有機發(fā)光顯示設(shè)備和制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供有機發(fā)光顯示設(shè)備和制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法。所述有機發(fā)光顯示設(shè)備包括：在基底上的多個像素區(qū)域，每個像素區(qū)域具有子像素區(qū)域、透射區(qū)域和周邊區(qū)域；在子像素區(qū)域中的控制子像素區(qū)域的多個子像素電路；覆蓋子像素電路的平坦化層；被設(shè)置在子像素區(qū)域中的平坦化層上的第一電極；被設(shè)置在第一電極上的第二電極；以及被設(shè)置成在周邊區(qū)域中在基底上方的不同層處的多個配線。配線被布置成至少雙層構(gòu)造，包括在基底上方在第一方向上延伸的第一配線以及在基底上方在基本上垂直于第一方向的第二方向上延伸的第二配線。
【專利說明】
有機發(fā)光顯示設(shè)備和制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]公開的示例性實施例涉及有機發(fā)光顯示設(shè)備和制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法。更具體地說，公開的不例性實施例涉及具有提尚的透射率的有機發(fā)光顯不設(shè)備和制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]有機發(fā)光顯示設(shè)備通?？梢岳脧钠湎袼禺a(chǎn)生的光來顯示圖像。在常規(guī)的有機發(fā)光顯示設(shè)備中，可以從包含不同的發(fā)光材料的有機發(fā)光層產(chǎn)生不同顏色的光。例如，常規(guī)的有機發(fā)光顯示設(shè)備可以包括用于產(chǎn)生紅色、綠色和藍色的不同類型的有機發(fā)光層。常規(guī)的有機發(fā)光顯示設(shè)備可利用這些顏色的不同組合顯示圖像。
[0003]最近，已經(jīng)利用諸如包含透明材料的晶體管和發(fā)光結(jié)構(gòu)的組件開發(fā)出了透明有機發(fā)光顯示設(shè)備。然而，由于具有相對大的面積的配線，常規(guī)的透明有機發(fā)光顯示設(shè)備的透射區(qū)域可能不具有期望的面積，使得常規(guī)的透明有機發(fā)光顯示設(shè)備對于某些應(yīng)用可能不具有足夠的透射率。
【發(fā)明內(nèi)容】
[〇〇〇4]不例性實施例可以提供具有提尚的透射率的有機發(fā)光顯不設(shè)備。[00〇5]不例性實施例可以提供制造具有提尚的透射率的有機發(fā)光顯不設(shè)備的方法。
[0006]根據(jù)公開的實施例，提供了一種有機發(fā)光顯示設(shè)備，包括在基底上的多個像素區(qū)域、多個子像素電路、平坦化層、第一電極、第二電極和多個配線。每個像素區(qū)域包括子像素區(qū)域、透射區(qū)域和周邊區(qū)域。多個子像素電路被設(shè)置在子像素區(qū)域中，并控制子像素區(qū)域。 平坦化層基本上覆蓋子像素電路。第一電極被設(shè)置在子像素區(qū)域中的平坦化層上。第二電極被設(shè)置在第一電極上。配線被設(shè)置成在周邊區(qū)域中在基底上方的不同層處的至少雙層構(gòu)造。
[0007]在示例性實施例中，多個配線可以包括:在基底上方在第一方向上延伸的第一配線；以及在基底上方在基本上垂直于第一方向的第二方向上延伸的第二配線。每個子像素電路可以包括多個晶體管，每個晶體管可以包括有源圖案、柵電極、源電極和漏電極。
[0008]在示例性實施例中，第一配線可以包括:被設(shè)置在覆蓋柵電極的層間絕緣層上的第一下配線；以及被設(shè)置在平坦化層上的第一上配線。
[0009]在一些示例性實施例中，第一上配線與第一下配線不重疊。
[0010]在一些示例性實施例中，第一上配線可以具有基本上大于第一下配線的寬度的寬度。
[0011]在一些示例性實施例中，第一配線可以包括被設(shè)置在基底上方的設(shè)置有柵電極的層處的第一附加配線。
[0012]在一些示例性實施例中，第一配線可以包括:被設(shè)置在覆蓋柵電極的層間絕緣層上的第一上配線；以及被設(shè)置在基底上方的設(shè)置有柵電極的層處的第一下配線。第一上配線與第一下配線不重疊。
[0013]在一些示例性實施例中，第一下配線可以是將數(shù)據(jù)信號傳送到子像素電路的數(shù)據(jù)配線，第一上配線可以是將電力供給到子像素電路的電源配線或?qū)⒊跏蓟妷汗┙o到子像素電路的初始化電壓配線。
[0014]在一些示例性實施例中，第一附加配線、第一下配線和第一上配線可以選自包括將數(shù)據(jù)信號傳送到子像素電路的數(shù)據(jù)配線、將電力供給到子像素電路的電源配線以及將初始化電壓供給到子像素電路的初始化電壓配線的組。
[0015]在一些示例性實施例中，第二配線可以包括:被設(shè)置在基底上方的設(shè)置有源電極和漏電極的層處的第二下配線；以及被設(shè)置在基底上方的設(shè)置有第一電極的層處的第二上配線。
[0016]在一些示例性實施例中，第二下配線可以被設(shè)置在覆蓋柵電極的層間絕緣層上， 第二上配線可以被設(shè)置在平坦化層上，第二上配線與第二下配線不重疊。
[0017]在一些示例性實施例中，第二下配線和第二上配線可以選自包括將電力供給到子像素電路的電源配線、將初始化電壓供給到子像素電路的初始化電壓配線、傳送發(fā)光信號的配線、傳送掃描信號的配線、以及傳送柵極初始化信號的配線的組。
[0018]在一些示例性實施例中，平坦化層可以具有在透射區(qū)域中的透射窗。
[0019]根據(jù)公開的另一實施例，提供了一種制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法。在該方法中， 具有子像素區(qū)域、透射區(qū)域和周邊區(qū)域的基底被提供，然后晶體管被形成在子像素區(qū)域中的基底上。每個晶體管包括有源圖案、柵電極、源電極和漏電極。平坦化層被形成在基底上， 以覆蓋晶體管。第一電極被形成在平坦化層上，發(fā)光層被形成在第一電極上。第二電極被形成在發(fā)光層上。多個配線被形成在周邊區(qū)域中的基底上的不同層處。
[0020]根據(jù)示例性實施例的形成多個配線可以包括:在周邊區(qū)域中的基底上形成沿第一方向延伸的第一配線；以及在周邊區(qū)域中的基底上形成沿第二方向延伸的第二配線。第二方向可以基本上垂直于第一方向。
[0021]在示例性實施例中，柵電極可以被形成在覆蓋有源圖案的第一層間絕緣層上，源電極和漏電極可以被形成在覆蓋柵電極的第二層間絕緣層上。
[0022]在示例性實施例中，形成第一配線可以包括:在第二層間絕緣層上形成第一下配線；以及在平坦化層上形成第一上配線。第一下配線以及源電極和漏電極可以同時形成。另夕卜，第一上配線和第一電極可以同時形成。
[0023]在示例性實施例中，形成第一配線可以包括在第一層間絕緣層上形成第一附加配線。第一附加配線和柵電極可以同時形成。
[0024]在示例性實施例中，形成第二配線可以包括:在第二層間絕緣層上形成第二下配線；以及在平坦化層上形成第二上配線。
[0025]在示例性實施例中，第二下配線以及源電極和漏電極可以同時形成。此外，第二上配線和第一電極可以同時形成。[〇〇26]根據(jù)公開的另一實施例，提供了一種有機發(fā)光顯示設(shè)備，包括在基底上的多個像素區(qū)域、平坦化層、第一電極、第二電極和多個配線。多個像素區(qū)域中的每一個包括子像素區(qū)域、透射區(qū)域和周邊區(qū)域。平坦化層覆蓋多個子像素電路，第一電極被設(shè)置在子像素區(qū)域中的平坦化層上，第二電極被設(shè)置在第一電極上，多個配線被設(shè)置成在周邊區(qū)域中在基底上方的不同層處的至少雙層構(gòu)造。多個配線包括:在基底上方在第一方向上延伸的第一配線；以及在基底上方在第二方向上延伸的第二配線，第二方向基本上垂直于第一方向。
[0027]在示例性實施例中，有機發(fā)光顯示設(shè)備可以進一步包括在子像素區(qū)域中控制子像素區(qū)域的多個子像素電路，其中每個子像素電路包括多個晶體管，每個晶體管包括有源圖案、柵電極、源電極和漏電極、以及在第一電極與第二電極之間的發(fā)光層。平坦化層可以包括在透射區(qū)域中的透射窗。
[0028]在示例性實施例中，第一配線可以進一步包括被設(shè)置在基底上方的設(shè)置有柵電極的層處的第一附加配線。
[0029]在示例性實施例中，第一配線可以包括:被設(shè)置在覆蓋柵電極的層間絕緣層上的第一上配線；以及被設(shè)置在基底上方的設(shè)置有柵電極的層處的第一下配線，第一上配線與第一下配線不重疊。
[0030]在示例性實施例中，第二配線可以包括:被設(shè)置在基底上方的設(shè)置有源電極和漏電極的層處的第二下配線；以及被設(shè)置在基底上方的設(shè)置有第一電極的層處的第二上配線。第二下配線可以被設(shè)置在覆蓋柵電極的層間絕緣層上，第二上配線可以被設(shè)置在平坦化層上，第二上配線與第二下配線不重疊。
[0031]根據(jù)示例性實施例，有機發(fā)光顯示設(shè)備可以包括以至少雙層構(gòu)造被設(shè)置在像素的周邊區(qū)域中的多個配線。因此，配線所占據(jù)的面積可以減小，而透射區(qū)域的面積可以增加。 結(jié)果是，有機發(fā)光顯示設(shè)備可具有提高的透射率?！靖綀D說明】
[0032]圖1是根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的平面圖。
[0033]圖2是根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的電路圖。
[0034]圖3是根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖。[〇〇35]圖4是根據(jù)一些示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖。[〇〇36]圖5是根據(jù)一些示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖。[〇〇37]圖6是根據(jù)一些示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖。[〇〇38]圖7是根據(jù)一些示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖。[〇〇39]圖8是根據(jù)一些示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖。
[0040]圖9是根據(jù)一些示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖。
[0041]圖10是根據(jù)一些示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的平面圖。[〇〇42]圖11是根據(jù)一些示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖。[〇〇43]圖12至圖18是示出了根據(jù)示例性實施例的制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法的剖視圖。
[0044]圖19至圖22是示出了根據(jù)一些示例性實施例的制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法的剖視圖?！揪唧w實施方式】
[0045]在下文中，將參考附圖詳細描述根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備和制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法。然而，本公開可以以許多不同形式體現(xiàn)，而不應(yīng)被解釋為限于在本文中闡述的實施例。
[0046]將理解的是，當(dāng)一個元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印吧稀?、“被連接到”或“被結(jié)合至f另一元件或?qū)訒r，它可以直接在另一元件或?qū)由希恢苯舆B接到或被直接結(jié)合到另一元件或?qū)?，或者可以存在中間元件或中間層。相反，當(dāng)一個元件被稱為“直接在”另一元件或?qū)?“上”、“被直接連接到”或“被直接結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r，不存在中間元件或中間層。貫穿全文，相同或相似的附圖標(biāo)記可以指代相同或者相似的元件。
[0047]圖1是根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的平面圖。[0〇48]參考圖1，根據(jù)公開的一個實施例的有機發(fā)光顯不設(shè)備包括在第一方向和第二方向上被布置在基底上的多個像素P。每個像素P包括第一子像素Pr、第二子像素Pg和第三子像素Pb、透射區(qū)域T、以及周邊區(qū)域R。第一子像素PR、第二子像素PG和第三子像素PB分別生成紅色、綠色和藍色。例如，被包括在第一至第三子像素Pr、Pg和Pb中的發(fā)光結(jié)構(gòu)分別發(fā)射紅色、 綠色和藍色。[〇〇49]在示例性實施例中，第一子像素Pr、第二子像素Pg和第三子像素Pb中的每一個沿第一方向延伸。第一至第三子像素Pr、Pg和Pb中的每一個可以具有大致矩形形狀、大致橢圓形狀、大致超橢圓形狀等。這里，第一子像素Pr的沿第一方向的長度基本上大于第一子像素Pr 的沿第二方向的長度。另外，第二子像素Pg的沿第一方向的長度基本上大于第二子像素Pg的沿第二方向的長度。此外，第三子像素Pb的沿第一方向的長度基本上大于第三子像素Pb的沿第二方向的長度。在一些示例性實施例中，第一子像素Pr、第二子像素Pg和第三子像素Pb沿第二方向被布置在基底上。例如，第一子像素Pr、第二子像素Pg和第三子像素Pb在第二方向上隔開預(yù)定距離。
[0050]根據(jù)一些示例性實施例，第三子像素Pb可以具有與第一子像素Pr的面積和/或第二子像素Pg的面積基本上相同的面積?？商娲?，第三子像素Pb可以具有基本上大于第一子像素Pr的面積和/或第二子像素Pg的面積的面積。[〇〇51]如圖1所示，透射區(qū)域T沿第一方向與第一至第三子像素Pr、Pg和Pb隔開。透射區(qū)域T 具有在第二方向上的第一長度D1、以及沿第一方向的第二長度D2。例如，當(dāng)透射區(qū)域T具有大致矩形形狀時，透射區(qū)域T的面積可以通過第一長度D1和第二長度D2的乘積來定義。在示例性實施例中，透射區(qū)域T的面積可為像素P的面積的約20%至約90%。隨著透射區(qū)域T的面積增加，根據(jù)公開的實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的透射率增加。[〇〇52] 在一些示例性實施例中，相鄰的第一至第三子像素Pr、Pg和Pb沿第一方向共享一個透射區(qū)域T。例如，第一至第三子像素Pr、Pg和Pb可以被布置為鄰近于一個透射區(qū)域T。在其它實施例中，有機發(fā)光顯示設(shè)備可以具有兩個相鄰像素P可以共享一個透射區(qū)域T的構(gòu)造。 [〇〇53]在示例性實施例中，周邊區(qū)域R基本上圍繞透射區(qū)域T和第一至第三子像素Pr、Pg和 Pb。例如，周邊區(qū)域R與像素P的除了透射區(qū)域T和第一至第三子像素Pr、Pg和Pb之外的剩余區(qū)域?qū)?yīng)。[〇〇54]現(xiàn)在參考圖1，根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備包括被設(shè)置在周邊區(qū)域R中的第一配線L1和第二配線L2,第一配線L1和第二配線L2被電連接到位于像素P中的電路。發(fā)光結(jié)構(gòu)和用于控制發(fā)光結(jié)構(gòu)的子像素電路被設(shè)置在第一至第三子像素Pr、Pg和Pb中，其中第一配線L1和第二配線L2被電連接到子像素電路。子像素電路將參考圖2進行描述。
[0055]第一配線L1在第一方向上延伸。第一配線L1在基底上沿第二方向隔開預(yù)定距離。在示例性實施例中，第一配線L1沿第二方向位于相鄰像素P之間。在這種情況下，第一配線 L1與透射區(qū)域T或第一至第三子像素PR、PG和PB基本上不重疊。
[0056]第二配線L2沿第二方向延伸，并且在基底上在第一方向上隔開預(yù)定距離。根據(jù)示例性實施例，第二配線L2與第一至第三子像素Pr、Pg和PB部分重疊，但與透射區(qū)域T基本上不重疊。[〇〇57]如圖1所示，在第二方向上相鄰的像素P的透射區(qū)域T之間的距離D3可以基于位于透射區(qū)域T之間的第一配線L1的尺寸來確定。也就是說，當(dāng)由第一配線L1占據(jù)的面積增加時，在第二方向上透射區(qū)域T之間的距離D3也可增加，從而減小了透射區(qū)域T的第一長度D1。 另一方面，隨著第二方向上透射區(qū)域T之間的距離D3減小，透射區(qū)域T的第一長度D1可增加， 從而增加透射區(qū)域T的面積。結(jié)果是，根據(jù)公開的實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備可具有提高的透射率。[〇〇58]根據(jù)示例性實施例，第一配線L1在基底上具有多層構(gòu)造。在這種情況下，相鄰?fù)干鋮^(qū)域T之間的距離D3可以基本上小于被包括在第一配線L1中的各個配線的寬度的總和。也就是說，當(dāng)?shù)谝慌渚€L1具有多層構(gòu)造時，相比具有單層構(gòu)造的配線，沿第二方向的透射區(qū)域 T之間的距離D3減小。因此，因為透射區(qū)域T具有增加的面積，根據(jù)一個示例性實施例的有機發(fā)光顯不設(shè)備可具有提尚的透射率。
[0059]圖2是根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的電路圖。[0〇6〇]參考圖2,在一些實施例中，有機發(fā)光顯不設(shè)備包括被布置在第一方向和第二方向上的多個像素P(參考圖1)。在示例性實施例中，如圖1所示，每個像素P具有第一子像素Pr、 第二子像素Pg、第三子像素Pb、透射區(qū)域T和周邊區(qū)域R。
[0061]如圖所示，子像素電路被設(shè)置在第一至第三子像素Pr、Pg和PB中。在示例性實施例中，子像素電路中的每一個包括多個晶體管、至少一個電容器、發(fā)光結(jié)構(gòu)等。在示例性實施例中，如圖2所示，每個子像素電路包括七個晶體管!1、12、13、14、15、16和17、一個電容器 Cst和一個發(fā)光結(jié)構(gòu)ED。然而，公開的實施例并不限于這樣的結(jié)構(gòu)，有必要時，每個子像素電路可以包括多于或少于七個的晶體管、多于一個的電容器和/或多于一個的發(fā)光結(jié)構(gòu)。
[0062]如圖2所示，子像素電路被電連接到在第一方向上延伸的多個第一配線，并且還被電連接到沿第二方向延伸的多個第二配線。第一配線包括第一數(shù)據(jù)配線DATA_R、第二數(shù)據(jù)配線DATA_G、第三數(shù)據(jù)配線DATA_B、第一初始化電壓配線VINT_1、第一高電壓電源配線 ELVDD_1和第一低電壓電源配線ELVSS_1。[〇〇63] 在示例性實施例中，第一至第三數(shù)據(jù)配線將數(shù)據(jù)信號傳送到像素P，因而對應(yīng)于所有的像素P。這里，第一數(shù)據(jù)配線DATA_R、第二數(shù)據(jù)配線第三數(shù)據(jù)配線DATA_B被分別電連接到每個像素P的第一子像素PR中的第二晶體管T2、每個像素P的第二子像素Pg中的第二晶體管T2和每個像素P的第三子像素PB中的第二晶體管T2。 第一至第三數(shù)據(jù)配線DATA_R、數(shù)據(jù)信號傳送到第一至第三子像素PR、PG和 Pb中的子像素電路。[〇〇64] 另外，第一初始化電壓配線VINT_1、第一高電壓電源配線ELVDD_1和第一低電壓電源配線ELVSSj對應(yīng)于所有的像素P。在示例性實施例中，第一初始化電壓配線VINT j通過第二初始化電壓配線VINT_2被電連接到每個像素P。第一初始化電壓配線VINT_1可以將初始化電壓施加到每個子像素電路的第四晶體管T4和第七晶體管T7。
[0065]在示例性實施例中，第一高電壓電源配線ELVDD_1通過第二高電壓電源配線 ELVDD_2被電連接到每個像素P。第一高電壓電源配線ELVDD_1可將高電壓供給到每個子像素電路的電容器Cst和第五晶體管T5。
[0066]在示例性實施例中，第一低電壓電源配線ELVSS_1通過第二低電壓電源配線 ELVSS_2被電連接到每個像素P。第一低電壓電源配線ELVSS_1可以將低電壓施加到每個子像素電路的發(fā)光結(jié)構(gòu)ED。[〇〇67]在示例性實施例中，如圖2所示，第一數(shù)據(jù)配線DATA_R、第二數(shù)據(jù)配線DATA_G、第三數(shù)據(jù)配線DATA_B、第一初始化電壓配線VINT_1、第一高電壓電源配線ELVDD_1和第一低電壓電源配線ELVSS_1與相鄰的透射區(qū)域T基本上不重疊。當(dāng)由相鄰像素P之間的第一數(shù)據(jù)配線 DATA_R、第二數(shù)據(jù)配線DATA_G、第三數(shù)據(jù)配線DATA_B、第一初始化電壓配線VINT_1、第一高電壓電源配線ELVDD_1和第一低電壓電源配線ELVSSj所占據(jù)的面積增加以將第一數(shù)據(jù)配線DATA_R、第二數(shù)據(jù)配線DATA_G、第三數(shù)據(jù)配線DATA_B、第一初始化電壓配線VINT_1、第一高電壓電源配線ELVDD_1和第一低電壓電源配線ELVSS_1設(shè)置在基底上的同一層處時，透射區(qū)域T在第二方向上的長度可減小，從而減小了透射區(qū)域T的面積。另一方面，當(dāng)由第一數(shù)據(jù)配線DATA_R、第二數(shù)據(jù)配線DATA_G、第三數(shù)據(jù)配線DATA_B、第一初始化電壓配線VINT_1、第一高電壓電源配線ELVDDj和第一低電壓電源配線ELVSSj占據(jù)的面積減小時，透射區(qū)域T 的面積可增加，以提高有機發(fā)光顯示設(shè)備的透射率。第一數(shù)據(jù)配線DATA_R、第二數(shù)據(jù)配線 DATA_G、第三數(shù)據(jù)配線DATA_B、第一初始化電壓配線VINT_1、第一高電壓電源配線ELVDD_1 和第一低電壓電源配線ELVSS_1的各種構(gòu)造將參考圖3至圖6進行描述。[〇〇68]如圖2所示，第二配線包括第二低電壓電源配線ELVSS_2、第二高電壓電源配線ELVDD_2、第二初始化電壓配線VINT_2、用于發(fā)光信號的配線EM、用于掃描信號的配線GW、以及用于柵極初始化信號的配線GI。[〇〇69]在示例性實施例中，第二低電壓電源配線ELVSS_2沿第二方向延伸，并被連接到第一低電壓電源配線ELVSS_1。例如，為了將低電壓傳送到每個像素P，第一低電壓電源配線 ELVSS_1和第二低電壓電源配線ELVSS_2彼此交叉，并被布置成網(wǎng)格構(gòu)造。因此，第一低電壓電源配線ELVSSj和第二低電壓電源配線ELVSS_2的電阻可以被顯著減小。另外，第二低電壓電源配線ELVSS_2被電連接到每個像素P的第一至第三子像素PR、PG和PB的發(fā)光結(jié)構(gòu)ED的第一端。因而，第二低電壓電源配線ELVSS_2可以將低電壓傳送到第一至第三子像素PR、PG和 Pb中的發(fā)光結(jié)構(gòu)ED。
[0070]在示例性實施例中，第一高電壓電源配線ELVDD_1和第二高電壓電源配線ELVDD_2 彼此連接。為了將高電壓施加到每個像素P，第一高電壓電源配線ELVDD_1和第二高電壓電源配線ELVDD_2在第一方向和第二方向上彼此交叉，使得第一高電壓電源配線ELVDD_1和第二高電壓電源配線ELVDD_2的電阻可以被顯著減小。第二高電壓電源配線ELVDD_2被電連接到每個子像素電路的第五晶體管T5和存儲電容器Cst。第二高電壓電源配線ELVDD_2可以將高電壓傳送到子像素電路。
[0071]在示例性實施例中，第二初始化電壓配線VINT_2被連接到第一初始化電壓配線 VINT_1。例如，第一初始化電壓配線VINT j沿第一方向和第二方向與第二初始化電壓配線 VINT_2相交，以將初始化電壓傳送到像素P。因此，第一初始化電壓配線VINT_1和第二初始化電壓配線VINT_2的電阻可以被減小。
[0072]另外，如圖2所示，用于發(fā)光信號的配線EM、用于掃描信號的配線GW和用于柵極初始化信號的配線GI沿第二方向被電連接到子像素電路。
[0073]圖3是根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖。圖3是沿圖1中的線1-1I 截取的有機發(fā)光顯示設(shè)備的剖面。[〇〇74]參考圖3,有機發(fā)光顯示設(shè)備包括在基底100上的晶體管、電容器Cst、第一配線、第二配線、第一電極180、發(fā)光層190和第二電極195。在示例性實施例中，第一配線包括第一下配線160、162和164以及第一上配線182和184。另外，第二配線與參考圖1和圖2描述的第二配線基本上相同或相似。此外，發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一電極180、發(fā)光層190和第二電極195。
[0075] 基底100包括透明絕緣基底。例如，基底100可以包括玻璃基底、石英基底、透明塑料基底等?？商娲兀? 〇〇可以包括透明柔性基底。[〇〇76]在示例性實施例中，基底100具有子像素區(qū)域Ps、透射區(qū)域T、周邊區(qū)域R等。這里， 如圖1所示，周邊區(qū)域R基本上圍繞子像素區(qū)域Ps和透射區(qū)域T。
[0077]在示例性實施例中，第一勢皇層103和第二勢皇層105被設(shè)置在基底100上。第一勢皇層103和第二勢皇層105可以防止雜質(zhì)和/或離子穿過基底100擴散。此外，第一勢皇層103 和第二勢皇層105可以基本上平坦化基底100的表面。另外，第一勢皇層103和第二勢皇層 105中的每一個可包括諸如氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦和氮化鈦的無機材料和/或諸如聚酰亞胺、聚酯、丙烯酸等的有機材料。在一些示例性實施例中，第一勢皇層103包括氮化硅，第二勢皇層105包括氧化硅。可替代地，在其它示例性實施例中，第一勢皇層103和/或第二勢皇層105基于基底100的材料、尺寸和制造條件被省略。例如，當(dāng)一個勢皇層被提供在基底100上時，這樣的勢皇層可以具有包括上述無機材料和/或上述有機材料的單層構(gòu)造或多層構(gòu)造。
[0078]如圖3所示，第一有源圖案110和第二有源圖案115可以被設(shè)置在第二勢皇層105 上，或者可替代地在基底100上。第一有源圖案110和第二有源圖案115位于基底100的子像素區(qū)域Ps中。第一有源圖案110包括第一源區(qū)112、第一漏區(qū)113和第一溝道區(qū)111。第二有源圖案115包括第二源區(qū)117、第二漏區(qū)118和第二溝道區(qū)116。
[0079]第一有源圖案110和第二有源圖案115中的每一個可包括單晶硅、多晶硅、氧化物半導(dǎo)體等。例如，第一有源圖案110和第二有源圖案115中的每一個可以包括氧化物半導(dǎo)體， 所述氧化物半導(dǎo)體包括二元化合物(ABx)、三元化合物(ABxCy)或四元化合物(ABxCyDz)，這些化合物可以包含銦(In)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、錫(Sn)、鈦(Ti)、鋁(A1)、鉿(Hf)、鋯(Zr)等。這里，第一有源圖案110和第二有源圖案115中的每一個可以是例如GIZO[(In2〇3)a(Ga2〇3)b (Zn0)c]層，其中￡12 0，1^0，并且〇>0。[〇〇8〇]在示例性實施例中，柵極絕緣層120基本上覆蓋第一有源圖案110和第二有源圖案 115,并且可以被設(shè)置在第二勢皇層105或基底100上。另外，柵極絕緣層120可以包括氧化硅、金屬氧化物等。在示例性實施例中，第一有源圖案110和第二有源圖案115基本上由可以都包括氧化硅的柵極絕緣層120和第二勢皇層105包圍。特別是，當(dāng)?shù)谝挥性磮D案110和第二有源圖案115包括氧化硅時，第一有源圖案110和第二有源圖案115中的每一個可以相對于柵極絕緣層120和第二勢皇層105具有提高的界面穩(wěn)定性。
[0081]在示例性實施例中，第一柵電極125和第一導(dǎo)電圖案129被設(shè)置在柵極絕緣層120 上。在示例性實施例中，第一柵電極125被設(shè)置在第一有源圖案110的第一溝道區(qū)111上。第一導(dǎo)電圖案129和第一柵電極125位于子像素區(qū)域Ps中。另外，第一柵電極125和第一導(dǎo)電圖案129中的每一個可包括金屬、金屬氮化物、合金、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等。
[0082]在示例性實施例中，第一層間絕緣層130被設(shè)置在柵極絕緣層120上，以基本上覆蓋第一柵電極125和第一導(dǎo)電圖案129。另外，第一層間絕緣層130可包括氮化硅、氮氧化硅等。
[0083]再次參考圖3,第二柵電極135和第二導(dǎo)電圖案139被設(shè)置在第一層間絕緣層130 上。在示例性實施例中，第二柵電極135被設(shè)置在第二有源圖案115的第二溝道區(qū)116上，第二導(dǎo)電圖案139被設(shè)置在第一導(dǎo)電圖案129上。另外，第二導(dǎo)電圖案139和第二柵電極135中的每一個可包括金屬、金屬氮化物、合金、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等。[〇〇84] 在示例性實施例中，電容器Cst包括第一導(dǎo)電圖案129、第二導(dǎo)電圖案139、以及第一層間絕緣層130的被插入在第一導(dǎo)電圖案129與第二導(dǎo)電圖案139之間的部分。當(dāng)?shù)谝粚娱g絕緣層130包括氮化硅時，電容器Cst可以具有基本上比包括氧化硅的層間絕緣層的電容器的電容更大的電容。
[0085]在示例性實施例中，第二層間絕緣層140被設(shè)置在第一層間絕緣層130上，以基本上覆蓋第二柵電極135和第二導(dǎo)電圖案139。另外，第二層間絕緣層140可包括氧化硅。[〇〇86]在示例性實施例中，第三層間絕緣層145被設(shè)置在第二層間絕緣層140上。另外，第三層間絕緣層145可以包括氮化硅、氮氧化硅等。
[0087] 在示例性實施例中，第一源電極152、第一漏電極154、第二源電極156、第二漏電極 158和第一下配線160、162和164被設(shè)置在第三層間絕緣層145上。在示例性實施例中，第一下配線160、162和164、第一源電極152、第一漏電極154、第二源電極156和第二漏電極158位于基底100上的同一層處。第一源電極152和第一漏電極154穿過第一至第三層間絕緣層 130、140和145以及柵極絕緣層120,以分別接觸第一源區(qū)112和第一漏區(qū)113。另外，第二源電極156和第二漏電極158穿過第一至第三層間絕緣層130、140和145以及柵極絕緣層120， 以分別接觸第二源區(qū)117和第二漏區(qū)118。此外，第二漏電極158穿過第二層間絕緣層140和第三層間絕緣層145,以接觸第二導(dǎo)電圖案139。因此，電容器Cst被電連接到具有第二源電極156和第二漏電極158的晶體管。[0〇88]根據(jù)不例性實施例，第一晶體管包括第一源電極152、第一漏電極154、第一有源圖案110和第一柵電極125。此外，第二晶體管包括第二源電極156、第二漏電極158、第二有源圖案115和第二柵電極135。在示例性實施例中，第一晶體管是開關(guān)晶體管，第二晶體管是驅(qū)動晶體管。
[0089]圖3示出了具有第一柵電極125和第二柵電極135分別位于第一有源圖案110和第二有源圖案115上方的頂柵結(jié)構(gòu)的晶體管。然而，晶體管中的一個或兩個可具有柵電極被設(shè)置在有源圖案下方的底柵結(jié)構(gòu)。
[0090]如圖3所示，第一下配線160、162和164被設(shè)置在周邊區(qū)域R中的第三層間絕緣層 145上。另外，第一下配線160、162和164、第一源電極152、第二源電極156、第一漏電極154和第二漏電極158可以包括相同的材料。例如，第一下配線160、162和164、第一源電極152、第二源電極156、第一漏電極154和第二漏電極158中的每一個可以包括銅(Cu)、鋁(A1)、鉑的)、銀^)、金以11)、鎂(1%)、絡(luò)(0)、媽(￥)、鉬(11〇)、鈦(11)、其合金等。
[0091]根據(jù)圖3所示的示例性實施例，三個第一下配線160、162和164被設(shè)置在周邊區(qū)域R中的第三層間絕緣層145上。然而，公開的實施例不限于此構(gòu)造。例如，多于或少于三個的第一下配線可以被設(shè)置在周邊區(qū)域R中的第三層間絕緣層145上。[〇〇92]根據(jù)示例性實施例，平坦化層170被設(shè)置在第三層間絕緣層145上，以基本上覆蓋晶體管、電容器Cst和第一下配線160、162和164。在示例性實施例中，提供了透射窗172,以在透射區(qū)域T中形成穿過平坦化層170的開口。透射窗172可以由第三層間絕緣層145的上表面和平坦化層170的開口的側(cè)壁限定。透射窗可以提高根據(jù)公開的實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的透射區(qū)域T的透射率。
[0093]根據(jù)示例性實施例，第一電極180和第一上配線182和184被設(shè)置在平坦化層170 上。第一電極180位于子像素區(qū)域Ps中，并穿過平坦化層170被電連接到第二漏電極158。另夕卜，第一電極180可包括金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等。
[0094]根據(jù)示例性實施例，第一上配線182和184被設(shè)置在周邊區(qū)域R中的平坦化層170 上。第一上配線182和184與第一電極180位于基底100上的同一層處。另外，第一上配線182 和184中的每一個可以包括與第一電極180的材料基本上相同的材料。例如，第一上配線182 和184中的每一個可包括金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等。[〇〇95]在圖3所示的有機發(fā)光顯示設(shè)備中，第一下配線160、162和164可以是參考圖2描述的數(shù)據(jù)配線，第一上配線182和184可以是參考圖2描述的與電源相關(guān)聯(lián)的配線或與初始化電壓相關(guān)聯(lián)的配線。例如，第一下配線160、162和164中的一個可以是圖2所示的第一數(shù)據(jù)配線DATA_R，第一下配線160、162和164中的再一個可以是圖2所示的第二數(shù)據(jù)配線DATA_G。另夕卜，第一下配線160、162和164中的另一個可以是圖2所示的第三數(shù)據(jù)配線DATA_B。另外，第一上配線182和184中的一個可以是圖2所示的第一初始化電壓配線VINT_1，第一上配線182 和184中的另一個可以是圖2所示的第一高電壓電源配線ELVDDj或第一低電壓電源配線 ELVSS_1〇
[0096]在一些示例性實施例中，當(dāng)?shù)谝幌屡渚€160、162和164是參考圖2描述的與電源相關(guān)聯(lián)的配線或與初始化電壓相關(guān)聯(lián)的配線時，第一上配線182和184是參考圖2描述的數(shù)據(jù)配線。例如，第一下配線160、162和164中的一個可以是圖2中所示的第一初始化電壓配線 VINT_1，第一下配線160、162和164中的再一個可以是圖2中的第一高電壓電源配線ELVDD_ 1，第一下配線160、162和164中的另一個可以是第一低電壓電源配線ELVSS_1。此外，第一上配線182和184可以是圖2所示的數(shù)據(jù)配線DATA_R、中的相應(yīng)的數(shù)據(jù)配線。
[0097]在圖3所示的示例性實施例中，兩個第一上配線182和184被設(shè)置在周邊區(qū)域R中的平坦化層170上，然而，公開的實施例不限于這樣的構(gòu)造。例如，多于或少于兩個的第一上配線可以被提供在周邊區(qū)域R中的平坦化層170上。
[0098]在示例性實施例中，像素限定層185被設(shè)置在平坦化層170上，并覆蓋第一上配線 182和184,同時部分地覆蓋第一電極180。另外，像素限定層185可以包括諸如聚酰亞胺的有機材料。像素限定層185位于子像素區(qū)域Ps和周邊區(qū)域R中，而不在透射區(qū)域T中。在透射區(qū)域T中在透射窗172上提供有穿過像素限定層185的開口。因而，透射區(qū)域T的透射率可以進一步提尚。
[0099]在示例性實施例中，發(fā)光層190被設(shè)置在由像素限定層185的像素開口暴露的第一電極180上。發(fā)光層190可至少包括有機發(fā)光層。此外，發(fā)光層190可以可替代地包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層和電子傳輸層等。從發(fā)光層190產(chǎn)生的光在朝向基底100的方向和遠離基底100的方向上傳播。在圖3所示的有機發(fā)光顯示設(shè)備中，發(fā)光層190與晶體管和/或電容器Cst基本上重疊，使得朝向基底100傳播的光可被晶體管和/或電容器Cst阻擋。 也就是說，有機發(fā)光顯示設(shè)備可以是從發(fā)光層190產(chǎn)生的光在穿過第二電極195傳播之后朝向有機發(fā)光顯示設(shè)備的前面發(fā)射的頂部發(fā)射型。
[0100]在示例性實施例中，第二電極195被設(shè)置在發(fā)光層190和像素限定層185上。另外， 第二電極195可包括鋁(A1)、鉑(Pt)、銀(Ag)、金(Au)、鎂(Mg)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉬(Mo)、鈦 (Ti)、其合金等。[〇1〇1 ] 根據(jù)不例性實施例，第一下配線160、162和164與第一源電極152、第二源電極156、 第一漏電極154和第二漏電極158設(shè)置在同一層處。另外，第一上配線182和184與第一電極 180設(shè)置在同一層處。特別是，第一下配線160、162和164與第一上配線182和184被設(shè)置在基底100上方的不同層處。例如，第一下配線160、162和164與第一上配線182和184可被設(shè)置成基底100上方的多層構(gòu)造。因而，相比有機發(fā)光顯示設(shè)備的常規(guī)配線，由第一下配線160、162 和164與第一上配線182和184占據(jù)的面積可以減小，這可以增加有機發(fā)光顯示設(shè)備的透射區(qū)域T的第一長度D1。結(jié)果是，根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備可通過增加透射區(qū)域 T的面積提高透射率。
[0102]圖4是根據(jù)一些示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖。除了配線181和183 之外，圖4的有機發(fā)光顯示設(shè)備具有與參考圖3描述的有機發(fā)光顯示設(shè)備的構(gòu)造基本上相同或相似的構(gòu)造。在圖4中，相同或相似的附圖標(biāo)記可指代圖3中的相同或相似的元件。[〇1〇3]參考圖4,根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備包括電容器、第一配線、第二配線、第一電極180、發(fā)光層190和第二電極195。在這種情況下，第一配線包括第一下配線160、 162和164以及第一上配線181和183。另外，第二配線與參考圖1和圖2描述的第二配線基本上相同。
[0104]根據(jù)示例性實施例，第一下配線160、162和164被設(shè)置在周邊區(qū)域R中的第三層間絕緣層145上。第一下配線160、162和164、第一源電極152、第二源電極156、第一漏電極154 和第二漏電極158位于基底100上方的同一層處。另外，第一下配線160、162和164、第一源電極152、第二源電極156、第一漏電極154和第二漏電極158中的每一個可以包括銅、鋁、鉑、銀、金、鎂、絡(luò)、媽、鉬、鈦、其合金等。
[0105]根據(jù)示例性實施例，第一上配線181和183被設(shè)置在周邊區(qū)域R中的平坦化層170 上。第一上配線181和183以及第一電極180位于基底100上方的同一層處。另外，第一電極 180和第一上配線181和183中的每一個可以包括金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、 透明導(dǎo)電材料等。
[0106]在示例性實施例中，第一下配線160、162和164以及第一上配線181和183被布置為多層構(gòu)造，其中它們被設(shè)置在基底100上方的不同層處。第一下配線160、162和164中的每一個可具有第一寬度W1，第一上配線181和183中的每一個可以具有基本上大于第一寬度W1的第二寬度W2。當(dāng)?shù)谝簧吓渚€181和183中的每一個包括透明導(dǎo)電材料時，第一上配線181和 183中的每一個具有基本上大于第一下配線160、162和164中的每一個的比電阻的比電阻。 這里，第一上配線181和183具有相對較大的第二寬度W2,使得第一上配線181和183的相對高的比電阻可以由相對較大的第二寬度W2進行補償。因此，第一上配線181和183可以具有期望的電阻。
[0107]圖5是根據(jù)一些示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖。除了配線132和134 之外，圖5的有機發(fā)光顯示設(shè)備具有與參考圖3描述的有機發(fā)光顯示設(shè)備的構(gòu)造基本上相同或相似的構(gòu)造。在圖5中，相同或相似的附圖標(biāo)記可指代圖3中的相同或相似的元件。
[0108]參考圖5,根據(jù)一個示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備包括基底100、薄膜晶體管、 電容器、第一配線、第二配線、第一電極180、發(fā)光層190以及第二電極195。第一配線包括第一下配線132和134以及第一上配線160’、162’和164’。第二配線與參考圖1和圖2描述的第二配線基本相同。
[0109]如圖5所示，第一下配線132和134被設(shè)置在周邊區(qū)域R中的第一層間絕緣層130上， 第一上配線160 ’、162 ’和164 ’位于周邊區(qū)域R中的第三層間絕緣層145上。第一下配線132和 134、第二柵電極135以及第二導(dǎo)電圖案139被定位在基底100上方的同一層處。第一下配線 132和134、第二柵電極135以及第二導(dǎo)電圖案139中的每一個可以包括相同的材料。第一上配線160’、162’和164’與第一源電極152、第二源電極156、第一漏電極154和第二漏電極158 位于基底100上方的同一層處。第一上配線160’、162’和164’、第一源電極152、第二源電極 156、第一漏電極154和第二漏電極158中的每一個可以包括相同的材料。
[0110]根據(jù)示例性實施例，當(dāng)?shù)谝簧吓渚€160’、162’和164’是參考圖2描述的數(shù)據(jù)配線時，第一下配線132和134是參考圖2描述的與電源相關(guān)聯(lián)的配線或與初始化電壓相關(guān)聯(lián)的配線。也就是說，第一上配線160’、162’和164’可以是用于將數(shù)據(jù)信號傳輸?shù)阶酉袼仉娐返呐渚€，而第一下配線132和134可以是用于將電源和初始化電壓供給到子像素電路的配線。 可替代地，第一下配線132和134可以是參考圖2描述的數(shù)據(jù)配線，第一上配線160’、162’和 164’是與電源或初始化電壓相關(guān)聯(lián)的配線。
[0111]在示例性實施例中，第一上配線160’、162’和164’與第一下配線132和134基本上不重疊，或者第一上配線160’、162’和164’與第一下配線132和134重疊的面積可被最小化。 因此，可以防止或基本上最小化第一上配線160’、162’和164’與第一下配線132和134之間的寄生電容。[〇112]圖6是根據(jù)一些示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖。除了配線132’、134’ 和182之外，圖6的有機發(fā)光顯示設(shè)備具有與參考圖3描述的有機發(fā)光顯示設(shè)備的構(gòu)造基本上相同或相似的構(gòu)造。在圖6中，相同或相似的附圖標(biāo)記可指代圖3中的相同或相似的元件。
[0113]參考圖6,根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備包括基底100、晶體管、電容器、 第一配線、第二配線、第一電極180、發(fā)光層190、第二電極195。第一配線包括第一下配線 160、162和164、第一上配線182以及第一附加配線132’和134’。另外，第二配線與參考圖1和圖2描述的第二配線基本上相同。
[0114]在圖6所示的有機發(fā)光顯示設(shè)備中，第一下配線160、162和164設(shè)置在周邊區(qū)域R中的第三層間絕緣層145上。第一上配線182被設(shè)置在周邊區(qū)域R中的平坦化層170上。此外，第一附加配線132’和134’被設(shè)置在周邊區(qū)域R中的第一層間絕緣層130上。
[0115]根據(jù)示例性實施例，第一附加配線132’和134’被設(shè)置在基底100上方的設(shè)置有第二柵電極135和第二導(dǎo)電圖案139的層。第一附加配線132’和134’、第二柵電極135和第二導(dǎo)電圖案139中的每一個可以包括相同的材料。[〇116]根據(jù)不例性實施例，第一下配線160、162和164被設(shè)置在基底100上方的設(shè)置有第一源電極152、第二源電極156、第一漏電極154和第二漏電極158的層。第一下配線160、162和164、第一源電極152、第二源電極156、第一漏電極154和第二漏電極158中的每一個可以包括相同的材料。
[0117]根據(jù)示例性實施例，第一上配線182被設(shè)置在設(shè)置有第一電極180的同一層處。第一上配線182可包括與第一電極180的材料基本上相同的材料。
[0118]在圖6所示的有機發(fā)光顯示設(shè)備中，當(dāng)?shù)谝幌屡渚€160、162和164是圖2所示的數(shù)據(jù)配線時，第一附加配線132’和134’是與電源相關(guān)聯(lián)的配線，第一上配線182是與初始化電壓相關(guān)聯(lián)的配線。例如，配線132’可以是圖2中的第一高電壓電源配線ELVDD_1，配線134’可以是第一低電壓電源配線ELVSS_1。這里，第一上配線182是圖2所示的第一初始化電壓配線 VINT_1〇
[0119]在一些示例性實施例中，當(dāng)?shù)谝幌屡渚€160、162和164是圖2所示的數(shù)據(jù)配線時，第一附加配線132’和134’是與電源或初始化電壓相關(guān)聯(lián)的配線。這里，第一上配線182是與圖 2中的電源相關(guān)聯(lián)的配線。例如，配線132’可以是圖2中的第一高電壓電源配線ELVDD_1，配線134’可以是圖2中的第一初始化電壓配線VINT_1。在這種情況下，第一上配線182是圖2所示的第一低電壓電源配線ELVSS_1。
[0120]在其它示例性實施例中，當(dāng)?shù)谝幌屡渚€160、162和164是與電源或初始化電壓相關(guān)的配線時，第一附加配線132’和134’以及第一上配線182是圖2所示的數(shù)據(jù)配線。
[0121]根據(jù)示例性實施例，第一下配線160、162和164、第一附加配線132’和134’以及第一上配線182具有基底100上方的三層構(gòu)造，使得由周邊區(qū)域R中的第一配線占據(jù)的面積可以減小，同時增加了透射區(qū)域T的面積。結(jié)果是，根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備可具有提尚的透射率。
[0122]圖7是根據(jù)一些示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖。除了第二電極196之夕卜，圖7的有機發(fā)光顯示設(shè)備具有與參考圖3描述的有機發(fā)光顯示設(shè)備的構(gòu)造基本上相同或相似的構(gòu)造。在圖7中，相同或相似的附圖標(biāo)記可指代圖3中的相同或相似的元件。
[0123]參考圖7,根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備包括晶體管、電容器、第一配線、 第二配線、第一電極180、發(fā)光層190和第二電極196。第一配線包括第一下配線160、162和 164以及第一上配線182和184。第二配線與參考圖1和圖2描述的第二配線基本上相同。
[0124]在圖7中的有機發(fā)光顯示設(shè)備中，第二電極196基本上覆蓋子像素區(qū)域Ps和周邊區(qū)域R，但不覆蓋透射區(qū)域T。例如，第二電極196充分暴露透射區(qū)域T。因而，在透射區(qū)域T中光不穿過第二電極196傳播，使得根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的透射區(qū)域T可以具有提尚的透射率。
[0125]圖8是根據(jù)一些示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖。除了第二電極196之夕卜，圖8的有機發(fā)光顯示設(shè)備具有與參考圖3描述的有機發(fā)光顯示設(shè)備的構(gòu)造基本上相同或相似的構(gòu)造。在圖8中，相同或相似的附圖標(biāo)記可指代圖3中的相同或相似的元件。
[0126]參考圖8,根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備包括晶體管、電容器、第一配線、 第二配線、第一電極180、發(fā)光層190和第二電極196。這里，第一配線包括第一下配線160、 162和164以及第一上配線182和184。第二配線與參考圖1和圖2描述的第二配線基本上相同。
[0127]在圖8所示的有機發(fā)光顯示設(shè)備中，第二電極196在透射區(qū)域T的一部分上方延伸， 同時基本上覆蓋子像素區(qū)域Ps和周邊區(qū)域R。例如，第二電極196延伸到像素限定層185的開口的側(cè)壁上以及透射區(qū)域T中的透射窗172的側(cè)壁上。當(dāng)?shù)诙姌O196包括透明導(dǎo)電材料時， 即使第二電極196可能部分地覆蓋透射區(qū)域T，透射區(qū)域T的面積基本上沒有減小。因此，根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備可以在透射區(qū)域T中具有提高的透射率。
[0128]圖9是根據(jù)一些示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖。除了晶體管和電容器的布置之外，圖9的有機發(fā)光顯示設(shè)備具有與參考圖3描述的有機發(fā)光顯示設(shè)備的構(gòu)造基本上相同或相似的構(gòu)造。在圖9中，相同或相似的附圖標(biāo)記可指代圖3中的相同或相似的元件。
[0129]參考圖9,根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備包括晶體管、電容器、第一配線、 第二配線、第一電極280、發(fā)光層290和第二電極295。在這種情況下，第一配線包括第一下配線260、262和264以及第一上配線282和284。另外，第二配線與參考圖1和圖2描述的第二配線基本上相同。[〇13〇]如圖9所示，在沿基本上垂直于基底200的上表面的方向的視角，發(fā)光層290與晶體管和電容器基本上不重疊。因此，從發(fā)光層290產(chǎn)生的光可以朝向基底200傳播，而不被晶體管和電容器阻擋。換句話說，根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備可以是底發(fā)射型，因而如箭頭所示，從發(fā)光層290產(chǎn)生的光可以穿過基底200發(fā)射，而不會被晶體管和電容器阻擋。
[0131]圖10是根據(jù)一些示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的平面圖。圖11是根據(jù)一些示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備的剖視圖。圖11示出了沿圖10中的線II1-1V截取的有機發(fā)光顯示設(shè)備的剖面。在圖10和圖11中，相同或相似的附圖標(biāo)記可指代與圖1和圖3所示的元件相同或相似的元件。
[0132]參考圖10和圖11，根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備包括基底100、晶體管、 電容器、第一配線L1、第二配線L2、第一電極、發(fā)光層、第二電極。在這種情況下，第一配線L1 與參考圖1和圖2描述的第一配線基本上相同。第二配線L2包括第二下配線360、362和364以及第二上配線382和384。
[0133]在示例性實施例中，有機發(fā)光顯示設(shè)備包括沿第一方向和第二方向被布置在基底 100上的多個像素P。每個像素P包括第一子像素Pr、第二子像素Pg、第三子像素Pb、透射區(qū)域T 和周邊區(qū)域R。第一子像素Pr、第二子像素Pg和第三子像素Pb分別生成紅光、綠光和藍光。另夕卜，第一子像素Pr、第二子像素Pg和第三子像素Pb中的每一個可以具有各種形狀，諸如大致矩形形狀、大致橢圓形狀、大致超橢圓形狀等。
[0134]如上所述，在一個示例性實施例中，透射區(qū)域T沿第一方向與第一子像素PR、第二子像素Pg和第三子像素Pb隔開。透射區(qū)域T具有在第二方向上的第一長度D1和在第一方向上的第二長度D2。例如，當(dāng)透射區(qū)域T具有大致矩形形狀時，透射區(qū)域T具有由第一長度D1和第二長度D2的乘積定義的面積。隨著透射區(qū)域T的面積增加，有機發(fā)光顯示設(shè)備的透射率增加。周邊區(qū)域R基本上圍繞透射區(qū)域T和第一至第三子像素PR、PG和PB。例如，周邊區(qū)域R可以與每個像素P的除了第一至第三子像素Pr、Pg和Pb和透射區(qū)域T之外的剩余區(qū)域?qū)?yīng)。
[0135]根據(jù)一個示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備包括被電連接到像素P中的電路的第一配線L1和第二配線L2。在示例性實施例中，發(fā)光結(jié)構(gòu)和用于控制發(fā)光結(jié)構(gòu)的子像素電路被提供在第一至第三子像素Pr、Pg和Pb中。第一配線L1和第二配線L2被電連接到子像素電路。
[0136]如圖10所示，第一配線L1在第一方向上延伸，第二配線L2沿與第一方向基本上垂直的第二方向延伸。第二配線L2沿第一方向被設(shè)置在相鄰的像素P之間。第二配線L2與第一配線L1和第一至第三子像素PR、PG和PB基本上重疊，但基本上與透射區(qū)域T不重疊。雖然圖10 示出了第二配線L2與第一至第三子像素PR、PG和PB部分地重疊，但公開的實施例不限于此構(gòu)造。例如，第二配線L2可以被設(shè)置在透射區(qū)域T與第一至第三子像素PR、PG和PB之間。
[0137]如圖10所示，在第一方向上相鄰的像素P的透射區(qū)域T之間的距離可以由位于相鄰?fù)干鋮^(qū)域T之間的第二配線L2的尺寸來確定。當(dāng)?shù)诙渚€L2的總面積增加時，相鄰?fù)干鋮^(qū)域 T之間的距離可以增加，因而透射區(qū)域T的第二長度D2可以減小。另一方面，透射區(qū)域T的第二長度D2可以隨著相鄰?fù)干鋮^(qū)域T之間的距離減小而增加，因而透射區(qū)域T的面積可以增加。
[0138]在示例性實施例中，第二配線L2具有基底100上的多層構(gòu)造。這里，第一方向上透射區(qū)域T之間的距離基本上小于被包括在第二配線L2中的各個配線的寬度的總和。換句話說，當(dāng)?shù)诙渚€L2被設(shè)置為多層構(gòu)造時，在第一方向上透射區(qū)域T之間的距離可以相比被布置成單層構(gòu)造的第二配線L2的情況顯著減小。結(jié)果是，透射區(qū)域T的面積可以增加，從而提高了有機發(fā)光顯示設(shè)備的透射率。
[0139]參考圖11，第二下配線360、362和364被設(shè)置在周邊區(qū)域R中的第三層間絕緣層145 上。第二下配線360、362和364與第一源電極152、第二源電極156、第一漏電極154和第二漏電極158位于同一層。另外，第二下配線360、362和364可以包括與第一源電極152、第二源電極156、第一漏電極154和第二漏電極158的材料基本上相同的材料。例如，第二下配線360、 362和364中的每一個可以包括銅、鋁、鉑、銀、金、鎂、鉻、鎢、鉬、鈦、其合金等。
[0140]在圖11所示的有機發(fā)光顯示設(shè)備中，三個第二下配線360、362和364被設(shè)置在周邊區(qū)域R中的第三層間絕緣層145上，然而，公開的實施例不限于這樣的構(gòu)造。例如，多于或少于三個的第二下配線360、362和364可以被設(shè)置在周邊區(qū)域R中的第三層間絕緣層145上。
[0141]在示例性實施例中，第二上配線382和384被設(shè)置在平坦化層170上。在示例性實施例中，第二上配線382和384和第一電極180被設(shè)置在基底100上方的同一層處。因此，第二上配線382和384與圖3所示的第一上配線182和184位于同一層處。此外，第二上配線382和384 與第一電極180中的每一個可以包括相同的材料。例如，第二上配線382和384中的每一個可以包括金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電性金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等。
[0142]在圖11所示的有機發(fā)光顯示設(shè)備中，第二下配線360、362和364與參考圖2描述的電源相關(guān)聯(lián)，第二上配線382和384傳送圖2所示的信號。例如，如圖2所示，第二下配線360、 362和364可以分別是第二低電壓電源配線ELVSS_2、第二高電壓電源配線ELVDD_2和第二初始化電壓配線VINT_2。另外，第二上配線382和384可以是參考圖2描述的用于發(fā)光信號的配線、用于掃描信號的配線和用于柵極初始化的配線?？商娲兀诙屡渚€360、362和364可以是圖2中的信號配線，第二上配線382和384可以是圖2所示的與電源相關(guān)聯(lián)的配線或與初始化電壓相關(guān)聯(lián)的配線。
[0143]雖然圖11示出了被設(shè)置在周邊區(qū)域R中的平坦化層170上的兩個第二上配線382和 384,但公開的實施例不限于此結(jié)構(gòu)。例如，多于或少于兩個的第二上配線382和384可以被設(shè)置在周邊區(qū)域R中的平坦化層170上。
[0144]如上所述，第二下配線360、362和364、第一源電極152、第二源電極156、第一漏電極154、第二漏電極158以及第一下配線160、162和164(參考圖3)被設(shè)置在基底100上方的同一層處。此外，第二上配線382和384、第一電極180以及第一上配線182和184(參考圖3)被設(shè)置在基底100上方的同一層處。除了具有雙層構(gòu)造的第一下配線160、162和164以及第一上配線182和184之外，第二下配線360、362和364以及第二上配線382和384可以可替代地或附加地具有雙層構(gòu)造。因此，由第一配線L1和/或第二配線L2所占據(jù)的面積可以在周邊區(qū)域R 中減小，而透射區(qū)域T的長度可以增加。結(jié)果是，根據(jù)示例性實施例的有機發(fā)光顯示設(shè)備可以通過增加透射區(qū)域T的面積提高透射率。
[0145]圖12至圖18是示出了根據(jù)示例性實施例的制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法的剖視圖。圖12至圖18是沿圖1中的線1-1I截取的剖視圖。在圖12至圖18中，相同或相似的附圖標(biāo)記可指代圖3中所示的相同或相似的元件。
[0146] 參考圖12,第一勢皇層103和第二勢皇層105被形成在基底100上。基底100可使用透明絕緣基底形成。例如，基底100可以使用玻璃基底、石英基底、透明塑料基底、柔性基底等形成。在示例性實施例中，如圖1和圖10所示，基底100包括多個像素P，其中每個像素P包括子像素區(qū)域Ps、透射區(qū)域T和周邊區(qū)域R。
[0147]第一勢皇層103和第二勢皇層105可以防止?jié)駳夂?或氧擴散到有機發(fā)光顯示設(shè)備中，還可以阻止從基底100擴散的離子。此外，第一勢皇層103和第二勢皇層105可以基本上平坦化基底100的上表面。另外，第一勢皇層103和第二勢皇層105中的每一個可以由諸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦、氮化鈦等的無機材料形成?？商娲?，第一勢皇層103和第二勢皇層105中的每一個可以由諸如聚酰亞胺、聚酯、丙烯酸等的有機材料形成。可替代地，在一些示例性實施例中，取決于基底100的成分、表面情況和加工條件， 沒有在基底100上形成第一勢皇層103和/或第二勢皇層105。
[0148]在示例性實施例中，第一有源圖案110和第二有源圖案115被形成在第二勢皇層 105或基底100上。第一有源圖案110和第二有源圖案115中的每一個可以由單晶硅、多晶硅、 氧化物半導(dǎo)體等形成。
[0149]在示例性實施例中，柵極絕緣層120被形成在第二勢皇層105或基底100上，以基本上覆蓋第一有源圖案110和第二有源圖案115。另外，柵極絕緣層120可以使用氧化硅、金屬氧化物等形成。如果柵極絕緣層120包括氧化硅，則第一有源圖案110與柵極絕緣層120之間以及第二有源圖案115與柵極絕緣層120之間的界面能更穩(wěn)定。
[0150]在示例性實施例中，第一柵電極125和第一導(dǎo)電圖案129被形成在柵極絕緣層120 上。例如，第一導(dǎo)電層被形成在柵極絕緣層120上，然后第一導(dǎo)電層被圖案化，以在子像素區(qū)域Ps中同時形成第一柵電極125和第一導(dǎo)電圖案129。在不例性實施例中，第一柵電極125被形成在第一有源圖案110上方，第一導(dǎo)電圖案129和第二有源圖案115隔開預(yù)定距離。
[0151]參考圖13,在示例性實施例中，第一層間絕緣層130被形成在柵極絕緣層120上，以基本上覆蓋第一柵電極125和第一導(dǎo)電圖案129。例如，第一層間絕緣層130可以使用諸如氮化硅或氮氧化硅的硅化合物通過化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝、等離子體增強化學(xué)氣相沉積 (PECVD)工藝、低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)工藝或原子層沉積(ALD)工藝形成。
[0152]在示例性實施例中，第二柵電極135和第二導(dǎo)電圖案139被形成在第一層間絕緣層 130上。例如，在第二導(dǎo)電層被形成在第一層間絕緣層130上之后，第二導(dǎo)電層被圖案化，以在子像素區(qū)域Ps中同時形成第二柵電極135和第二導(dǎo)電圖案139。第二導(dǎo)電層可使用金屬、 金屬氮化物、合金、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成。在示例性實施例中，第二柵電極135被形成在第二有源圖案115上方，第二導(dǎo)電圖案139被形成在第一導(dǎo)電圖案129上方。因此，包括第一導(dǎo)電圖案129、第一層間絕緣層130的一部分和第二導(dǎo)電圖案139的電容器被形成在子像素區(qū)域Ps中。
[0153]在示例性實施例中，使用第一柵電極125和第二柵電極135作為離子注入掩模，雜質(zhì)可以被注入到第一有源圖案110和第二有源圖案115中。因此，從第一有源圖案110形成第一源區(qū)112、第一漏區(qū)113和第一溝道區(qū)111。類似地，從第二有源圖案115形成第二源區(qū)117、 第二漏區(qū)118和第二溝道區(qū)116。
[0154]參考圖14,在示例性實施例中，第二層間絕緣層140被形成在第一層間絕緣層130 上，以基本上覆蓋第二柵電極135和第二導(dǎo)電圖案139。第二層間絕緣層140可使用氧化硅通過化學(xué)氣相沉積工藝、等離子體增強化學(xué)氣相沉積工藝、低壓化學(xué)氣相沉積工藝或原子層沉積工藝形成。
[0155]在示例性實施例中，第三層間絕緣層145被形成在第二層間絕緣層140上。第三層間絕緣層145具有基本上平坦的上表面。另外，第三層間絕緣層145可使用諸如氮化硅或氮氧化硅的硅化合物通過化學(xué)氣相沉積工藝、等離子體增強化學(xué)氣相沉積工藝、低壓化學(xué)氣相沉積工藝或原子層沉積工藝形成。
[0156]在示例性實施例中，第三層間絕緣層145和第二層間絕緣層140被部分地去除，以形成暴露第二導(dǎo)電圖案139的第一接觸孔CH1。另外，暴露第一源區(qū)112、第二源區(qū)117、第一漏區(qū)113和第二漏區(qū)118的第二接觸孔CH2通過局部蝕刻第三層間絕緣層145、第二層間絕緣層140、第一層間絕緣層130和柵極絕緣層120形成。在示例性實施例中，第一接觸孔CH1和第二接觸孔CH2被同時形成。
[0157]參考圖15,在示例性實施例中，第一源電極152、第一漏電極154、第二源電極156、 第二漏電極158以及第一下配線160、162和164被形成在第三層間絕緣層145上。在示例性實施例中，第三導(dǎo)電層被形成在第三層間絕緣層145上，然后第三導(dǎo)電層被圖案化，以在子像素區(qū)域Ps中形成第一源電極152、第二源電極156、第一漏電極154和第二漏電極158,同時在周邊區(qū)域R中形成第一下配線160、162和164。這里，第一下配線160、162和164、第一源電極 152、第一漏電極154、第二源電極156和第二漏電極158被同時形成。第一源電極152和第一漏電極154貫穿第三至第一層間絕緣層145、140和130以及柵極絕緣層120,以分別與第一有源圖案110的第一源區(qū)112和第一漏區(qū)113接觸。此外，第二源電極156和第二漏電極158也貫穿第三至第一層間絕緣層145、140和130以及柵極絕緣層120,以分別與第二有源圖案115的第二源區(qū)117和第二漏區(qū)118接觸。因此，第一晶體管和第二晶體管被形成在子像素區(qū)域Ps 中。第二晶體管的第二漏電極158延伸到第三層間絕緣層145上，并基本上填充第一接觸孔。 因而，第二漏電極158接觸電容器的第二導(dǎo)電圖案139。結(jié)果是，第二晶體管可以被電連接到電容器。周邊區(qū)域R中的第一下配線160、162和164與第一源電極152、第二源電極156、第一漏電極154和第二漏電極158—起同時形成，從而不需要用于形成第一下配線160、162和164 的附加工藝。
[0158]參考圖16,在示例性實施例中，平坦化層170被形成在第三層間絕緣層145上，以基本上覆蓋第一下配線160、162和164、第一源電極152、第二源電極156、第一漏電極154和第二漏電極158。例如，平坦化層170可使用諸如聚酰亞胺、聚酯、丙烯酸等的有機材料通過諸如旋涂工藝的涂覆工藝形成在第三層間絕緣層145上。平坦化層170具有用于隨后被形成在其上的元件的基本上平坦的上表面。
[0159]在示例性實施例中，平坦化層170被部分地去除，以形成暴露第三層間絕緣層145 的透射窗172，并形成暴露第二漏電極158的第三接觸孔CH3。透射窗172和第三接觸孔CH3被分別形成在透射區(qū)域T和子像素區(qū)域Ps中。
[0160]參考圖17,在示例性實施例中，第一電極180和第一上配線182和184被形成在平坦化層170上。根據(jù)示例性實施例，第四導(dǎo)電層被形成在平坦化層170和第三接觸孔的側(cè)壁上， 然后第四導(dǎo)電層被圖案化，以同時形成第一電極180以及第一上配線182和184。例如，第四導(dǎo)電層可以使用透明導(dǎo)電材料、導(dǎo)電金屬氧化物等形成。
[0161]在示例性實施例中，第一上配線182和184被形成在周邊區(qū)域R中的第一下配線 160、162和164上方。第一電極180延伸到在子像素區(qū)域Ps中的平坦化層170上，同時接觸第二漏電極158。第一上配線182、184和第一電極180被同時形成，這樣不需要用于形成第一上配線182和184的附加工藝。
[0162]在示例性實施例中，第一上配線182和184以及第一下配線160、162和164被形成為雙層構(gòu)造，以減小周邊區(qū)域R中由第一上配線182和184以及第一下配線160、162和164占據(jù)的面積。因此，透射區(qū)域T可以具有增加的面積，從而提高了有機發(fā)光顯示設(shè)備的透射率。
[0163]參考圖18,在示例性實施例中，像素限定層185被形成在平坦化層170上。像素限定層185由諸如聚酰亞胺的有機材料形成。像素限定層185被部分蝕刻，以形成暴露透射區(qū)域T 中的透射窗172的開口，并形成暴露子像素區(qū)域Ps中的第一電極180的像素開口。因此，在透射窗172的底部和側(cè)壁上沒有剩余的像素限定層185。
[0164]在示例性實施例中，在子像素區(qū)域Ps中，發(fā)光層和第二電極被順序形成在暴露的第一電極180上。因此，提供了具有與參考圖3描述的有機發(fā)光顯示設(shè)備的構(gòu)造基本上相同或相似的構(gòu)造的有機發(fā)光顯示設(shè)備。
[0165]圖19至圖22是示出了根據(jù)一些示例性實施例的制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法的剖視圖。
[0166]在圖19至圖22中，相同或相似的附圖標(biāo)記可指代與圖3或圖6所示的元件相同或相似的元件。
[0167]參考圖19,在示例性實施例中，在基底100上形成第一勢皇層103和第二勢皇層105 之后，第一有源圖案110和第二有源圖案115被形成在第二勢皇層105上。
[0168]在示例性實施例中，柵極絕緣層120被形成在第二勢皇層105上，以基本上覆蓋子像素區(qū)域Ps中的第一有源圖案110和第二有源圖案115。第一柵電極125和第一導(dǎo)電圖案129 被形成在柵極絕緣層120上。第一導(dǎo)電圖案129和第二有源圖案115隔開預(yù)定距離，第一柵電極125被形成在第一有源圖案110上方。
[0169]參考圖20,在示例性實施例中，第一層間絕緣層130被形成在柵極絕緣層120上，以基本上覆蓋第一柵電極125和第一導(dǎo)電圖案129。例如，第一層間絕緣層130可以使用氮化硅、氮氧化硅等形成。第二柵電極135、第二導(dǎo)電圖案139以及第一下配線132和134被形成在第一層間絕緣層130上。
[0170]在示例性實施例中，在子像素區(qū)域Ps中，第二柵電極135被形成在第二有源圖案 115上方。第二導(dǎo)電圖案139被形成在第一導(dǎo)電圖案129上方，以形成包括第一導(dǎo)電圖案129、 第一層間絕緣層130的一部分和第二導(dǎo)電圖案139的電容器。在周邊區(qū)域R中，第一下配線132和134在第一層間絕緣層130上隔開預(yù)定距離。在示例性實施例中，第二柵電極135、第二導(dǎo)電圖案139以及第一下配線132和134被同時形成。
[0171]參考圖21，在示例性實施例中，第二層間絕緣層140和第三層間絕緣層145被順序形成在第一層間絕緣層130上，以基本上覆蓋第二柵電極135和第二導(dǎo)電圖案139。第三層間絕緣層145具有基本上平坦的上面。
[0172]在示例性實施例中，第一源電極152、第一漏電極154、第二源電極156、第二漏電極 158以及第一上配線160’、162’和164’被形成在第三層間絕緣層145上。第一源電極152、第一漏電極154、第二源電極156、第二漏電極158以及第一上配線160’、162’和164’被同時形成。在示例性實施例中，第三層間絕緣層145和第二層間絕緣層140被部分地去除，以形成暴露第二導(dǎo)電圖案139的接觸孔。另外，第三至第一層間絕緣層145、140和130以及柵極絕緣層 120被蝕刻，以形成暴露第一源區(qū)112、第一漏區(qū)113、第二源區(qū)117和第二漏區(qū)118的第二接觸孔。在第三層間絕緣層145上形成導(dǎo)電層以填充接觸孔之后，導(dǎo)電層被圖案化，以形成第一源電極152、第一漏電極154、第二源電極156、第二漏電極158以及第一上配線160’、162’ 和 164’。
[0173]根據(jù)示例性實施例，第一上配線160’、162’和164’被形成在周邊區(qū)域R中的第一下配線132和134上方。在與基底100的上面基本上垂直的視線上，第一上配線160’、162’和 164’與第一下配線132和134基本上不重疊，或者第一上配線160’、162’和164’與第一下配線132和134之間的重疊的面積被最小化。因此，可以防止或最小化第一上配線160’、162’和 164’與第一下配線132和134之間的寄生電容。
[0174]參考圖22,在示例性實施例中，平坦化層170被形成在第三層間絕緣層145上，然后第一電極180被形成在平坦化層170上。平坦化層170可使用諸如聚酰亞胺、聚酯、丙烯酸等的有機材料通過諸如旋涂工藝的涂覆工藝形成。
[0175]在示例性實施例中，透射窗172通過部分地去除平坦化層170被形成在透射區(qū)域T 中，暴露第二漏電極158的延伸的另一接觸孔通過部分地去除平坦化層170被形成在子像素區(qū)域Ps中。在導(dǎo)電層被形成在平坦化層170和第三接觸孔的側(cè)壁上之后，導(dǎo)電層被圖案化， 以形成被電連接到第二漏電極158的第一電極180。
[0176]另外，在示例性實施例中，像素限定層、發(fā)光層和第二電極被形成在第一電極180 和平坦化層170上，這樣提供了具有與參考圖6描述的有機發(fā)光顯示設(shè)備的構(gòu)造基本上相同或相似的構(gòu)造的有機發(fā)光顯示設(shè)備。
[0177]根據(jù)示例性實施例，有機發(fā)光顯示設(shè)備可以被用在各種電氣和電子裝置中。例如， 有機發(fā)光顯示設(shè)備可被用在計算機、筆記本電腦、數(shù)碼相機、智能電話、智能墊、視頻相機、 視頻電話、便攜式多媒體播放器、個人數(shù)字助理、MP3播放器、汽車導(dǎo)航系統(tǒng)、監(jiān)視系統(tǒng)、運動感測系統(tǒng)、跟蹤系統(tǒng)、圖像穩(wěn)定系統(tǒng)等中。
[0178]以上是對示例性實施例的說明，而不應(yīng)被解釋為其限制。盡管已經(jīng)描述了一些示例性實施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易理解可以對示例性實施例進行許多修改，而不脫離公開的實施例的新穎的教導(dǎo)。因此，所有這些修改都意在被包括在權(quán)利要求所限定的本發(fā)明構(gòu)思的范圍內(nèi)。因此，要理解的是，前述是對各種示例性實施例的說明，而不應(yīng)被解釋為限于公開的具體示例性實施例，對所公開的示例性實施例的修改以及其它示例實施例都意在被包括在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種有機發(fā)光顯不設(shè)備，包括:在基底上的多個像素區(qū)域，每個像素區(qū)域包括子像素區(qū)域、透射區(qū)域和周邊區(qū)域；在所述子像素區(qū)域中的控制所述子像素區(qū)域的多個子像素電路；覆蓋所述多個子像素電路的平坦化層；被設(shè)置在所述子像素區(qū)域中的所述平坦化層上的第一電極；被設(shè)置在所述第一電極上的第二電極;和在所述周邊區(qū)域中在所述基底上方以位于不同層處的至少雙層構(gòu)造設(shè)置的多個配線。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述多個配線包括:在所述基底上方在第一方向上延伸的第一配線;和在所述基底上方在第二方向上延伸的第二配線，所述第二方向垂直于所述第一方向， 其中每個子像素電路包括多個晶體管，每個晶體管包括有源圖案、柵電極、源電極和漏電 極。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一配線包括:被設(shè)置在覆蓋所述柵電極的層間絕緣層上的第一下配線;和 被設(shè)置在所述平坦化層上的第一上配線。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一上配線與所述第一下配線不重疊。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一上配線具有大于所述第一 下配線的寬度的寬度。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一配線包括被設(shè)置在所述基 底上方的設(shè)置有所述柵電極的層處的第一附加配線。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一配線包括:被設(shè)置在覆蓋所述柵電極的層間絕緣層上的第一上配線;和被設(shè)置在所述基底上方的設(shè)置有所述柵電極的層處的第一下配線，其中所述第一上配線與所述第一下配線不重疊。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一下配線是將數(shù)據(jù)信號傳送 到所述子像素電路的數(shù)據(jù)配線，并且其中所述第一上配線是將電力供給到所述子像素電路的電源配線或?qū)⒊跏蓟妷汗?給到所述子像素電路的初始化電壓配線。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一附加配線、所述第一下配線 和所述第一上配線各自選自包括將數(shù)據(jù)信號傳送到所述子像素電路的數(shù)據(jù)配線、將電力供 給到所述子像素電路的電源配線以及將初始化電壓供給到所述子像素電路的初始化電壓 配線的組。10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第二配線包括:被設(shè)置在所述基底上方的設(shè)置有所述源電極和所述漏電極的層處的第二下配線;和 被設(shè)置在所述基底上方的設(shè)置有所述第一電極的層處的第二上配線。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第二下配線被設(shè)置在覆蓋所 述柵電極的層間絕緣層上，所述第二上配線被設(shè)置在所述平坦化層上，所述第二上配線與 所述第二下配線不重疊。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第二下配線和所述第二上配 線各自選自包括將電力供給到所述子像素電路的電源配線、將初始化電壓供給到所述子像 素電路的初始化電壓配線、傳送發(fā)光信號的配線、傳送掃描信號的配線、以及傳送柵極初始 化信號的配線的組。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述平坦化層包括在所述透射區(qū)域 中的透射窗，并且所述有機發(fā)光顯示設(shè)備進一步包括在所述第一電極與所述第二電極之間 的發(fā)光層。14.一種制造有機發(fā)光顯示設(shè)備的方法，包括:提供具有子像素區(qū)域、透射區(qū)域和周邊區(qū)域的基底；在所述子像素區(qū)域中的所述基底上形成晶體管，每個晶體管包括有源圖案、柵電極、源 電極和漏電極；在所述基底上形成平坦化層以覆蓋所述晶體管；在所述平坦化層上形成第一電極；在所述第一電極上形成發(fā)光層；在所述發(fā)光層上形成第二電極;和在所述周邊區(qū)域中的所述基底上的不同層處形成多個配線。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中形成所述多個配線包括:在所述周邊區(qū)域中的所述基底上形成沿第一方向延伸的第一配線;和 在所述周邊區(qū)域中的所述基底上形成沿第二方向延伸的第二配線，所述第二方向垂直 于所述第一方向。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述柵電極被形成在覆蓋所述有源圖案的第一 層間絕緣層上，所述源電極和所述漏電極被形成在覆蓋所述柵電極的第二層間絕緣層上。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中形成所述第一配線包括:在所述第二層間絕緣層上形成第一下配線;和在所述平坦化層上形成第一上配線，其中所述第一下配線以及所述源電極和所述漏電極同時形成，并且所述第一上配線和所述第一電極同時形成。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中形成所述第一配線進一步包括在所述第一層間 絕緣層上形成第一附加配線，其中所述第一附加配線和所述柵電極同時形成。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中形成所述第二配線包括:在所述第二層間絕緣層上形成第二下配線;和在所述平坦化層上形成第二上配線，其中所述第二下配線以及所述源電極和所述漏電極同時形成，并且所述第二上配線和所述第一電極同時形成。
【文檔編號】H01L27/32GK106098726SQ201610212779
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年4月7日 公開號201610212779.2, CN 106098726 A, CN 106098726A, CN 201610212779, CN-A-106098726, CN106098726 A, CN106098726A, CN201610212779, CN201610212779.2
【發(fā)明人】樸常鎬, 李承珉, 俞熙俊, 尹柱善, 張龍在, 崔炚永
【申請人】三星顯示有限公司