陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，其中，柵極驅(qū)動電路分散設(shè)置在相鄰兩行亞像素單元之間的區(qū)域內(nèi)。這樣，就可以不在陣列基板的側(cè)邊處制作柵極驅(qū)動電路，使得相應(yīng)的區(qū)域也可以作為顯示區(qū)域，這樣就可以進(jìn)一步降低陣列基板的邊框區(qū)域的寬度。
【專利說明】
陣列基板及其制作方法、顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]為了實現(xiàn)顯示裝置的窄邊框化，現(xiàn)有技術(shù)中提出了G0A(Gate Driver On Array,柵極驅(qū)動電路制作在陣列基板上)的設(shè)計。參見圖1，現(xiàn)有技術(shù)中，一般是將柵極驅(qū)動電路(包括多個GOA單元)通過圖案化工藝制作在陣列基板的兩個側(cè)邊處，除了 GOA單元外該側(cè)邊處還設(shè)置用于驅(qū)動?xùn)艠O驅(qū)動電路的驅(qū)動信號線CLK，位于顯示區(qū)域的兩側(cè)(顯示區(qū)域內(nèi)形成有多個亞像素陣列；其中亞像素表示為P;還包括多條數(shù)據(jù)線Data，多條柵線Gate，其中第η條柵線表示為Gaten)。
[0003]柵極驅(qū)動電路的主要結(jié)構(gòu)一般采用金屬等不透明的材料制作，因此現(xiàn)有技術(shù)中，側(cè)邊處一般不作為顯示區(qū)域進(jìn)行發(fā)光。由于柵極驅(qū)動電路需要占用一定的空間，因此相應(yīng)的顯示裝置仍然存在邊框較寬的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的一個目的在于降低顯示裝置的邊框?qū)挾取?br>[0005]第一方面，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括:基底以及形成在基底上的亞像素單元陣列、用于為亞像素單元陣列提供掃描脈沖的柵線、用于為亞像素單元陣列提供數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)線、用于為柵線提供掃描脈沖的柵極驅(qū)動電路以及用于驅(qū)動所述柵極驅(qū)動電路的驅(qū)動信號線;其中，
[0006]所述柵極驅(qū)動電路分散設(shè)置在多個第一非開口區(qū)域中，分散設(shè)置的各個部分通過沿數(shù)據(jù)線方向延伸的連接線相互電連接；
[0007]其中，所述第一非開口區(qū)域為相鄰兩行亞像素單元之間的區(qū)域。
[0008]進(jìn)一步的，所述柵極驅(qū)動電路包括多組移位寄存器單元，所述多組移位寄存器單元分散設(shè)置在多個第一非開口區(qū)域內(nèi)，且每一組移位寄存器單元僅設(shè)置在同一個第一非開口區(qū)域內(nèi)；每一組移位寄存單元用于在一幀內(nèi)輸出至少一個掃描脈沖。
[0009]進(jìn)一步的，每一組移位寄存器單元通過連接線連接距離該組移位寄存器單元最近的N條柵線;其中N為一組移位寄存器單元在一幀內(nèi)輸出的掃描脈沖的個數(shù)。
[0010]進(jìn)一步的，位于柵極驅(qū)動電路所在的第一非開口區(qū)域兩側(cè)的兩行亞像素單元中位于第一側(cè)的一行亞像素單元所連接的柵線位于該行亞像素單元的第一側(cè)的第一非開口區(qū)域中，位于第二側(cè)的一行亞像素單元所連接的柵線位于該行亞像素單元的第二側(cè)的第一非開口區(qū)域中。
[0011]進(jìn)一步的，每相鄰的兩個第一非開口區(qū)域中，其中一個第一非開口區(qū)域中設(shè)置有兩條柵線，每一條柵線均連接靠近該柵線的一行亞像素單元;另一個第一非開口區(qū)域中設(shè)置有一組移位寄存器單元;每一組移位寄存器單元用于在一幀內(nèi)輸出兩個掃描脈沖。
[0012]進(jìn)一步的，所述柵極驅(qū)動電路和所述亞像素單元陣列中包含多個薄膜晶體管；多個薄膜晶體管的柵極位于有源層遠(yuǎn)離基底的一側(cè);所述陣列基板還包括設(shè)置在有源層的背離所述柵極一側(cè)用于遮擋薄膜晶體管的溝道區(qū)域的遮光圖形；
[0013]驅(qū)動信號線與遮光圖形同層形成。
[0014]進(jìn)一步的，所述遮光圖形與所述驅(qū)動信號線電連接。
[0015]進(jìn)一步的，所述遮光圖形適于復(fù)用為觸控電極圖形。
[0016]第二方面，本發(fā)明提供了一種制作陣列基板的方法，包括:在基底上形成的亞像素單元陣列、用于為亞像素單元陣列提供掃描脈沖的柵線、用于為亞像素單元陣列提供數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)線、用于為柵線提供掃描脈沖的柵極驅(qū)動電路以及用于驅(qū)動所述柵極驅(qū)動電路的驅(qū)動信號線;其中，
[0017]所述柵極驅(qū)動電路分散設(shè)置在多個第一非開口區(qū)域中，分散設(shè)置的各個部分通過沿數(shù)據(jù)線方向延伸的連接線相互電連接；
[0018]其中，所述第一非開口區(qū)域為相鄰兩行亞像素單元之間的區(qū)域。
[0019]第三方面，本發(fā)明提供了一種顯示裝置，包括上述任一項所述的陣列基板。
[0020]本發(fā)明提供的陣列基板中，柵極驅(qū)動電路分散設(shè)置在相鄰兩行亞像素單元之間的區(qū)域內(nèi)。這樣，就可以不在陣列基板的側(cè)邊處制作柵極驅(qū)動電路，使得相應(yīng)的區(qū)域也可以作為顯示區(qū)域，這樣就可以進(jìn)一步降低陣列基板的邊框區(qū)域的寬度。
【附圖說明】
[0021]通過參考附圖會更加清楚的理解本發(fā)明的特征信息和優(yōu)點(diǎn)，附圖是示意性的而不應(yīng)理解為對本發(fā)明進(jìn)行任何限制，在附圖中:
[0022]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2為本發(fā)明一實施例提供的一種陣列基板中部分結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖3a和圖3b為本發(fā)明一實施例提供的陣列基板中部分結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖4為本發(fā)明提供的一種陣列基板的制作流程的示意圖。
【具體實施方式】
[0026]為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)描述。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請的實施例及實施例中的特征可以相互組合。
[0027]本發(fā)明第一方面提供了一種的陣列基板，包括基底以及形成在基底上的亞像素單元陣列、用于為亞像素單元陣列提供掃描脈沖的柵線、用于為亞像素單元陣列提供數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)線、用于為柵線提供掃描脈沖的柵極驅(qū)動電路以及用于驅(qū)動所述柵極驅(qū)動電路的驅(qū)動信號線;其中，
[0028]所述柵極驅(qū)動電路分散設(shè)置在多個第一非開口區(qū)域中，分散設(shè)置的各個部分通過沿數(shù)據(jù)線方向延伸的連接線相互電連接；
[0029]其中，所述第一非開口區(qū)域為相鄰兩行亞像素單元之間的區(qū)域。。
[0030]本發(fā)明提供的陣列基板中，柵極驅(qū)動電路分散設(shè)置在相鄰兩行亞像素單元之間的區(qū)域內(nèi)。這樣，就可以不在陣列基板的側(cè)邊處制作柵極驅(qū)動電路，使得相應(yīng)的區(qū)域也可以作為顯示區(qū)域，這樣就可以進(jìn)一步降低陣列基板的邊框區(qū)域的寬度。另外由于是設(shè)置在相鄰兩行亞像素單元之間的區(qū)域，該部分區(qū)域通常對應(yīng)于黑矩陣的位置，因此不會對亞像素單元的開口率產(chǎn)生較大影響。
[0031]下面結(jié)合附圖對上述的陣列基板的一些具體實施例進(jìn)行詳細(xì)說明。參見圖2，示出了其中一種陣列件的實施例中的部分結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；其中柵極驅(qū)動電路GOA包括多個分散設(shè)置的移位寄存器單元(圖中表示為GOA單元)，各個GOA單元通過連接線(連接線在圖中未示出)連接為一個整體的柵極驅(qū)動電路G0A;每一個GOA單元都設(shè)置在相鄰兩行亞像素單元P之間的區(qū)域內(nèi)(為了便于描述，以下稱為第一非開口區(qū)域)，用于輸出掃描脈沖。這樣就無需在顯示區(qū)域A的兩側(cè)設(shè)置G0A，使得邊框區(qū)域可以設(shè)計的更小或者根本不設(shè)置邊框區(qū)域，這樣就能夠?qū)崿F(xiàn)窄邊化。
[0032]在具體實施時，在將柵極驅(qū)動電路GOA分散設(shè)置在相鄰兩行亞像素單元P之間的區(qū)域內(nèi)的前提下，不管如何對柵極驅(qū)動電路GOA進(jìn)行拆分，都不會影響本發(fā)明的保護(hù)范圍。圖2中示出的實施例中，將GOA分為多個GOA單元并分散設(shè)置，僅是一種可選的實施方式。由于一個GOA單元是能夠輸出一個或者多個掃描脈沖的且相對比較完整的基本功能單元，因此這樣的設(shè)置能夠使得陣列基板的設(shè)計制作難度較低，且后續(xù)便于控制。
[0033]從上述的記載可以看出，在具體實施時，在將柵極驅(qū)動電路GOA分散設(shè)置在相鄰兩行亞像素單元P之間的區(qū)域內(nèi)的前提下，不管將連接線以及用于對柵極驅(qū)動電路進(jìn)行驅(qū)動的驅(qū)動信號線(比如時鐘信號線等，這里表示為CLK)設(shè)置在何種位置，其實都不會太影響本發(fā)明的保護(hù)范圍。圖2中示出了連接線以及驅(qū)動信號線CLK的一種設(shè)置方式，連接線以及驅(qū)動信號線CLK設(shè)置在相鄰兩列亞像素單元P之間的區(qū)域內(nèi)(為了方便表述，將相鄰兩列亞像素單元P之間的區(qū)域定義為第二非開口區(qū)域)。這樣由于連接線和驅(qū)動信號線CLK均沒有設(shè)置在邊框區(qū)域，能夠進(jìn)一步降低邊框區(qū)域的寬度。當(dāng)然在具體應(yīng)用中，連接線和驅(qū)動信號線CLK均可以設(shè)置在邊框區(qū)域，或者，僅連接線或驅(qū)動信號線CLK設(shè)置在邊框區(qū)域。
[0034]—般的，每一個第一非開口區(qū)域中設(shè)置一條柵線。但是在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在將GOA電路的一部分設(shè)置在第一非開口區(qū)域中的情況下，如果還將柵線設(shè)置在GOA電路所在的第一非開口區(qū)域，則比較難以合理布局，制作難度較大。在此基礎(chǔ)上，本發(fā)明實施例還提供了另一種可選的設(shè)計方式，參見圖2，對于一個GOA單元來說，其上方的一行亞像素單元P所連接的柵線位于該行亞像素單元P的上方的第一非開口區(qū)域內(nèi)，其下方的一行亞像素單元P所連接的柵線位于該行亞像素單元P的下方的第一非開口區(qū)域內(nèi)。這樣通過將柵線與GOA單元分別設(shè)置在不同的第一非開口區(qū)域，能夠很好的克服上述問題。當(dāng)然在具體實施時，作為一種可替代的方式，也可以使得設(shè)置了 GOA電路的部分結(jié)構(gòu)的第一非開口區(qū)域內(nèi)還設(shè)置柵線，這樣的技術(shù)方案也可以達(dá)到本發(fā)明的基本目的，也應(yīng)該落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0035]在按照上述的方式將柵線與GOA單元分別設(shè)置在不同的第一非開口區(qū)域的情況下，可以進(jìn)一步的使得每一個GOA單元均用于輸出兩個掃描脈沖，并且每兩個相鄰的第一非開口區(qū)域內(nèi)，一個第一非開口區(qū)域中設(shè)置有兩條柵線，每一條柵線均連接靠近該柵線的一行亞像素單元P;另一個第一非開口區(qū)域中設(shè)置有一組移位寄存器單元;每一組移位寄存器單元用于輸出兩個掃描脈沖。這樣就能夠滿足對所有行的亞像素單元P的掃描需求，并且相比于設(shè)置一個GOA單元輸出多個掃描脈沖的情況，能夠使得每一個GOA單元的面積更小，從而能夠減少第一非開口區(qū)域的寬度，避免相應(yīng)位置處的顯示亮度明顯偏暗。
[0036]在具體實施時，這里的柵極驅(qū)動電路中通常包括多個薄膜晶體管，同樣的，亞像素單元陣列中一般也會包括多個薄膜晶體管。在具體制作時，上述的柵極驅(qū)動電路中所包含的各個薄膜晶體管可以與亞像素單元陣列中包含的多個薄膜晶體管通過同一工藝形成，這樣可以降低制作難度。另外在具體實施時，各個薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)可能不盡相同。針對薄膜晶體管的柵極位于有源層遠(yuǎn)離基底的一側(cè)時的情況，本發(fā)明實施例還提供了一種可選的設(shè)置方式，參見圖3a(圖3a是位于GOA單元的薄膜晶體管處的結(jié)構(gòu)示意圖)和圖3b(圖3b是亞像素陣列中的薄膜晶體管處的結(jié)構(gòu)示意圖)，在有源層PL遠(yuǎn)離柵極Gate的一側(cè)設(shè)置遮光圖形LS;該遮光圖形LS與驅(qū)動信號線CLK同層形成，用于遮擋薄膜晶體管的溝道區(qū)域。這樣設(shè)置的好處是，能夠避免有源層受到來自遠(yuǎn)離柵極的一側(cè)(圖中為下方)的光線的影響，另外由于與驅(qū)動信號線CLK同層形成，降低了制作難度和布局難度。
[0037]更進(jìn)一步的，這里的遮光圖形LS可以與驅(qū)動信號線電連接，這樣能夠降低信號在驅(qū)動信號線CLK上傳輸時的電阻;和/或，更進(jìn)一步的，這里的遮光圖形還可以復(fù)用為觸控電極圖形。這樣可以避免單獨(dú)的制作相應(yīng)的觸控電極圖形，降低顯示裝置的厚度和制作難度。
[0038]在具體實施時，這里的電連接可以是指遮光圖形LS(這里的遮光圖形為可以導(dǎo)電的圖形)與驅(qū)動信號線CLK直接相連，或者也可以是指遮光圖形LS通過其他導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與驅(qū)動信號線CLK間接相連。這里的遮光圖形可以復(fù)用為觸控電極圖形，是指這里的遮光圖形LS的設(shè)計可以使得其作為觸控電極圖形使用，比如遮光圖形可以制作為呈陣列分布的多個塊狀電極，各個電極可以作為觸控電極圖形實現(xiàn)觸控檢測功能。
[0039]在具體實施時，上述任一項所提到的遮光圖形可以采用Ti/Al等制作。
[0040]在具體實施時，上述的陣列基板除了上述所描述的結(jié)構(gòu)之外，在ADS模式的陣列基板中，還可能包含基底GL、多個層間介電層ILD1、ILD2和ILD3、有源層PL、源漏電極圖形SD以及公共電極(圖中未示出)等其他結(jié)構(gòu)，在此不再一一說明。另外，在具體實施時，上述的連接線以及驅(qū)動信號線CLK可以通過過孔連接到柵極驅(qū)動電路GOA的各個部分。根據(jù)本公開的記載，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以想到多種方式設(shè)計連接線以及驅(qū)動信號線CLK以及G0A，本發(fā)明在此不再詳細(xì)說明。
[0041]不難理解的是，在具體實施時，這里所描述到的各個可選的設(shè)置方式可以任意組合，相應(yīng)的技術(shù)方案均不會影響本發(fā)明的實施。
[0042]本發(fā)明的另一個方面還提供了一種制作陣列基板的方法，可以用以制作上述的陣列基板，該方法可以包括:
[0043]在基底上形成的亞像素單元陣列、用于為亞像素單元陣列提供掃描脈沖的柵線、用于為亞像素單元陣列提供數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)線、用于為柵線提供掃描脈沖的柵極驅(qū)動電路以及用于驅(qū)動所述柵極驅(qū)動電路的驅(qū)動信號線;其中，
[0044]所述柵極驅(qū)動電路分散設(shè)置在多個第一非開口區(qū)域中，分散設(shè)置的各個部分通過沿數(shù)據(jù)線方向延伸的連接線相互電連接；
[0045]其中，所述第一非開口區(qū)域為相鄰兩行亞像素單元之間的區(qū)域。
[0046]不難理解的是，在具體實施時，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以想到上述的制作方法的不同實施方式以制作上述提到的任一種陣列基板。下面對制作圖2和圖3所示的陣列基板的過程進(jìn)行示例性的說明。參見圖4，該方法包括:
[0047]步驟SI，通過圖案化工藝在基底GL上制作遮擋圖形LS和驅(qū)動信號線CLK;這里的遮擋圖形LS的位置應(yīng)能夠覆蓋其后制作在基底上的有源層中的溝道區(qū)域部分。
[0048]步驟S2，在遮擋圖形LS上方形成第一層間介質(zhì)層ILDl;這里的層間介質(zhì)層ILD主要起到絕緣的作用，將遮擋圖形LS與有源層PL間隔開。
[0049]步驟S3，通過圖案化工藝制作有源層PL;
[0050]步驟S4，制作第二層間介質(zhì)層ILD2。
[0051 ] 步驟S5，通過圖案化工藝制作柵極層Gate。
[0052]步驟S6，制作第三層間介質(zhì)層ILD3。
[0053]步驟S7，通過圖案化工藝制作源漏電極層SD。
[0054]至此，可以得到圖3a和圖3b中所示的結(jié)構(gòu)。
[0055]步驟S8，制作樹脂層。
[0056]步驟S9，通過圖案化工藝制作像素電極。
[0057]步驟SlO，制作鈍化層。
[0058]步驟Sll，通過圖案化工藝制作公共電極層。
[0059]步驟S8-步驟S11中形成的結(jié)構(gòu)在圖3a和圖3b中沒有示出。
[0060]上述的各個步驟具體如何實施，可以參照現(xiàn)有技術(shù)中的工藝，本發(fā)明在此不再詳細(xì)說明。
[0061]第三方面，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述任一項所述的陣列基板。
[0062]在具體實施時，這里的顯示裝置可以為:電子紙、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0063]最后應(yīng)說明的是:以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制;盡管參照前述實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的精神和范圍。
【主權(quán)項】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括:基底以及形成在基底上的亞像素單元陣列、用于為亞像素單元陣列提供掃描脈沖的柵線、用于為亞像素單元陣列提供數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)線、用于為柵線提供掃描脈沖的柵極驅(qū)動電路以及用于驅(qū)動所述柵極驅(qū)動電路的驅(qū)動信號線；其中， 所述柵極驅(qū)動電路分散設(shè)置在多個第一非開口區(qū)域中，分散設(shè)置的各個部分通過沿數(shù)據(jù)線方向延伸的連接線相互電連接； 其中，所述第一非開口區(qū)域為相鄰兩行亞像素單元之間的區(qū)域。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，各條驅(qū)動信號線和/或連接線設(shè)置在第二非開口區(qū)域中；第二非開口區(qū)域為相鄰兩列亞像素單元之間的區(qū)域。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極驅(qū)動電路包括多組移位寄存器單元，所述多組移位寄存器單元分散設(shè)置在多個第一非開口區(qū)域內(nèi)，且每一組移位寄存器單元僅設(shè)置在同一個第一非開口區(qū)域內(nèi)；每一組移位寄存單元用于在一幀內(nèi)輸出至少一個掃描脈沖。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，每一組移位寄存器單元通過連接線連接距離該組移位寄存器單元最近的N條柵線;其中N為一組移位寄存器單元在一幀內(nèi)輸出的掃描脈沖的個數(shù)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，位于柵極驅(qū)動電路所在的第一非開口區(qū)域兩側(cè)的兩行亞像素單元中位于第一側(cè)的一行亞像素單元所連接的柵線位于該行亞像素單元的第一側(cè)的第一非開口區(qū)域中，位于第二側(cè)的一行亞像素單元所連接的柵線位于該行亞像素單元的第二側(cè)的第一非開口區(qū)域中。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于， 每相鄰的兩個第一非開口區(qū)域中，其中一個第一非開口區(qū)域中設(shè)置有兩條柵線，每一條柵線均連接靠近該柵線的一行亞像素單元;另一個第一非開口區(qū)域中設(shè)置有一組移位寄存器單元;每一組移位寄存器單元用于在一幀內(nèi)輸出兩個掃描脈沖。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極驅(qū)動電路和所述亞像素單元陣列中包含多個薄膜晶體管；多個薄膜晶體管的柵極位于有源層遠(yuǎn)離基底的一側(cè);所述陣列基板還包括設(shè)置在有源層的背離所述柵極一側(cè)用于遮擋薄膜晶體管的溝道區(qū)域的遮光圖形； 驅(qū)動信號線與遮光圖形同層形成。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光圖形與所述驅(qū)動信號線電連接。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光圖形適于復(fù)用為觸控電極。10.—種制作陣列基板的方法，其特征在于，包括:在基底上形成的亞像素單元陣列、用于為亞像素單元陣列提供掃描脈沖的柵線、用于為亞像素單元陣列提供數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)線、用于為柵線提供掃描脈沖的柵極驅(qū)動電路以及用于驅(qū)動所述柵極驅(qū)動電路的驅(qū)動信號線;其中， 所述柵極驅(qū)動電路分散設(shè)置在多個第一非開口區(qū)域中，分散設(shè)置的各個部分通過沿數(shù)據(jù)線方向延伸的連接線相互電連接； 其中，所述第一非開口區(qū)域為相鄰兩行亞像素單元之間的區(qū)域。11.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-9任一項所述的陣列基板。
【文檔編號】G09G3/20GK106098698SQ201610453098
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年6月21日
【發(fā)明人】詹小舟, 孫建, 秦文文, 安星俊
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司