陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示裝置，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括：在襯底基板上形成包括薄膜晶體管TFT的平坦層前膜層結(jié)構(gòu)；在形成有所述平坦層前膜層結(jié)構(gòu)的襯底基板上形成平坦層圖案；在形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成第一鈍化層；在形成有所述第一鈍化層的襯底基板上形成公共電極；在形成有所述公共電極的襯底基板上形成觸摸金屬圖案TPM。由于該平坦層圖案上覆蓋有第一鈍化層，該第一鈍化層的穩(wěn)定性較高，因此在形成TPM時，該第一鈍化層能夠保護平坦層圖案，避免平坦層圖案中析出污染物對TPM以及鍍膜腔室造成污染。本發(fā)明用于制造陣列基板。
【專利說明】
陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示
目.0
【背景技術(shù)】
[0002]顯示面板通常包括陣列基板、彩膜基板以及形成于陣列基板和彩膜基板之間的液晶層。其中，陣列基板上形成有大面積的公共電極以及像素電極，陣列基板通過這兩個電極能夠使液晶層中的液晶進行偏轉(zhuǎn)。但由于公共電極的面積較大，其電阻通常較高，這可能會影響顯示面板的顯示效果，尤其是在將公共電極和像素電極作為該顯示面板的兩個觸控電極時，公共電極的電阻過高會嚴重影響顯示面板的觸控功能。
[0003]相關(guān)技術(shù)中有一種陣列基板的制造方法，在該方法中:I)在襯底基板上形成包括薄膜晶體管(英文:Thin Film Transistor;簡稱:TFT)在內(nèi)的平坦層前膜層結(jié)構(gòu);2)在形成有平坦層前膜層結(jié)構(gòu)的襯底基板上形成平坦層圖案;3)在形成有平坦層圖形的襯底基板上形成公共電極；4)在公共電極上形成觸摸金屬圖案(英文:Touch pattern Metal;簡稱:TPM)，TPM可以為金屬走線，導電性能好，能夠解決公共電極的電阻較大的問題;5)在形成有TPM的襯底基板上形成緩沖層以及像素電極，像素電極通過過孔與TFT中的源極或漏極連接。
[0004]但是，由于公共電極與平坦層圖案的形狀不同，平坦層圖案上可能存在未覆蓋公共電極的區(qū)域，且由于TPM形成時是采用射頻磁控濺射的方式，等離子體轟擊靶材的時候也會將平坦層圖案中的分子轟擊出來，該平坦層圖案中析出的分子會對TPM以及鍍膜腔室造成污染。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決相關(guān)技術(shù)中在公共電極上直接形成TPM可能會對TPM以及鍍膜腔室造成污染的問題，本發(fā)明提供了一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示裝置，所述技術(shù)方案如下:
[0006]第一方面，提供了一種陣列基板的制造方法，所述方法包括:
[0007]在襯底基板上形成包括薄膜晶體管TFT的平坦層前膜層結(jié)構(gòu)；
[0008]在形成有所述平坦層前膜層結(jié)構(gòu)的襯底基板上形成平坦層圖案；
[0009]在形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成第一鈍化層；
[0010]在形成有所述第一鈍化層的襯底基板上形成公共電極；
[0011]在形成有所述公共電極的襯底基板上形成觸摸金屬圖案TPM。
[0012]可選的，所述公共電極上形成有公共電極孔，所述平坦層圖案上形成有平坦層孔，所述平坦層孔位于所述TFT的源極或漏極上方，所述在形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成第一鈍化層之后，所述方法還包括:
[0013]在所述第一鈍化層上形成第一TFT接觸過孔，所述第一 TFT接觸過孔與所述平坦層孔連通，所述第一 TFT接觸過孔在所述襯底基板上的正投影位于所述平坦層孔在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。
[0014]可選的，所述在形成有所述公共電極的襯底基板上形成TPM之后，所述方法還包括:
[0015]在形成有所述TPM的襯底基板上形成第二鈍化層；
[0016]在所述第二鈍化層上形成第二 TFT接觸過孔，所述第二 TFT接觸過孔通過所述公共電極孔、所述第一 TFT接觸過孔與所述平坦層孔連通；
[0017]在形成有所述第二TFT接觸過孔的襯底基板上形成像素電極，所述像素電極通過所述第二 TFT接觸過孔、所述第一 TFT接觸過孔以及所述平坦層孔與所述TFT的源極或漏極連接。
[0018]可選的，所述第一TFT接觸過孔與所述平坦層孔采用同一張掩膜板形成。
[0019]可選的，所述第二TFT接觸過孔在所述襯底基板上的正投影位于所述第一TFT接觸過孔在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。
[0020]可選的，所述在形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成第一鈍化層，包括:
[0021]在形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成覆蓋所述襯底基板的頂面的所述第一鈍化層。
[0022]可選的，所述像素電極的材料包括多晶硅氧化銦錫Ρ-ΙΤ0。
[0023]第二方面，提供了一種陣列基板，所述陣列基板是由第一方面所述的方法制造形成的，所述陣列基板包括:襯底基板；
[0024]所述襯底基板上形成有包括薄膜晶體管TFT的平坦層前膜層結(jié)構(gòu)；
[0025]形成有所述平坦層前膜層結(jié)構(gòu)的襯底基板上形成有平坦層圖案；
[0026]形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成有第一鈍化層；
[0027]形成有所述第一鈍化層的襯底基板上形成有公共電極；
[0028]形成有所述公共電極的襯底基板上形成有觸摸金屬圖案TPM。
[0029]可選的，所述公共電極上形成有公共電極孔，所述平坦層圖案上形成有平坦層孔，所述平坦層孔位于所述TFT的源極或漏極上方；
[0030]所述第一鈍化層上形成有第一TFT接觸過孔，所述第一 TFT接觸過孔與所述平坦層孔連通，所述第一 TFT接觸過孔在所述襯底基板上的正投影位于所述平坦層孔在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。
[0031]可選的，形成有所述TPM的襯底基板上形成有第二鈍化層，所述第二鈍化層上形成有第二 TFT接觸過孔，所述第二 TFT接觸過孔穿過所述公共電極孔、所述第一 TFT接觸過孔與所述平坦層孔連通；
[0032]形成有所述第二TFT接觸過孔的襯底基板上形成有像素電極，所述像素電極通過所述第二 TFT接觸過孔、所述第一 TFT接觸過孔以及所述平坦層孔與所述TFT的源極或漏極連接。
[0033]第三方面，提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括第二方面所述的陣列基板。
[0034]本發(fā)明提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是:
[0035]本發(fā)明提供了一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示裝置，該方法通過在形成有該平坦層圖案的襯底基板上形成第一鈍化層，然后再在形成有該第一鈍化層的襯底基板上形成公共電極和TPM，由于該平坦層圖案上覆蓋有第一鈍化層，該第一鈍化層的穩(wěn)定性較高，因此在形成TPM時，該第一鈍化層能夠保護平坦層圖案，避免平坦層圖案中析出污染物對TPM以及鍍膜腔室造成污染。
【附圖說明】
[0036]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0037]圖1是本發(fā)明實施例示出的一種陣列基板的制造方法的流程圖；
[0038]圖2-1是本發(fā)明實施例示出的另一種陣列基板的制造方法的流程圖；
[0039]圖2-2是圖2-1所示實施例中襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖2_3是圖2_1所不實施例中襯底基板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0041 ]圖2_4是圖2_1所不實施例中襯底基板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0042]圖2-5是圖2-1所示實施例中襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖2-6是圖2-1所示實施例中襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044]圖2_7是圖2_1所不實施例中襯底基板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0045]圖2-8是圖2-1所示實施例中襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046]圖2-9是圖2-1所示實施例中襯底基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0047]圖3-1是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0048]圖3-2是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板周邊區(qū)域的剖視圖。
【具體實施方式】
[0049]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施方式作進一步地詳細描述。
[0050]圖1是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制造方法的流程圖，參考圖1，該方法包括:
[0051]步驟101、在襯底基板上形成包括TFT的平坦層前膜層結(jié)構(gòu)。
[0052]步驟102、在形成有該平坦層前膜層結(jié)構(gòu)的襯底基板上形成平坦層圖案。
[0053]步驟103、在形成有該平坦層圖案的襯底基板上形成第一鈍化層。
[0054]步驟104、在形成有該第一鈍化層的襯底基板上形成公共電極。
[0055]步驟105、在形成有該公共電極的襯底基板上形成觸摸金屬圖案TPM。
[0056]綜上所述，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的制造方法，該方法通過在形成有該平坦層圖案的襯底基板上形成第一鈍化層，然后再在形成有該第一鈍化層的襯底基板上形成公共電極和TPM，由于該平坦層圖案上覆蓋有第一鈍化層，該第一鈍化層的穩(wěn)定性較高，因此在形成TPM時，該第一鈍化層能夠保護平坦層圖案，避免平坦層圖案中析出污染物對TPM以及鍍膜腔室造成污染。
[0057]圖2-1是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制造方法的流程圖，參考圖2-1，該方法包括:
[0058]步驟201、在襯底基板上形成包括TFT的平坦層前膜層結(jié)構(gòu)。
[0059]在使用本發(fā)明實施例提供的陣列基板制造方法時，可以首先在襯底基板上形成包括TFT的平坦層前膜層結(jié)構(gòu)。平坦層前膜層結(jié)構(gòu)可以是指形成平坦層之前，襯底基板上的膜層結(jié)構(gòu)，平坦層前膜層結(jié)構(gòu)根據(jù)情況可能不同，在應用了低溫多晶硅(英文:LowTemperature Poly-silicon;簡稱:LTPS)技術(shù)的陣列基板上，形成了平坦層前膜層結(jié)構(gòu)的襯底基板可以如圖2-2所示，其中，襯底基板11上由下而上依次形成有遮光(英文:LightShield;簡稱:LS)層12、緩沖層(英文:buffer)13、多晶硅(P-SI)有源層14、柵絕緣層(英文:Gate Insulator;簡稱:GI) 15、柵極 16、層間介電層(英文:inter-layer Dielectric;簡稱:ILD)17和源漏極18等。平坦層前膜層結(jié)構(gòu)還可以為其他，具體可以參考相關(guān)技術(shù)，在此不再贅述。
[0060]步驟202、在形成有該平坦層前膜層結(jié)構(gòu)的襯底基板上形成平坦層圖案。
[0061]在襯底基板上形成平坦層前膜層結(jié)構(gòu)后，可以在形成有平坦層前膜層結(jié)構(gòu)的襯底基板上形成平坦層圖案。該平坦層圖案上形成有平坦層孔，該平坦層孔位于TFT的源極或漏極上方，該平坦層孔可以使平坦層圖案下層的TFT中的源極或漏極露出。
[0062]本步驟結(jié)束時，襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖2-3所示，其中，平坦層圖案19形成于源漏極18的上方，平坦層圖案19上形成有平坦層孔191，源漏極18從平坦層孔191中露出。需要說明的是，附圖標記18代表源極和漏極，而源極和漏極中的一個從平坦層孔191中露出。
[0063]步驟203、在形成有該平坦層圖案的襯底基板上形成第一鈍化層。
[0064]在襯底基板上形成平坦層圖案后，可以在形成有平坦層圖案的襯底基板上形成第一鈍化層(英文:passivat1n layer;簡稱:PVX)，該第一鈍化層可以起到保護平坦層圖案的作用。本步驟結(jié)束時，襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖2-4所示，其中，第一鈍化層20形成在平坦層圖案19上。
[0065]具體的，可以在形成有平坦層圖案的襯底基板上形成覆蓋襯底基板的頂面的第一鈍化層。其中，襯底基板的頂面可以包括襯底基板上的有效顯示區(qū)域和周邊區(qū)域。由于周邊區(qū)域可能未形成有公共電極，因而周邊區(qū)域的平坦層圖案更有可能被損壞，因而在周邊區(qū)域也形成有鈍化層能夠保護周邊區(qū)域區(qū)的平坦層圖案。其中，襯底基板的有效顯示區(qū)可以是指該襯底基板后續(xù)形成的陣列基板的有效顯示區(qū)。
[0066]步驟204、在該第一鈍化層上形成第一TFT接觸過孔。
[0067]該第一 TFT接觸過孔與該平坦層孔連通，該第一 TFT接觸過孔在該襯底基板上的正投影位于該平坦層孔在該襯底基板上的正投影內(nèi)，也即是該第一TFT接觸過孔與該平坦層孔的位置一致，且該第一 TFT接觸過孔的直徑小于該平坦層孔的直徑，從而可以保證該第一鈍化層對該平坦層圖案的有效覆蓋，避免形成TPM時，對該平坦層圖案造成損壞。
[0068]本步驟結(jié)束時，襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖2-5所示，第一鈍化層20上形成有第一TFT接觸過孔201，該第一 TFT接觸過孔201在襯底基板11的正投影位于該平坦層孔191在襯底基板11的正投影內(nèi)。
[0069]需要說明的是，在實際應用中，該第一TFT接觸過孔與該平坦層孔可以采用同一張掩膜板形成，由于該第一TFT接觸過孔的直徑小于該平坦層孔的直徑，因此在形成該第一TFT接觸過孔時，可以通過調(diào)節(jié)曝光量的大小來調(diào)整該掩膜板所形成的過孔孔徑的大小。因此，相比于相關(guān)技術(shù)，本發(fā)明提供的陣列基板的制造方法能夠在不增加掩膜板數(shù)量的情況下，達到保護平坦層圖案的效果。
[0070]步驟205、在形成有該第一鈍化層的襯底基板上形成公共電極。
[0071]在襯底基板上形成第一鈍化層后，可以在形成有第一鈍化層的襯底基板上形成公共電極，形成該公共電極的材料可以包括氧化銦錫(英文:Indium Tin Oxides;簡稱:ITO)。
[0072]本步驟結(jié)束時，襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖2-6所示，其中，公共電極21形成于第一鈍化層20上，公共電極21上形成有公共電極孔211，且該公共電極孔211大于該平坦層孔191。
[0073]步驟206、在形成有該公共電極的襯底基板上形成ΤΡΜ。
[0074]在襯底基板上形成了公共電極后，可以在形成有公共電極的襯底基板上形成ΤΡΜ。在本發(fā)明實施例中，可以通過構(gòu)圖工藝來形成ΤΡΜ，構(gòu)圖工藝可以包括曝光、顯影、刻蝕和剝離等，具體可以參考相關(guān)技術(shù)，在此不再贅述。
[0075]在實際應用中，形成該TPM的材料可以包括鉬(Mo)，TPM可以通過鍍膜機形成，TPM形成時的工藝參數(shù)可以為:鍍膜機功率為150KW，鍍膜腔室的溫度為100攝氏度。形成TPM時鍍膜機的功率較高，鍍膜腔室的溫度較高，若平坦層圖案暴露在這樣的環(huán)境下，平坦層圖案的表面會析出污染物分子，該污染物分子會對TPM以及鍍膜腔室造成污染，TPM被污染后其電阻會被影響。由于第一鈍化層一般采用硅化物，例如二氧化硅或氮氧化硅等制成，該第一鈍化層的穩(wěn)定性較高，在形成TPM時，第一鈍化層通常不會被影響。因此可以在TPM的形成過程中，保護該平坦層圖案。
[0076]本步驟結(jié)束時，襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖2-7所示，其中，ΤΡΜ22形成于公共電極21上。圖2-7中其他附圖標記的含義可以參考本發(fā)明實施例的其他附圖，在此不再贅述。
[0077]步驟207、在形成有該TPM的襯底基板上形成第二鈍化層。
[0078]在襯底基板上形成TPM后，可以在形成有TPM的襯底基板上形成第二鈍化層，該第二鈍化層可以用于保護公共電極與ΤΡΜ。
[0079]步驟208、在該第二鈍化層上形成第二TFT接觸過孔。
[0080]在襯底基板上形成了第二鈍化層后，可以在該第二鈍化層上形成第二TFT接觸過孔。該第二 TFT接觸過孔通過該公共電極孔、該第一 TFT接觸過孔與該平坦層孔連通。并且，該第二 TFT接觸過孔在該襯底基板上的正投影可以位于該第一 TFT接觸過孔在該襯底基板上的正投影內(nèi)。
[0081]需要說明的是，在實際應用中，該第二TFT接觸過孔的直徑也可以大于或等于該第一 TFT接觸過孔的直徑，即該第一 TFT接觸過孔在該襯底基板上的正投影也可以位于該第二TFT接觸過孔在該襯底基板上的正投影內(nèi)，或者與第二TFT接觸過孔在該襯底基板上的正投影完全重疊，本發(fā)明實施例對此不做限定。
[0082]步驟207和步驟208結(jié)束時，襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖2-8所示，其中，形成有ΤΡΜ22的襯底基板11上形成有第二鈍化層23，該第二鈍化層23上形成有第二 TFT接觸過孔231。其中，第二TFT接觸過孔231經(jīng)過第二鈍化層23和第一鈍化層20，并從公共電極孔211和第一TFT接觸過孔201中穿過，與平坦層孔191連通，使源極或漏極18露出。圖2-8中其他標記的含義可以參考本發(fā)明實施例的其他附圖，在此不再贅述。
[0083]步驟209、在形成有該第二TFT接觸過孔的襯底基板上形成像素電極。
[0084]在襯底基板上形成了第二TFT接觸過孔后，可以在形成有第二 TFT接觸過孔的襯底基板上形成像素電極。其中，像素電極通過第二TFT接觸過孔、第一TFT接觸過孔以及平坦層孔與TFT的源極或漏極連接。像素電極的材料包括多晶硅氧化銦錫(P-1TO)。
[0085]本步驟結(jié)束時，襯底基板的結(jié)構(gòu)可以如圖2-9所示，其中，像素電極24形成于第二鈍化層23上，且像素電極24與源漏極18中的源極或漏極連接，并且在圖2-9中，第二TFT接觸過孔231與該第一TFT接觸過孔201的尺寸相同，即該兩個過孔在襯底基板上的正投影可以完全重疊。圖2-9中其他標記的含義可以參考本發(fā)明實施例其他附圖，在此不再贅述。像素電極24可以與公共電極21共同驅(qū)動液晶層(圖2-9中未示出)中的液晶。
[0086]綜上所述，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的制造方法，該方法通過在形成有該平坦層圖案的襯底基板上形成第一鈍化層，然后再在形成有該第一鈍化層的襯底基板上形成公共電極和TPM，由于該平坦層圖案上覆蓋有第一鈍化層，該第一鈍化層的穩(wěn)定性較高，因此在形成TPM時，該第一鈍化層能夠保護平坦層圖案，避免平坦層圖案中析出污染物對TPM以及鍍膜腔室造成污染。
[0087]圖3-1是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，該陣列基板可以是由圖1或圖2示出的方法制造形成的，參考圖3-1，該陣列基板可以包括:襯底基板11。
[0088]該襯底基板11上形成有包括TFT的平坦層前膜層結(jié)構(gòu)30;形成有該平坦層前膜層結(jié)構(gòu)30的襯底基板11上形成有平坦層圖案19;形成有該平坦層圖案19的襯底基板11上形成有第一鈍化層20;形成有該第一鈍化層20的襯底基板11上形成有公共電極21;形成有該公共電極21的襯底基板11上形成有TPM22。
[0089]進一步的，參考圖2-9，該公共電極21上形成有公共電極孔211，該平坦層圖案19上形成有平坦層孔191，該平坦層孔191位于該TFT的源極或漏極18的上方。
[0090]該第一鈍化層20上形成第一 TFT接觸過孔201，該第一 TFT接觸過孔201與該平坦層孔191連通，且該第一 TFT接觸過孔201在該襯底基板11上的正投影位于該平坦層孔191在該襯底基板上的正投影內(nèi)。
[0091]可選的，參考圖2-9，形成有該TPM22的襯底基板11上形成有第二鈍化層23，該第二鈍化層23上形成有第二 TFT接觸過孔231，該第二 TFT接觸過孔231穿過該公共電極孔211、該第一 TFT接觸過孔201與該平坦層孔191連通。
[0092]形成有該第二TFT接觸過孔231的襯底基板11上形成有像素電極24，該像素電極24通過該第二 TFT接觸過孔231、該第一 TFT接觸過孔201以及該平坦層孔191與該TFT的源極或漏極18連接。
[0093]進一步的，圖3-2是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板周邊區(qū)域的剖視圖，其中該周邊區(qū)域是指襯底基板的頂面除有效顯示區(qū)域之外的區(qū)域。參考圖3-2可知，在該周邊區(qū)域中，襯底基板11上由下而上依次形成有緩沖層13、柵絕緣層15、層間介電層17、源漏極18以及平坦層圖案19(襯底基板上與周邊區(qū)域?qū)钠教箤忧澳咏Y(jié)構(gòu)中未形成TFT)，在該周邊區(qū)域中，該平坦層圖案19上未形成有公共電極，因而周邊區(qū)域的平坦層圖案更有可能被損壞，因而在周邊區(qū)域也形成有第一鈍化層20，該第一鈍化層20上形成有該TPM22，該TPM22上形成有第二鈍化層23，其中，該TPM22可以通過平坦層孔191以及第一TFT接觸過孔201與源極或漏極18連接。
[0094]綜上所述，本發(fā)明實施例提供的陣列基板，通過在第一鈍化層上形成公共電極，然后再形成TPM，由于該平坦層圖案上覆蓋有第一鈍化層，該第一鈍化層的穩(wěn)定性較高，因此在形成TPM時，該第一鈍化層能夠保護平坦層圖案，避免平坦層圖案中析出污染物對TPM以及鍍膜腔室造成污染。
[0095]此外，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，該顯示裝置可以包括圖3-1、圖3-2或圖2-9所示的陣列基板。
[0096]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括: 在襯底基板上形成包括薄膜晶體管TFT的平坦層前膜層結(jié)構(gòu)； 在形成有所述平坦層前膜層結(jié)構(gòu)的襯底基板上形成平坦層圖案； 在形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成第一鈍化層； 在形成有所述第一鈍化層的襯底基板上形成公共電極； 在形成有所述公共電極的襯底基板上形成觸摸金屬圖案TPM。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述公共電極上形成有公共電極孔，所述平坦層圖案上形成有平坦層孔，所述平坦層孔位于所述TFT的源極或漏極上方，所述在形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成第一鈍化層之后，所述方法還包括: 在所述第一鈍化層上形成第一 TFT接觸過孔，所述第一 TFT接觸過孔與所述平坦層孔連通，所述第一 TFT接觸過孔在所述襯底基板上的正投影位于所述平坦層孔在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述公共電極的襯底基板上形成TPM之后，所述方法還包括: 在形成有所述TPM的襯底基板上形成第二鈍化層； 在所述第二鈍化層上形成第二 TFT接觸過孔，所述第二 TFT接觸過孔通過所述公共電極孔、所述第一 TFT接觸過孔與所述平坦層孔連通； 在形成有所述第二 TFT接觸過孔的襯底基板上形成像素電極，所述像素電極通過所述第二 TFT接觸過孔、所述第一 TFT接觸過孔以及所述平坦層孔與所述TFT的源極或漏極連接。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于， 所述第一 TFT接觸過孔與所述平坦層孔采用同一張掩膜板形成。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成第一鈍化層，包括: 在形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成覆蓋所述襯底基板的頂面的所述第一鈍化層。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于， 所述第二 TFT接觸過孔在所述襯底基板上的正投影位于所述第一 TFT接觸過孔在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述像素電極的材料包括多晶硅氧化銦錫P-1TOo8.—種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板是由權(quán)利要求1至7任一所述的方法制造形成的，所述陣列基板包括:襯底基板； 所述襯底基板上形成有包括薄膜晶體管TFT的平坦層前膜層結(jié)構(gòu)； 形成有所述平坦層前膜層結(jié)構(gòu)的襯底基板上形成有平坦層圖案； 形成有所述平坦層圖案的襯底基板上形成有第一鈍化層； 形成有所述第一鈍化層的襯底基板上形成有公共電極； 形成有所述公共電極的襯底基板上形成有觸摸金屬圖案TPM。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極上形成有公共電極孔，所述平坦層圖案上形成有平坦層孔，所述平坦層孔位于所述TFT的源極或漏極上方； 所述第一鈍化層上形成有第一 TFT接觸過孔，所述第一 TFT接觸過孔與所述平坦層孔連通，所述第一 TFT接觸過孔在所述襯底基板上的正投影位于所述平坦層孔在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于， 形成有所述TPM的襯底基板上形成有第二鈍化層，所述第二鈍化層上形成有第二 TFT接觸過孔，所述第二 TFT接觸過孔穿過所述公共電極孔、所述第一 TFT接觸過孔與所述平坦層孔連通； 形成有所述第二 TFT接觸過孔的襯底基板上形成有像素電極，所述像素電極通過所述第二 TFT接觸過孔、所述第一 TFT接觸過孔以及所述平坦層孔與所述TFT的源極或漏極連接。11.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權(quán)利要求8至10任一所述的陣列基板。
【文檔編號】H01L27/12GK106098615SQ201610425298
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年6月15日
【發(fā)明人】秦文文, 孫建, 史大為, 王珍, 喬赟
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司