一種用于多晶硅片生產(chǎn)的自動下料刻蝕機(jī)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及多晶硅生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于多晶硅片生產(chǎn)的自動下料刻蝕機(jī)，包括等離子刻蝕機(jī)、超聲清洗設(shè)備、拋光設(shè)備、帶傳動機(jī)構(gòu)、裝片盒，硅片輸出裝置、氣體泵、冷凝裝置和支撐架，本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了對硅片刻蝕、清洗、干燥和拋光的目的，氣體泵將刻蝕機(jī)中的熱空氣抽出并通過管道傳遞給泠凝裝置，冷凝裝置將熱空氣冷凝為液態(tài)水，熱空氣經(jīng)冷凝后流入超聲清洗設(shè)備中供清洗硅片使用，實(shí)現(xiàn)了刻蝕機(jī)的降溫，也利用了熱空氣，節(jié)約了水資源，當(dāng)裝片盒中沒有硅片時，伸縮桿收縮成初始狀態(tài)，吸盤將不會吸附裝片盒中的硅片刻蝕機(jī)和其它裝置均不工作，減少了電能的浪費(fèi)，節(jié)省了能源，整個生產(chǎn)過程實(shí)現(xiàn)了自動化和智能化，具有很大的創(chuàng)造性。
【專利說明】
一種用于多晶硅片生產(chǎn)的自動下料刻蝕機(jī)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及多晶硅生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于多晶硅片生產(chǎn)的自動下料刻蝕機(jī)。
【背景技術(shù)】
[0002]等離子刻蝕機(jī)，又叫等離子蝕刻機(jī)、等離子平面刻蝕機(jī)、等離子體刻蝕機(jī)、等離子表面處理儀、等離子清洗系統(tǒng)等。等離子刻蝕，是干法刻蝕中最常見的一種形式，其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體，由此產(chǎn)生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過電場加速時，會釋放足夠的力量與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。某種程度來講，等離子清洗實(shí)質(zhì)上是等離子體刻蝕的一種較輕微的情況。進(jìn)行干式蝕刻工藝的設(shè)備包括反應(yīng)室、電源、真空部分。工件送入被真空栗抽空的反應(yīng)室。氣體被導(dǎo)入并與等離子體進(jìn)行交換。等離子體在工件表面發(fā)生反應(yīng)，反應(yīng)的揮發(fā)性副產(chǎn)物被真空栗抽走。等離子體刻蝕工藝實(shí)際上便是一種反應(yīng)性等離子工藝。近期的發(fā)展是在反應(yīng)室的內(nèi)部安裝成擱架形式，這種設(shè)計(jì)的是富有彈性的，用戶可以移去架子來配置合適的等離子體的蝕刻方法:反應(yīng)性等離子體(RIE)，順流等離子體(downstream)，直接等離子體(direct1n plasma)。在專利號為CN201510657768的專利文件中，公開了一種等離子刻蝕機(jī)，屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。該等離子刻蝕機(jī)包括反應(yīng)腔室，所述反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)置有離子產(chǎn)生電極，所述離子產(chǎn)生電極上方設(shè)置有支撐框以支撐待加工工件，所述支撐框開設(shè)有安裝孔，所述離子產(chǎn)生電極在對應(yīng)著所述安裝孔的區(qū)域開設(shè)有螺紋孔，所述安裝孔和所述螺紋孔通過螺釘連接，所述螺釘?shù)妮S向、且位于所述螺釘?shù)纳戏皆O(shè)置有密封單元，所述密封單元用于密封所述安裝孔。該等離子刻蝕機(jī)可以長期有效地阻擋支撐框上方的等離子體進(jìn)入到離子產(chǎn)生電極的螺紋孔內(nèi)，避免等離子體損傷離子產(chǎn)生電極。
[0003]上述專利文件其支撐框上開設(shè)的安裝孔內(nèi)從上至下依次設(shè)置有密封帽蓋、密封單元和螺釘，可以長期有效地阻擋支撐框上方的等離子體進(jìn)入到離子產(chǎn)生電極的螺紋孔內(nèi)，避免等離子體損害螺紋孔，同時避免等離子體使離子產(chǎn)生電極的絕緣性失效以及異常放電的現(xiàn)象，但是對于如何提供一個結(jié)構(gòu)簡單，可實(shí)現(xiàn)對硅片刻蝕、清洗、干燥和拋光、同時可自我降溫的用于多晶硅片生產(chǎn)的自動下料刻蝕機(jī)缺少技術(shù)性解決方案。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004](一)解決的技術(shù)問題
[0005]針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種用于多晶硅片生產(chǎn)的自動下料刻蝕機(jī)，用于解決如何提供一個結(jié)構(gòu)簡單，可實(shí)現(xiàn)對硅片刻蝕、清洗、干燥和拋光、同時可自我降溫的用于多晶硅片生產(chǎn)的自動下料刻蝕機(jī)的問題。
[0006](二)技術(shù)方案
[0007]為實(shí)現(xiàn)以上目的，本發(fā)明通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn):
[0008]—種用于多晶硅片生產(chǎn)的自動下料刻蝕機(jī)，包括機(jī)體、等離子刻蝕機(jī)、超聲清洗設(shè)備、拋光設(shè)備、帶傳動機(jī)構(gòu)、裝片盒，硅片輸出裝置、氣體栗、冷凝裝置和支撐架;所述刻蝕機(jī)的的上部設(shè)有吸盤、所述吸盤上設(shè)有光學(xué)距離測量儀、微處理器、信號輸出設(shè)備、控制器、所述超聲清洗設(shè)備和拋光設(shè)備的上端均設(shè)置有紅外感應(yīng)器、微處理器、信號輸出裝置、控制器，所述等離子刻蝕機(jī)、超聲清洗設(shè)備、拋光設(shè)備、帶傳動機(jī)構(gòu)、裝片盒，硅片輸出裝置均設(shè)置在所述機(jī)體的后半部，所述氣體栗和冷凝裝置設(shè)置在機(jī)體的前半部，所述支撐架的下端設(shè)置有滾輪，可以使機(jī)體隨意移動，所述等離子刻蝕機(jī)、氣體栗、冷凝裝置和超聲清洗設(shè)備通過PVC管道相連、所述等離子刻蝕機(jī)、超聲清洗設(shè)備、拋光設(shè)備和裝片盒通過帶傳動機(jī)構(gòu)相連接，所述紅外感應(yīng)器、微處理器、信號輸出裝置和控制器依次電性聯(lián)接，所述光學(xué)距離測量儀、微處理器、信號輸出設(shè)備和控制器依次電性聯(lián)接。
[0009]優(yōu)選的，所述硅片輸出裝置包括壓力傳感器、微處理器、信號輸出設(shè)備、控制器、自動伸縮桿和裝片盒。所述壓力傳感器、微處理器、信號輸出設(shè)備和控制器依次電性聯(lián)接。
[0010]優(yōu)選的，所述硅片輸出裝置中的裝片盒通過自動伸縮桿固定在機(jī)體的上部，所述吸盤通過自動伸縮桿固定在刻蝕機(jī)的上部。
[0011]優(yōu)選的，所述等離子刻蝕機(jī)、超聲清洗設(shè)備、拋光設(shè)備和裝片盒設(shè)置在同一條直線上。
[0012]優(yōu)選的，所述吸盤位于所述硅片輸出裝置中裝片盒的正下方。
[0013]優(yōu)選的，所述氣體栗可以將所述刻蝕機(jī)中的熱空氣抽出，熱空氣進(jìn)入冷凝裝置冷凝為液體，液體通過PVC管道流入超聲清洗設(shè)備。
[0014]優(yōu)選的，所述清洗設(shè)備包含干燥裝置。
[0015](三)有益效果
[0016]本發(fā)明提供了一種用于多晶硅片生產(chǎn)的自動下料刻蝕機(jī)，本發(fā)明在裝片盒中的硅片被吸盤送入刻蝕機(jī)進(jìn)行刻蝕，刻蝕后的硅片通過帶傳動裝置依次被傳送到超聲清洗設(shè)備和拋光設(shè)備，當(dāng)硅片被超聲清洗設(shè)備和拋光設(shè)備上的紅外感應(yīng)器感應(yīng)到裝片盒中的硅片就會發(fā)出信號信號依次經(jīng)過微處理器、信號輸出裝置和控制器，控制器控制超聲清洗設(shè)備和拋光設(shè)備對硅片進(jìn)行清洗、干燥和拋光，提高了硅片刻蝕的質(zhì)量，同時氣體栗將刻蝕機(jī)中的熱空氣抽出并通過管道傳遞給泠凝裝置，冷凝裝置將熱空氣冷凝為液態(tài)水，熱空氣經(jīng)冷凝后流入超聲清洗設(shè)備中供清洗硅片使用，不但實(shí)現(xiàn)了給刻蝕機(jī)降溫的目的，也更好的利用了熱空氣，節(jié)約了水資源，當(dāng)裝片盒中沒有硅片時，伸縮桿收縮成初始狀態(tài)，吸盤將不會吸附裝片盒中的硅片刻蝕機(jī)和其它裝置均不工作，減少了不必要的電能的浪費(fèi)，節(jié)省了能源。由于整個生產(chǎn)過程實(shí)現(xiàn)了自動化和智能化，從而使整個過程的安全性得到提高。
【附圖說明】
[0017]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0018]圖1本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖中的標(biāo)號分別代表:1.自動伸縮桿2.刻蝕機(jī)3.紅外感應(yīng)器4.超聲清洗設(shè)備
5.帶傳動機(jī)構(gòu)6.裝片盒7.支撐桿8.冷凝裝置9.氣體栗10.壓力傳感器11.吸盤12.光學(xué)距離測量儀13.微處理器14.信號輸出裝置15.控制器16.拋光設(shè)備。
【具體實(shí)施方式】
[0020]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0021]如圖1所示的一種用于多晶硅片生產(chǎn)的自動下料刻蝕機(jī)，包括機(jī)體、等離子刻蝕機(jī)、超聲清洗設(shè)備、拋光設(shè)備、帶傳動機(jī)構(gòu)、裝片盒，硅片輸出裝置、氣體栗、冷凝裝置和支撐架;刻蝕機(jī)的的上部設(shè)有吸盤、吸盤上設(shè)有光學(xué)距離測量儀、微處理器、信號輸出設(shè)備、控制器、超聲清洗設(shè)備和拋光設(shè)備的上端均設(shè)置有紅外感應(yīng)器、微處理器、信號輸出裝置、控制器，等離子刻蝕機(jī)、超聲清洗設(shè)備、拋光設(shè)備、帶傳動機(jī)構(gòu)、裝片盒，硅片輸出裝置均設(shè)置在機(jī)體的后半部，氣體栗和冷凝裝置設(shè)置在機(jī)體的前半部，支撐架的下端設(shè)置有滾輪，可以使機(jī)體隨意移動，等離子刻蝕機(jī)、氣體栗、冷凝裝置和超聲清洗設(shè)備通過PVC管道相連、等離子刻蝕機(jī)、超聲清洗設(shè)備、拋光設(shè)備和裝片盒通過帶傳動機(jī)構(gòu)相連接，紅外感應(yīng)器、微處理器、信號輸出裝置和控制器依次電性聯(lián)接，光學(xué)距離測量儀、微處理器、信號輸出設(shè)備和控制器依次電性聯(lián)接。
[0022]具體的，硅片輸出裝置包括壓力傳感器、微處理器、信號輸出設(shè)備、控制器、自動伸縮桿和裝片盒。壓力傳感器、微處理器、信號輸出設(shè)備和控制器依次電性聯(lián)接，硅片輸出裝置中的裝片盒通過自動伸縮桿固定在機(jī)體的上部，吸盤通過自動伸縮桿固定在刻蝕機(jī)的上部，等離子刻蝕機(jī)、超聲清洗設(shè)備、拋光設(shè)備和裝片盒設(shè)置在同一條直線上，吸盤位于硅片輸出裝置中裝片盒的正下方，氣體栗可以將刻蝕機(jī)中的熱空氣抽出，熱空氣進(jìn)入冷凝裝置冷凝為液體，液體通過PVC管道流入超聲清洗設(shè)備，清洗設(shè)備包含干燥裝置。
[0023]本發(fā)明提供了一種用于多晶硅片生產(chǎn)的自動下料刻蝕機(jī)，本發(fā)明在裝片盒中的硅片被吸盤送入刻蝕機(jī)進(jìn)行刻蝕，刻蝕后的硅片通過帶傳動裝置依次被傳送到超聲清洗設(shè)備和拋光設(shè)備，當(dāng)硅片被超聲清洗設(shè)備和拋光設(shè)備上的紅外感應(yīng)器感應(yīng)到裝片盒中的硅片就會發(fā)出信號信號依次經(jīng)過微處理器、信號輸出裝置和控制器，控制器控制超聲清洗設(shè)備和拋光設(shè)備對硅片進(jìn)行清洗、干燥和拋光，提高了硅片刻蝕的質(zhì)量，同時氣體栗將刻蝕機(jī)中的熱空氣抽出并通過管道傳遞給泠凝裝置，冷凝裝置將熱空氣冷凝為液態(tài)水，熱空氣經(jīng)冷凝后流入超聲清洗設(shè)備中供清洗硅片使用，不但實(shí)現(xiàn)了給刻蝕機(jī)降溫的目的，也更好的利用了熱空氣，節(jié)約了水資源，當(dāng)裝片盒中沒有硅片時，伸縮桿收縮成初始狀態(tài)，吸盤將不會吸附裝片盒中的硅片刻蝕機(jī)和其它裝置均不工作，減少了不必要的電能的浪費(fèi)，節(jié)省了能源。由于整個生產(chǎn)過程實(shí)現(xiàn)了自動化和智能化，從而使整個過程的安全性得到提高。
[0024]需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個實(shí)體或者操作與另一個實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。
[0025]以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換;而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于多晶硅片生產(chǎn)的自動下料刻蝕機(jī)，包括機(jī)體，其特征在于，包括等離子刻蝕機(jī)、超聲清洗設(shè)備、拋光設(shè)備、帶傳動機(jī)構(gòu)、裝片盒，硅片輸出裝置、氣體栗、冷凝裝置和支撐架;所述刻蝕機(jī)的的上部設(shè)有吸盤、所述吸盤上設(shè)有光學(xué)距離測量儀、微處理器、信號輸出設(shè)備、控制器、所述超聲清洗設(shè)備和拋光設(shè)備的上端均設(shè)置有紅外感應(yīng)器、微處理器、信號輸出裝置、控制器，所述等離子刻蝕機(jī)、超聲清洗設(shè)備、拋光設(shè)備、帶傳動機(jī)構(gòu)、裝片盒，硅片輸出裝置均設(shè)置在所述機(jī)體的后半部，所述氣體栗和冷凝裝置設(shè)置在機(jī)體的前半部，所述支撐架的下端設(shè)置有滾輪，可以使機(jī)體隨意移動，所述等離子刻蝕機(jī)、氣體栗、冷凝裝置和超聲清洗設(shè)備通過PVC管道相連、所述等離子刻蝕機(jī)、超聲清洗設(shè)備、拋光設(shè)備和裝片盒通過帶傳動機(jī)構(gòu)相連接，所述紅外感應(yīng)器、微處理器、信號輸出裝置和控制器依次電性聯(lián)接，所述光學(xué)距離測量儀、微處理器、信號輸出設(shè)備和控制器依次電性聯(lián)接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于多晶硅片生產(chǎn)的自動下料刻蝕機(jī)，其特征在于:所述硅片輸出裝置包括壓力傳感器、微處理器、信號輸出設(shè)備、控制器、自動伸縮桿和裝片盒。所述壓力傳感器、微處理器、信號輸出設(shè)備和控制器依次電性聯(lián)接。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于多晶硅片生產(chǎn)的自動下料刻蝕機(jī)，其特征在于:所述硅片輸出裝置中的裝片盒通過自動伸縮桿固定在機(jī)體的上部，所述吸盤通過自動伸縮桿固定在刻蝕機(jī)的上部。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于多晶硅片生產(chǎn)的自動下料刻蝕機(jī)，其特征在于:所述等離子刻蝕機(jī)、超聲清洗設(shè)備、拋光設(shè)備和裝片盒設(shè)置在同一條直線上。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于多晶硅片生產(chǎn)的自動下料刻蝕機(jī)，其特征在于:所述吸盤位于所述硅片輸出裝置中裝片盒的正下方。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于多晶硅片生產(chǎn)的自動下料刻蝕機(jī)，其特征在于:所述氣體栗可以將所述刻蝕機(jī)中的熱空氣抽出，熱空氣進(jìn)入冷凝裝置冷凝為液體，液體通過PVC管道流入超聲清洗設(shè)備。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于多晶硅片生產(chǎn)的自動下料刻蝕機(jī)，其特征在于:所述清洗設(shè)備包含干燥裝置。
【文檔編號】H01L21/67GK106098598SQ201610656297
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年8月11日 公開號201610656297.6, CN 106098598 A, CN 106098598A, CN 201610656297, CN-A-106098598, CN106098598 A, CN106098598A, CN201610656297, CN201610656297.6
【發(fā)明人】張冠綸
【申請人】通威太陽能（合肥）有限公司