電光裝置及其制造方法、電子設(shè)備的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種電光裝置及其制造方法、電子設(shè)備。電光裝置的特征在于，包括：顯示區(qū)域(E)，其包括具有溝槽密度D1的元件分離區(qū)域(88)并配置有像素電路(110)；驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域(105)，其包括設(shè)置有具有溝槽密度D2的驅(qū)動(dòng)電路元件分離部的區(qū)域并配置有驅(qū)動(dòng)電路(101、102)；周邊區(qū)域(106)，其包括設(shè)置有具有溝槽密度D3的周邊元件分離部的區(qū)域并至少被配置在顯示區(qū)域(E)與驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域(105)之間，溝槽密度D1與溝槽密度D2不同，溝槽密度D1與溝槽密度D3相等。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
電光裝置及其制造方法、電子設(shè)備
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種電光裝置、搭載有該電光裝置的電子設(shè)備以及該電光裝置的制造方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]作為電光裝置的一個(gè)示例，提出了一種具備形成有像素電路及對(duì)該像素電路進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電路等的娃基板的有機(jī)電致發(fā)光(以后，稱(chēng)為有機(jī)EL)裝置(專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。
[0003]在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中記載的有機(jī)EL裝置中，多個(gè)像素電路及對(duì)該像素電路進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電路(數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路、掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路)等被形成在硅基板上，配置有像素電路的區(qū)域成為顯示區(qū)域，配置有驅(qū)動(dòng)電路的區(qū)域成為驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域。驅(qū)動(dòng)電路被形成在顯示區(qū)域的周?chē)?，并設(shè)置有多個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管。在像素電路中設(shè)置有多個(gè)像素晶體管及有機(jī)EL元件等， 利用經(jīng)由像素晶體管而被供給的電流使有機(jī)EL元件發(fā)光。專(zhuān)利文獻(xiàn)1中記載的有機(jī)EL裝置例如為適合于頭戴式顯示器的顯示部的微型顯示器，并在顯示區(qū)域中以與驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域相比而更稀疏的方式配置晶體管。
[0004]娃基板例如具有將元件區(qū)域分離的STI(Shallow Trench Isolat1n:淺溝槽隔離)結(jié)構(gòu)，并且在該元件區(qū)域內(nèi)形成有晶體管(驅(qū)動(dòng)晶體管、像素晶體管)。
[0005]該STI結(jié)構(gòu)可以通過(guò)例如專(zhuān)利文獻(xiàn)2中記載的制造方法而進(jìn)行制造。詳細(xì)而言，將由氧化硅和氮化硅構(gòu)成的絕緣層堆積在硅基板之上，并在硅基板上形成包圍元件區(qū)域的溝槽。接著，將氧化硅堆積在硅基板上，并將氧化硅埋入溝槽之中。接著，在氧化硅上實(shí)施利用化學(xué)機(jī)械研磨(Chemical Mechanical Polishing(以后，稱(chēng)為CMP))來(lái)實(shí)現(xiàn)的平坦化處理。 接著，蝕刻去除覆蓋硅基板的表面的絕緣層，從而形成具有STI結(jié)構(gòu)的硅基板。
[0006]然而，在利用CMP實(shí)現(xiàn)的平坦化處理中，每單位面積的研磨對(duì)象物的占有面積(以后，稱(chēng)為氧化硅的面積)較大的部分與每單位面積的氧化硅的面積較小的部分相比，氧化硅的研磨速度較慢。在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中記載的有機(jī)EL裝置中，由于在顯示區(qū)域中以與驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域相比而更稀疏的方式配置晶體管，因此，與驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域相比，顯示區(qū)域的每單位面積的氧化硅的占有面積變小。因此，在顯示區(qū)域中較早進(jìn)行氧化硅研磨，在驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域中較晚進(jìn)行氧化硅的研磨。并且，與顯示區(qū)域的遠(yuǎn)離驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的一側(cè)相比，顯示區(qū)域的接近驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的一側(cè)受到驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的影響而較晚進(jìn)行氧化硅的研磨，從而有可能使研磨面的平坦性惡化。
[0007]除此之外，顯示區(qū)域的研磨面的平坦性將對(duì)像素晶體管的特性產(chǎn)生影響，在顯示區(qū)域的接近驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的一側(cè)和顯示區(qū)域的遠(yuǎn)離驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的一側(cè)間，像素晶體管的特性上會(huì)產(chǎn)生微小的差。因此，在顯示區(qū)域的接近驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的一側(cè)和顯示區(qū)域的遠(yuǎn)離驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的一側(cè)間，有機(jī)EL元件所發(fā)出的光的亮度會(huì)產(chǎn)生微小的差。另一方面，人的眼睛相對(duì)于光的亮度的變化而較為敏感，容易察覺(jué)到有機(jī)EL元件所發(fā)出的光的微小的亮度的變化，從而識(shí)別為亮度不均。
[0008]因此，有可能使硅基板的研磨面的平坦性變差，從而使像素晶體管的特性的均一性變差。當(dāng)像素晶體管的特性的均一性變差時(shí)，存在有機(jī)EL元件所發(fā)出的光的亮度的均一性變差而容易產(chǎn)生亮度不均(顯示不均)的課題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0009]本發(fā)明是為了解決上述的課題的至少一部分分而完成的發(fā)明，并能夠作為以下的方式或應(yīng)用例而實(shí)現(xiàn)。
[0010]應(yīng)用例1[〇〇11]本應(yīng)用例所涉及的電光裝置的特征在于，包括:第一區(qū)域，其包含具有第一密度的第一溝槽元件分離區(qū)域，并且配置有包含晶體管的像素電路;第二區(qū)域，其包含具有第二密度的第二溝槽元件分離區(qū)域，并且配置有供給用于對(duì)所述像素電路進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的信號(hào)的驅(qū)動(dòng)電路;第三區(qū)域，其包含具有第三密度的第三溝槽元件分離區(qū)域，并且至少被配置在所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域之間，所述第一密度與所述第二密度不同，所述第一密度與所述第三密度相等。
[0012]在第一區(qū)域與第二區(qū)域之間的第三區(qū)域內(nèi)，配置有與第一區(qū)域?yàn)橄嗤拿芏鹊牡谌郎喜墼蛛x區(qū)域。因此，與在第一區(qū)域與第二區(qū)域之間未配置第三區(qū)域的情況相比，第二區(qū)域向第一區(qū)域的影響變小，在第一區(qū)域的接近第二區(qū)域的一側(cè)以及第一區(qū)域的遠(yuǎn)離第二區(qū)域的一側(cè)間，第一區(qū)域的狀態(tài)(例如，平坦性)不容易發(fā)生變化。
[0013]由于第一區(qū)域的狀態(tài)(例如，平坦性)不容易發(fā)生變化，因此形成在第一區(qū)域內(nèi)的晶體管(像素電路)的特性不容易發(fā)生變化，從而能夠提高形成在第一區(qū)域內(nèi)的晶體管(像素電路)的特性的均一性。因此，能夠提高電光裝置的顯示的均一性，提供更高品質(zhì)的顯示。
[0014]應(yīng)用例2
[0015]上述應(yīng)用例所涉及的電光裝置也可以采用如下的方式，S卩，所述第三區(qū)域包圍所述第一區(qū)域。
[0016]通過(guò)以包圍第一區(qū)域的方式配置第三區(qū)域，能夠減小第二區(qū)域向第一區(qū)域的影響。
[0017]應(yīng)用例3
[0018]上述應(yīng)用例所涉及的電光裝置也可以采用如下的方式，S卩，所述第三區(qū)域包圍所述第二區(qū)域。
[0019]通過(guò)以包圍第二區(qū)域的方式配置第三區(qū)域，能夠減小第二區(qū)域向第一區(qū)域的影響。
[0020]應(yīng)用例4
[0021]上述應(yīng)用例所涉及的電光裝置也可以采用如下方式，S卩，所述第一溝槽元件分離區(qū)域與所述第三溝槽元件分離區(qū)域由相同的圖案構(gòu)成。[〇〇22]即使在第一溝槽元件分離區(qū)域與第二溝槽元件分離區(qū)域由不同的圖案構(gòu)成、第一密度與第二密度不同的情況下，也能夠通過(guò)將由與第一溝槽元件分離區(qū)域相同的圖案構(gòu)成、且具有與第一密度相同的密度的第三溝槽元件分離區(qū)域設(shè)置在第一區(qū)域與第二區(qū)域之間的第三區(qū)域內(nèi)而減小第二區(qū)域向第一區(qū)域的影響。
[0023]應(yīng)用例5
[0024]本應(yīng)用例所涉及的電子設(shè)備的特征在于，具備上述應(yīng)用例中所記載的電光裝置。
[0025]通過(guò)在本應(yīng)用例所涉及的電子設(shè)備的顯示部中應(yīng)用上述應(yīng)用例中所記載的電光裝置，能夠提供尚品質(zhì)的顯不。
[0026]應(yīng)用例6[〇〇27]本應(yīng)用例所涉及的電光裝置的制造方法的特征在于，所述電光裝置包括:第一區(qū)域，其包含具有第一密度的第一溝槽，并且配置有像素電路;第二區(qū)域，其包含具有第二密度的第二溝槽，并且配置有供給用于對(duì)所述像素電路進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的信號(hào)的驅(qū)動(dòng)電路;第三區(qū)域，其包含具有第三密度的第三溝槽，并且至少被配置在所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域之間，所述電光裝置的制造方法包括:在硅基板上形成具有預(yù)定的圖案的研磨阻擋層的工序； 至少將所述研磨阻擋層作為掩膜而在所述硅基板上形成溝槽的工序；以對(duì)所述溝槽進(jìn)行填充的方式在所述硅基板上形成絕緣層的工序;將所述研磨阻擋層作為阻擋件而對(duì)所述絕緣層進(jìn)行研磨的工序，在形成所述溝槽的工序中，以所述第一密度與所述第二密度不同、所述第一密度與所述第三密度相等的方式而在所述第一區(qū)域內(nèi)形成具有所述第一密度的所述第一溝槽、在所述第二區(qū)域內(nèi)形成具有所述第二密度的所述第二溝槽、在所述第三區(qū)域內(nèi)形成具有所述第三密度的所述第三溝槽。[〇〇28]在于硅基板的第一區(qū)域和第二區(qū)域以及第三區(qū)域內(nèi)形成溝槽之后，形成(堆積)絕緣層并對(duì)絕緣層進(jìn)行研磨，從而形成了在溝槽中填充有絕緣層的STI結(jié)構(gòu)的硅基板。
[0029]在于第一區(qū)域與第二區(qū)域之間未形成具有與第一溝槽為相同的密度的第三溝槽的第三區(qū)域的情況下，進(jìn)行研磨的工序中的第一區(qū)域的研磨速度容易受到第二區(qū)域的影響，從而容易發(fā)生變化。當(dāng)在第一區(qū)域與第二區(qū)域之間形成具有與第一溝槽為相同的密度的第三溝槽的第三區(qū)域時(shí)，進(jìn)行研磨的工序中的第一區(qū)域的研磨速度不容易受到第二區(qū)域的影響，從而不容易發(fā)生變化。
[0030]由此，第一區(qū)域內(nèi)的研磨面的狀態(tài)(例如，平坦性)不容易發(fā)生變化，能夠提高形成在第一區(qū)域內(nèi)的晶體管(像素電路)的特性的均一性。因此，能夠提高電光裝置的顯示的均一性，從而提供更尚品質(zhì)的顯不。
[0031]應(yīng)用例7
[0032]上述應(yīng)用例所涉及的電光裝置的制造方法也可以采用如下方式，S卩，在形成所述溝槽的工序中，以包圍所述第一區(qū)域的方式形成所述第三區(qū)域。
[0033]在形成溝槽的工序中，當(dāng)以包圍第一區(qū)域的方式形成第三區(qū)域時(shí)，能夠在進(jìn)行研磨的工序中，減小第二區(qū)域向第一區(qū)域的影響。
[0034]應(yīng)用例8
[0035]上述應(yīng)用例所涉及的電光裝置的制造方法也可以采用如下方式，S卩，在形成所述溝槽的工序中，以包圍所述第二區(qū)域的方式形成所述第三區(qū)域。
[0036]當(dāng)在形成溝槽的工序中以包圍第二區(qū)域的方式形成第三區(qū)域時(shí)，能夠在進(jìn)行研磨的工序中減小第二區(qū)域向第一區(qū)域的影響。[〇〇37] 應(yīng)用例9
[0038]上述應(yīng)用例所涉及的電光裝置的制造方法也可以采用如下方式，S卩，在形成所述溝槽的工序中，所述第一溝槽與所述第三溝槽為相同的圖案。
[0039]即使在第一溝槽和第二溝槽由不同的圖案構(gòu)成、第一密度與第二密度不同的情況下，也能夠通過(guò)將由與第一溝槽相同的圖案構(gòu)成且具有與第一密度相同的密度的第三溝槽設(shè)置在第一區(qū)域與第二區(qū)域之間的第三區(qū)域內(nèi)而減小第二區(qū)域向第一區(qū)域的影響。【附圖說(shuō)明】
[0040]圖1為表示實(shí)施方式1所涉及的有機(jī)EL裝置的概要的簡(jiǎn)要俯視圖。[0041 ]圖2為表示實(shí)施方式1所涉及的有機(jī)EL裝置的電結(jié)構(gòu)的圖。
[0042]圖3為表示像素電路的電結(jié)構(gòu)的圖。
[0043]圖4為表示像素的概要的簡(jiǎn)要俯視圖。
[0044]圖5為沿著圖4的線(xiàn)段A-A’的有機(jī)EL裝置的簡(jiǎn)要剖視圖。
[0045]圖6為表示像素中的基板的狀態(tài)的簡(jiǎn)要俯視圖。
[0046]圖7為沿著圖6的線(xiàn)段B-B’的基板的簡(jiǎn)要剖視圖。[0〇47]圖8為表不有機(jī)EL裝置中的基板的狀態(tài)的簡(jiǎn)要俯視圖。[〇〇48]圖9為表示實(shí)施方式1所涉及的有機(jī)EL裝置的制造方法的工序流程。
[0049]圖10為表示經(jīng)過(guò)圖9所示的工序流程的主要的工序之后的基板的狀態(tài)的簡(jiǎn)要剖視圖。
[0050]圖11為表示比較例所涉及的有機(jī)EL裝置的基板的狀態(tài)的簡(jiǎn)要俯視圖。
[0051]圖12中(a)為比較例所涉及的有機(jī)EL裝置的晶體管的簡(jiǎn)要俯視圖，(b)為沿著(a) 的線(xiàn)段C-C’的晶體管的簡(jiǎn)要剖視圖，(c)為沿著(a)的線(xiàn)段D-D’的晶體管的簡(jiǎn)要剖視圖。 [〇〇52]圖13為表示實(shí)施方式2所涉及的頭戴式顯示器的結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)要圖?！揪唧w實(shí)施方式】[〇〇53]以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。所涉及的實(shí)施方式為表示本發(fā)明的一個(gè)方式的內(nèi)容，并不是對(duì)該發(fā)明進(jìn)行限定的內(nèi)容，能夠在本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍內(nèi)任意地進(jìn)行變更。此外，在以下的各圖中，由于將各個(gè)層及各個(gè)部位設(shè)置為在附圖上能夠識(shí)別的程度的大小，因此將各個(gè)層及各個(gè)部位的比例設(shè)置為與實(shí)際不同。[〇〇54]實(shí)施方式1 [〇〇55]“有機(jī)EL裝置的概要”
[0056]圖1為表示實(shí)施方式1所涉及的有機(jī)EL裝置的概要的簡(jiǎn)要俯視圖。圖2為表示本實(shí)施方式所涉及的有機(jī)EL裝置的電結(jié)構(gòu)的圖。圖3為表示像素電路的電結(jié)構(gòu)的圖。[〇〇57]首先，參照?qǐng)D1至圖3,對(duì)本實(shí)施方式所涉及的有機(jī)EL裝置100的概要進(jìn)行說(shuō)明。 [〇〇58]如圖1所示，有機(jī)EL裝置100具有元件基板10以及保護(hù)基板40。元件基板10和保護(hù)基板40以相互對(duì)置的狀態(tài)通過(guò)省略了圖示的粘合劑(參照后述的樹(shù)脂層41、圖5)而被接合在一起。另外，粘合劑(樹(shù)脂層41)可以使用例如環(huán)氧樹(shù)脂或丙烯樹(shù)脂等。
[0059]另外，有機(jī)EL裝置100為“電光裝置”的一個(gè)示例。
[0060]元件基板10具有顯示區(qū)域E，在該顯示區(qū)域E內(nèi)以矩陣狀而配置有像素20R、像素 20G、像素20B，像素20R中配置有發(fā)出紅色(R)的光的有機(jī)EL元件30R，像素20G中配置有發(fā)出綠色(G)的光的有機(jī)EL元件30G，像素20B中配置有發(fā)出藍(lán)色(B)的光的有機(jī)EL元件30B。 [〇〇61]另外，顯示區(qū)域E為“第一區(qū)域”的一個(gè)示例。[〇〇62]在以后的說(shuō)明中，有時(shí)將像素20R和像素20G以及像素20B統(tǒng)合為像素20來(lái)看待，有時(shí)將有機(jī)EL元件30R和有機(jī)EL元件30G以及有機(jī)EL元件30B統(tǒng)合為有機(jī)EL元件30看待。
[0063]在顯示區(qū)域E內(nèi)設(shè)置有濾色層50。在濾色層50之中，像素20R的有機(jī)EL元件30R之上配置有紅色的濾色層50R，像素20G的有機(jī)EL元件30G之上配置有綠色的濾色層50G，像素20B 的有機(jī)EL元件30B之上配置有藍(lán)色的濾色層50B。[〇〇64]有機(jī)EL元件30中所發(fā)出的光透過(guò)元件基板10的濾色層50而從保護(hù)基板40側(cè)作為顯示光而被射出。即，有機(jī)EL裝置100具有頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)。
[0065]由于有機(jī)EL裝置100為頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)，因此能夠在元件基板10的基材中使用不透明基板。在本實(shí)施方式中，作為元件基板10的基材的基板主體8(參照?qǐng)D5、圖7)的構(gòu)成材料為娃。
[0066]在顯示區(qū)域E的外側(cè)，沿著元件基板10的長(zhǎng)邊側(cè)的一邊排列有多個(gè)外部連接用端子103。在多個(gè)外部連接用端子103與顯示區(qū)域E之間設(shè)置有數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路101。在元件基板10的短邊側(cè)的兩邊與顯示區(qū)域E之間，設(shè)置有掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路102。也就是說(shuō)，掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路102相對(duì)于顯示區(qū)域E而被設(shè)置在左右的兩邊。數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路101被設(shè)置在數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域l〇la內(nèi)，掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路102被設(shè)置在掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域102a內(nèi)。[〇〇67]以后，將數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域101a與掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域102a統(tǒng)合而稱(chēng)為驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域105。另外，驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域105(數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域101a、掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域102a) 為“第二區(qū)域”的一個(gè)示例。[〇〇68]以后，將顯示區(qū)域E以及驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域105以外的區(qū)域稱(chēng)為周邊區(qū)域106。周邊區(qū)域 106被設(shè)置為包圍顯示區(qū)域E。周邊區(qū)域106被設(shè)置為包圍驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域105(數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域101a、掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域102a)。另外，周邊區(qū)域106為“第三區(qū)域”的一個(gè)示例。
[0069]以后，將沿著元件基板10的長(zhǎng)邊的方向設(shè)為X方向，將沿著元件基板10的短邊的方向設(shè)為Y方向，將從元件基板10朝向保護(hù)基板40的方向設(shè)為Z方向。并且，將在圖中表示各方向的箭頭標(biāo)記的前端側(cè)設(shè)為( + )，將基端側(cè)設(shè)為(_)。此外，將從Z方向觀(guān)察稱(chēng)為俯視觀(guān)察。 [0〇7〇]如此，有機(jī)EL裝置100(元件基板10)具有:配置有像素20(像素電路110(參照?qǐng)D2)) 的顯示區(qū)域E;配置有數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路101、掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路102的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域(數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域l〇la、掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域102a);以及周邊區(qū)域106。
[0071]外部連接用端子103與電路模塊(省略圖示)連接。與外部連接用端子103連接的電路模塊兼作有機(jī)EL裝置100的電源電路以及控制電路，除了對(duì)像素20及數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路 101、掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路102提供各種電位之外，還供給數(shù)據(jù)信號(hào)及控制信號(hào)等。[〇〇72]保護(hù)基板40與元件基板10相比而較小，并以使外部連接用端子103露出的方式而與元件基板10對(duì)置配置。保護(hù)基板40為透光性的基板，可以使用石英基板或玻璃基板等。保護(hù)基板40具有以使被配置在顯示區(qū)域E中的有機(jī)EL元件30不受損傷的方式進(jìn)行保護(hù)的作用，并以與顯示區(qū)域E相比而較寬的方式設(shè)置。
[0073]如圖2所示，在元件基板10上，m行的掃描線(xiàn)12以在X方向上延伸的方式設(shè)置，n列的數(shù)據(jù)線(xiàn)14以在Y方向上延伸的方式設(shè)置。此外，在元件基板10上，沿著數(shù)據(jù)線(xiàn)14的每一列而在Y方向上延伸設(shè)置有電源線(xiàn)19。
[0074]在元件基板10上，對(duì)應(yīng)于m行的掃描線(xiàn)12與n列的數(shù)據(jù)線(xiàn)14的交叉部而設(shè)置有像素電路110。像素電路110形成像素20的一部分。即，在顯示區(qū)域E中，以矩陣狀而配置有m行Xn 列的像素電路110。
[0075]電源線(xiàn)19上被供給(供電)有初始化用的復(fù)位電位Vorst。并且，雖然省略圖示，但對(duì)控制信號(hào)GCMP、Gel、G〇rst進(jìn)行供給的三根控制線(xiàn)與掃描線(xiàn)12被并行地設(shè)置。
[0076]掃描線(xiàn)12與掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路102電連接。數(shù)據(jù)線(xiàn)14與數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路101電連接。 掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路102中被供給有用于對(duì)掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路102進(jìn)行控制的控制信號(hào)Ctrl。數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路101中被供給有用于對(duì)數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路101進(jìn)行控制的控制信號(hào)Ctr2。
[0077]掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路102根據(jù)控制信號(hào)Ctrl而生成用于在幀的期間內(nèi)針對(duì)每一行掃描線(xiàn)12進(jìn)行掃描的掃描信號(hào)Gwr(l)、Gwr(2)、Gwr(3)、…、Gwr(m-l)、Gwr(m)。并且，除了掃描信號(hào)Gwr之外，掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路102還向控制線(xiàn)供給控制信號(hào)6010\661、6〇^〖。另外，幀的期間是指，在有機(jī)EL裝置100中顯示一個(gè)鏡頭(片斷)量的圖像的期間，例如，如果同步信號(hào)中所包含的垂直同步信號(hào)的頻率為120Hz，那么1幀的期間大約為8.3毫秒。
[0078]兩個(gè)掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路102從兩側(cè)對(duì)m行的掃描線(xiàn)12中的各行進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。只要掃描信號(hào)的延遲沒(méi)有問(wèn)題，則可以采用在單側(cè)僅設(shè)置一個(gè)掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路102的結(jié)構(gòu)。
[0079]數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路101針對(duì)位于通過(guò)掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路102而被選擇出的行上的像素電路110而向1、2、…、n列的數(shù)據(jù)線(xiàn)14供給與該像素電路110的灰度數(shù)據(jù)相應(yīng)的電位的數(shù)據(jù)信號(hào) Vd(l)、Vd(2)、…、Vd(n)。
[0080]元件基板10具有基板7(參照?qǐng)D5至圖7)，像素電路110、掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路102、以及數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路101等主要被形成在共用的基板7上。其中，掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路102所輸出的掃描信號(hào)Gwr(l)?Gwr(m)為由H或L電平規(guī)定的邏輯信號(hào)。因此，掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路102成為根據(jù)控制信號(hào)Ctrl進(jìn)行動(dòng)作的CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor:互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)邏輯電路的集合體。此外，在掃描信號(hào)Gwr(l)?Gwr(m)中，H電平相當(dāng)于成為電源的高位側(cè)的電位Vel，L電平相當(dāng)于成為電源的低位側(cè)的電位Vet。
[0081]此外，雖然數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路101所輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)Vd(l)?Vd(n)為模擬信號(hào)，但數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路101成為如下結(jié)構(gòu)，即，根據(jù)控制信號(hào)Ctr2而將從上述電路模塊被供給的數(shù)據(jù)信號(hào)Vd順次向1?n列的數(shù)據(jù)線(xiàn)14供給。因此，即使是數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路101，也具有CMOS邏輯電路。[〇〇82]另一方面，像素電路110具有后述的P溝道型的晶體管121、122、123、124、125(參照?qǐng)D3)。[〇〇83]如圖3所示，像素電路110具有:晶體管121、122、123、124、125、有機(jī)EL元件30、電容21。上述的掃描信號(hào)Gwr及控制信號(hào)GCMP、Gel、Gorst等被供給到像素電路110中。[〇〇84]晶體管121、122、123、124、125為P溝道型的晶體管。[〇〇85]有機(jī)EL元件30 (同時(shí)參照?qǐng)D5)具有如下結(jié)構(gòu)，S卩，利用相互對(duì)置的像素電極31與對(duì)置電極33而對(duì)發(fā)光功能層32進(jìn)行夾持的結(jié)構(gòu)。也就是說(shuō)，有機(jī)EL元件30具有在像素電極31 上順次地層積發(fā)光功能層32和對(duì)置電極33的結(jié)構(gòu)。
[0086]像素電極31為向發(fā)光功能層32供給空穴的陽(yáng)極，并由具有透光性的導(dǎo)電材料例如 IT0(Indium Tin Oxide:氧化銦錫)膜構(gòu)成。像素電極31與晶體管124的漏極以及晶體管125 的源極或漏極的一方電連接。
[0087]對(duì)置電極33為向發(fā)光功能層32供給電子的陰極，并通過(guò)具有例如鎂(Mg)和銀(Ag) 的合金等的透光性及反光性的導(dǎo)電材料而形成。對(duì)置電極33為跨及多個(gè)像素20而設(shè)置的共用電極，并與電源線(xiàn)18電連接。電源線(xiàn)18被供給有在像素電路110中成為電源的低位側(cè)的電位 Vct〇
[0088]發(fā)光功能層32具有從像素電極31側(cè)順次被層積的空穴注入層、空穴輸送層、有機(jī)發(fā)光層、以及電子輸送層等。在有機(jī)EL元件30中，通過(guò)使從像素電極31被供給的空穴與從對(duì)置電極33被供給的電子在發(fā)光功能層32之中進(jìn)行結(jié)合而使發(fā)光功能層32發(fā)光。
[0089]此外，在元件基板10以與各個(gè)電源線(xiàn)19交叉的方式在X方向上延伸設(shè)置有電源線(xiàn) 6。另外，電源線(xiàn)19也可以被設(shè)置為在Y方向上延伸，也可以被設(shè)置為在X方向及Y方向這兩個(gè)方向上延伸。晶體管121的源極與電源線(xiàn)6電連接，晶體管121的漏極與晶體管123的源極或漏極中的一方以及晶體管124的源極分別電連接。此外，電源線(xiàn)6被供給有在像素電路110中成為電源的高位側(cè)的電位Vel。此外，電源線(xiàn)6與電容21的一端電連接。晶體管121作為使與晶體管121的柵極和源極間的電壓相應(yīng)的電流流通的驅(qū)動(dòng)晶體管而發(fā)揮功能。
[0090]晶體管122的柵極與掃描線(xiàn)12電連接，晶體管122的源極或漏極中的一方與數(shù)據(jù)線(xiàn) 14電連接。此外，晶體管122的源極或漏極中的另一方與晶體管121的柵極、電容21的另一端、晶體管123的源極或漏極的另一方分別電連接。
[0091]晶體管122被電連接于晶體管121的柵極與數(shù)據(jù)線(xiàn)14之間，并且，晶體管122作為對(duì)晶體管121的柵極與數(shù)據(jù)線(xiàn)14之間的電連接進(jìn)行控制的寫(xiě)入晶體管而發(fā)揮功能。
[0092]晶體管123的柵極與控制線(xiàn)電連接，并被供給有控制信號(hào)GCMP。晶體管123作為對(duì)晶體管121的柵極與漏極之間的電連接進(jìn)行控制的閾值補(bǔ)償晶體管而發(fā)揮功能。
[0093]晶體管124的柵極與控制線(xiàn)電連接，并被供給有控制信號(hào)Gel。晶體管124的漏極與晶體管125的源極或漏極的中一方以及有機(jī)EL元件30的像素電極31分別電連接。晶體管124 作為對(duì)晶體管121的漏極與有機(jī)EL元件30的像素電極31之間的電連接進(jìn)行控制的發(fā)光控制晶體管而發(fā)揮功能。[〇〇94]另外，有機(jī)EL元件30的像素電極31經(jīng)由中繼電極28而與晶體管124的漏極以及晶體管125的源極或漏極中的一方電連接。
[0095]晶體管125的柵極與控制線(xiàn)電連接，并被供給有控制信號(hào)Gorst。此外，晶體管125 的源極或者漏極中的另一方與電源線(xiàn)19電連接，并被供給有復(fù)位電位Vorst。晶體管125作為對(duì)電源線(xiàn)19與有機(jī)EL元件30的像素電極31之間的電連接進(jìn)行控制的初始化晶體管而發(fā)揮功能。
[0096] “像素的概要”
[0097]圖4為表示像素的概要的簡(jiǎn)要俯視圖。在該圖中，圖示了像素20的結(jié)構(gòu)要素中的電源線(xiàn)6、中繼電極6-1、像素電極31以及絕緣膜29,省略了其他的結(jié)構(gòu)要素的圖示。此外，圖中的雙點(diǎn)劃線(xiàn)表示像素20的輪廓。[〇〇98]以下，參照?qǐng)D4對(duì)像素20的概要進(jìn)行說(shuō)明。[〇〇99]如圖4所示，像素20R、20G、20B各自在俯視觀(guān)察時(shí)成為矩形形狀，并且以長(zhǎng)度方向沿著Y方向的方式而被配置。像素20具有電源線(xiàn)6、中繼電極6-1、像素電極31、以及絕緣膜 29。另外，電源線(xiàn)6、像素電極31、絕緣膜29的Z方向上的位置關(guān)類(lèi)如后述的圖5所示的那樣。 另外，在圖4中，為了便于理解，無(wú)關(guān)于實(shí)際的上下關(guān)系而使用實(shí)線(xiàn)和虛線(xiàn)進(jìn)行區(qū)分。
[0100]電源線(xiàn)6被設(shè)置在顯示區(qū)域E的大致整個(gè)面上，針對(duì)每個(gè)像素20而設(shè)置有開(kāi)口 6CT。
[0101]在開(kāi)口 6CT的內(nèi)側(cè)設(shè)置有通過(guò)與電源線(xiàn)6相同的工序而被形成的中繼電極6-1。電源線(xiàn)6由反光性的導(dǎo)電材料構(gòu)成，并具有作為光反射膜的功能。
[0102]像素電極31具有在Y方向上較長(zhǎng)的矩形形狀，并分別設(shè)置在像素20R、20G、20B中。
[0103]絕緣膜29由透光性的絕緣膜構(gòu)成，并被設(shè)置為覆蓋像素電極31的周緣部。也就是說(shuō)，絕緣膜29具有使像素電極31的一部分露出的開(kāi)口 29CT。開(kāi)口 29CT也與像素電極31相同地具有在Y方向上較長(zhǎng)的矩形形狀。[〇1〇4]未被絕緣膜29覆蓋的部分的像素電極31、即從開(kāi)口 29CT處露出的像素電極31與發(fā)光功能層32接觸并向發(fā)光功能層32供給電流，從而使發(fā)光功能層32發(fā)光。因此，被設(shè)置在絕緣膜29上的開(kāi)口 29CT成為像素20的發(fā)光區(qū)域。[〇1〇5]“有機(jī)EL裝置的截面結(jié)構(gòu)”
[0106]圖5為沿著圖4的線(xiàn)段A-A’的有機(jī)EL裝置的簡(jiǎn)要剖視圖。[〇1〇7]在圖5中，圖示了像素電路110中的晶體管121、124,省略了晶體管122、123、125的圖示。晶體管122、123、125具有與晶體管121、124相同的結(jié)構(gòu)。
[0108]此外，構(gòu)成上述的數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路101及掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路102的晶體管通過(guò)與晶體管121、122、123、124、125相同的工序而形成。
[0109]以下，參照?qǐng)D5對(duì)有機(jī)EL裝置100的截面結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。[〇11〇]如圖5所示，有機(jī)EL裝置100具有元件基板10、保護(hù)基板40、以及由元件基板10和保護(hù)基板40夾持的樹(shù)脂層(粘合劑)41等。[〇111]樹(shù)脂層41具有將元件基板10與保護(hù)基板40進(jìn)行粘合的作用，并能夠使用例如環(huán)氧樹(shù)脂或丙稀樹(shù)脂等。
[0112]元件基板10由基板7、包含在基板7內(nèi)且順次配置在基板7上的像素電路110和密封層45以及濾色層50而構(gòu)成。[〇113]基板7具有例如由硅構(gòu)成的基板主體8?；?具有元件區(qū)域77和元件分離區(qū)域88。 在元件區(qū)域77內(nèi)形成有晶體管121、122、123、124、125中的任意一個(gè)。[〇114]在基板7的兀件區(qū)域77內(nèi)，設(shè)置有一對(duì)離子注入部63、64。離子注入部63、64中的一方成為源極，另一方成為漏極。被離子注入部63、64夾持的部分成為溝道65。通過(guò)離子注入部63、64以及溝道65和后述的柵極絕緣膜61以及柵極62而形成晶體管121、122、123、124、 125〇
[0115]晶體管121的元件區(qū)域77與晶體管124的元件區(qū)域77之間的區(qū)域成為元件分離區(qū)域88。在元件分離區(qū)域88內(nèi)，形成有通過(guò)在Z(-)方向上對(duì)基板7(基板主體8)進(jìn)行蝕刻而被形成的溝槽81。在溝槽81的內(nèi)側(cè)填充有氧化硅82。通過(guò)溝槽81及氧化硅82而構(gòu)成后述的元件分尚部80。
[0116]如此，基板7具有通過(guò)填充有氧化硅82的溝槽81而使元件區(qū)域77與元件區(qū)域77分離的STI結(jié)構(gòu)。也就是說(shuō)，元件區(qū)域77被填充有氧化硅82的溝槽81 (元件分離部80)包圍，設(shè)置在元件區(qū)域77內(nèi)的晶體管與設(shè)置在其他的元件區(qū)域77內(nèi)的其他的晶體管不發(fā)生電干涉。
[0117]以對(duì)基板7的表面進(jìn)行覆蓋的方式而設(shè)置有柵極絕緣膜61。柵極絕緣膜61作為晶體管121、124的柵極絕緣膜而發(fā)揮功能。在柵極絕緣膜61上設(shè)置有例如由聚硅等的導(dǎo)電膜構(gòu)成的柵極62。柵極62以與晶體管121、124的溝槽65對(duì)置的方式配置。即，夾持柵極絕緣膜 61并與元件區(qū)域77內(nèi)的基板7的柵極62對(duì)置的部分成為溝道65。
[0118]以覆蓋柵極62的方式形成第一層間絕緣膜15。在第一層間絕緣膜15內(nèi)形成有例如到達(dá)至晶體管121的柵極、源極及漏極的連接孔以及到達(dá)至晶體管124的源極及漏極的連接孔。這些連接孔內(nèi)填充有導(dǎo)電材料。
[0119]在第一層間絕緣膜15上形成有第一配線(xiàn)層15-1。通過(guò)第一配線(xiàn)層15-1而形成與晶體管121的柵極電連接的中繼電極、與晶體管121的源極及漏極電連接的中繼電極、與晶體管124的源極電連接的中繼電極、以及與晶體管124的漏極電連接的中繼電極15-1 a等。此夕卜，通過(guò)由第一配線(xiàn)層15-1形成的中繼電極而使晶體管121的漏極與晶體管124的源極電連接。
[0120]以覆蓋第一配線(xiàn)層15-1的方式形成第二層間絕緣膜16。第二層間絕緣膜16中形成有到達(dá)至與晶體管121的柵極電連接的中繼電極的連接孔以及到達(dá)中繼電極15-la的連接孔。這些連接孔中填充有導(dǎo)電材料。
[0121]在第二層間絕緣膜16上形成有第二配線(xiàn)層16-1。通過(guò)第二配線(xiàn)層16-1而形成電容 21的一方的電極2 la及中繼電極16-la。電容21的一方的電極2 la經(jīng)由填充在第二層間絕緣膜16的連接孔內(nèi)的導(dǎo)電材料或形成在第一層間絕緣膜15上的中繼電極而與晶體管121的柵極進(jìn)行電連接。中繼電極16-1 a經(jīng)由填充在第二層間絕緣膜16的連接孔內(nèi)的導(dǎo)電材料而與中繼電極15-la進(jìn)行電連接。
[0122]以覆蓋第二配線(xiàn)層16-1的方式而形成絕緣膜17。絕緣膜17成為用于形成電容21的電容絕緣膜。
[0123]在絕緣膜17上形成有第三配線(xiàn)層17-1。通過(guò)第三配線(xiàn)層17-1而形成電容21的另一方的電極21b。其結(jié)果為，通過(guò)一方的電極21a、絕緣膜17和另一方的電極21b而形成電容21。
[0124]以覆蓋第三配線(xiàn)層17-1的方式而形成第三層間絕緣膜13。第三層間絕緣膜13由氧化娃構(gòu)成，例如實(shí)施通過(guò)CMP(Chemical Mechanical Polishing:化學(xué)機(jī)械研磨)而實(shí)現(xiàn)的平坦化處理。在第三層間絕緣膜13內(nèi)形成有到達(dá)至電容21的另一方的電極21 b的連接孔。在第三層間絕緣膜13以及絕緣膜17內(nèi)形成有到達(dá)至中繼電極16- la的連接孔。這些連接孔中填充有導(dǎo)電材料。
[0125]在第三層間絕緣膜13上形成有第四配線(xiàn)層13-1。第四配線(xiàn)層13-1由反光性的導(dǎo)電材料、例如鋁而構(gòu)成。通過(guò)第四配線(xiàn)層13-1而形成電源線(xiàn)6以及中繼電極6-1。電源線(xiàn)6具有開(kāi)口6CT，中繼電極6-1被配置在開(kāi)口6CT的內(nèi)側(cè)。
[0126]電源線(xiàn)6經(jīng)由填充在貫穿了第三層間絕緣膜13的連接孔內(nèi)的導(dǎo)電材料而與電容21 的另一方的電極21b進(jìn)行電連接。并且，中繼電極6-1經(jīng)由填充在貫穿了第三層間絕緣膜13 及絕緣膜17的連接孔內(nèi)的導(dǎo)電材料而與中繼電極16-1 a進(jìn)行電連接。
[0127]以覆蓋第四配線(xiàn)層13-1的方式而形成有第一絕緣膜1。第一絕緣膜1例如由氮化硅構(gòu)成。第一絕緣膜1覆蓋電源線(xiàn)6及中繼電極6-1，并跨及顯示區(qū)域E的大致整個(gè)面而形成。在第一絕緣膜1內(nèi)形成有到達(dá)至中繼電極6-1的連接孔。
[0128]在第一絕緣膜1上形成有中繼電極28。中繼電極28由例如氮化鈦構(gòu)成，并且在俯視觀(guān)察時(shí)，以覆蓋開(kāi)口 6CT的方式而被形成為與開(kāi)口 6CT相比而較寬。中繼電極28也被填充在貫穿第一絕緣膜1的連接孔的內(nèi)側(cè)，并與中繼電極6-1電連接。
[0129]以覆蓋中繼電極28以及第一絕緣膜1的方式而形成第二絕緣膜2。第二絕緣膜2例如由氧化硅構(gòu)成，并跨及顯示區(qū)域E的大致整個(gè)面而形成。在第二絕緣膜2上形成有到達(dá)至中繼電極28的連接孔。
[0130]第二絕緣膜2上形成有像素電極31。像素電極31也被填充在貫穿第二絕緣膜2的連接孔的內(nèi)側(cè)，并與中繼電極28電連接。也就是說(shuō)，像素電極31經(jīng)由中繼電極28、中繼電極6-1、中繼電極16-la、以及中繼電極15-la等而與晶體管124的漏極進(jìn)行電連接。[〇131]以覆蓋像素電極31的方式而形成絕緣膜29。絕緣膜29具有使像素電極31的一部分露出的開(kāi)口 29CT。如上文所述，開(kāi)口 29CT成為像素20的發(fā)光區(qū)域。
[0132]在發(fā)光區(qū)域(開(kāi)口 29CT)內(nèi)，第一絕緣膜1和第二絕緣膜2在Z( + )方向上依次被層積在電源線(xiàn)6與像素電極31之間。另外，利用第一絕緣膜1和第二絕緣膜2而形成像素20G中的光學(xué)距離調(diào)節(jié)層27G。
[0133]雖然省略了圖示，但發(fā)出藍(lán)色(B)的光的像素20B的光學(xué)距離調(diào)節(jié)層27B由第一絕緣膜1構(gòu)成。發(fā)出紅色(R)的光的像素20R的光學(xué)距離調(diào)節(jié)層27R由第一絕緣膜1和第二絕緣膜2以及第三絕緣膜(省略圖示)構(gòu)成。
[0134]因此，光學(xué)距離調(diào)節(jié)層27以像素20B的光學(xué)距離調(diào)節(jié)層27B、像素20G的光學(xué)距離調(diào)節(jié)層27G、像素20R的光學(xué)距離調(diào)節(jié)層27R的順序而變厚。
[0135]有機(jī)EL元件30由在發(fā)光區(qū)域(開(kāi)口 29CT)內(nèi)在Z( + )方向上順次層積的像素電極31、 發(fā)光功能層32以及對(duì)置電極33而構(gòu)成。
[0136]關(guān)于發(fā)光功能層32以及對(duì)置電極33的結(jié)構(gòu)，正如之前敘述的那樣。另外，發(fā)光功能層32的有機(jī)發(fā)光層可以由單層而構(gòu)成，也可以由多層(例如，以藍(lán)色進(jìn)行發(fā)光的藍(lán)色發(fā)光層、發(fā)出包含紅色及綠色的光的黃色發(fā)光層)構(gòu)成。
[0137]在對(duì)置電極33上配置有密封層45。密封層45為對(duì)因水或氧等而導(dǎo)致的發(fā)光功能層 32及對(duì)置電極33的惡化進(jìn)行抑制的鈍化膜，并抑制著水及氧的朝向發(fā)光功能層32及對(duì)置電極33的入侵。
[0138]密封層45由從對(duì)置電極33側(cè)起在Z( + )方向上順次層積的第一密封層46、平坦化層 47以及第二密封層48構(gòu)成，并對(duì)有機(jī)EL元件30進(jìn)行覆蓋，并且，跨及元件基板10的大致整個(gè)面而形成。另外，在密封層45上設(shè)置有使外部連接用端子103(參照?qǐng)D1)露出的開(kāi)口(省略圖示)。
[0139]第一密封層46以及第二密封層48由例如使用公知技術(shù)的等離子CVD(Chemical Vapor Deposit1n:化學(xué)氣相沉積)法等形成的娃氧氮化物而構(gòu)成，并相對(duì)于水機(jī)氧而具有車(chē)父尚的阻擋性。
[0140]平坦化層47由熱穩(wěn)定性?xún)?yōu)良的例如環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂或涂敷型的無(wú)機(jī)材料(硅酸化物等)等而構(gòu)成。平坦化層47對(duì)第一密封層46的缺陷(小孔、裂紋)或異物等進(jìn)行覆蓋，并形成平坦的面。
[0141]密封層45上配置有濾色層50。在圖5中，配置有與像素20G對(duì)應(yīng)的綠色的濾色層 50G。另外，像素20B中配置有藍(lán)色的濾色層50B，像素20R中配置有紅色的濾色層50R。
[0142]“基板的概要”[〇143 ]在此，進(jìn)一步對(duì)基板進(jìn)行說(shuō)明。
[0144]圖6為表示像素中的基板的狀態(tài)的簡(jiǎn)要俯視圖。圖7為沿著圖6的線(xiàn)段B-B’的基板的簡(jiǎn)要剖視圖。圖8為表示有機(jī)EL裝置中的基板的狀態(tài)的簡(jiǎn)要俯視圖。
[0145]另外，在圖6中，利用雙點(diǎn)劃線(xiàn)來(lái)表示像素20的邊界(輪廓)。在圖7中，利用雙點(diǎn)劃線(xiàn)來(lái)表示柵極絕緣膜61和柵極62。在圖8中，被雙點(diǎn)劃線(xiàn)包圍的區(qū)域?yàn)轱@示區(qū)域E或者驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域105,被施加了影線(xiàn)的區(qū)域?yàn)橹苓厖^(qū)域106。
[0146]以下，參照?qǐng)D6至圖8對(duì)基板7的概要進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0147]如圖6所示，在像素20中，基板7具有通過(guò)向基板主體8(參照?qǐng)D7)中離子注入n型雜質(zhì)(例如磷)而形成的n阱71、72、73、74、75(11型半導(dǎo)體區(qū)域)。11阱71、72、74、75在俯視觀(guān)察時(shí)成為在Y方向上較長(zhǎng)的矩形形狀。n阱73成為在X方向上較長(zhǎng)的矩形形狀。在n阱71、n阱72、n 阱73、n阱74、n阱75之間配置有元件分離部80。換言之，n阱71、n阱72、n阱73、n阱74、n阱75分別被元件分離部80包圍，并通過(guò)元件分離部80而被分離，從而抑制了電干涉。
[0148]在以后的說(shuō)明中，將在像素20中形成的n阱71、72、73、74、75稱(chēng)為像素阱1
[0149]如圖7所示，基板7具有基板主體8、像素阱N(n阱71、72、73、74、75)以及元件分離部 80 〇
[0150]基板主體8為p型的硅基板(p型半導(dǎo)體基板)。像素阱N通過(guò)向基板主體8中離子注入n型雜質(zhì)而形成。元件分離部80由通過(guò)對(duì)基板主體8在Z(-)方向上進(jìn)行蝕刻而形成的溝槽 81以及被填充到溝槽81中的氧化硅82而構(gòu)成?；?具有通過(guò)平坦化處理而變得平坦的表面。
[0151]溝槽81為“第一溝槽”的一個(gè)示例。氧化硅82為“絕緣層”的一個(gè)示例。
[0152]另外，在對(duì)基板主體8于與Z(_)方向交叉的方向進(jìn)行蝕刻，從而使溝槽81具有與Z (_)方向交叉的錐形的側(cè)壁的情況下，在俯視觀(guān)察時(shí)，形成有像素阱N的區(qū)域的形狀以及形成有元件分離部80的區(qū)域的形狀在與Z(-)方向交叉的方向上發(fā)生變化。在本實(shí)施方式中定義為，基板7的表面的形成有像素阱N的區(qū)域?yàn)樵^(qū)域77,基板7表面的形成有元件分離部 80的區(qū)域?yàn)樵蛛x區(qū)域88。即，在圖中，基板7表面的形成有像素阱N的區(qū)域?yàn)樵^(qū)域 77,基板7表面的形成有元件分離部80的區(qū)域?yàn)樵蛛x區(qū)域88。
[0153]元件分離區(qū)域88為“第一溝槽元件分離區(qū)域”的一個(gè)示例。
[0154]另外，雖然后文將詳細(xì)敘述，但驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域105及周邊區(qū)域106具有與元件分離部80為相同結(jié)構(gòu)的元件分離部(省略圖示)。
[0155]相對(duì)于顯示區(qū)域E的面積的元件分離區(qū)域88的面積比例為D1。如上文所述，由于元件分離區(qū)域88由溝槽81以及被填充在溝槽81中的氧化硅82構(gòu)成，因此元件分離部80和溝槽 81在俯視觀(guān)察時(shí)為相同的形狀(面積)。因此，設(shè)置有溝槽81的區(qū)域的面積相對(duì)于顯示區(qū)域E 的面積的比例為D1。[〇156]以后，將分離區(qū)域88的面積相對(duì)于顯示區(qū)域E的面積的元件的比例、以及設(shè)置有溝槽81的區(qū)域的面積相對(duì)于顯示區(qū)域E的面積的比例稱(chēng)為顯示區(qū)域的溝槽密度。顯示區(qū)域的溝槽密度為D1。
[0157]另外，顯示區(qū)域的溝槽密度D1為“第一密度”的一個(gè)示例。
[0158]n阱71具有通過(guò)對(duì)p型雜質(zhì)(例如硼類(lèi))進(jìn)行離子注入而形成的離子注入部63、64。 離子注入部63、64通過(guò)以柵極62為掩膜而針對(duì)n阱71而離子注入p型雜質(zhì)而形成，并成為晶體管121的源極或漏極。與柵極62對(duì)置的部分的n阱71(柵極62的正下方的n阱71)未被離子注入P型雜質(zhì)，而是成為晶體管121的溝道65。
[0159]晶體管121由n阱71的離子注入部63、64(源極或漏極)、n阱71的溝道65、柵極絕緣膜61、以?shī)A持柵極絕緣膜61的方式而與n阱71的溝道65對(duì)置配置的柵極62構(gòu)成。[〇16〇]同樣，晶體管124由n阱74的離子注入部63、64(源極或漏極)、n阱74的溝道65、柵極絕緣膜61、以?shī)A持柵極絕緣膜61的方式與n阱74的溝道65對(duì)置配置的柵極62構(gòu)成。
[0161]其他的晶體管122、123、125也具有與晶體管121、124相同的結(jié)構(gòu)(構(gòu)造)。
[0162]如上文所述，n阱71、72、73、74、75分別被元件分離部80包圍，并通過(guò)元件分離部80 而被分離。其結(jié)果為，晶體管121、122、123、124、125通過(guò)元件分離部80而被抑制了相互的電干涉。即，基板7具有通過(guò)元件分離部80而使n阱71、72、73、74、75分離的5!1結(jié)構(gòu)。
[0163]如圖8所示，基板7(有機(jī)EL裝置100)具有顯示區(qū)域E、驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域105(數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域l〇la、掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域102a)、周邊區(qū)域106(圖中施加了影線(xiàn)的區(qū)域)。
[0164]在掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域102a中于Y方向上排列有多個(gè)在X方向上較長(zhǎng)的帶狀的p型半導(dǎo)體區(qū)域141。在p型半導(dǎo)體區(qū)域141與相鄰的p型半導(dǎo)體區(qū)域141之間配置有n阱131。11阱 132以包圍交互地配置有p型半導(dǎo)體區(qū)域141和n阱131的區(qū)域的方式而被配置。
[0165]在圖8中，在掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域102a內(nèi)圖示有7行的p型半導(dǎo)體區(qū)域141。在本實(shí)施方式中，由于例如相互相鄰的n阱131和p型半導(dǎo)體區(qū)域141相當(dāng)于1行，因此在掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域102a內(nèi)，n阱131和p型半導(dǎo)體區(qū)域141被配置有作為像素電路110的行數(shù)的m行。
[0166]在構(gòu)成掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路102的CMOS邏輯電路中，P溝道型的晶體管被形成在n阱 131、132中，N溝道型的晶體管被形成在p型半導(dǎo)體區(qū)域141內(nèi)。
[0167]在數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域101a中的與顯示區(qū)域E對(duì)置側(cè)的上區(qū)域內(nèi)配置有n阱133。 在數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域l〇la中的與顯示區(qū)域E為相反側(cè)的下區(qū)域內(nèi)配置有p型半導(dǎo)體區(qū)域 142〇
[0168]在構(gòu)成數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路101的CMOS邏輯電路中的P溝道型的晶體管被形成在n阱 133中，N溝道型的晶體管被形成在p型半導(dǎo)體區(qū)域142內(nèi)。
[0169]驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域105具有設(shè)置有元件分離部(省略圖示)的STI結(jié)構(gòu)，通過(guò)被設(shè)置在驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域105中的元件分離部而抑制了晶體管相互的電干涉。如此，驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域105具有與顯示區(qū)域E內(nèi)的元件分離部80為相同的結(jié)構(gòu)的元件分離部。并且，被設(shè)置在驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域105內(nèi)的元件分離部具有被設(shè)置在驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域105內(nèi)的溝槽(省略圖示)以及被填充到該溝槽中的氧化硅82(省略圖示)。
[0170]以后，將被設(shè)置在驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域105內(nèi)的元件分離部稱(chēng)為驅(qū)動(dòng)電路元件分離部。并且，將被設(shè)置在驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域105內(nèi)的溝槽稱(chēng)為驅(qū)動(dòng)電路溝槽。并且，將被配置在驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域105內(nèi)的n阱131、132、133以及p型半導(dǎo)體區(qū)域141、142稱(chēng)為驅(qū)動(dòng)電路阱。[〇171]驅(qū)動(dòng)電路溝槽為“第二溝槽”的一個(gè)示例。并且，設(shè)置有驅(qū)動(dòng)電路元件分離部的區(qū)域?yàn)椤暗诙喜墼蛛x區(qū)域”的一個(gè)示例。
[0172]設(shè)置有驅(qū)動(dòng)電路元件分離部的區(qū)域的面積相對(duì)于驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域105的面積的比例為D2。如上文所述，由于驅(qū)動(dòng)電路元件分離部由驅(qū)動(dòng)電路溝槽以及被填充在驅(qū)動(dòng)電路溝槽中的氧化硅82構(gòu)成，因此驅(qū)動(dòng)電路元件分離部與驅(qū)動(dòng)電路溝槽在俯視觀(guān)察時(shí)為相同的形狀 (面積)。因此，設(shè)置有驅(qū)動(dòng)電路溝槽的區(qū)域的面積相對(duì)于驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域105的面積的比例為 D2〇
[0173]以后，將設(shè)置有驅(qū)動(dòng)電路元件分離部的區(qū)域的面積相對(duì)于驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域105的面積的比例、以及設(shè)置有驅(qū)動(dòng)電路溝槽的區(qū)域的面積相對(duì)于驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域105的面積的比例稱(chēng)為驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的溝槽密度。驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的溝槽密度為D2。
[0174]另外，驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的溝槽密度D2為“第二密度”的一個(gè)示例。
[0175]周邊區(qū)域106具有與顯示區(qū)域E中的元件分離部80相同的元件分離部(省略圖示)。 也就是說(shuō)，被設(shè)置在周邊區(qū)域106內(nèi)的元件分離部具有與顯示區(qū)域E的元件分離部80相同的形狀，并具有被設(shè)置在周邊區(qū)域1〇6內(nèi)的溝槽(省略圖示)以及被填充在該溝槽中的氧化硅 82(省略圖示)。并且，被設(shè)置在周邊區(qū)域106內(nèi)的溝槽為與顯示區(qū)域E的溝槽81相同的形狀。 即，顯示區(qū)域E的設(shè)置有元件分離部80的區(qū)域(元件分離區(qū)域88)與周邊區(qū)域106的設(shè)置有元件分離部的區(qū)域在俯視觀(guān)察時(shí)為相同的圖案。顯示區(qū)域E的設(shè)置有溝槽81的區(qū)域與周邊區(qū)域106的設(shè)置有溝槽的區(qū)域在俯視觀(guān)察時(shí)為相同的圖案。
[0176]以后，將被設(shè)置在周邊區(qū)域106內(nèi)的元件分離部稱(chēng)為周邊元件分離部，將被設(shè)置在周邊區(qū)域106內(nèi)的溝槽稱(chēng)為周邊溝槽。
[0177]設(shè)置有周邊元件分離部的區(qū)域?yàn)椤暗谌郎喜墼蛛x區(qū)域”的一個(gè)示例。周邊溝槽為“第三溝槽”的一個(gè)示例。
[0178]設(shè)置有周邊元件分離部的區(qū)域的面積相對(duì)于周邊區(qū)域106的面積的比例為D3。由于周邊元件分離部與周邊溝槽在俯視觀(guān)察時(shí)具有相同的形狀(面積)，因此設(shè)置有周邊溝槽的區(qū)域的面積相對(duì)于周邊區(qū)域106的面積的比例為D3。
[0179]以后，將設(shè)置有周邊元件分離部的區(qū)域的面積相對(duì)于周邊區(qū)域106的面積的比例、 以及設(shè)置有周邊溝槽的區(qū)域的面積相對(duì)于周邊區(qū)域106的面積的比例稱(chēng)為周邊區(qū)域的溝槽密度。周邊區(qū)域的溝槽密度為D3。[〇18〇]另外，周邊區(qū)域的溝槽密度D3為“第三密度”的一個(gè)示例。
[0181]并且，顯示區(qū)域E的元件分離區(qū)域88與周邊區(qū)域106的設(shè)置有元件分離部的區(qū)域在俯視觀(guān)察時(shí)為相同的圖案，由于顯示區(qū)域E的設(shè)置有溝槽81的區(qū)域與周邊區(qū)域106的設(shè)置有溝槽的區(qū)域在俯視觀(guān)察時(shí)為相同的圖案，因此顯示區(qū)域的溝槽密度D1與周邊區(qū)域的溝槽密度D3相等。
[0182]配置有像素電路110的顯示區(qū)域E中以與配置有數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路101及掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路102的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域105相比而更稀疏的方式配置晶體管。也就是說(shuō)，設(shè)置有像素阱N (晶體管)的區(qū)域的面積相對(duì)于顯示區(qū)域E的面積的比例與設(shè)置有驅(qū)動(dòng)電路阱(晶體管)的區(qū)域的面積相對(duì)于驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域105的面積的比例相比而較小。因此，顯示區(qū)域的溝槽密度D1 小于驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的溝槽密度D2。
[0183]因此，本實(shí)施方式具有如下結(jié)構(gòu)，S卩，顯示區(qū)域的溝槽密度D1與周邊區(qū)域的溝槽密度D3相等，顯示區(qū)域的溝槽密度D1和周邊區(qū)域的溝槽密度D3小于驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的溝槽密度 D2。換言之，本實(shí)施方式具有如下結(jié)構(gòu)，S卩，顯示區(qū)域的溝槽密度D1與周邊區(qū)域的溝槽密度 D3相等，顯示區(qū)域的溝槽密度D1與驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的溝槽密度D2不同。
[0184]“有機(jī)EL裝置的制造方法”
[0185]圖9為表示本實(shí)施方式所涉及的有機(jī)EL裝置的制造方法的工序流程。圖10為與圖7 對(duì)應(yīng)的圖，并且是表示經(jīng)過(guò)圖9所示的工序流程的主要的工序后的基板的狀態(tài)的簡(jiǎn)要剖視圖。
[0186]以下，參照?qǐng)D9及圖10對(duì)本實(shí)施方式所涉及的有機(jī)EL裝置100的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
[0187]如圖9所示，本實(shí)施方式所涉及的有機(jī)EL裝置的制造方法包括:形成絕緣層90的工序(步驟S1)、形成溝槽81的工序(步驟S2)、形成氧化硅82的工序(步驟S3)、去除無(wú)用的氧化硅82的工序(步驟S4)、對(duì)氧化硅82實(shí)施平坦化處理的工序(步驟S5)、去除絕緣層90的工序 (步驟S6)。
[0188]另外，步驟S1為“形成研磨阻擋層的工序”的一個(gè)示例。步驟S2為“形成溝槽的工序”的一個(gè)示例。步驟S3為“形成絕緣層的工序”的一個(gè)示例。步驟S5為“對(duì)絕緣層進(jìn)行研磨的工序”的一個(gè)示例。
[0189]在步驟S1中，如圖10(a)所示，利用例如等離子CVD法在基板主體8上順次堆積由氧化硅構(gòu)成的第一絕緣膜91以及由氮化硅構(gòu)成的第二絕緣膜92,從而形成由第一絕緣膜91和第二絕緣膜92構(gòu)成的絕緣層90。接著，利用例如將氟類(lèi)氣體作為反應(yīng)氣體的干蝕刻法在絕緣層90的元件分離區(qū)域88上形成開(kāi)口 83。也就是說(shuō)，在絕緣層90上形成在俯視觀(guān)察時(shí)與元件分離區(qū)域88相同的形狀的開(kāi)口 83。[〇19〇]絕緣層90為“研磨阻擋層”的一個(gè)示例。開(kāi)口 83為“預(yù)定的圖案”的一個(gè)示例。
[0191]在步驟S2中，如圖10(b)所示，例如利用將氟類(lèi)氣體作為反應(yīng)氣體的干蝕刻法，將絕緣層90作為掩膜而在基板主體8上實(shí)施Z(-)方向的異向性蝕刻，從而在基板主體8的元件分離區(qū)域88內(nèi)形成溝槽81。也就是說(shuō)，在顯示區(qū)域E的基板主體8上形成在俯視觀(guān)察時(shí)與元件分離區(qū)域88為相同的形狀的溝槽81。
[0192]詳細(xì)而言，在步驟S2中，以顯示區(qū)域的溝槽密度D1與驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的溝槽密度D2 不同、顯示區(qū)域的溝槽密度D1與周邊區(qū)域的溝槽密度D3相等的方式，在顯示區(qū)域E的基板主體8上形成顯示區(qū)域的溝槽密度D1的溝槽81形成，在驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域105的基板主體8上形成驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的溝槽密度D2的驅(qū)動(dòng)電路溝槽，在周邊區(qū)域106的基板主體8上形成周邊區(qū)域的溝槽密度D3的周邊溝槽。
[0193]并且，在步驟S2中，以包圍顯示區(qū)域E的溝槽81的方式形成周邊區(qū)域106的周邊溝槽。以包圍驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域105的驅(qū)動(dòng)電路溝槽的方式形成周邊區(qū)域106的周邊溝槽。并且，利用相同的圖案來(lái)形成顯示區(qū)域E的溝槽81和周邊區(qū)域106的周邊溝槽。即，以顯示區(qū)域的溝槽密度D1與周邊區(qū)域的溝槽密度D3相等的方式而形成顯示區(qū)域E的溝槽81和周邊區(qū)域106 的周邊溝槽。
[0194]在步驟S3中，如圖10 (c)所示，例如利用等離子CVD法以覆蓋溝槽81的內(nèi)側(cè)及絕緣層90的表面的方式而形成氧化硅82。氧化硅82以被埋入溝槽81中，并從溝槽81向Z( + )方向伸出的方式形成。
[0195]在步驟S4中，如圖10(d)所示，例如利用將氟類(lèi)氣體作為反應(yīng)氣體的干蝕刻法，以主要在元件分離區(qū)域88內(nèi)配置氧化硅82的方式而蝕刻去除多余的元件區(qū)域77的氧化硅82。
[0196]在步驟S5中，實(shí)施通過(guò)CMP而進(jìn)行的平坦化處理，研磨去除從溝槽81向Z( + )方向伸出的氧化硅82,從而形成平坦的面。
[0197]另外，第二絕緣膜92(氮化硅)與氧化硅82相比而較硬，不容易被CMP研磨。即，第二絕緣膜92(氮化硅)幾乎不能通過(guò)CMP而被研磨，具有作為研磨的阻擋件的作用。
[0198]由CMP而實(shí)現(xiàn)的平坦化處理包括被稱(chēng)為機(jī)械性研磨的物理處理，并且研磨速度根據(jù)研磨對(duì)象物的面積而有所不同。也就是說(shuō)，每單位面積的研磨對(duì)象物的占有面積(以后， 稱(chēng)為研磨對(duì)象物的面積)較大的部分與研磨對(duì)象物的面積較小的部分相比，研磨速度較慢。
[0199]因此，在步驟S5中研磨對(duì)象物被均勾地研磨，在上述的步驟S4中，去除多余的元件區(qū)域77的氧化硅82,主要在元件分離區(qū)域88內(nèi)配置氧化硅82,從而實(shí)現(xiàn)顯示區(qū)域E內(nèi)的研磨對(duì)象物(氧化硅82)的面積的均勻化。
[0200]在步驟S6中，如圖10(e)所示，例如利用將氟類(lèi)氣體作為反應(yīng)氣體的干蝕刻法而蝕刻去除絕緣層90,并在元件分離區(qū)域88(顯示區(qū)域E)內(nèi)形成具有在溝槽81中埋入氧化硅82 的結(jié)構(gòu)的元件分離部80。即，在顯示區(qū)域E內(nèi)形成密度為顯示區(qū)域的溝槽密度D1的元件分離部80。
[0201]并且，在驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域105內(nèi)形成具有在驅(qū)動(dòng)電路溝槽中埋入氧化硅82的結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電路元件分離部。即，在驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域105內(nèi)形成密度為驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的溝槽密度D2的驅(qū)動(dòng)電路元件分離部。
[0202]并且，在周邊區(qū)域106內(nèi)形成具有在周邊溝槽中埋入氧化硅82的結(jié)構(gòu)的周邊元件分離部。即，在周邊區(qū)域106內(nèi)形成密度為周邊區(qū)域的溝槽密度D3的周邊元件分離部。[〇2〇3]“本實(shí)施方式所達(dá)到的效果”
[0204]圖11為與圖8對(duì)應(yīng)的圖，并且是表示比較例所涉及的有機(jī)EL裝置的基板的狀態(tài)的簡(jiǎn)要剖視圖。圖12(a)為比較例所涉及的有機(jī)EL裝置的晶體管的簡(jiǎn)要俯視圖。圖12(b)為沿著圖12(a)的線(xiàn)段C-C’的晶體管的簡(jiǎn)要剖視圖。圖12(c)為沿著圖12(a)的線(xiàn)段D-D’的晶體管的簡(jiǎn)要剖視圖。
[0205]在圖11及圖12中，對(duì)與本實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)部位標(biāo)注相同的符號(hào)。
[0206]在圖12中，示意性示出了晶體管121的結(jié)構(gòu)要素的狀態(tài)，省略了其他的結(jié)構(gòu)要素的圖示。[〇2〇7]以下，通過(guò)將比較例所涉及的有機(jī)EL裝置200與本實(shí)施方式所涉及的有機(jī)EL裝置 100進(jìn)行比較而對(duì)本實(shí)施方式所涉及的有機(jī)EL裝置100所達(dá)到的效果進(jìn)行說(shuō)明。[〇2〇8]在比較例的有機(jī)EL裝置200中，周邊區(qū)域的溝槽密度D3與驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的溝槽密度D2相等，且小于顯示區(qū)域的溝槽密度D1。也就是說(shuō)，顯示區(qū)域E內(nèi)的每單位面積的研磨對(duì)象物的占有面積與驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域105內(nèi)的每單位面積的研磨對(duì)象物的占有面積、以及周邊區(qū)域106內(nèi)的每單位面積的研磨對(duì)象物的占有面積相比而較小。[0209 ]這一點(diǎn)是比較例與本實(shí)施方式的不同點(diǎn)。[〇21〇]如上文所述，由步驟S5的CMP實(shí)現(xiàn)的平坦化處理包括被稱(chēng)為機(jī)械性研磨的物理的處理，并且研磨速度根據(jù)研磨對(duì)象物的面積而不同。因此，在步驟S4中去除多余的元件區(qū)域 77的氧化硅82,從而實(shí)現(xiàn)研磨對(duì)象物(氧化硅82)的占有面積的均勻化。
[0211]然而，即使在步驟S4中去除多余的元件區(qū)域77的氧化硅82,顯示區(qū)域E內(nèi)的每單位面積的氧化硅82的占有面積與驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域105內(nèi)的每單位面積的氧化硅82的占有面積、 以及周邊區(qū)域106內(nèi)的每單位面積的氧化硅82的占有面積相比也會(huì)較小，因此顯示區(qū)域E的氧化硅82的研磨速度與驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域105的氧化硅82的研磨速度、以及周邊區(qū)域106的氧化硅82的研磨速度相比而較大。即，在步驟S5的平坦化處理(研磨處理)中，在顯示區(qū)域E中將快速地進(jìn)行研磨，在驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域105及周邊區(qū)域106中將緩慢地進(jìn)行研磨。
[0212]并且，顯示區(qū)域E內(nèi)的研磨對(duì)象物的研磨速度受到周邊區(qū)域106的影響，而在接近周邊區(qū)域106側(cè)較慢。因此，接近周邊區(qū)域106的一側(cè)的研磨面與遠(yuǎn)離周邊區(qū)域106的一側(cè)的研磨面相比，變得朝向Z( + )方向凸起。也就是說(shuō)，接近顯示區(qū)域E的周邊區(qū)域106的一側(cè)的研磨面的平坦性變差，并產(chǎn)生向Z( + )方向凸起的形狀變化。[〇213]詳細(xì)而言，圖11的施加了斜影線(xiàn)的區(qū)域H內(nèi)，顯示區(qū)域E的研磨面的平坦性變差，并產(chǎn)生向Z( + )方向凸起的形狀變化。[〇214]另外，在將顯示區(qū)域的溝槽密度D1設(shè)為小于周邊區(qū)域的溝槽密度D3的情況下，在顯示區(qū)域E內(nèi)將緩慢地進(jìn)行研磨，在周邊區(qū)域106內(nèi)將快速地進(jìn)行研磨。因此，接近周邊區(qū)域 106的一側(cè)的研磨面與遠(yuǎn)離周邊區(qū)域106的一側(cè)的研磨面相比，變得向Z(-)方向凹陷。也就是說(shuō)，顯示區(qū)域E的接近周邊區(qū)域106的一側(cè)的研磨面的平坦性變差，并產(chǎn)生向Z(-)方向凹陷的形狀變化。[〇215]如圖12所示，以包圍n阱71的方式而配置元件分離部80。在晶體管121中，將柵極62 作為掩膜而離子注入P型雜質(zhì)，從而在n阱71內(nèi)形成離子注入部63、64。11阱71的離子注入部 63、64成為晶體管121的源極或漏極，n阱71的未被離子注入p型雜質(zhì)的部分(溝道65)成為晶體管121的溝道。晶體管121的柵極62以?shī)A持柵極絕緣膜61的方式而與n阱71的溝道65對(duì)置配置。[〇216]在晶體管121中，在相對(duì)于源極而向柵極62施加負(fù)的電位時(shí)，與柵極62對(duì)置配置的 n阱71的溝道65(n型半導(dǎo)體)中產(chǎn)生反相區(qū)域(p型半導(dǎo)體區(qū)域)，空穴(電流)從源極朝向漏極流動(dòng)。當(dāng)針對(duì)柵極62施加更低的負(fù)的電位時(shí)，反相區(qū)域進(jìn)一步擴(kuò)大，流動(dòng)有更多的電流。 即，通過(guò)從柵極62向n阱71的溝道65施加的電位(電場(chǎng)強(qiáng)度)而使晶體管121內(nèi)流通的電流發(fā)生變化。
[0217]當(dāng)在接近周邊區(qū)域106的一側(cè)于顯示區(qū)域E的研磨面上產(chǎn)生形狀變化時(shí)，被圖12 (a)及圖12(c)的虛線(xiàn)所包圍的區(qū)域G1、G2內(nèi)，柵極絕緣膜61的膜厚發(fā)生變化。詳細(xì)而言，當(dāng)在顯示區(qū)域E的研磨面上產(chǎn)生形狀變化時(shí)，區(qū)域G1、G2內(nèi)的柵極絕緣膜61與區(qū)域G1、G2以外的區(qū)域的柵極絕緣膜61相比而變薄。因此，在區(qū)域G1、G2內(nèi)，與區(qū)域G1、G2以外的區(qū)域相比， 從柵極62向n阱71的溝道65施加的電位(電場(chǎng)強(qiáng)度)的狀態(tài)將發(fā)生變化，晶體管121的特性將發(fā)生變化。其結(jié)果為，在顯示區(qū)域E的接近周邊區(qū)域106的一側(cè)(圖11的區(qū)域H)，與顯示區(qū)域E 的遠(yuǎn)離周邊區(qū)域10 6的一側(cè)(圖11的區(qū)域H以外的區(qū)域)相比，晶體管121的特性將不同。
[0218]并且，在其他的晶體管122、123、124、125內(nèi)也會(huì)產(chǎn)生與晶體管121相同的特性變化。由此，顯示區(qū)域E的接近周邊區(qū)域106的一側(cè)(圖11的區(qū)域H)與顯示區(qū)域E的遠(yuǎn)離周邊區(qū)域106的一側(cè)(圖11的區(qū)域H以外的區(qū)域)相比，其他的晶體管122、123、124、125的特性將不同。
[0219] 有機(jī)EL元件30經(jīng)由晶體管121、122、123、124、125而被供給電流從而發(fā)光。因此，在顯示區(qū)域E的接近周邊區(qū)域106的一側(cè)與顯示區(qū)域E的遠(yuǎn)離周邊區(qū)域106的一側(cè)，當(dāng)晶體管 121、122、123、124、125的特性不同時(shí)，由有機(jī)EL元件30所發(fā)出的光的亮度也變得不同。即， 在顯示區(qū)域E的接近周邊區(qū)域106的一側(cè)與顯示區(qū)域E的遠(yuǎn)離周邊區(qū)域106的一側(cè)，將產(chǎn)生因晶體管121、122、123、124、125的特性差而導(dǎo)致的由有機(jī)EL元件30所發(fā)出的光的微小的亮度差異(變化)。
[0220]人類(lèi)的眼睛對(duì)光的亮度的差異較為敏感，從而能夠識(shí)別微小的光的亮度差異(變化)。因此，由有機(jī)EL元件30所產(chǎn)生的光的微小的兩點(diǎn)的差異(變化)容易作為亮度不均(顯示不均)而被觀(guān)測(cè)到。[〇221]因此，比較例所涉及的有機(jī)EL裝置200具有在圖11的施加了斜影線(xiàn)的區(qū)域H內(nèi)容易產(chǎn)生亮度不均(顯示不均)的課題。
[0222]在本實(shí)施方式所涉及的有機(jī)EL裝置100中，由于顯示區(qū)域的溝槽密度D1與周邊區(qū)域的溝槽密度D3相等，因此顯示區(qū)域E內(nèi)的每單位面積的氧化硅82的占有面積與周邊區(qū)域 106內(nèi)的每單位面積的氧化硅82的占有面積相等，顯示區(qū)域E的氧化硅82的研磨速度與周邊區(qū)域106的氧化硅82的研磨速度大致相等。由此，與顯示區(qū)域E的遠(yuǎn)離周邊區(qū)域106的一側(cè)相比，抑制了顯示區(qū)域E的研磨面的形狀在顯示區(qū)域E的接近周邊區(qū)域106的一側(cè)發(fā)生變化的不良情況。
[0223]由此，在本實(shí)施方式所涉及的有機(jī)EL裝置100中，在顯示區(qū)域E的接近周邊區(qū)域106 的一側(cè)與顯示區(qū)域E的遠(yuǎn)離周邊區(qū)域106的一側(cè)，由有機(jī)EL元件30所發(fā)出的光的亮度的差異 (變化)變小，從而能夠?qū)Ρ容^例所涉及的有機(jī)EL裝置200中的區(qū)域H的亮度不均(顯示不均) 進(jìn)行抑制。因此，本實(shí)施方式所涉及的有機(jī)EL裝置100與比較例所涉及的有機(jī)EL裝置200相比，顯不的均勾性被提尚，從而能夠提供尚品質(zhì)的顯不。
[0224]實(shí)施方式2
[0225]圖13為表示實(shí)施方式2所涉及的頭戴式顯示器的結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)要圖。
[0226]如圖13所示，頭戴式顯示器1000為“電子設(shè)備”的一個(gè)示例，并具有與左右的眼睛對(duì)應(yīng)設(shè)置的兩個(gè)顯示部1001。觀(guān)察者M(jìn)通過(guò)將頭戴式顯示器1000像眼鏡那樣戴在頭部而能夠看到在顯示部1001中所顯示的文字或圖像等。例如，如果在左右的顯示部1001中顯示考慮了視差的圖像，也能夠觀(guān)看到立體的圖像。
[0227]在顯示部1001中，使用了上述的有機(jī)EL裝置100。在有機(jī)EL裝置100中，顯示的均勻性被提尚，從而能夠提供尚品質(zhì)的顯不。因此，能夠通過(guò)在顯不部1001中搭載有機(jī)EL裝置 100而提供尚品質(zhì)的顯不的頭戴式顯不器1000。
[0228]本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式，能夠在不違反從整個(gè)權(quán)利要求書(shū)以及說(shuō)明書(shū)中理解的本發(fā)明的主旨或思想的范圍內(nèi)進(jìn)行適當(dāng)變更，隨著這種變更而產(chǎn)生的電光裝置以及搭載有該電光裝置的電子設(shè)備也被包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
[0229]除了上述實(shí)施方式以外，也考慮各種改變例。以下，列舉改變例進(jìn)行說(shuō)明。
[0230]改變例1[〇231]作為應(yīng)用了本發(fā)明的電光裝置，并不限定于具備作為上述的發(fā)光元件的有機(jī)EL元件30的有機(jī)EL裝置100,例如能夠針對(duì)具備無(wú)機(jī)EL元件或LED等的自發(fā)光型的發(fā)光元件的電光裝置而廣泛地應(yīng)用本發(fā)明。
[0232]改變例2
[0233]應(yīng)用本發(fā)明的電光裝置并不限定于上述的有機(jī)EL裝置100,也可以是例如液晶裝置、排列有微鏡的顯示元件(數(shù)字微鏡設(shè)備)。
[0234]改變例3
[0235]作為應(yīng)用了本發(fā)明的電子設(shè)備，并不限定于上述的頭戴式顯示器1000,例如，也可以是在頭戴式顯示器或數(shù)碼照相機(jī)的電子微取景器、便攜信息終端、導(dǎo)航系統(tǒng)等的顯示部中搭載應(yīng)用了本發(fā)明的電光裝置。
[0236]符號(hào)說(shuō)明
[0237]7…基板;8…基板主體；10…兀件基板；12…掃描線(xiàn)；14…數(shù)據(jù)線(xiàn);6、18、19…電源線(xiàn)；20、201?、206、2(^"像素；21".電容;28".中繼電極;30、301?、306、3(^"有機(jī)￡1元件;31-" 像素電極;32…發(fā)光功能層;33…對(duì)置電極;40…保護(hù)基板;50、5(?、506、50卜"濾色層;6卜-柵極絕緣膜;62…柵極;63、64…離子注入部;65…溝槽;71、72、73、74、75?像素電路的11阱； 77…兀件區(qū)域；80…兀件分尚部；81…溝槽；82…氧化娃；83…開(kāi)口； 88…兀件分尚區(qū)域； 90…絕緣層;91…第一絕緣膜;92…第二絕緣膜；100…有機(jī)EL裝置；KU…數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路；101a…數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域；102…掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路；102a…掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域；103…外部連接用端子；105…驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域；106…周邊區(qū)域；110…像素電路；121?125…晶體管； 131、132、133…驅(qū)動(dòng)電路的n阱；14U142…驅(qū)動(dòng)電路的p型半導(dǎo)體基板區(qū)域;E…顯示區(qū)域； N…像素阱;D1…顯示區(qū)域的溝槽密度;D2…驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的溝槽密度;D3…周邊區(qū)域的溝槽密度。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電光裝置，其特征在于，包括:第一區(qū)域，其包含具有第一密度的第一溝槽元件分離區(qū)域，并且配置有包含晶體管的 像素電路；第二區(qū)域，其包含具有第二密度的第二溝槽元件分離區(qū)域，并且配置有供給用于對(duì)所 述像素電路進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的信號(hào)的驅(qū)動(dòng)電路；第三區(qū)域，其包含具有第三密度的第三溝槽元件分離區(qū)域，并且至少被配置在所述第 一區(qū)域與所述第二區(qū)域之間，所述第一密度與所述第二密度不同，所述第一密度與所述第三密度相等。2.如權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于，所述第三區(qū)域包圍所述第一區(qū)域。3.如權(quán)利要求1或2所述的電光裝置，其特征在于，所述第三區(qū)域包圍所述第二區(qū)域。4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于，所述第一溝槽元件分離區(qū)域與所述第三溝槽元件分離區(qū)域由相同的圖案構(gòu)成。5.—種電子設(shè)備，其特征在于，具備權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的電光裝置。6.—種電光裝置的制造方法，其特征在于，所述電光裝置包括:第一區(qū)域，其包含具有第一密度的第一溝槽，并且配置有像素電路；第二區(qū)域，其包含具有第二密度的第二溝槽，并且配置有供給用于對(duì)所述像素電路進(jìn) 行驅(qū)動(dòng)的信號(hào)的驅(qū)動(dòng)電路；第三區(qū)域，其包含具有第三密度的第三溝槽，并且至少被配置在所述第一區(qū)域與所述 第二區(qū)域之間，所述電光裝置的制造方法包括:在硅基板之上形成具有預(yù)定的圖案的研磨阻擋層的工序；至少將所述研磨阻擋層作為掩膜而在所述硅基板上形成溝槽的工序；以對(duì)所述溝槽進(jìn)行填充的方式在所述硅基板之上形成絕緣層的工序；將所述研磨阻擋層作為阻擋件而對(duì)所述絕緣層進(jìn)行研磨的工序，在形成所述溝槽的工序中，以所述第一密度與所述第二密度不同、所述第一密度與所 述第三密度相等的方式而在所述第一區(qū)域內(nèi)形成具有所述第一密度的所述第一溝槽、在所 述第二區(qū)域內(nèi)形成具有所述第二密度的所述第二溝槽、在所述第三區(qū)域內(nèi)形成具有所述第 三密度的所述第三溝槽。7.如權(quán)利要求6所述的電光裝置的制造方法，其特征在于，在形成所述溝槽的工序中，以包圍所述第一區(qū)域的方式形成所述第三區(qū)域。8.如權(quán)利要求6或7所述的電光裝置的制造方法，其特征在于，在形成所述溝槽的工序中，以包圍所述第二區(qū)域的方式形成所述第三區(qū)域。9.如權(quán)利要求6至8中任一項(xiàng)所述的電光裝置的制造方法，其特征在于，在形成所述溝槽的工序中，所述第一溝槽與所述第三溝槽為相同的圖案。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK106098732SQ201610270948
【公開(kāi)日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年4月27日 公開(kāi)號(hào)201610270948.8, CN 106098732 A, CN 106098732A, CN 201610270948, CN-A-106098732, CN106098732 A, CN106098732A, CN201610270948, CN201610270948.8
【發(fā)明人】村田賢志
【申請(qǐng)人】精工愛(ài)普生株式會(huì)社