一種扇出型晶圓級封裝方法及封裝件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種扇出型晶圓級封裝方法及封裝件，該封裝方法提供一載體；在所述載體正面開設溝槽；提供具有接觸焊盤的裸芯片，將所述裸芯片正面朝下放入所述溝槽中；在裸芯片背面形成覆蓋所述裸芯片的成型復合物；研磨所述載體的背面，使所述裸芯片的正面露出；形成再布線層，使所述再布線層與所述裸芯片的接觸焊盤電連接；安裝金屬凸塊，使所述金屬凸塊通過所述再布線層與所述裸芯片的接觸焊盤電連接。本發(fā)明利用溝槽的卡位作用固定裸芯片，避免或減少了封裝過程中裸芯片的位移，使封裝件可以具有更窄的器件焊盤間隙和更高的輸入輸出數(shù)；并且可以提高產(chǎn)品良率和產(chǎn)量，減小再布線層的線寬和線距，縮小封裝尺寸，降低成本。
【專利說明】
一種扇出型晶圓級封裝方法及封裝件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導體封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種扇出型晶圓級封裝方法及封裝件。
【背景技術(shù)】
[0002]由于智能手機等終端設備向輕薄短小化的發(fā)展越來越快，專門針對于小型化、薄膜化以及低成本化的晶圓級封裝技術(shù)的重要性不斷提高。扇出型晶圓級封裝(F0WLP:Fan-out WLP)技術(shù)目前最適合高要求的移動/無線市場，并且對其它關(guān)注高性能和小尺寸的市場，也具有很強的吸引力。采用該技術(shù)，端子數(shù)更多的芯片即使不縮小間距也可以進行封裝，即使芯片收縮也無需變更封裝尺寸。因此，F(xiàn)OWLP可以實現(xiàn)封裝尺寸的標準化，同時可以實現(xiàn)多個芯片，可以是不同品種芯片的混合封裝，使其在功能實現(xiàn)方面吸引了更多關(guān)注。
[0003]在嵌入式的晶圓級封裝制造工藝中，晶圓密封成型時裸芯片(Die)的位移是一個比較常見的問題。裸芯片的位移值范圍通常在20?ΙΟΟμπι，這會導致光刻對準的錯位，電阻Re性能變差，內(nèi)部連接結(jié)構(gòu)失效，并限制了器件的焊墊間距。
[0004]因此，如何提供一種扇出型晶圓級封裝技術(shù)，以減少在封裝過程中裸芯片的移位，成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的一個重要技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的目的在于提供一種扇出型晶圓級封裝方法及封裝件，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中FOWLP封裝成型時的裸芯片移位問題。
[0006]為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種扇出型晶圓級封裝方法，包括以下步驟:
[0007]提供一載體；
[0008]在所述載體正面開設溝槽；
[0009]提供具有接觸焊盤的裸芯片，將所述裸芯片正面朝下放入所述溝槽中；
[0010]在裸芯片背面形成覆蓋所述裸芯片的成型復合物；
[0011 ]研磨所述載體的背面，使所述裸芯片的正面露出；
[0012]形成再布線層，使所述再布線層與所述裸芯片的接觸焊盤電連接；
[0013]安裝金屬凸塊，使所述金屬凸塊通過所述再布線層與所述裸芯片的接觸焊盤電連接。
[0014]可選地，所述載體的材料選自硅、氧化硅、金屬、玻璃或陶瓷中的一種或多種。
[0015]可選地，所述載體為平板型。
[0016]可選地，開設溝槽的方法為激光鉆孔、機械鉆孔或深度反應離子刻蝕。
[0017]可選地，所述溝槽的寬度與所述裸芯片的寬度或長度一致，使所述裸芯片恰好卡持固定在所述溝槽中。
[0018]可選地，所述溝槽的深度大于所述裸芯片的厚度。
[0019]可選地，所述溝槽深度為50?200μπι。
[0020]可選地，將所述裸芯片正面朝下放入所述溝槽中時，所述裸芯片完全嵌入所述溝槽中。
[0021]可選地，將所述裸芯片正面朝下放入所述溝槽中時，在所述裸芯片正面形成有保護層;研磨所述載體的背面，露出覆蓋所述裸芯片正面的所述保護層，然后去除所述保護層露出所述裸芯片的正面。
[0022]進一步可選地，所述保護層為糊狀或膠狀，或為固態(tài)薄膜，或為紫外線釋放膠帶或熱釋放膠帶。
[0023]進一步可選地，形成所述保護層的方法為旋涂、印刷、化學氣相沉積或?qū)訅骸?br>[0024]進一步可選地，所述保護層的厚度為5?ΙΟμπι。
[0025]進一步可選地，去除所述保護層的方法為激光消融、剝離、干法或濕法刻蝕、化學劑溶解、紫外線釋放或熱釋放。
[0026]可選地，所述成型復合物填充在所述溝槽中。
[0027]可選地，形成所述成型復合物的材料為環(huán)氧類樹脂、液體型熱固性環(huán)氧樹脂或塑料成型化合物。
[0028]可選地，形成所述成型復合物的方法為壓縮成型、傳遞模塑、液封成型、真空層壓或旋涂。
[0029]可選地，研磨所述載體背面的方法包括機械研磨、化學拋光、刻蝕中的一種或多種。
[0030]可選地，所述再布線層包括金屬連線以及設于所述金屬連線周圍的介電層，所述金屬連線通過通孔與所述裸芯片的接觸焊盤電連接，并與所述金屬凸塊電連接。
[0031]進一步可選地，形成再布線層時，所述介電層覆蓋所述裸芯片的正面并填滿所述溝槽。
[0032]進一步可選地，所述介電層的材料為Si02、Si3N4、Si0N、Ta205、Al203、Hf02、聚酰亞胺(Polyimide，PI)、聚苯并卩惡卩坐(Polybenzoxazole ,ΡΒ0)、苯并環(huán)丁稀(Benzocyclobutene，BCB)中的一種或多種。
[0033]進一步可選地，形成所述介電層的方法為物理氣相沉積、化學氣相沉積、印刷、旋涂、噴涂、燒結(jié)或熱氧化。
[0034]進一步可選地，所述金屬連線的材料包括Cu、Al、Ag、Au、Sn、N1、T1、Ta中的一種或多種。
[0035]進一步可選地，形成所述金屬連線的方法包括電解鍍、化學鍍、絲網(wǎng)印刷中的一種或多種。
[0036]可選地，所述再布線層覆蓋所述裸芯片并在所述載體背面表面延伸。
[0037]可選地，在所述再布線層上形成凸塊下金屬層，所述凸塊下金屬層通過所述再布線層與所述裸芯片的接觸焊盤電連接，所述金屬凸塊安裝在所述凸塊下金屬層上。
[0038]可選地，所述金屬凸塊為焊錫球、銅球或錫銅合金球;所述金屬凸塊的形成方法為電鍍或植球。
[0039]為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明還提供一種扇出型晶圓級封裝件，包括:
[0040]裸芯片，所述裸芯片具有接觸焊盤；[0041 ]載體，所述載體上設有溝槽，所述裸芯片卡持在所述溝槽中；
[0042]成型復合物，覆蓋所述裸芯片的背面并填充在所述溝槽中；
[0043]再布線層，位于所述裸芯片的正面之上，與所述裸芯片的接觸焊盤電連接；
[0044]金屬凸塊，位于所述再布線層上，通過所述再布線層與所述裸芯片的接觸焊盤電連接。
[0045]可選地，所述載體的材料為硅、氧化硅、金屬、玻璃或陶瓷中的一種或多種。
[0046]可選地，所述載體為平板型。
[0047]可選地，所述成型復合物的材料為固化封裝材料。
[0048]可選地，所述成型復合物的材料為環(huán)氧類樹脂、液體型熱固性環(huán)氧樹脂或塑料成型化合物。
[0049]可選地，所述再布線層包括金屬連線以及設于所述金屬連線周圍的介電層，所述金屬連線通過通孔與所述裸芯片的接觸焊盤電連接，并與所述金屬凸塊電連接。
[0050]進一步可選地，所述介電層覆蓋所述裸芯片的正面并填滿所述溝槽。
[0051 ] 進一步可選地，所述介電層的材料為Si02、Si3N4、Si0N、Ta205、Al203、Hf02、聚酰亞胺(Polyimide，PI)、聚苯并卩惡卩坐(Polybenzoxazole ,ΡΒ0)、苯并環(huán)丁稀(Benzocyclobutene，BCB)中的一種或多種。
[°°52] 進一步可選地，所述金屬連線的材料包括Cu、Al、Ag、Au、Sn、N1、T1、Ta中的一種或多種。
[0053]可選地，所述再布線層覆蓋所述裸芯片并在所述載體表面延伸。
[0054]可選地，所述扇出型封裝件還包括凸塊下金屬層，所述凸塊下金屬層通過所述再布線層與所述裸芯片的接觸焊盤電連接，所述金屬凸塊安裝在所述凸塊下金屬層上。
[0055]可選地，所述金屬凸塊為焊錫球、銅球或錫銅合金球。
[0056]如上所述，本發(fā)明的扇出型晶圓級封裝方法及封裝件，具有以下有益效果:
[0057]本發(fā)明的扇出型晶圓級封裝方法通過在載體上開設溝槽，將裸芯片嵌入溝槽中，從而可以利用溝槽的卡位作用固定裸芯片在載體上的位置，避免或減少了封裝過程中裸芯片的位移。由于解決了封裝成型時的裸芯片的移位問題，利用本發(fā)明方法的封裝件可以具有更窄的器件焊盤間距和更高的輸入輸出數(shù)(I/O counts);并且可以提高后續(xù)光刻工藝的對準效率，從而可提尚廣品良率和廣量;可以減小再布線層的線寬和線距(LW/LS)，進一步縮小封裝尺寸，降低成本。
【附圖說明】
[0058]圖1顯示為本發(fā)明提供的扇出型晶圓級封裝方法的示意圖。
[0059]圖2a_2h顯示為本發(fā)明實施例提供的扇出型晶圓級封裝方法的工藝流程示意圖，其中圖2h顯示為本發(fā)明實施例提供的扇出型晶圓級封裝件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0060]圖3顯示為本發(fā)明實施例中開設了溝槽的載體正面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0061 ]圖4顯示為本發(fā)明實施例中嵌入裸芯片的載體正面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0062]元件標號說明
[0063]101 載體
[0064]201 裸芯片
[0065]2011接觸焊盤
[0066]202保護層
[0067]301成型復合物
[0068]400再布線層
[0069]401介電層
[0070]402金屬連線
[0071]501金屬凸塊
[0072]502凸塊下金屬
[0073]SI ?S7步驟
【具體實施方式】
[0074]以下通過特定的具體實例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的【具體實施方式】加以實施或應用，本說明書中的各項細節(jié)也可以基于不同觀點與應用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進行各種修飾或改變。需說明的是，在不沖突的情況下，以下實施例及實施例中的特征可以相互組合。
[0075]需要說明的是，以下實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實際實施時的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復雜。
[0076]請參閱圖1，本發(fā)明提供一種扇出型晶圓級封裝方法，包括以下步驟:
[0077]SI提供一載體；
[0078]S2在所述載體正面開設溝槽；
[0079]S3提供具有接觸焊盤的裸芯片，將所述裸芯片正面朝下放入所述溝槽中；
[0080]S4在裸芯片背面形成覆蓋所述裸芯片的成型復合物；
[0081]S5研磨所述載體的背面，露出所述裸芯片的正面；
[0082]S6形成再布線層，使所述再布線層與所述裸芯片的接觸焊盤電連接；
[0083]S7安裝金屬凸塊，使所述金屬凸塊通過所述再布線層與所述裸芯片的接觸焊盤電連接。
[0084]該封裝方法通過在載體上開設溝槽，將裸芯片嵌入溝槽中，從而可以利用溝槽的卡位作用固定裸芯片在載體上的位置，避免或減少了封裝過程中裸芯片的位移。
[0085]下面通過具體的實例來詳細說明本發(fā)明的技術(shù)方案。
[0086]實施例一
[0087]請參閱圖2a_2h，本實施例提供一種扇出型晶圓級封裝方法。
[0088]首先，提供一載體1I，如圖2a所示。所述載體1I的材料可以選自硅、氧化硅、金屬、玻璃或陶瓷中的一種或多種，或其他類似物，優(yōu)選為硅。所述載體101可以為平板型。本實施例中所述載體101為具有一定厚度的硅基圓形平板。
[0089]如圖2b所示，在所述載體101正面開設溝槽。開設溝槽的方法可以為激光鉆孔、機械鉆孔、深度反應離子刻蝕或其他適合的開槽方法。開設溝槽的寬度與需要封裝的裸芯片的寬度或長度一致，使裸芯片能恰好卡持固定在所述溝槽中，即溝槽能限制裸芯片在其寬度或長度方向上的位置，使裸芯片在至少在一個方向上不能移位。所述溝槽的深度大于所述裸芯片的厚度。例如，所述溝槽深度可以為50?200μπι。開設溝槽后的載體正面結(jié)構(gòu)如圖3所示，溝槽的數(shù)量可以是一條或多條，溝槽在載體101上的排布位置可以根據(jù)實際需要進行設計，本發(fā)明對此不作限制。
[0090]如圖2c所示，提供具有接觸焊盤2011的裸芯片201，將所述裸芯片201正面朝下放入所述溝槽中。裸芯片201即需要封裝的芯片裸芯(Die)，可以是具有多個半導體器件和電路的IC芯片或分立半導體器件等。將所述裸芯片201正面朝下放入所述溝槽中時，所述裸芯片201完全嵌入所述溝槽中，在裸芯片201嵌入溝槽后溝槽內(nèi)還有一定空間。嵌入裸芯片201后的載體正面結(jié)構(gòu)如圖4所示，裸芯片201的數(shù)量可以是一個或多個，裸芯片201在溝槽中排布的位置可以根據(jù)實際需要進行設計，本發(fā)明對此不作限制。
[0091]本實施例優(yōu)選地，將所述裸芯片201正面朝下放入所述溝槽中時，在所述裸芯片201正面形成有保護層202。所述保護層202—方面可以保護裸芯片201的正面表面避免在嵌入過程中損壞或污染，另一方面保護層201可以幫助裸芯片201粘附在溝槽內(nèi)，進一步避免裸芯片201的移位。所述保護層202可以為糊狀或膠狀，或為固態(tài)薄膜，或為紫外線釋放膠帶或熱釋放膠帶。形成所述保護層202的方法可以為旋涂、印刷、化學氣相沉積、層壓或其他適合的方法。所述保護層202的厚度較薄，例如可以為5?ΙΟμπι。
[0092]然后，如圖2d所示，在裸芯片201背面形成覆蓋所述裸芯片201的成型復合物301，將所述裸芯片201封裝成型。本實施例中所述成型復合物301填充在所述溝槽中，覆蓋所述裸芯片201的背面和側(cè)面，使裸芯片201封裝在載體101的溝槽內(nèi)。優(yōu)選地，成型復合物301可以將所述溝槽填滿。形成所述成型復合物301的材料可以為固化封裝材料，例如可以為環(huán)氧類樹脂、液體型熱固性環(huán)氧樹脂、塑料成型化合物或類似物。形成所述成型復合物301的方法可以為壓縮成型、傳遞模塑、液封成型、真空層壓、旋涂或其他適合的方法。
[0093]接下來，研磨所述載體101的背面，使所述裸芯片201的正面露出。本實施例中所述裸芯片201的正面設有保護層202，研磨載體101的背面會露出覆蓋所述裸芯片201的保護層202，如圖2e所示。因此，還需要去除所述保護層202以露出所述裸芯片201的正面，如圖2f所示。去除所述保護層202的方法可以為激光消融、剝離、干法或濕法刻蝕、化學劑溶解、紫外線釋放、熱釋放或其他適合的方法。研磨所述載體101背面的方法可以包括機械研磨、化學拋光、刻蝕中的一種或多種的組合，或為其他適合的研磨方法。
[0094]如圖2g所示，形成再布線層(RDL)400，使所述再布線層400與所述裸芯片201的接觸焊盤2011電連接，以實現(xiàn)芯片焊盤的再分布。本實施例中，所述再布線層400覆蓋所述裸芯片201并在所述載體101背面表面延伸。具體地，所述再布線層400可以包括金屬連線402以及設于所述金屬連線402周圍的介電層401，所述金屬連線402通過通孔與所述裸芯片201的接觸焊盤2011電連接，并與后續(xù)安裝的金屬凸塊電連接。本實施例中，優(yōu)選地，在形成再布線層400時，所述介電層401覆蓋所述裸芯片201的正面并填滿所述溝槽，從而可以補滿所述裸芯片201與載體101之間的厚度差距。
[0095]其中，所述金屬連線402可以包括一層或者多層互連金屬層，所述介電層401也可以包括一層或多層介電材料。優(yōu)選地，當所述金屬連線402包含多層互連金屬層時，所述介電材料可以設置于所述多層互連金屬層之間，從而可將每層互連金屬層隔開。在所述多層互連金屬層之間可以通過形成通孔的方式實現(xiàn)電連接。
[0096]具體地，所述介電層401的材料可以為Si02、Si3N4、Si0N、Ta205、Al203、Hf02、聚酰亞胺(Polyimide，PI)、聚苯并卩惡卩坐(Polybenzoxazole，ΡΒ0)、苯并環(huán)丁稀(Benzocyc1butene，BCB)中的一種或多種，或其他適合的絕緣材料。形成所述介電層401的方法可以為物理氣相沉積、化學氣相沉積、印刷、旋涂、噴涂、燒結(jié)、熱氧化或其他適合的介質(zhì)沉積工藝。所述金屬連線402的材料可以包括Cu、Al、Ag、Au、Sn、N1、T1、Ta中的一種或多種，或其他適合的導電金屬材料。例如，金屬連線402可以為Cu線，制作Cu線的種子層可以為Ti/Cu層。形成所述金屬連線402的方法可以包括電解鍍、化學鍍、絲網(wǎng)印刷中的一種或多種，或其他適合的金屬沉積工藝。
[0097]最后，如圖2h所示，安裝金屬凸塊501，使所述金屬凸塊501通過所述再布線層400與所述裸芯片201的接觸焊盤2011電連接。具體地，可以在所述再布線層400上形成凸塊下金屬層(UBM)502，所述凸塊下金屬層502通過所述再布線層400與所述裸芯片201的接觸焊盤2011電連接，所述金屬凸塊501安裝在所述凸塊下金屬層502上。具體地，所述金屬凸塊501的材料可以選自Al、Sn、N1、Au、Ag、Pb、B1、Cu中的一種或多種，例如，所述金屬凸塊501可以為焊錫球、銅球或錫銅合金球。所述金屬凸塊501的形成方法可以為電鍍或植球。
[0098]實施例二
[0099]請參閱圖2h，本實施例提供一種采用實施例一的扇出型晶圓級封裝方法制備得到的封裝件。該封裝件，包括:裸芯片201，所述裸芯片201具有接觸焊盤2011;載體101，所述載體101上設有溝槽，所述裸芯片201卡持在所述溝槽中；成型復合物301，覆蓋所述裸芯片201的背面并填充在所述溝槽中；再布線層400，位于所述裸芯片201的正面之上，與所述裸芯片201的接觸焊盤2011電連接;金屬凸塊501，位于所述再布線層400上，通過所述再布線層400與所述裸芯片201的接觸焊盤電2011連接。
[0100]具體地，所述載體1I的材料可以為硅、氧化硅、金屬、玻璃或陶瓷中的一種或多種，或其他類似物，本實施例優(yōu)選為硅。所述載體101可以為平板型。如圓形平板。所述裸芯片201可以是具有多個半導體器件和電路的IC芯片或分立半導體器件等。
[0101]具體地，所述成型復合物301的材料可以為固化封裝材料，例如可以為環(huán)氧類樹月旨、液體型熱固性環(huán)氧樹脂、塑料成型化合物或類似物。
[0102]具體地，所述再布線層400可以包括金屬連線402以及設于所述金屬連線402周圍的介電層401，所述金屬連線402通過通孔與所述裸芯片201的接觸焊盤2011電連接，并與所述金屬凸塊501電連接。其中，所述介電層401覆蓋所述裸芯片201的正面并填滿所述溝槽，從而可以補滿所述裸芯片201與載體101之間的厚度差距。作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述再布線層400覆蓋所述裸芯片201并在所述載體101表面延伸。
[0103]優(yōu)選地，所述金屬連線402可以包括一層或者多層互連金屬層，所述介電層401也可以包括一層或多層介電材料。其中，當所述金屬連線402包含多層互連金屬層時，所述介電材料可以設置于所述多層互連金屬層之間，從而可將每層互連金屬層隔開。在所述多層互連金屬層之間可以通過形成通孔的方式實現(xiàn)電連接。
[0104]具體地，所述介電層401的材料可以為Si02、Si3N4、Si0N、Ta205、Al203、Hf02、聚酰亞胺(Po lyimi de，PI)、聚苯并卩惡卩坐(Polybenzoxazole，ΡΒ0)、苯并環(huán)丁稀(Benzocyc 1butene，BCB)中的一種或多種，或其他適合的絕緣材料。所述金屬連線402的材料可以包括Cu、Al、八8^11、311、附、1^&中的一種或多種，或其他適合的導電金屬材料。例如，金屬連線402可以為Cu線，制作Cu線的種子層可以為Ti/Cu層。
[0105]具體地，所述扇出型封裝件還可以包括凸塊下金屬層502，所述凸塊下金屬層502通過所述再布線層400與所述裸芯片201的接觸焊盤2011電連接，所述金屬凸塊501安裝在所述凸塊下金屬層502上。
[0106]具體地，所述金屬凸塊501的材料可以為Al、Sn、N1、Au、Ag、Pb、B1、Cu中的一種或多種，例如，所述金屬凸塊501可以為焊錫球、銅球或錫銅合金球。
[0107]綜上所述，本發(fā)明的扇出型晶圓級封裝方法通過在載體上開設溝槽，將裸芯片嵌入溝槽中，從而可以利用溝槽的卡位作用固定裸芯片在載體上的位置，避免或減少了封裝過程中裸芯片的位移。由于解決了封裝成型時的裸芯片的移位問題，本發(fā)明封裝件可以具有更窄的器件焊盤間距和更高的輸入輸出數(shù)(I/O counts)。采用本發(fā)明方法可以提高后續(xù)光刻工藝的對準效率，從而可提高產(chǎn)品良率和產(chǎn)量，可以減小再布線層的線寬和線距(LW/LS)，進一步縮小封裝尺寸，降低了成本。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點而具高度產(chǎn)業(yè)利用價值。
[0108]上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
【主權(quán)項】
1.一種扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供一載體； 在所述載體正面開設溝槽； 提供具有接觸焊盤的裸芯片，將所述裸芯片正面朝下放入所述溝槽中； 在裸芯片背面形成覆蓋所述裸芯片的成型復合物； 研磨所述載體的背面，使所述裸芯片的正面露出； 形成再布線層，使所述再布線層與所述裸芯片的接觸焊盤電連接； 安裝金屬凸塊，使所述金屬凸塊通過所述再布線層與所述裸芯片的接觸焊盤電連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于:所述載體的材料選自硅、氧化硅、金屬、玻璃或陶瓷中的一種或多種。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于:所述載體為平板型。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于:開設溝槽的方法為激光鉆孔、機械鉆孔或深度反應離子刻蝕。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于:所述溝槽的寬度與所述裸芯片的寬度或長度一致，使所述裸芯片恰好卡持固定在所述溝槽中。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于:所述溝槽的深度大于所述裸芯片的厚度。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于:所述溝槽深度為50?200μηιο8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于:將所述裸芯片正面朝下放入所述溝槽中時，所述裸芯片完全嵌入所述溝槽中。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于:將所述裸芯片正面朝下放入所述溝槽中時，在所述裸芯片正面形成有保護層;研磨所述載體的背面，露出覆蓋所述裸芯片正面的所述保護層，然后去除所述保護層露出所述裸芯片的正面。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于:所述保護層為糊狀或膠狀，或為固態(tài)薄膜，或為紫外線釋放膠帶或熱釋放膠帶。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于:形成所述保護層的方法為旋涂、印刷、化學氣相沉積或?qū)訅骸?2.根據(jù)權(quán)利要求9所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于:所述保護層的厚度為5?1um013.根據(jù)權(quán)利要求9所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于:去除所述保護層的方法為激光消融、剝離、干法或濕法刻蝕、化學劑溶解、紫外線釋放或熱釋放。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于:所述成型復合物填充在所述溝槽中。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于:形成所述成型復合物的材料為環(huán)氧類樹脂、液體型熱固性環(huán)氧樹脂或塑料成型化合物。16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于:形成所述成型復合物的方法為壓縮成型、傳遞模塑、液封成型、真空層壓或旋涂。17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于:研磨所述載體背面的方法包括機械研磨、化學拋光、刻蝕中的一種或多種。18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于:所述再布線層包括金屬連線以及設于所述金屬連線周圍的介電層，所述金屬連線通過通孔與所述裸芯片的接觸焊盤電連接，并與所述金屬凸塊電連接。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于:形成再布線層時，所述介電層覆蓋所述裸芯片的正面并填滿所述溝槽。20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于:所述介電層的材料為Si02、Si3N4、Si0N、Ta205、Al203、Hf02、聚酰亞胺、聚苯并噁唑、苯并環(huán)丁烯中的一種或多種。21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于:形成所述介電層的方法為物理氣相沉積、化學氣相沉積、印刷、旋涂、噴涂、燒結(jié)或熱氧化。22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于:所述金屬連線的材料包括 Cu、Al、Ag、Au、Sn、N1、T1、Ta 中的一種或多種。23.根據(jù)權(quán)利要求18所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于:形成所述金屬連線的方法包括電解鍍、化學鍍、絲網(wǎng)印刷中的一種或多種。24.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于:所述再布線層覆蓋所述裸芯片并在所述載體背面表面延伸。25.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于:在所述再布線層上形成凸塊下金屬層，所述凸塊下金屬層通過所述再布線層與所述裸芯片的接觸焊盤電連接，所述金屬凸塊安裝在所述凸塊下金屬層上。26.根據(jù)權(quán)利要求1所述的扇出型晶圓級封裝方法，其特征在于:所述金屬凸塊為焊錫球、銅球或錫銅合金球;所述金屬凸塊的形成方法為電鍍或植球。27.—種扇出型晶圓級封裝件，其特征在于，包括: 裸芯片，所述裸芯片具有接觸焊盤； 載體，所述載體上設有溝槽，所述裸芯片卡持在所述溝槽中； 成型復合物，覆蓋所述裸芯片的背面并填充在所述溝槽中； 再布線層，位于所述裸芯片的正面之上，與所述裸芯片的接觸焊盤電連接； 金屬凸塊，位于所述再布線層上，通過所述再布線層與所述裸芯片的接觸焊盤電連接。28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的扇出型晶圓級封裝件，其特征在于:所述載體的材料為硅、氧化硅、金屬、玻璃或陶瓷中的一種或多種。29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的扇出型晶圓級封裝件，其特征在于:所述載體為平板型。30.根據(jù)權(quán)利要求27所述的扇出型晶圓級封裝件，其特征在于:所述成型復合物的材料為固化封裝材料。31.根據(jù)權(quán)利要求27所述的扇出型晶圓級封裝件，其特征在于:所述成型復合物的材料為環(huán)氧類樹脂、液體型熱固性環(huán)氧樹脂或塑料成型化合物。32.根據(jù)權(quán)利要求27所述的扇出型晶圓級封裝件，其特征在于:所述再布線層包括金屬連線以及設于所述金屬連線周圍的介電層，所述金屬連線通過通孔與所述裸芯片的接觸焊盤電連接，并與所述金屬凸塊電連接。33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的扇出型晶圓級封裝件，其特征在于:所述介電層覆蓋所述裸芯片的正面并填滿所述溝槽。34.根據(jù)權(quán)利要求32所述的扇出型晶圓級封裝件，其特征在于:所述介電層的材料為Si02、Si3N4、Si0N、Ta205、Al203、Hf02、聚酰亞胺、聚苯并噁唑、苯并環(huán)丁烯中的一種或多種。35.根據(jù)權(quán)利要求32所述的扇出型晶圓級封裝件，其特征在于:所述金屬連線的材料包括 Cu、Al、Ag、Au、Sn、N1、T1、Ta 中的一種或多種。36.根據(jù)權(quán)利要求27所述的扇出型晶圓級封裝件，其特征在于:所述再布線層覆蓋所述裸芯片并在所述載體背面表面延伸。37.根據(jù)權(quán)利要求27所述的扇出型晶圓級封裝件，其特征在于:在所述再布線層上形成凸塊下金屬層，所述凸塊下金屬層通過所述再布線層與所述裸芯片的接觸焊盤電連接，所述金屬凸塊安裝在所述凸塊下金屬層上。38.根據(jù)權(quán)利要求27所述的扇出型晶圓級封裝件，其特征在于:所述金屬凸塊為焊錫球、銅球或錫銅合金球。
【文檔編號】H01L25/065GK106098630SQ201610648702
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年8月9日 公開號201610648702.X, CN 106098630 A, CN 106098630A, CN 201610648702, CN-A-106098630, CN106098630 A, CN106098630A, CN201610648702, CN201610648702.X
【發(fā)明人】蔡奇風, 林正忠
【申請人】中芯長電半導體（江陰）有限公司