有機發(fā)光設(shè)備及其制造方法
【專利摘要】公開了有機發(fā)光設(shè)備和制造有機發(fā)光設(shè)備的方法。有機發(fā)光設(shè)備包括襯底、顯示單元、第一電壓供給單元、第二電壓供給單元和絕緣層，其中，襯底包括有效區(qū)、死區(qū)和焊盤區(qū)，顯示單元設(shè)置在有效區(qū)中并包括薄膜晶體管、像素電極、以及公共電極的一部分，第一電壓供給單元設(shè)置在死區(qū)和焊盤區(qū)上并且與公共電極電接觸，第二電壓供給單元與公共電極交疊并且與公共電極間隔開且電絕緣，以及絕緣層設(shè)置在公共電極與第二電壓供給單元之間，其中，公共電極的與第一電壓供給單元交疊的部分比公共電極的與第二電壓供給單元交疊的部分靠近焊盤區(qū)，以及絕緣層的端部與第一電壓供給單元的鄰近有效區(qū)的端部接觸。
【專利說明】有機發(fā)光設(shè)備及其制造方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2015年5月I日提交的第10-2015-0062271號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國專利申請出于所有目的通過引用并入本文，如完全闡述在本文中。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]示例性實施方式涉及有機發(fā)光設(shè)備。更具體地，示例性實施方式涉及具有公共電極與電壓供給單元之間的增加的接觸面積的有機發(fā)光設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0004]有機發(fā)光設(shè)備是可包括像素和有機發(fā)光器件的顯示裝置。每個有機發(fā)光器件的發(fā)光或發(fā)光的程度可由薄膜晶體管(TFT)控制。有機發(fā)光器件可包括像素電極、包括有發(fā)射層的中間層以及與像素電極相對的公共電極。公共電極可整體地形成在像素電極和中間層上并且從電壓供給單元接收電壓，其中電壓供給單元可與公共電極電接觸并布置在供圖像顯示于其上的顯示區(qū)的外部。
[0005]該【背景技術(shù)】部分中所公開的以上信息僅用于增強對本發(fā)明構(gòu)思的背景的理解，并因此，其可包含并不形成本國的本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]示例性實施方式提供了可防止在公共電極與導(dǎo)電層之間的不必要的接觸并且將電壓穩(wěn)定地發(fā)送至公共電極的有機發(fā)光設(shè)備。
[0007]附加的方面將記載于以下詳細描述中，并且部分地，將通過本公開而變得顯而易見或可通過對本發(fā)明構(gòu)思的實踐而被習(xí)得。
[0008]示例性實施方式公開了有機發(fā)光設(shè)備，該有機發(fā)光設(shè)備包括襯底、顯示單元、第一電壓供給單元、第二電壓供給單元和絕緣層，其中，襯底包括有效區(qū)、圍繞有效區(qū)的死區(qū)以及位于死區(qū)的外部區(qū)域中的焊盤區(qū)，顯示單元設(shè)置在有效區(qū)中，顯示單元包括薄膜晶體管、像素電極、和公共電極的一部分，第一電壓供給單元設(shè)置在死區(qū)和焊盤區(qū)上并且與公共電極電接觸，第一電壓供給單元配置為將第一電壓施加到公共電極，第二電壓供給單元與公共電極交疊并且與公共電極間隔開且電絕緣，第二電壓供給單元配置為將第二電壓施加到薄膜晶體管，以及絕緣層設(shè)置在有效區(qū)和死區(qū)上并且設(shè)置在公共電極與第二電壓供給單元之間，其中，公共電極的與第一電壓供給單元交疊的第一部分比公共電極的與第二電壓供給單元交疊的第二部分靠近焊盤區(qū)，以及絕緣層的鄰近第一電壓供給單元的端部與第一電壓供給單元的鄰近有效區(qū)的端部接觸。
[0009]不例性實施方式也公開了有機發(fā)光設(shè)備，該有機發(fā)光設(shè)備包括襯底、至少一個薄膜晶體管、至少一個像素電極、公共電極、第一電壓供給單元、第二電壓供給單元和絕緣層，其中，襯底包括有效區(qū)、圍繞有效區(qū)的死區(qū)以及位于死區(qū)的外部區(qū)域中的焊盤區(qū)，至少一個薄膜晶體管設(shè)置在有效區(qū)中，至少一個薄膜晶體管包括有源圖案、柵電極、源電極和漏電極，至少一個像素電極設(shè)置在有效區(qū)中并電連接到源電極和漏電極中的一個，公共電極面對襯底并包括突起，其中突起設(shè)置在公共電極的鄰近焊盤區(qū)的端部處并朝焊盤區(qū)延伸，第一電壓供給單元設(shè)置在死區(qū)和焊盤區(qū)上并且與公共電極的突起接觸，第一電壓供給單元配置為將第一電壓施加到公共電極，第二電壓供給單元與公共電極交疊并與公共電極間隔開且電絕緣，以及絕緣層設(shè)置在有效區(qū)和死區(qū)上方并且設(shè)置在公共電極與第二電壓供給單元之間，其中，公共電極設(shè)置在至少一個薄膜晶體管和至少一個像素電極上，以及絕緣層的鄰近第一電壓供給單元的端部與第一電壓供給單元的鄰近有效區(qū)的端部接觸。
[0010]示例性實施方式還公開了制造有機發(fā)光設(shè)備的方法，該方法包括:在襯底上形成有效區(qū)、圍繞有效區(qū)的死區(qū)以及位于死區(qū)的外部區(qū)域中的焊盤區(qū)；在有效區(qū)中形成薄膜晶體管;在死區(qū)中形成第一電壓供給單元和第二電壓供給單元;在有效區(qū)和死區(qū)中形成絕緣層，其中絕緣層覆蓋薄膜晶體管、第一電壓供給單元和第二電壓供給單元;在有效區(qū)中在絕緣層上形成像素電極;去除絕緣層的覆蓋第一電壓供給單元的部分；以及在有效區(qū)和死區(qū)中形成公共電極，其中公共電極覆蓋像素電極、絕緣層、以及第一電壓供給單元的暴露的部分，其中，像素電極、公共電極和薄膜晶體管形成顯示單元，第一電壓供給單元將第一電壓施加到公共電極且第二電壓供給單元將第二電壓施加到薄膜晶體管，并且第一電壓供給單元和第二電壓供給單元設(shè)置在與薄膜晶體管的漏電極和源電極相同的層上。
[0011 ]先前的一般性描述和以下具體描述是示例性和解釋性的，并且意在對所要求保護的主題提供進一步解釋。
【附圖說明】
[0012]附圖示出了發(fā)明構(gòu)思的示例性實施方式，并且與描述一起用于解釋發(fā)明構(gòu)思的原理，其中附圖被包括以提供對發(fā)明構(gòu)思的進一步理解并且并入本說明書中且構(gòu)成本說明書的一部分。
[0013]圖1是根據(jù)示例性實施方式的有機發(fā)光設(shè)備的示意性平面圖。
[0014]圖2是沿圖1的線I1-1I’取得的剖視圖。
[0015]圖3是沿圖1的線II1-1II’取得的剖視圖。
[0016]圖4是根據(jù)比較性實施方式的有機發(fā)光設(shè)備的一部分的示意性平面圖。
[0017]圖5是沿圖4的線V-V’取得的剖視圖。
【具體實施方式】
[0018]在以下描述中，出于解釋的目的陳述了許多具體細節(jié)以提供對各種示例性實施方式的全面理解。然而顯而易見地，各種示例性實施方式可在沒有這些具體細節(jié)的情況下實踐或者可使用一個或多個等同布置來實踐。在其它情況下，以框圖形式示出了眾所周知的結(jié)構(gòu)和裝置以避免不必要地模糊各種示例性實施方式。
[0019]在附圖中，為清晰和描述性的目的，層、膜、面板、區(qū)域等的尺寸和相對尺寸被夸大。另外，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。
[°02°]當(dāng)元件或者層被稱為在另一元件或?qū)印吧?on)”、“連接至(connected to)”另一元件或?qū)?、或“?lián)接至(coupled to)”另一元件或者層時，該元件或者層可直接在該另一元件或?qū)由稀⒅苯舆B接至該另一元件或?qū)?，或者直接?lián)接至該另一元件或者層，或者可存在中間元件或者層。然而，當(dāng)元件或者層被稱為直接在另一元件或?qū)由?、直接連接至另一元件或?qū)踊蛘咧苯勇?lián)接至另一元件或者層時，則不存在中間元件或?qū)?。出于本公開的目的，“x、Y和Z中的至少一個”和“選自由Χ、Υ和Z構(gòu)成的群組中的至少一個”可被解釋為僅X、僅Y、僅Ζ、或者Χ、Υ、Ζ中兩個或更多個的任意組合，例如，ΧΥΖ、ΧΥΥ、ΥΖ和ΖΖ。在全文中，相同的附圖標(biāo)記指代相同的元件。如在本文中使用的用語“和/或”包括相關(guān)所列項目中的一個或多個的任意或全部組合。
[0021]雖然用語“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或區(qū)段，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或區(qū)段不應(yīng)被這些用語限制。這些用語用于將一個元件、部件、區(qū)域、層和/或區(qū)段與另一元件、部件、區(qū)域、層和/或區(qū)段區(qū)分開。因此，以下討論的第一元件、部件、區(qū)域、層和/或區(qū)段可在不背離本公開的教導(dǎo)的情況下稱為第二元件、部件、區(qū)域、層和/或區(qū)段。
[0022]空間相對用語，如“在…之下(beneath)”、“在…下方(below)”、“下部(lower)”、“在…上方(above)”、“上部(upper)”等可在本文中用于描述性的目的，并由此描述如圖中所示的一個元件或特征相對于另一元件或特征的關(guān)系。除包括圖中所描繪的定向以外，空間相對用語意在包含設(shè)備在使用、操作、和/或制造中的不同的定向。例如，如果附圖中的設(shè)備被反轉(zhuǎn)，則描述為在其它元件或特征的“下方”或“之下”的元件可被定向為在該其它元件或特征的“上方”。因此，示例性用語“在…下方”可包含上方和下方的兩個定向。此外，設(shè)備可以其它方式定向(例如，旋轉(zhuǎn)90度或在其它定向)，并由此，本文中所使用的空間相對描述語被相應(yīng)地解釋。
[0023]本文中所使用的用語是出于描述特定實施方式的目的而不意在限制。除非上下文中明確另有所指，否則如本文中所使用的單數(shù)形式“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”意在也包括復(fù)數(shù)形式。此外，用語“包括(comprise)”、“包括有(comprising)”、“包含(include)”和/或“包含有(including)”當(dāng)被用在本說明書中時，說明所陳述的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或其群組的存在，而不是排除一個或多個其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或其群組的存在或附加。
[0024]在本文中參照截面圖示對各種示例性實施方式進行了描述，其中截面圖示是理想化的示例性實施方式和/或中間結(jié)構(gòu)的示意性圖示。由此，因例如制造技術(shù)和/或公差而導(dǎo)致的圖示形狀上的變化是意料之中的。因此，本文公開的示例性實施方式不應(yīng)解釋為受限于區(qū)域的特定圖示形狀，而是包括因例如制造而導(dǎo)致的形狀上的偏差。例如，被示出為矩形的注入?yún)^(qū)域?qū)⑼ǔＴ谄溥吘壧幘哂袌A倒角的或彎曲的特征和/或注入濃度的梯度而非從注入?yún)^(qū)域至非注入?yún)^(qū)域的二元改變。同樣地，通過注入形成的埋入?yún)^(qū)域可在埋入?yún)^(qū)域與發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域中產(chǎn)生一些注入。因此，圖中所示的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是示意性的，并且其形狀不意在示出裝置區(qū)域的實際形狀并且不意在進行限制。
[0025]除非另有限定，否則本文中所使用的全部用語(包括技術(shù)用語和科學(xué)用語)具有與本公開所屬技術(shù)領(lǐng)域普通技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。除非本文中明確地如此限定，否則如在通常使用的字典中所定義的用語應(yīng)被解釋為具有與在相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的語境中的含義一致的含義，并且不應(yīng)以理想化的或過于形式化的意義來解釋。
[0026]圖1是根據(jù)示例性實施方式的有機發(fā)光設(shè)備1000的示意性平面圖。圖2是沿圖1的線ΙΙ-ΙΓ取得的剖視圖。圖3是沿圖1的線ΙΙΙ-ΙΙΓ取得的剖視圖。
[0027]參照圖1和圖2，有機發(fā)光設(shè)備1000包括襯底100，襯底100包括有效區(qū)AA和死區(qū)DA，其中有效區(qū)AA是顯示區(qū)，而死區(qū)DA是非顯示區(qū)。
[0028]在襯底100的有效區(qū)AA中可布置有薄膜晶體管TFTl和電連接到薄膜晶體管TFTl的有機發(fā)光器件0LED。有機發(fā)光器件OLED與薄膜晶體管TFTl之間的電連接可意味著像素電極231電連接到薄膜晶體管TFTl。在襯底100的圍繞有效區(qū)AA的死區(qū)DA中可布置有薄膜晶體管TFT2。薄膜晶體管TFT2可以是用于控制施加在有效區(qū)AA中的電信號的電路單元的一部分。
[0029]在襯底100的有效區(qū)AA和死區(qū)DA上可設(shè)置有公共電極233，并且公共電極233面對襯底100以使得薄膜晶體管TFTl和像素電極231設(shè)置于其下。
[0030]在襯底100的死區(qū)DA中可設(shè)置有各種線和驅(qū)動單元，其中驅(qū)動單元連接到線并將電信號或電壓施加到線。更具體地，在死區(qū)DA中可設(shè)置有掃描驅(qū)動器110和數(shù)據(jù)驅(qū)動器120，其中掃描驅(qū)動器110經(jīng)由掃描線(未示出)將掃描信號發(fā)送到像素，而數(shù)據(jù)驅(qū)動器120經(jīng)由數(shù)據(jù)線(未示出)將數(shù)據(jù)信號發(fā)送到像素。在死區(qū)DA和焊盤區(qū)PA中可設(shè)置有第一電壓供給單元225和第二電壓供給單元226，其中第一電壓供給單元225將第一電壓施加到公共電極233，而第二電壓供給單元226將第二電壓施加到有效區(qū)AA中的薄膜晶體管TFTl。
[0031]第二電壓線227連接到第二電壓供給單元226并橫跨襯底100的有效區(qū)AA朝襯底100的死區(qū)DA延伸。第二電壓線227可在整個有效區(qū)AA中彼此平行地布置以將第二電壓均勻地施加到各個像素。第二電壓線227可彼此連接并具有網(wǎng)格形式，以使得第二電壓中的壓降可得以減少。第一電壓供給單元225和第二電壓供給單元226朝襯底100的焊盤區(qū)PA延伸并連接到焊盤區(qū)PA中的端子T。
[0032]在襯底100的死區(qū)DA中可布置有密封件130，其中密封件130與公共電極233分開并圍繞公共電極233。密封件130從公共電極233的外部區(qū)域密封顯示區(qū)(S卩，有效區(qū)AA)，并因此可防止外部的濕氣、氧、其它雜質(zhì)等滲透到顯示區(qū)中。
[0033]密封件130可包括玻璃料(frit)。更具體地，密封件130可通過在襯底100的預(yù)定位置處形成包括有玻璃料的糊狀物并隨后熔化和硬化包括有玻璃料的糊狀物來形成。玻璃料可包括氧化釩(VO2)或氧化鉍(Bi2O3)，并還可包括各種材料，諸如二氧化碲(TeO2)、氧化鋅(ZnO)、氧化鋇(BaO)、五氧化二銀(NteO5)、二氧化娃(S12)、氧化招(AhO3)、氧化錯(ZrO2)和五氧化二磷(P2O5)中的至少一個。密封件130也可包括由各種材料形成的填充物以改善密封性質(zhì)。
[0034]除了包括圍繞顯示區(qū)的密封件130以外，有機發(fā)光設(shè)備1000還可包括堆疊有至少一個絕緣層的密封介質(zhì)。密封介質(zhì)可包括至少一個有機層和/或至少一個無機層，并且該至少一個有機層和該至少一個無機層可交替地堆疊。密封介質(zhì)可有效地密封顯示區(qū)并且為顯示設(shè)備提供柔性。
[0035]下文中，將參照圖2詳細描述有機發(fā)光設(shè)備1000的結(jié)構(gòu)。
[0036]當(dāng)有機發(fā)光設(shè)備1000是底部發(fā)射型時，可透過襯底100查看顯示圖像。在這種情況下，襯底100可由主要包括二氧化硅(S12)的透明玻璃形成?？商娲兀r底100可由包括絕緣有機材料的透明塑料形成。
[0037]當(dāng)有機發(fā)光設(shè)備1000是頂部發(fā)射型時，顯示圖像可實施在與襯底100相對的方向上。在這種情況下，襯底100可不包括透明材料，而是包括金屬。
[0038]薄膜晶體管TFTl可設(shè)置在襯底100的有效區(qū)AA中并且分別包括有源圖案221、柵電極222、源電極223和漏電極224。
[0039]在襯底100上可形成有緩沖層212。緩沖層212可防止雜質(zhì)滲透到襯底100中并為襯底100提供平坦的表面。緩沖層212可包括無機材料或有機材料并且可由多層形成。
[0040]有源圖案221可由諸如硅的無機半導(dǎo)體或有機半導(dǎo)體形成，并且設(shè)置在緩沖層212上。有源圖案221可包括源區(qū)、漏區(qū)以及位于源區(qū)與漏區(qū)之間的溝道區(qū)。當(dāng)有源圖案221由非晶硅形成時，可在整個襯底100上形成非晶硅層并隨后使非晶硅層結(jié)晶化并形成結(jié)晶硅層。結(jié)晶硅層可被圖案化，并且設(shè)置在有源圖案221的邊緣上的源區(qū)和漏區(qū)可用雜質(zhì)摻雜，由此可形成包括有源區(qū)、漏區(qū)以及位于源區(qū)與漏區(qū)之間的溝道區(qū)的有源圖案221。
[0041]在有源圖案221上可形成有柵絕緣層213。柵絕緣層213可將有源圖案221與柵電極222絕緣，并且柵絕緣層213可由諸如氮化娃(SiNx)或二氧化娃(Si02)的無機材料形成。
[0042]柵電極222可形成在柵絕緣層213的預(yù)定部分上。柵電極222連接到掃描線(未示出)，其中掃描線將開/關(guān)信號發(fā)送到薄膜晶體管TFTl等。柵電極222可包括金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鋁(Al)和鉬(Mo)及其合金，諸如鋁-釹(Al:Nd)和鉬-鎢(Mo:W)?？商娲兀瑬烹姌O222可根據(jù)設(shè)計由各種材料形成。
[0043]形成在柵電極222上的中間絕緣層214可將柵電極222與源電極223和漏電極224絕緣。中間絕緣層214可以是包括有諸如SiNx或S12的無機材料的單層或多層。
[0044]源電極223和漏電極224可形成在中間絕緣層214上。更具體地，中間絕緣層214和柵絕緣層213可形成為暴露有源圖案221的源區(qū)和漏區(qū)，并且源電極223和漏電極224可形成為與有源圖案221的暴露的源區(qū)和漏區(qū)接觸。
[0045]第一電壓供給單元225、第二電壓供給單元226和連接到第二電壓供給單元226的第二電壓線227可形成在與源電極223和漏電極224相同的層上。數(shù)據(jù)線(未示出)可形成為平行于第二電壓線227并且可設(shè)置在與源電極223和漏電極224相同的層上。
[0046]圖2示出了順序地包括有源圖案221、柵電極222、源電極223和漏電極224的頂柵型薄膜晶體管TFT1。根據(jù)示例性實施方式，柵電極222可設(shè)置在有源圖案221下方。
[0047]覆蓋薄膜晶體管TFTl的源電極223和漏電極224的絕緣層215可被布置以保護薄膜晶體管TFTl等。由此，形成在與源電極223和漏電極224相同的層上的數(shù)據(jù)線和第二電壓線227以及連接到第二電壓線227的第二電壓供給單元226可由絕緣層215絕緣。絕緣層215可包括有機材料，諸如聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、苯酚類聚合物衍生物、丙烯酸酯類聚合物、酰亞胺類聚合物、芳醚類聚合物、酰胺類聚合物、氟類聚合物、對二甲苯類聚合物、乙烯醇類聚合物及其任意組合?？商娲?，絕緣層215可由無機材料形成。當(dāng)絕緣層215由無機材料形成時，絕緣層215可包括二氧化硅(S12)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(S1N)、氧化鋁(AI2O3)、二氧化鈦(Ti02)、五氧化二鉭(Ta205)、氧化給(Hf02)、氧化錯(Zr02)、鈦酸鎖鋇(BST)、鋯鈦酸鉛(PZT)等。絕緣層215可以是堆疊有無機絕緣層和有機絕緣層的層疊件。
[0048]在絕緣層215中可形成有孔230，使得漏電極224或源電極223的一部分可被暴露。
[0049]像素電極231可形成在絕緣層215上并且包括覆蓋孔230的整個內(nèi)表面或部分內(nèi)表面或者填充孔230的接觸栓。像素電極231可經(jīng)由形成在像素電極231中的孔230電連接到薄膜晶體管TFTl的漏電極224或源電極223。相應(yīng)地，由薄膜晶體管TFTl施加的驅(qū)動電流可流到有機發(fā)光器件OLED。
[0050]在襯底100的有效區(qū)AA中，包括有像素電極231、公共電極233和中間層232的有機發(fā)光器件OLED可設(shè)置在絕緣層215上，其中中間層232設(shè)置在像素電極231與公共電極233之間并包括有發(fā)射層。
[0051]像素電極231可以是透明(半透明)電極或者反射電極。當(dāng)像素電極231是透明(半透明)電極時，像素電極231可包括銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(Ιη203)、銦鎵氧化物(IGO)或鋅鋁氧化物(ΑΖ0)。當(dāng)像素電極231是反射電極時，像素電極231 可包括由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或其化合物形成的反射層以及由IT0、IZ0、Zn0、In203、IG0或AZO形成的層。像素電極231可具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。
[0052]像素限定層216可設(shè)置在絕緣層215上。像素限定層216包括與各個子像素對應(yīng)的開口，即，至少暴露像素電極231的中央部分的開口，并由此限定像素。如圖2中所示，像素限定層216可增加像素電極231的端部與設(shè)置在像素電極231上的公共電極233之間的距離，這可防止在像素電極231的端部處發(fā)生電弧。像素限定層216設(shè)置在絕緣層215上，并且像素限定層216可布置在死區(qū)DA中或者可不布置在死區(qū)DA中，其中死區(qū)DA布置在有效區(qū)AA的外部區(qū)域上。像素限定層216可由包括聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯酸樹脂、苯并環(huán)丁烯(BCB)和苯酚樹脂中的至少一種的有機材料通過旋轉(zhuǎn)涂覆等形成。
[0053]有機發(fā)光器件OLED的中間層232可包括低分子材料或高分子材料。當(dāng)中間層232包括低分子材料時，中間層232可具有包括有空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層(EML)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等中的一個的單層結(jié)構(gòu)或者其多層結(jié)構(gòu)。形成中間層232的有機材料可改變，并且包括例如銅酞菁(0^(3)、11^’-0丨(萘-111)44’-二苯-聯(lián)苯胺(NPB)、三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)等。前述層可由真空沉積形成。
[0054]當(dāng)中間層232包括高分子材料時，中間層232可具有包括有HTL和EML的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，通過噴墨印刷、激光誘導(dǎo)熱成像(LITI)等，HTL可由如聚(3，4_乙烯二氧噻吩)(PEDOT)的高分子材料形成，并且EML可由如聚亞苯基亞乙烯(PPV)類高分子材料或聚芴類高分子材料的高分子材料形成。
[0055]公共電極233可設(shè)置在有效區(qū)AA和死區(qū)DA上方。如圖1中所示，公共電極233可覆蓋有效區(qū)AA。更具體地，公共電極233可整體地形成在各個有機發(fā)光器件OLED的像素電極231和中間層232上并且可以是面對各個像素電極231的相對電極。
[0056]公共電極233可以是透明(半透明)電極或者反射電極。當(dāng)公共電極233是透明(半透明)電極時，公共電極233可包括包含有諸如鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、鎂(Mg)或其組合的、具有低功函數(shù)的金屬的層以及包含有ΙΤ0、ΙΖ0、Ζη0、Ιη203或類似物的透明(半透明)層。當(dāng)公共電極233是反射電極時，公共電極233可包括包含有L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或其組合的層。
[0057]下文中，將參照圖1至圖3詳細描述公共電極233的形狀和布置。首先將描述第一電壓供給單元225和第二電壓供給單元226。
[0058]與公共電極233電接觸的第一電壓供給單元225可設(shè)置在襯底100的位于有效區(qū)AA的外部區(qū)域上的死區(qū)DA中。公共電極233可設(shè)置在襯底100的有效區(qū)AA和死區(qū)DA上方，并且與布置在死區(qū)DA中的第一電壓供給單元225的至少一部分電接觸，從而從第一電壓供給單元225接收第一電壓。
[0059]如圖2中所示，公共電極233的表面可在接觸區(qū)CA中與第一電壓供給單元225的表面直接地接觸?？商娲?，公共電極233可經(jīng)由設(shè)置在公共電極233與第一電壓供給單元225之間的導(dǎo)電層與第一電壓供給單元225間接地接觸。
[0060]接觸區(qū)CA的尺寸越大，則第一電壓可越平穩(wěn)地通過第一電壓供給單元225施加到公共電極233。例如，當(dāng)?shù)谝浑妷罕缓愣ǖ厥┘拥焦搽姌O233時或者當(dāng)公共電極233接地時，公共電極233的電勢可以是恒定的。由此，第一電壓供給單元225與公共電極233之間的接觸區(qū)CA的尺寸增加可提供穩(wěn)定的表面接觸，以使得公共電極233中的電勢可以是恒定的。
[0061]參照圖2，可執(zhí)行以下處理以在接觸區(qū)CA中實現(xiàn)公共電極233與第一電壓供給單元225之間的充分接觸。在襯底100的死區(qū)DA中，在第一電壓供給單元225和第二電壓供給單元226形成在與源電極223和漏電極224相同的層上之后，可形成絕緣層215以覆蓋源電極223、漏電極224、第一電壓供給單元225和第二電壓供給單元226。然后，可通過蝕刻等去除絕緣層215的覆蓋第一電壓供給單元225的部分，S卩，第一電壓供給單元225上方的待形成為接觸區(qū)CA的區(qū)。在這種情況下，可保留絕緣層215的設(shè)置在第二電壓供給單元226上方的部分從而例如防止第二電壓供給單元226與公共電極233之間的接觸，否則該接觸可導(dǎo)致短路和損傷像素電路。相應(yīng)地，在第二電壓供給單元226與公共電極233之間的絕緣層215可防止或減小對像素電路的損傷。在像素電極231和中間層232形成在絕緣層215上之后，公共電極233設(shè)置在襯底100的有效區(qū)AA和死區(qū)DA上方。
[0062]如圖2中所示，通過上述處理，在襯底100的死區(qū)DA中，絕緣層215的鄰近第一電壓供給單元225的端部可與第一電壓供給單元225的鄰近有效區(qū)AA的端部接觸或部分地交疊。由于第一電壓供給單元225的上表面的實質(zhì)部分可通過去除絕緣層215的設(shè)置在第一電壓供給單元225上的部分而暴露，所以公共電極233可覆蓋第一電壓供給單元225的上表面。因此，從第一電壓供給單元225接收第一電壓的公共電極233的電勢可通過充分地增加在公共電極233與第一電壓供給單元225之間的接觸區(qū)CA來均勻地維持。
[0063]返回參照圖1，在襯底100的死區(qū)DA中，當(dāng)公共電極233的面積增加到線A-A’以覆蓋第一電壓供給單元225的大部分上表面時，第二電壓供給單元226也可被增加到線A-A’的公共電極233覆蓋。在這種情況下，絕緣層215的設(shè)置在第二電壓供給單元226與公共電極233之間的面積也可增加以與增加到線A-A’的公共電極233對應(yīng)。然而，可能難以在朝向設(shè)置在死區(qū)DA的相對最外部區(qū)域上的密封件130的方向上增加絕緣層215的面積，這將在下文中詳細描述。
[0064]根據(jù)示例性實施方式，在襯底100的死區(qū)DA中，公共電極233的在第一電壓供給單元225上方的部分可具有與公共電極233的在第二電壓供給單元226上方的部分的形狀不同的形狀。
[0065]更具體地，如圖1和圖3中所示，在襯底100的死區(qū)DA中，公共電極233的與第一電壓供給單元225接觸的部分可相較于公共電極233的與第二電壓供給單元226交疊的部分更靠近襯底100的焊盤區(qū)PA。公共電極233的與第一電壓供給單元225接觸的部分與公共電極233的與第二電壓供給單元226交疊的部分布置在不同的層上。更具體地，絕緣層215設(shè)置在公共電極233與第二電壓供給單元226之間。
[0066]如圖1中所示，朝焊盤區(qū)PA突出的突起234可從公共電極233的在第一電壓供給單元225上方鄰近焊盤區(qū)PA的端部延伸。公共電極233的突起234可從公共電極233的與第一電壓供給單元225接觸的部分突出，但突起234可不形成在公共電極233的與第二電壓供給單元226交疊的部分上。另外，如圖3中所示，絕緣層215可不布置在公共電極233的與第一電壓供給單元225接觸的部分上，而布置在公共電極233的與第二電壓供給單元226交疊的部分上。因此，由于公共電極233與第一電壓供給單元225接觸而不與第二電壓供給單元226接觸，所以第一電壓可穩(wěn)定地施加到公共電極233。
[0067]下文中，將參照圖4和圖5詳細描述公共電極233的形狀和布置的效果。
[0068]圖4是根據(jù)比較性實施方式的有機發(fā)光設(shè)備2000的一部分的示意性平面圖。圖5是沿圖4的線V-V’取得的剖視圖。
[0069]如上所述，公共電極233與第一電壓供給單元225之間的接觸面積可被增加以將第一電壓平穩(wěn)地施加到公共電極233，由此使得公共電極233中的電勢可以是恒定的。
[0070]在比較性實施方式中，如圖4中所示，公共電極33覆蓋第一電壓供給單元25和第二電壓供給單元26的上部直至線A-A’。在襯底10的死區(qū)DA’中，絕緣層15可形成至線A-A’，其中線A-A’可與第一電壓供給單元25的鄰近焊盤區(qū)PA’的端部對應(yīng)。然而，當(dāng)絕緣層15延伸到線A-A’時，絕緣層15可在襯底10的死區(qū)DA’中形成設(shè)置在絕緣層15外部的密封件30時受損傷，而這可能劣化形成在絕緣層15下方的薄膜晶體管TFTl ’。
[0071]更具體地，絕緣層15相較于其它絕緣層13和14可具有更大的厚度以平坦化在形成薄膜晶體管TFT1’期間所產(chǎn)生的不平坦的部分，由此使得絕緣層15可覆蓋和保護薄膜晶體管TFT1’。由此，絕緣層15可包括有機材料。然而，當(dāng)密封件30形成為圍繞襯底10的死區(qū)DA’中的絕緣層15的外側(cè)時，如果絕緣層15與密封件30之間的距離小于最小距離，則包括有有機材料的絕緣層15可易于被在形成密封件30期間施加到玻璃料等的熱量劣化。相應(yīng)地，在襯底10的死區(qū)DA’中，絕緣層15與圍繞絕緣層15的外側(cè)的密封件30應(yīng)被彼此間隔開。
[0072]根據(jù)圖4和圖5的比較性實施方式，當(dāng)絕緣層15形成至與第一電壓供給單元25鄰近焊盤區(qū)PA’的端部對應(yīng)的線A-A’時，絕緣層15可能不與密封件30充分地間隔開，而這可能損傷絕緣層15。
[0073]根據(jù)示例性實施方式的有機發(fā)光設(shè)備1000包括參照圖1和圖2示出的顯示設(shè)備，以增加在第一電壓供給單元225與公共電極233之間的接觸區(qū)CA而不增加絕緣層215在襯底100的死區(qū)DA中的面積。更具體地，公共電極233的與第一電壓供給單元225的上部接觸的部分可朝密封件130突出，并且公共電極233的與第二電壓供給單元226的上部交疊的部分與密封件130相對分開，其中在公共電極233與第二電壓供給單元226之間設(shè)置有絕緣層215。由此，第一電壓可通過第一電壓供給單元225平穩(wěn)地施加到公共電極233。
[0074]因此，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思示例性實施方式，可平穩(wěn)地創(chuàng)建公共電極與電壓供給單元之間的電連接，并因此有機發(fā)光設(shè)備可將電壓穩(wěn)定地施加到公共電極。此外，有機發(fā)光設(shè)備可防止公共電極與導(dǎo)電層之間的不必要的接觸。
[0075]雖然本文中已描述了某些示例性實施方式和實現(xiàn)，然而其它實施方式和修改將通過本說明書而變得明確。相應(yīng)地，發(fā)明構(gòu)思不限于這種示例性實施方式，而應(yīng)限于所提出的權(quán)利要求的更寬的范圍及各種顯而易見的修改和等同布置。
【主權(quán)項】
1.有機發(fā)光設(shè)備，包括: 襯底，包括有效區(qū)、圍繞所述有效區(qū)的死區(qū)以及位于所述死區(qū)的外部區(qū)域中的焊盤區(qū)；顯示單元，設(shè)置在所述有效區(qū)中，所述顯示單元包括薄膜晶體管、像素電極、和公共電極的一部分； 第一電壓供給單元，設(shè)置在所述死區(qū)和所述焊盤區(qū)上并且與所述公共電極電接觸，所述第一電壓供給單元配置為將第一電壓施加到所述公共電極； 第二電壓供給單元，與所述公共電極交疊并且與所述公共電極間隔開且電絕緣，所述第二電壓供給單元配置為將第二電壓施加到所述薄膜晶體管；以及 絕緣層，設(shè)置在所述有效區(qū)和所述死區(qū)上并且設(shè)置在所述公共電極與所述第二電壓供給單元之間， 其中: 所述公共電極的與所述第一電壓供給單元交疊的第一部分比所述公共電極的與所述第二電壓供給單元交疊的第二部分靠近所述焊盤區(qū)；以及 所述絕緣層的鄰近所述第一電壓供給單元的端部與所述第一電壓供給單元的鄰近所述有效區(qū)的端部接觸。2.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光設(shè)備，其中: 所述絕緣層包括突出部分，所述突出部分設(shè)置在所述絕緣層的端部，并且所述突出部分朝所述焊盤區(qū)延伸。3.如權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光設(shè)備，其中從所述焊盤區(qū)到所述絕緣層的所述突出部分的距離短于從所述焊盤區(qū)到所述公共電極的設(shè)置在所述突出部分上的部分的距離。4.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光設(shè)備，其中所述絕緣層包括有機材料。5.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光設(shè)備，還包括: 密封件，設(shè)置在所述死區(qū)中，其中所述密封件與所述公共電極和所述絕緣層間隔開并圍繞所述公共電極和所述絕緣層。6.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光設(shè)備，還包括從所述第二電壓供給單元跨越所述有效區(qū)延伸的第二電壓線。7.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光設(shè)備，其中所述第一電壓供給單元和所述第二電壓供給單元設(shè)置在與所述薄膜晶體管中的每個的源電極和漏電極相同的層上。8.如權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光設(shè)備，其中所述突出部分設(shè)置在多個第一電壓供給單元之間。9.如權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光設(shè)備，其中從所述焊盤區(qū)到所述公共電極的所述第一部分的距離短于從所述焊盤區(qū)到所述絕緣層的所述突出部分的所述距離。10.有機發(fā)光設(shè)備，包括: 襯底，包括有效區(qū)、圍繞所述有效區(qū)的死區(qū)以及位于所述死區(qū)的外部區(qū)域中的焊盤區(qū)；至少一個薄膜晶體管，設(shè)置在所述有效區(qū)中，所述至少一個薄膜晶體管包括有源圖案、柵電極、源電極和漏電極； 至少一個像素電極，設(shè)置在所述有效區(qū)中并電連接到所述源電極和所述漏電極中的一個； 公共電極，面對所述襯底并包括突起，其中所述突起設(shè)置在所述公共電極的鄰近所述焊盤區(qū)的端部處并朝所述焊盤區(qū)延伸； 第一電壓供給單元，設(shè)置在所述死區(qū)和所述焊盤區(qū)上并且與所述公共電極的所述突起接觸，所述第一電壓供給單元配置為將第一電壓施加到所述公共電極； 第二電壓供給單元，與所述公共電極交疊并與所述公共電極間隔開且電絕緣；以及絕緣層，設(shè)置在所述有效區(qū)和所述死區(qū)上方并且設(shè)置在所述公共電極與所述第二電壓供給單元之間， 其中: 所述公共電極設(shè)置在所述至少一個薄膜晶體管和所述至少一個像素電極上；以及所述絕緣層的鄰近所述第一電壓供給單元的端部與所述第一電壓供給單元的鄰近所述有效區(qū)的端部接觸。11.如權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光設(shè)備，還包括: 第二電壓線，從所述第二電壓供給單元跨越所述有效區(qū)延伸， 其中所述第二電壓供給單元配置為經(jīng)由所述第二電壓線中的至少一個將第二電壓施加到所述至少一個薄膜晶體管。12.如權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光設(shè)備，其中所述第二電壓供給單元的設(shè)置在所述死區(qū)中的部分不與所述突起交疊。13.如權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光設(shè)備，其中所述第一電壓供給單元的設(shè)置在所述死區(qū)中的部分不與所述絕緣層交疊。14.如權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光設(shè)備，其中在所述死區(qū)中，所述突起設(shè)置在所述第一電壓供給單元上。15.如權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光設(shè)備，其中所述絕緣層包括有機材料。16.如權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光設(shè)備，還包括: 密封件，設(shè)置在所述死區(qū)中，其中所述密封件與所述公共電極和所述絕緣層間隔開并圍繞所述公共電極和所述絕緣層。17.如權(quán)利要求10所述的有機發(fā)光設(shè)備，其中所述第一電壓供給單元和所述第二電壓供給單元設(shè)置在與所述至少一個薄膜晶體管的所述源電極和所述漏電極相同的層上。18.制造有機發(fā)光設(shè)備的方法，所述方法包括: 在襯底上形成有效區(qū)、圍繞所述有效區(qū)的死區(qū)以及位于所述死區(qū)的外部區(qū)域中的焊盤區(qū)； 在所述有效區(qū)中形成薄膜晶體管； 在所述死區(qū)中形成第一電壓供給單元和第二電壓供給單元； 在所述有效區(qū)和所述死區(qū)中形成絕緣層，其中所述絕緣層覆蓋所述薄膜晶體管、所述第一電壓供給單元和所述第二電壓供給單元； 在所述有效區(qū)中在所述絕緣層上形成像素電極； 去除所述絕緣層的覆蓋所述第一電壓供給單元的部分； 在所述有效區(qū)和所述死區(qū)中形成公共電極，其中所述公共電極覆蓋所述像素電極、所述絕緣層、以及所述第一電壓供給單元的暴露的部分； 其中: 所述像素電極、所述公共電極和所述薄膜晶體管形成顯示單元； 所述第一電壓供給單元將第一電壓施加到所述公共電極且所述第二電壓供給單元將第二電壓施加到所述薄膜晶體管； 所述第一電壓供給單元和所述第二電壓供給單元設(shè)置在與所述薄膜晶體管的漏電極和源電極相同的層上。19.如權(quán)利要求18所述的方法，還包括: 在所述公共電極的端部上形成突起， 其中所述突起與所述第一電壓供給單元交疊且不與所述第二電壓供給單元交疊。20.如權(quán)利要求19所述的方法，還包括: 在所述絕緣層的端部上形成突出部分， 其中，所述突出部分朝所述焊盤區(qū)延伸，并且從所述焊盤區(qū)到所述突起的距離短于從所述焊盤區(qū)到所述突出部分的距離。
【文檔編號】H01L27/32GK106098730SQ201610268767
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年4月27日 公開號201610268767.1, CN 106098730 A, CN 106098730A, CN 201610268767, CN-A-106098730, CN106098730 A, CN106098730A, CN201610268767, CN201610268767.1
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