作進行說明。圖17表示本實施方式的曝光裝置100的動作流程的一部分的第I例。圖17表示作為曝光裝置100的動作流程的一部分且相當于圖3所示的本實施方式的曝光裝置100的階段S350的動作，所述階段S350為一面掃描照射位置一面控制帶電粒子束的照射。也就是說，第2構(gòu)成例的曝光裝置100執(zhí)行圖17所示的SI至El的動作流程，而一面掃描陣列射束500的照射位置一面控制帶電粒子束的照射。
[0246]掃描控制部190以預(yù)先設(shè)定的初始速度Vo開始平臺部110的移動(S610)。也就是說，掃描控制部190使陣列射束500的照射位置以速度Vo掃描。
[0247]其次，檢測部114檢測平臺部110的位置(S620)。此外，檢測部114優(yōu)選在不同時刻，多次檢測平臺部110的位置。例如，檢測部114從M個檢測時刻tm下的檢測位置X1mU=U
2、...、M)計算出第I平均位置Xavei = (Σχν)/Μ。另外，在掃描控制部190剛剛開始平臺部110的移動之后的情況下，作為一例，檢測部114在經(jīng)過時間Tp之后再次檢測平臺部110的平均位置。也就是說，檢測部114從M個檢測時刻TP+U下的檢測位置Χ^(πι=1、2、...、Μ)計算出第2平均位置Xave2= (ΣΛ)/Μ。檢測部114將檢測結(jié)果供給至預(yù)測部1000。
[0248]其次，預(yù)測部1000生成預(yù)測驅(qū)動量(S630)。預(yù)測部1000基于從檢測部114接收到的不同時刻的多個平臺部110的檢測位置而生成預(yù)測驅(qū)動量。例如，在掃描控制部190已開始平臺部110的移動的情況下，預(yù)測部1000基于2個以上不同時刻的多個平臺部110的檢測位置而生成預(yù)測驅(qū)動量。另外，預(yù)測部1000可基于多個平臺部110的檢測位置而生成預(yù)測驅(qū)動量，所述檢測位置包含過去從檢測部114接收到的多個平臺部110的檢測位置。
[0249]作為一例，速度計算部1010從平臺部110的多個檢測位置計算出平均移動速度，并基于平臺部110的平均移動速度及檢測部114檢測出平臺部110的位置之后的經(jīng)過時間，軌道預(yù)測部1020生成預(yù)測驅(qū)動量。速度計算部1010使用例如第I平均位置Xave1、第2平均位置Xave2、及時間Tp，計算出平均移動速度Vave = (Xave2-Xavei ) /Tp。軌道預(yù)測部1020生成與平均移動速度對應(yīng)的VAVE-t直線而作為預(yù)測驅(qū)動量。
[0250]由此，速度計算部1010能以VaveXt計算出經(jīng)過時間t的情況下的平臺部110的預(yù)測移動距離。作為一例，預(yù)測部1000計算出經(jīng)過時間!^的情況下的平臺部110的預(yù)測位置(VaveXTP)。預(yù)測部1000將計算出的預(yù)測位置供給至掃描控制部190。
[0251]另外，時間幀信號產(chǎn)生部1908根據(jù)預(yù)測驅(qū)動量而輸出時間幀信號(S640)。每當隨著時間的經(jīng)過，平臺部110的預(yù)測位置通過預(yù)先設(shè)定的分界值時，時間幀信號產(chǎn)生部1908產(chǎn)生時間幀信號。例如，對應(yīng)于平臺部110的預(yù)想位置通過均隔距離L的分界值的動作，而時間幀信號產(chǎn)生部1908產(chǎn)生時間幀信號。在該情況下，時間幀信號產(chǎn)生部1908在滿足t = NL/VAVE(N= 1、2、3、…)的每個時間產(chǎn)生時間幀信號。作為一例，時間幀信號產(chǎn)生部1908在平臺部110的預(yù)想位置移動1nm的每個時間，產(chǎn)生矩形的脈沖信號并將其供給至照射控制部170。
[0252]在預(yù)測部1000生成了首次的預(yù)測驅(qū)動量的情況下，掃描控制部190將平臺的移動誤差視為O。也就是說，偏向修正量計算部1904通知偏向量決定部180移動誤差為O。偏向量決定部180根據(jù)預(yù)先存儲在存儲部150中的其他誤差等而決定帶電粒子束的偏向量，偏向部80根據(jù)該偏向量而使帶電粒子束偏向(S650)。
[0253]另外，掃描控制部190將第2平均位置Xave2作為檢測部114的位置檢測結(jié)果，并將基于該位置檢測結(jié)果的陣列射束500的照射位置供給至照射控制部170。由此，照射控制部170將平臺的動態(tài)的移動誤差視為O而控制帶電粒子束(S660)。
[0254]也就是說，照射控制部170根據(jù)陣列射束500的照射位置及經(jīng)過時間而對消隱部60的對應(yīng)的消隱電極64供給控制信號以控制所選擇的電子束的照射。已說明過照射控制部170對帶電粒子束的控制，因此此處予以省略。此外，照射控制部170可使用從時間幀信號產(chǎn)生部1908供給的時間幀信號作為決定動作時序的時鐘信號。
[0255]圖17所示的SI至El為止的流程是被作為圖3所示的流程的S350而執(zhí)行的動作，因此曝光裝置100反復(fù)進行帶電粒子束的選擇(S340)與SI至El的流程，直到圖框的曝光結(jié)束(S 3 6 O:是)為止。也就是說，在選擇帶電粒子束之后，掃描控制部19 O使平臺的移動繼續(xù)(S610)。
[0256]檢測部114檢測進而經(jīng)過Tp的時刻(2TP+U)下的平臺部110的位置(S620)。作為一例，檢測部114將前次計算出的檢測時刻TP+U下的第2平均位置Xave2作為第I平均位置XAVE1。另外，檢測部114將從檢測時刻2TP+tm下的此次的檢測位置計算出的平均位置作為第2平均位置XAVE2。檢測部114將檢測結(jié)果供給至預(yù)測部1000。
[0257]速度計算部1010計算出平均移動速度Vave= (Xave2 — XAVE1)/TP。以此方式，速度計算部1010依序計算出平臺部110的平均移動速度并對其進行更新。軌道預(yù)測部1020生成與已更新的平均移動速度對應(yīng)的VAVE-t直線作為預(yù)測驅(qū)動量(S630)。另外，時間幀信號產(chǎn)生部1908根據(jù)已更新的預(yù)測驅(qū)動量而輸出時間幀信號(S640)。由此，即便在平臺部110產(chǎn)生移動誤差，也能更新為反映出所產(chǎn)生的誤差的時間幀信號而輸出。從而，照射控制部170根據(jù)伴隨平臺部110的移動而產(chǎn)生的時間幀信號來動作，因此能容易地執(zhí)行與平臺部110的時序調(diào)整。此外，時間幀信號產(chǎn)生部1908不僅對照射控制部170，也對曝光裝置100的內(nèi)部的各部供給時間幀信號。
[0258]差量檢測部1902將已更新的第2平均位置Xave2作為檢測部114的位置檢測結(jié)果，并與前次的預(yù)測部1000的預(yù)測結(jié)果進行比較，而將差量(vAVETP—xAVE2)作為平臺部110的移動誤差。偏向修正量計算部1904計算出與該移動誤差對應(yīng)的偏向量，并通知偏向量決定部
180。另外，軌道預(yù)測部1020使用已更新的平均移動速度，計算出進而經(jīng)過時間!^的情況下的平臺部110的預(yù)測位置(Vave X Tp )，并將其供給至掃描控制部190。
[0259]偏向量決定部180根據(jù)總誤差而決定帶電粒子束的偏向量，所述總誤差是預(yù)先存儲在存儲部150中的其他誤差等加上從掃描控制部190接收到的移動誤差所得。然后，偏向部80根據(jù)該偏向量而使帶電粒子束偏向(S650)。如此，偏向部80基于與預(yù)測驅(qū)動量對應(yīng)的平臺部110的預(yù)測位置和檢測位置的差量而使帶電粒子束偏向，因此即便在平臺部110產(chǎn)生移動誤差，也能以消除該移動誤差的方式使帶電粒子束偏向。
[0260]此外，偏向部80也可基于平臺部110的預(yù)測位置與檢測位置的差量、及與預(yù)先設(shè)定的延遲時間對應(yīng)的樣品10的移動位置而使帶電粒子束偏向。更準確地講，在從檢測部114檢測出平臺部110的位置的時刻到偏向部80使帶電粒子束偏向而照射至樣品10為止之間，產(chǎn)生傳輸電信號等的延遲時間Td。平臺部110在該延遲時間Td之間也移動，因此有在帶電粒子束的照射位置產(chǎn)生移動誤差的情況。
[0261]因此，延遲時間修正部1906計算出該延遲時間Td內(nèi)的平臺部110的移動距離(VaveXTd)，并將其供給至偏向修正量計算部1904。此外，延遲時間Td可根據(jù)電路的電長度等而預(yù)先規(guī)定。由此，偏向部80能基于加上有預(yù)先設(shè)定的延遲時間Td的平臺部110的預(yù)測位置與檢測位置的差量而使帶電粒子束偏向。
[0262]如上所述，偏向部80將平臺部110的移動誤差消除而使帶電粒子束照射至樣品10的照射位置。從而，掃描控制部190可將第2平均位置Xave2作為檢測部114的位置檢測結(jié)果，而將基于該位置檢測結(jié)果的陣列射束500的照射位置供給至照射控制部170。由此，在照射控制部170中，即便將平臺部110的動態(tài)的移動誤差視為0(與無平臺部110的動態(tài)的移動誤差的情況相同)而控制帶電粒子束，也能使帶電粒子束照射至樣品10的照射位置(S660)。另夕卜，在已利用偏向部80反饋平臺部110的移動誤差的狀態(tài)下，時間幀信號產(chǎn)生部1908根據(jù)到達預(yù)先設(shè)定有預(yù)測驅(qū)動量的分界位置的時間而產(chǎn)生時間幀信號。照射控制部170通過根據(jù)該時間幀信號而控制照射時序，能于在外觀上降低相對于帶電粒子束的平臺部110的移動誤差的狀態(tài)下，控制帶電粒子束的照射時序。
[0263]本實施方式的曝光裝置100通過反復(fù)進行圖3及圖17中所說明的S340及SI至El的動作，而將樣品10的圖框曝光。由此，曝光裝置100能一面降低平臺部110的移動誤差所致的電子束的照射位置的變動，一面將樣品10的能夠照射區(qū)域200曝光。
[0264]如上所述，對本實施方式的曝光裝置100的偏向部80使帶電粒子束偏向以使平臺部110的移動誤差降低的內(nèi)容進行了說明。但代替此，或除此以外，掃描控制部190也可將平臺部110的該移動誤差反饋給平臺部110的控制以使其降低。此外，由于平臺部110的控制是物理性地使平臺移動，因此存在于低至數(shù)百Hz的相對低頻的頻段能容易地執(zhí)行該平臺部110的控制的情況。另一方面，能利用帶電粒子束的偏向等電性控制而容易地執(zhí)行在數(shù)百Hz以上的相對高頻的頻段的控制。
[0265]因此，檢測部114可具有第I濾波器及第2濾波器，而分別輸出檢測信號的高頻成分及低頻成分，該第I濾波器使對平臺部110的位置進行檢測的檢測信號中未達預(yù)先設(shè)定的頻率的頻率減少，該第2濾波器使預(yù)先設(shè)定的頻率以上的頻率減少。此處，作為一例，第I濾波器為高通濾波器，第2濾波器為低通濾波器。另外，預(yù)先設(shè)定的頻率可設(shè)定在數(shù)百Hz至數(shù)kHz之間。
[0266]然后，預(yù)測部1000將平臺部110的預(yù)測位置供給至掃描控制部190。掃描控制部190計算出平臺部110的檢測信號的高頻成分即第I濾波器的輸出結(jié)果、及平臺部110的檢測結(jié)果與預(yù)測位置的差量即移動誤差，并將其供給至偏向修正量計算部1904。由此，偏向修正量計算部1904基于使平臺部110的預(yù)測位置與檢測位置的差量中未達預(yù)先設(shè)定的頻率的頻率成分減少的成分而計算出偏向量，偏向部80能根據(jù)該偏向量而使帶電粒子束偏向。
[0267]另外，預(yù)測部1000將平臺部110的預(yù)測位置供給至掃描控制部190。掃描控制部190計算出預(yù)先指示的平臺部110的目標位置、及平臺部110的檢測結(jié)果與預(yù)測位置的差量即移動誤差，以使該移動誤差降低的方式控制平臺部110。由此，平臺部110能基于檢測位置而調(diào)節(jié)樣品10的移動，所述檢測位置是基于使對平臺部110的位置進行檢測的檢測信號中預(yù)先設(shè)定的頻率以上的成分減少而獲得的檢測信號。
[0268]此外，在掃描控制部190以使移動誤差降低的方式控制平臺部110的情況下，根據(jù)平臺部的移動速度的變動，樣品10的照射位置的帶電粒子束的照射量變動。在與應(yīng)該照射至照射位置的照射量相比，帶電粒子束的照射量的該變動導(dǎo)致照射量下降的情況下，或者過量地進行照射的情況下，即便能降低平臺部110的移動誤差，作為曝光裝置也欠佳。
[0269]因此，本實施方式的曝光裝置100可與掃描控制部190的平臺部110的控制一起，控制照射控制部170所實施的帶電粒子電子束的消隱動作。也就是說，在掃描控制部190使平臺部110以預(yù)先設(shè)定的第I速度以上的速度移動的情況下，照射控制部170能以延長向樣品10照射帶電粒子束的時間的方式進行控制。另外，在掃描控制部190使平臺部110以預(yù)先設(shè)定的第2速度以下的速度移動的情況下，照射控制部170能以縮短向樣品10照射帶電粒子束的時間的方式進行控制。
[0270]在該情況下，照射控制部170可從該掃描控制部190接收供掃描控制部190控制平臺部110的控制信號，而判別驅(qū)動平臺部110的速度的信息。另外，照射控制部17 O也可從掃描控制部190接收與平臺部110的檢測結(jié)果及預(yù)測位置對應(yīng)的移動誤差的信息。以此方式，照射控制部170可基于對平臺部110的位置進行檢測的檢測信號的未達預(yù)先設(shè)定的頻率的成分，而以將帶電粒子束照射至樣品10的方式進而進行控制。
[0271]另外，在掃描控制部190不對平臺部110的移動速度進行控制的情況下，也會根據(jù)平臺部的移動速度的變動，樣品10的照射位置的帶電粒子束的照射量變動。在該情況下，照射控制部170可基于平臺部110的移動速度與平臺部110的預(yù)測移動速度的差而控制帶電粒子束的照射量。使用圖18對進行這種控制的曝光裝置100的動作流程進行說明。
[0272]圖18表不本實施方式的曝光裝置100的動作流程的一部分的第2例。圖18表不作為曝光裝置100的動作流程的一部分且相當于圖3所示的本實施方式的曝光裝置100的階段S350的動作，所述階段S350為一面掃描照射位置一面控制帶電粒子束的照射。也就是說，第2構(gòu)成例的曝光裝置100執(zhí)行圖18所示的S2至E2的動作流程，一面掃描陣列射束500的照射位置一面控制帶電粒子束的照射。在圖18的動作流程中，對于與圖17所示的本實施方式的曝光裝置100的動作流程的動作大致相同的動作標注相同的符號，并省略說明。
[0273]掃描控制部190以預(yù)先設(shè)定的初始速度Vo開始平臺部110的移動(S610)。此處，掃描控制部190基于帶電粒子束的射束強度、及應(yīng)該照射至樣品10的照射位置的照射量(例如，由涂布在樣品1上的抗蝕劑的材料等規(guī)定的照射量)，而預(yù)先設(shè)定平臺部110的初始速度Vo。
[0274]此處，帶電粒子束的射束強度為除經(jīng)年變化等以外而大致固定的強度，難以進行調(diào)整。因此，在使帶電粒子束的照射繼續(xù)而使平臺部110以大致固定的移動速度移動的情況下，照射至樣品10的帶電粒子束的曝光量分布成為大致固定的分布。此處，在照射控制部170使帶電粒子束實施消隱動作的情況下，雖然能朝著使帶電粒子束的曝光量分布減少的方向進行控制，但無法使該曝光量分布增加。
[0275]因此，本實施方式的曝光裝置100通過對照射至樣品10的帶電粒子束的曝光量分布預(yù)先施加補償，而利用消隱動作使該曝光量分布增減而適當?shù)剡M行調(diào)整。例如，掃描控制部190預(yù)先設(shè)定能以適當?shù)恼丈淞肯驑悠?0的所有照射位置照射帶電粒子束的帶電粒子束的曝光量分布的目標，并以使帶電粒子束的曝光量分布增減而接近于該曝光量分布的目標的方式，預(yù)先設(shè)定平臺部110的初始速度Vo。也就是說，在平臺部110—面使樣品10以固定的移動速度移動一面對該樣品10繼續(xù)帶電粒子束的照射的情況下，掃描控制部190以帶電粒子束的曝光量分布超出預(yù)先設(shè)定的曝光量分布的目標(例如，曝光量的最高值、平均值、最低值等的高度、大小等)的方式，設(shè)定平臺部110的移動速度的初始值V0。
[0276]以此方式，通過照射控制部170執(zhí)行某種程度以上的消隱動作，掃描控制部190以能使曝光量分布達到目標的方式設(shè)定初始值Vo。從而，照射控制部170能以接近于預(yù)先設(shè)定的曝光量分布的目標的方式，控制向樣品10照射帶電粒子束的時間，而使帶電粒子束的曝光量分布增減而接近于該曝光量分布的目標。
[0277]其次，檢測部114檢測出平臺部110的位置(S620)，預(yù)測部1000生成預(yù)測驅(qū)動量(S630)。預(yù)測部1000從平臺部110的多個檢測位置計算出平均移動速度。另外，時間幀信號產(chǎn)生部1908輸出時間幀信號(S640)。對于至?xí)r間幀信號產(chǎn)生部1908的時間幀信號的輸出為止的動作已經(jīng)進行了說明，因此此處省略說明。此外，預(yù)測部1000將計算出的平均移動速度供給至照射控制部170。
[0278]其次，照射控制部170基于平臺部110的移動速度與平臺部110的預(yù)測移動速度的差而決定帶電粒子束的照射量(S710)。此處，照射控制部170將預(yù)測部1000此次計算出的平臺部110的平均移動速度作為移動速度，將前次計算出的平臺部110的平均移動速度作為預(yù)測移動速度，而決定帶電粒子束的照射量。以此方式，照射控制部170根據(jù)在不同時刻計算出的平均移動速度的變化而決定帶電粒子束的照射量。
[0279]例如，照射控制部170于在時刻T與時刻T+TP*別計算出的平均移動速度的變化未達預(yù)先設(shè)定的變化量的情況下，使帶電粒子束的照射量大致固定。另外，照射控制部170在平均移動速度的該變化增加至預(yù)先設(shè)定的變化量以上的情況下，根據(jù)該增加量而增加照射帶電粒子束的時間。另外，照射控制部170在平均移動速度的該變化減少至預(yù)先設(shè)定的變化量以上的情況下，根據(jù)該減少量而減少照射帶電粒子束的時間。
[0280]然后，照射控制部170根據(jù)所決定的照射量而控制帶電粒子束的照射，使帶電粒子束照射至樣品10的照射位置(S720)。如此，照射控制部170以通過根據(jù)所決定的照射量來切換是否對樣品10照射帶電粒子束而使帶電粒子束的曝光量分布接近于預(yù)先設(shè)定的曝光量分布的目標的方式進行控制。從而，即便在平臺部110發(fā)生速度變動，曝光裝置100也根據(jù)該速度變動而調(diào)節(jié)照射控制部170的消隱動作，因此能以適當?shù)钠毓饬糠植紝щ娏Ｗ邮丈渲翗悠?0。
[0281]以上，作為本實施方式的曝光裝置100基于預(yù)測部1000所生成的預(yù)測驅(qū)動量而執(zhí)行對樣品10照射的帶電粒子束的照射控制的例子，而說明有偏向部80的偏向控制、及照射控制部170的消隱動作的控制。曝光裝置100也可進而使這2個控制組合而執(zhí)行。使用圖19對進行這種控制的曝光裝置100的動作流程進行說明。
[0282]圖19表不本實施方式的曝光裝置100的動作流程的一部分的第3例。圖19表不作為曝光裝置100的動作流程的一部分且相當于圖3所示的本實施方式的曝光裝置100的階段S350的動作，所述階段S350為一面掃描照射位置一面控制帶電粒子束的照射。也就是說，第2構(gòu)成例的曝光裝置100執(zhí)行圖19所示的S3至E3的動作流程，一面掃描陣列射束500的照射位置一面控制帶電粒子束的照射。在圖19的動作流程中，對于與圖17及圖18所示的本實施方式的曝光裝置100的動作流程的動作大致相同的動作標注相同的符號，并省略說明。
[0283]掃描控制部190以預(yù)先設(shè)定的初始速度Vo開始平臺部110的移動(S610)。掃描控制部190如圖18中所說明般，基于帶電粒子束的射束強度、及應(yīng)該照射至樣品10的照射位置的照射量而預(yù)先設(shè)定平臺部110的初始速度Vo。其次，檢測部114檢測出平臺部110的位置(S620)，預(yù)測部1000生成預(yù)測驅(qū)動量(S630)。差量檢測部1902基于預(yù)測驅(qū)動量而計算出平臺部110的移動誤差。另外，時間幀信號產(chǎn)生部1908輸出時間幀信號(S640)。
[0284]其次，偏向部80基于差量檢測部1902計算出的平臺部110的移動誤差，而使帶電粒子束偏向(S650)。另外，照射控制部170基于平臺部110的移動速度與平臺部110的預(yù)測移動速度的差，而決定帶電粒子束的照射量(S710)。然后，照射控制部170根據(jù)所決定的照射量而控制帶電粒子束的照射，使帶電粒子束照射至樣品10的照射位置(S720)。
[0285]如上所述，圖19所示的S3至E3的動作流程是圖17及圖18中所說明的動作的組合。通過執(zhí)行圖19所示的動作流程而作為圖3所示的動作流程的S350，即便在平臺部110產(chǎn)生移動誤差，也能一面以消除該移動誤差的方式使帶電粒子束偏向，一面使帶電粒子束的曝光量分布增減而接近于該曝光量分布的目標。
[0286]對以上的本實施方式的曝光裝置100為具備I個圓柱部120的單柱類型的電子束曝光裝置進行了說明，但并不限定于此，曝光裝置100也可具備多個圓柱部120。使用圖20對這種具備多個圓柱部120的曝光裝置100進行說明。
[0287]圖20表示本實施方式的曝光裝置100的變化例。在圖20中，對于與圖1所示的本實施方式的曝光裝置100的動作大致相同的動作標注相同的符號，并省略說明。本變化例的曝光裝置100具備多個圓柱部120、及多個具有選擇部160、照射控制部170、及偏向量決定部180的曝光控制部140。
[0288]此外，在本變化例的曝光裝置100中，在使平臺部110移動而掃描陣列射束的照射位置的情況下，曝光控制部140的各者也可不具有掃描控制部190。圖20表示曝光裝置100具備I個平臺部110、多個圓柱部120、I個CPU130、不具有掃描控制部190的多個曝光控制部140、及I個掃描控制部190的例子。
[0289]多個圓柱部120的各者分別連接于對應(yīng)的曝光控制部140而將樣品10曝光。各個圓柱部120的動作如圖3等中所說明般，針對每一圖框而將能夠照射區(qū)域200曝光。也就是說，掃描控制部190控制載置樣品10并使該樣品10移動的平臺部110而使樣品10相對于多個圓柱部120而移動，利用多個圓柱部120并排地對樣品10照射帶電粒子束。
[0290]如此，本變化例的電子束曝光裝置100由于能利用多根圓柱部120而并行地進行曝光，所以能大幅提高曝光的處理量。另外，即便樣品10是超過300mm的大口徑的半導(dǎo)體晶片等，也能通過使圓柱部120的數(shù)量對應(yīng)地增加而防止處理量顯著下降。
[0291]此外，本變化例的曝光裝置100存在多個圓柱部120所輸出的多個陣列射束的強度各不相同的情況。因此，曝光裝置100可在進行曝光之前，預(yù)先測定從各個圓柱部120輸出的陣列射束的強度。另外，也能以在多個圓柱部120所產(chǎn)生的多個曝光結(jié)果中不產(chǎn)生不均的方式，修正在各曝光控制部140中的經(jīng)過時間。另外，多個圓柱部120也能以將屬于I個樣品10上的不同半導(dǎo)體晶片的切割圖案分別曝光的方式，針對每個圓柱部120，定位陣列射束及該陣列射束所要曝光的晶片的線圖案。
[0292]以上，通過實施方式對本發(fā)明進行了說明，但本發(fā)明的范圍并不限定于所述實施方式中所記載的范圍。本領(lǐng)域技術(shù)人員明白能對所述實施方式施加各種變更或改良。從權(quán)利要求書的記載可知這種施加了變更或改良的形態(tài)也包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
[0293]應(yīng)該注意權(quán)利要求書、說明書、及圖式中所示的裝置、系統(tǒng)、程序、以及方法中的動作、順序、步驟、及階段等各處理的執(zhí)行順序，只要未特別明確表述為“在此之前”、“之前”等，且不在之后的處理中使用之前的處理的輸出，那么就能以按照任意的順序而實現(xiàn)。關(guān)于權(quán)利要求書、說明書、及圖式中的動作流程，即使為了方便起見而使用“首先”、“其次”等進行說明，也并不意味著必須按照該順序進行實施。
【主權(quán)項】
1.一種曝光裝置，其特征在于具備: 射束產(chǎn)生部，產(chǎn)生帶電粒子束； 平臺部，搭載樣品，并使該樣品相對于所述射束產(chǎn)生部相對性地移動； 檢測部，對所述平臺部的位置進行檢測； 預(yù)測部，基于所述平臺部的檢測位置而生成預(yù)測所述平臺部的驅(qū)動量所得的預(yù)測驅(qū)動量;及 照射控制部，基于所述預(yù)測驅(qū)動量而進行對所述樣品照射所述帶電粒子束的照射控制。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于具備偏向部，該偏向部基于與所述預(yù)測驅(qū)動量對應(yīng)的所述平臺部的預(yù)測位置和所述檢測位置的差量而使所述帶電粒子束偏向。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的曝光裝置，其特征在于: 所述預(yù)測部從所述平臺部的多個所述檢測位置計算出平均移動速度，并基于所述平臺部的所述平均移動速度及所述檢測部檢測出所述平臺部的位置之后的經(jīng)過時間而生成所述預(yù)測驅(qū)動量。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的曝光裝置，其特征在于: 所述檢測部依序檢測出所述平臺部的位置，且 所述預(yù)測部依序計算出所述平臺部的所述平均移動速度并對其進行更新。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的曝光裝置，其特征在于: 每當所述預(yù)測位置達到預(yù)先設(shè)定的分界值時，所述預(yù)測部產(chǎn)生時間幀信號，且所述照射控制部基于所述時間幀信號之后的經(jīng)過時間而決定該時間幀內(nèi)的所述帶電粒子束的照射時序。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的曝光裝置，其特征在于: 所述偏向部基于使所述平臺部的所述預(yù)測位置與所述檢測位置的差量中未達預(yù)先設(shè)定的頻率的頻率成分減少的成分，而使所述帶電粒子束偏向。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的曝光裝置，其特征在于: 所述平臺部基于檢測位置而調(diào)節(jié)所述樣品的移動，該檢測位置是基于使對所述平臺部的位置進行檢測的檢測信號中所述預(yù)先設(shè)定的頻率以上的成分減少的檢測信號。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的曝光裝置，其特征在于: 所述照射控制部基于對所述平臺部的位置進行檢測的檢測信號的未達所述預(yù)先設(shè)定的頻率的成分，而以將所述帶電粒子束照射至所述樣品的方式進行控制。9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的曝光裝置，其特征在于: 所述偏向部基于所述平臺部的所述預(yù)測位置與所述檢測位置的差量、及與預(yù)先設(shè)定的延遲時間對應(yīng)的所述樣品的移動位置而使所述帶電粒子束偏向。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于: 所述照射控制部基于所述平臺部的移動速度與所述平臺部的預(yù)測移動速度的差，而控制所述帶電粒子束的照射。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的曝光裝置，其特征在于: 所述預(yù)測部從所述平臺部的多個所述檢測位置計算出平均移動速度，且 所述照射控制部將所述預(yù)測部此次計算出的所述平臺部的所述平均移動速度作為所述移動速度，且將前次計算出的所述平臺部的平均移動速度作為所述預(yù)測移動速度而控制所述帶電粒子束的照射量。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的曝光裝置，其特征在于: 所述照射控制部以接近于預(yù)先設(shè)定的曝光量分布的目標的方式，控制對所述樣品照射所述帶電粒子束的時間。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的曝光裝置，其特征在于: 所述照射控制部通過切換是否對所述樣品照射所述帶電粒子束，而以使所述帶電粒子束的曝光量分布接近于所述預(yù)先設(shè)定的曝光量分布的目標的方式進行控制。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的曝光裝置，其特征在于: 在所述平臺部一面使所述樣品以固定的移動速度移動一面對所述樣品繼續(xù)所述帶電粒子束的照射的情況下，以所述帶電粒子束的曝光量分布超出所述預(yù)先設(shè)定的曝光量分布的高度的方式設(shè)定所述平臺部的移動速度的初始值。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于: 所述照射控制部還具備切換是否對所述樣品照射所述帶電粒子束的消隱部。16.根據(jù)權(quán)利要求1至15中任一項所述的曝光裝置，其特征在于: 所述射束產(chǎn)生部沿著樣品上的線圖案的寬度方向產(chǎn)生照射位置不同的多個帶電粒子束，且 所述平臺部使所述多個帶電粒子束的照射位置沿著所述線圖案的較長方向而掃描，該曝光裝置還具備選擇部，該選擇部在所述線圖案上的較長方向的指定的照射位置，選擇所述多個帶電粒子束中應(yīng)該照射至所述樣品的至少I個帶電粒子束， 所述照射控制部以對所述樣品照射所選擇的所述至少I個帶電粒子束的方式進行控制。17.一種曝光方法，對樣品照射帶電粒子束，其特征在于包括: 射束產(chǎn)生階段，射束產(chǎn)生部產(chǎn)生帶電粒子束； 移動階段，搭載有所述樣品的平臺部使該樣品相對于所述射束產(chǎn)生部相對性地移動； 檢測階段，對所述平臺部的位置進行檢測； 預(yù)測階段，基于所述平臺部的檢測位置而生成預(yù)測所述平臺部的驅(qū)動量所得的預(yù)測驅(qū)動量； 照射控制階段，基于所述預(yù)測驅(qū)動量而進行對所述樣品照射所述帶電粒子束的照射控制;及 偏向階段，基于與所述預(yù)測驅(qū)動量對應(yīng)的所述平臺部的預(yù)測位置和所述檢測位置的差量，而使所述帶電粒子束偏向。18.一種曝光方法，對樣品照射帶電粒子束，其特征在于包括: 射束產(chǎn)生階段，射束產(chǎn)生部產(chǎn)生帶電粒子束； 移動階段，搭載有所述樣品的平臺部使該樣品相對于所述射束產(chǎn)生部而相對性地移動； 檢測階段，對所述平臺部的位置進行檢測； 預(yù)測階段，基于所述平臺部的檢測位置而生成預(yù)測所述平臺部的驅(qū)動量所得的預(yù)測驅(qū)動量;及 照射控制階段，基于所述預(yù)測驅(qū)動量而進行對所述樣品照射所述帶電粒子束的照射控制; 所述照射控制階段基于所述平臺部的移動速度與所述平臺部的預(yù)測移動速度的差，而控制所述帶電粒子束的照射量。
【文檔編號】H01J37/244GK106098519SQ201610096405
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年2月22日 公開號201610096405.9, CN 106098519 A, CN 106098519A, CN 201610096405, CN-A-106098519, CN106098519 A, CN106098519A, CN201610096405, CN201610096405.9
【發(fā)明人】山田章夫, 瀨山雅裕, 那須野秀樹
【申請人】愛德萬測試株式會社