具有微納孔結(jié)構(gòu)有機場效應(yīng)晶體管傳感器及其制作和應(yīng)用
【專利摘要】本發(fā)明涉及具有微納孔結(jié)構(gòu)有機場效應(yīng)晶體管傳感器及其制作和應(yīng)用，傳感器包括襯底層，蒸鍍在襯底層上表面，帶有微納孔結(jié)構(gòu)的萘并噻吩酮層作為有機半導(dǎo)體層，蒸鍍在有機半導(dǎo)體層上表面的金薄膜作為源電極和漏電極，制作得到的傳感器可以用于氣體或粉體的檢測。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明大大改善傳感性能和靈敏度，使用更加方便快捷。
【專利說明】
具有微納孔結(jié)構(gòu)有機場效應(yīng)晶體管傳感器及其制作和應(yīng)用
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種有機場效應(yīng)晶體管傳感器，尤其是涉及一種具有微納孔結(jié)構(gòu)有機場效應(yīng)晶體管傳感器及其制作和應(yīng)用。
【背景技術(shù)】
[0002]有機場效應(yīng)晶體管(OFET)是以有機半導(dǎo)體材料作為半導(dǎo)體層的晶體管器件?；谟袡C場效應(yīng)晶體管而制成的傳感器性能優(yōu)越，應(yīng)用廣泛。傳統(tǒng)的傳感器通常結(jié)構(gòu)復(fù)雜，制造和使用的成本比較高，尤其是一些高靈敏度的傳感探測設(shè)備體積大，操作復(fù)雜，很難做成低成本便攜式的傳感器。場效應(yīng)晶體管是利用電場來控制固體材料導(dǎo)電性能的有源器件，其具有體積小、重量輕等諸多優(yōu)勢。然而，基于無機氧化物或陶瓷類的場效應(yīng)傳感器往往要求比較高的工作溫度，又或者探測選擇性不高，在許多場合使用不便，而基于有機半導(dǎo)體的探測傳感器能繼承有機電子器件的制備成本低、簡單輕便、以及柔性可彎曲等優(yōu)點，能彌補大型檢測儀器的不足，可以成為對現(xiàn)有化學(xué)檢測器件的有效補充。而且作為有機分子，有機半導(dǎo)體分子具備近乎無限的可修飾性，可以通過化學(xué)合成的方法附加多樣化的側(cè)鏈官能團。在保留其電學(xué)性能的同時，使得有機半導(dǎo)體具備一定的化學(xué)特性，對特定的化學(xué)物質(zhì)具備更高的敏感性。正是基于這兩點，使得近幾年來，有機場效應(yīng)晶體管傳感器受到研究人員的重視，如美國斯坦福大學(xué)鮑哲南團隊報道了一種基于具有復(fù)雜微結(jié)構(gòu)的聚二甲基硅氧烷(PDMS)介電層的OFET，該OFET具有非常高的壓力敏感性能。K.See，J.Huang，.Beckne 11，andH.Katz制備的DMMP (模擬沙林毒氣)檢測器件，可以在濃度僅為100mg/m3的DMMP和空氣的混合氣中檢測出DMMP氣體。
[0003]但是目前有機場效應(yīng)晶體管傳感器對目標分析物的響應(yīng)靈敏度不高，響應(yīng)與回復(fù)時間長達幾分鐘甚至幾十分鐘，極大地限制了它在日常生活問題中的具體應(yīng)用。究其原因，傳統(tǒng)OTFT的器件結(jié)構(gòu)制約了化學(xué)傳感器的靈敏度以及響應(yīng)速度:目標氣體分子需要首先在有機半導(dǎo)體薄膜內(nèi)長距離地擴散，才能與位于半導(dǎo)體層底部的導(dǎo)電溝道發(fā)生相互作用來改變器件輸出信號。因此設(shè)計制備新的OTFT器件結(jié)構(gòu)是解決上述問題的主要途徑。納米多孔結(jié)構(gòu)具有很高的比表面積，能允許氣體分子快速大量通過，非常適合作為OFET氣體傳感器的器件結(jié)構(gòu)，來解決傳感器探測靈敏度低以及響應(yīng)時間長這兩個瓶頸問題。然而，有機半導(dǎo)體材料是小分子或者高分子材料，熔點低，晶型不穩(wěn)定，易溶解于各種試劑，這些因素導(dǎo)致制備含微納孔結(jié)構(gòu)的有機半導(dǎo)體異常困難。雖然利用模板法可以制得，但去除模板又有很大的問題，因此對于有機半導(dǎo)體的微納孔結(jié)構(gòu)的研究極少。Hsiao-Wen Zan曾報道了以玻璃為襯底，使用聚苯乙烯(PS)球為模板，然后蒸鍍半導(dǎo)體(并五苯)，使其形成不完全連續(xù)的并五苯薄膜。然而，這種器件工作的機理待檢測物質(zhì)與絕緣層PVP中的羥基作用，并不具有普適性，而且并未去除PS球，PS球的存在會大大削弱傳感器的探測性能。因此，發(fā)展一種模板易去除的制備方法，從而制備出具有微納孔結(jié)構(gòu)的OFET傳感器有很大的必要性。
[0004]中國專利CN104849336A公開了有機場效應(yīng)晶體管氣體傳感器及其制備方法，屬于電子元器件技術(shù)領(lǐng)域，解決現(xiàn)有技術(shù)中不能精確控制有機材料內(nèi)晶粒的大小、不能實現(xiàn)有機場效應(yīng)晶體管氣體傳感器的室溫探測的問題。其結(jié)構(gòu)包括從下到上依次設(shè)置的襯底、柵電極、柵極絕緣層、有機半導(dǎo)體層，在有機半導(dǎo)體層上設(shè)置的源電極和漏電極，有機半導(dǎo)體層為可溶性的，在有機半導(dǎo)體層加入5%?15%的蟲膠進行混合。該專利解決現(xiàn)有技術(shù)中不能精確控制有機材料內(nèi)晶粒的大小、不能實現(xiàn)有機場效應(yīng)晶體管氣體傳感器的室溫探測的問題，但是并沒有解決晶體管傳感器靈敏度低，響應(yīng)時間長的問題。本申請則是旨在提供一種方法，方便快捷地制備出含微納孔結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料，使其應(yīng)用于有機場效應(yīng)晶體管傳感器中，從而大大改善傳感器的性能，提高靈敏度，縮短響應(yīng)時間。同時，制備出的傳感器依舊能實現(xiàn)室溫探測的問題，且主要應(yīng)用于室溫條件下，因此具有明顯的優(yōu)越性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的就是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷而提供一種不提高有機場效應(yīng)晶體管傳感器的制作成本的基礎(chǔ)上，大大改善傳感性能和靈敏度。
[0006]本發(fā)明的另一個目的旨在提供一種方法，方便快捷地制備出含微納孔結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料，使其應(yīng)用于有機場效應(yīng)晶體管傳感器中，傳感性能大大改善，更加方便快捷，靈敏度更高。
[0007]本發(fā)明的第三個目的是同時實現(xiàn)對氣體和粉體的雙重檢測。
[0008]本發(fā)明的目的可以通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn):
[0009]具有微納孔結(jié)構(gòu)有機場效應(yīng)晶體管傳感器，包括:
[0010]襯底層，
[0011]蒸鍍在襯底層上表面，帶有微納孔結(jié)構(gòu)的萘并噻吩酮層作為有機半導(dǎo)體層，
[0012]蒸鍍在有機半導(dǎo)體層上表面的金薄膜作為源電極和漏電極。
[0013]所述的襯底層為柵極及覆蓋在柵極上表面的硅片。
[0014]所述的娃片的上表面還帶有厚度為200-400nm 二氧化娃層。
[0015]具有微納孔結(jié)構(gòu)有機場效應(yīng)晶體管傳感器的制造方法，采用以下步驟:
[0016]a)襯底的清潔處理:使用丙酮、異丙醇依次超聲清洗硅片，然后用乙醇和去離子水沖洗，最后用氮氣吹干娃片表面；
[0017]b)襯底表面的親水處理:使用等離子體表面處理儀處理硅片，能量為高等級，時間為5min;
[0018]c)配置PS球溶解分散液:稀釋PS球分散液濃度至1.5-2.0wt，然后再超聲處理使PS球分散；
[0019]d)將處理好的PS球分散液滴注在硅片上，再進行凍干處理；
[0020]e)在凍干處理后的硅片上蒸鍍有機半導(dǎo)體層:使用真空蒸鍍儀進行熱蒸鍍，在襯底上形成P型有機半導(dǎo)體層，厚度為20-40nm ；
[0021]f)去除PS球模板:固定硅片利用透明膠帶輕輕粘在有機半導(dǎo)體薄膜層的表面，然后揭開，去除PS球，還可以保證有機半導(dǎo)體層不被破壞；
[0022]g)蒸鍍源漏電極:使用掩膜版遮擋后蒸鍍相互隔絕的50-100nm厚度的Au薄膜作為源電極和漏電極，電極長6mm，寬0.2mm，電極間距0.4mm。
[0023]所述的PS球的粒徑為0.5-10μπι
[0024]所述的PS球模板是利用凍干的方法制備出來的。將分散好的PS球分散液均勻滴注在硅片上，-30°C預(yù)凍3小時，然后抽真空(IPa以下)在-50°C下進行凍干12小時，得到硅片上分布均勾且不團聚的PS球模板；
[0025]具有微納孔結(jié)構(gòu)有機場效應(yīng)晶體管傳感器可以在氣體檢測中的應(yīng)用，以氮氣為背景氣體，使用本技術(shù)制備的傳感器檢測其中氨氣的含量。將器件放入容積為6L的密閉腔體中，通過小型簡易探針臺，將其與K-4200連接測試其電學(xué)特性。首先在室溫條件下，連接器件后，給密閉腔體中充滿氮氣，測試器件的電學(xué)性能；待其電流穩(wěn)定后，注入一定量的氨氣，使得密閉腔體中充滿氨氣含量為百萬分之一(氨氣和氮氣的體積比，也即氨氣含量為Ippm)的混合氣，此傳感器可以檢測Ippm濃度的氨氣，當傳感器處于Ippm濃度的氨氣中時，柵極電壓為-50V時，其電流變化率達到50%，比無微納孔結(jié)構(gòu)的傳感器的靈敏度高很多。此傳感器的檢測極限為0.5ppm，遠大于現(xiàn)有的OFET傳感器。同時，此傳感器具有很好的可回復(fù)性，可以反復(fù)使用。
[0026]具有微納孔結(jié)構(gòu)有機場效應(yīng)晶體管傳感器可以在粉體物質(zhì)檢測中的應(yīng)用，以三聚氰胺和二硝基甲苯為例，使用本技術(shù)制備的傳感器可以檢測區(qū)分出不同粉體。將器件放入容積為6L的密閉腔體中，通過小型簡易探針臺，將其與K-4200連接測試其電學(xué)特性。連接器件后，在空氣中測試器件的電學(xué)性能;待其電流穩(wěn)定后，將粉體物質(zhì)撒在器件表面。當三聚氰胺覆蓋在傳感器的表面是，傳感器的電流迅速減小，普通晶體管傳感器的變化率約為30%，而具有微納孔結(jié)構(gòu)的OFET傳感器的響應(yīng)度為60% ;而當二硝基甲苯粉體覆蓋在傳感器表面時，傳感器的電流是增大的，普通晶體管傳感器的變化率約為30%，而具有微納孔結(jié)構(gòu)的OFET傳感器的響應(yīng)度為60%。因此，相對普通的晶體管傳感器，這種具有微納孔結(jié)構(gòu)的晶體管傳感器大大提高了檢測的靈敏度。
[0027]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點:
[0028]1、制備的具有微納孔結(jié)構(gòu)的有機場效應(yīng)晶體管傳感器，是首次實現(xiàn)制備出含微納孔結(jié)構(gòu)的有機半導(dǎo)體層；
[0029]2、制備的具有微納孔結(jié)構(gòu)的有機場效應(yīng)晶體管傳感器，實現(xiàn)了高靈敏度的氣體檢測，性能大大提高，對外部條件反應(yīng)更加快速，而且更加靈敏，縮減檢測時間，提高檢測效率。因為傳統(tǒng)OTFT的器件結(jié)構(gòu)制約了化學(xué)傳感器的靈敏度以及響應(yīng)速度:目標氣體分子需要首先在有機半導(dǎo)體薄膜內(nèi)長距離地擴散，才能與位于半導(dǎo)體層底部的導(dǎo)電溝道發(fā)生相互作用來改變器件輸出信號，而微納米多孔結(jié)構(gòu)具有很高的比表面積，能允許氣體分子快速大量通過，到達位于半導(dǎo)體層底部的導(dǎo)電溝道，從而能夠大大提高器件的靈敏度；
[0030]3、制備的具有微納孔結(jié)構(gòu)的有機場效應(yīng)晶體管傳感器，實現(xiàn)了高靈敏度的粉體檢測，這是粉體有害物質(zhì)首次能被有機場效應(yīng)晶體管傳感器直接檢測出來。傳統(tǒng)的有機場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體層是片層結(jié)構(gòu)，粉體無法在有機半導(dǎo)體薄膜內(nèi)長距離地擴散，很難與位于半導(dǎo)體層底部的導(dǎo)電溝道發(fā)生相互作用，因而無法被檢測出。但是，在具有微納孔結(jié)構(gòu)的有機場效應(yīng)晶體管傳感器中，微納孔結(jié)構(gòu)提供了粉體大面積擴散的通道，因而可直接與位于半導(dǎo)體層底部的導(dǎo)電溝道發(fā)生相互作用來改變輸出信號，即實現(xiàn)粉體的檢測；
[0031]4、該種有機場效應(yīng)晶體管傳感器制備工藝簡單，成本低，攜帶方便，彌補了大型檢測儀器的不足。
【附圖說明】
[0032]圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0033]圖2為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0034]圖3為傳感器的輸出特性曲線；
[0035]圖4為傳感器對氨氣的響應(yīng)情況；
[0036]圖5為傳感器對粉體物質(zhì)的響應(yīng)情況。
[0037]圖中，1-襯底層、11-柵極、12-硅片、13-二氧化硅層、2-有機半導(dǎo)體層、3-微納孔、
4-金薄膜。
【具體實施方式】
[0038]下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細說明。
[0039]實施例1
[0040]具有微納孔結(jié)構(gòu)有機場效應(yīng)晶體管傳感器，其結(jié)構(gòu)如圖1-2所示，包括襯底層I，蒸鍍在襯底層I上表面，帶有微納孔3的萘并噻吩酮層作為有機半導(dǎo)體層2，蒸鍍在有機半導(dǎo)體層2上表面的金薄膜4作為源電極和漏電極。其中，襯底層I包括柵極11及覆蓋在柵極11上表面的硅片12，另外，在硅片的上表面還帶有厚度為200-400nm 二氧化硅層13。
[0041]有機半導(dǎo)體材料(二萘并噻吩酮DNTT)按照以下步驟合成:
[0042](I)所有的化學(xué)試劑純度均為分析純。四氫呋喃在使用前都經(jīng)過除水處理，所有反應(yīng)均在無水無氧環(huán)境下進行，使用氬氣保護。將2.87mL(21mmol)的三甲基乙二胺加入到35mL的四氫呋喃中，在零下30 °C與正丁基鋰的正己烷溶液(濃度1.59M，13.2mL)混合。在同樣溫度下攪拌混合溶液15分鐘后，緩慢滴加(5分鐘加完)2_萘甲醛的四氫呋喃溶液(2.0g
2-萘甲醛加入到1mL四氫呋喃中)，之后再加入24.15mL濃度為38.4mmol的正丁基鋰正己燒溶液，在零下30°C，攪拌混合液3.5小時。加入過量的二甲基二硫(5.67mL，64mmoI)并在室溫下攪拌2小時后，加入20mL鹽酸(濃度為1M)。最終混合物攪拌10小時后使用60mL 二氯甲烷進行萃取。萃取物使用MgS04干燥后再真空干燥。將固體殘渣使用層析柱進行提純，得到黃色固體固體la( 1.49g)，層析液是正己烷和乙酸乙酯的混合液(體積比為9:1)。
[0043](2)加入0.39g鋅粉到1mL四氫呋喃中，緩慢加入0.66mL四氯化鈦加熱回流1.5小時。溶液降到室溫后，緩慢加入Ia的四氫呋喃溶液(0.405g Ia加入到1ml四氫呋喃中)，混合液冷凝回流10小時。溫度降到室溫后，用30mL飽和碳酸氫鈉水溶液和30mL 二氯甲烷對其進行稀釋，攪拌3.5小時。使用硅藻土進行過濾，濾液分為有機層和水層。使用60mL 二氯甲烷對水層進行萃取，將有幾層使用MgS04干燥后再真空干燥。經(jīng)過二氯甲烷清洗跑板(硅膠板)提純，得到黃色晶體2a(0.299g)。
[0044](3)0.2235g 2a和4.87g碘依次加入到15mL三氯甲烷中回流21小時。溫度降到室溫后，加入20mL飽和亞硫酸氫鈉水溶液，過濾出沉淀使用水和三氯甲燒進行清洗。得到的粗產(chǎn)物再通過真空升華提純得到黃色固體，即為DNTT。
[0045]實施例2
[0046]具有微納孔結(jié)構(gòu)有機場效應(yīng)晶體管傳感器的制備方法，采用以下步驟:
[0047]第一步，將襯底使用丙酮，異丙醇超聲清洗，之后再使用去離子水和酒精進行沖洗，使用氮氣吹干襯底I表面。
[0048]第二步，將購買得到的質(zhì)量分數(shù)為2.分散液進一步用水稀釋至1.5-2.0wt %，超聲30min待用；
[0049]第三步，將洗干凈的硅襯底放置在等離子體處理儀中以高能量處理lOmin，然后將配置好的PS分散液少量滴注在硅襯底上，然后放入凍干機中進行凍干處理，使得PS球均勻鋪在硅襯底上；
[0050]第四步，將表面鋪滿PS球的硅片放入真空腔體內(nèi)，在10_4Pa的真空條件下，采用真空蒸鍍的方法，將有機半導(dǎo)體DNTT蒸鍍到硅片上，形成半導(dǎo)體層。蒸鍍過程中，襯底溫度適中保持在70°C左右，最后蒸鍍的膜厚控制在30nm。
[0051]第五步，取出硅片，固定住硅片，然后采用膠帶輕輕粘除的方法取出粒徑為ΙΟμπι的PS球。因為DNTT的膜厚為30nm，遠遠小于PS球的粒徑，因此此方法能夠在不破壞DNTT的膜的條件下，簡單而且快捷地去除PS球，從而使得有機半導(dǎo)體層具有微納孔結(jié)構(gòu)。
[0052]第六步，通過掩膜的方式，在高真空下將金蒸鍍到有機半導(dǎo)體上形成電極。電極厚度約為80nm。
[0053]第七步，將制備的有機場效應(yīng)晶體管，在室溫，大氣環(huán)境下，使用K-4200半導(dǎo)體測試儀和相關(guān)探針臺，驅(qū)動電壓-60v—60v內(nèi)掃描，從而得到器件的輸出特性曲線。圖3很好地展示了器件的輸出特性曲線。
[0054]實施例3
[0055]利用制備的具有微納孔結(jié)構(gòu)有機場效應(yīng)晶體管傳感器，對其特性進行測試。將器件放入容積為6L的密閉腔體中，通過小型簡易探針臺，將其與K-4200連接測試其電學(xué)特性。
[0056]測試方法，首先在室溫條件下，連接器件后，給密閉腔體中充滿氮氣，測試器件的電學(xué)性能;待其電流穩(wěn)定后，注入一定量的氨氣，使得密閉腔體中充滿氨氣含量為百萬分之一(氨氣和氮氣的體積比，也即氨氣含量為Ippm)的混合氣，此時器件的電流會明顯下降；之后鼓入氮氣并對器件進行短暫的加熱(加熱到50攝氏度，加熱5分鐘)，待器件冷卻后，繼續(xù)對器件進行測試發(fā)現(xiàn)，器件的電流又可以恢復(fù)到最初的大小。
[0057]圖4很好地說明了器件對氨氣的敏感性和器件的可恢復(fù)性。從圖4中可以看出，利用具有微納孔結(jié)構(gòu)有機場效應(yīng)晶體管傳感器器件對Ippm氨氣的響應(yīng)明顯，電流減小了47%，而普通的OFET傳感器器件電流只減小16%。這說明具有微納孔結(jié)構(gòu)有機場效應(yīng)晶體管傳感器對氣體檢測的靈敏度更高。同時，我們還可以看出，具有微納孔結(jié)構(gòu)的OFET傳感器的響應(yīng)時間更短，反應(yīng)更加快速靈敏。
[0058]實施例4
[0059]利用制備的具有微納孔結(jié)構(gòu)有機場效應(yīng)晶體管傳感器作為粉體化學(xué)傳感器，對其特性進行測試。將器件放入容積為6L的密閉腔體中，通過小型簡易探針臺，將其與K-4200連接測試其電學(xué)特性。
[0060]測試方法，連接器件后，在空氣中測試器件的電學(xué)性能;待其電流穩(wěn)定后，將粉體物質(zhì)撒在器件表面，觀察器件電學(xué)性能的變化發(fā)現(xiàn)，三聚氰胺粉體會使器件電流減小，而二硝基甲苯(DNT)則會使器件電流增大。
[0061]圖5很好的表明了器件對不同粉體物質(zhì)的響應(yīng)情況，圖中編號1、2的曲線是器件對DNT的響應(yīng)情況，其中2為普通OFET傳感器的響應(yīng)曲線，I為具有微納孔結(jié)構(gòu)有機場效應(yīng)晶體管傳感器的響應(yīng)曲線；圖中編號3、4的曲線是器件對三聚氰胺的響應(yīng)情況，其中3為普通OFET傳感器的響應(yīng)曲線，4為具有微納孔結(jié)構(gòu)有機場效應(yīng)晶體管傳感器的響應(yīng)曲線。對比可以發(fā)現(xiàn)，具有微納孔結(jié)構(gòu)有機場效應(yīng)晶體管傳感器對粉體物質(zhì)檢測的靈敏度更高。
【主權(quán)項】
1.具有微納孔結(jié)構(gòu)有機場效應(yīng)晶體管傳感器，其特征在于，包括: 襯底層， 蒸鍍在襯底層上表面，帶有微納孔結(jié)構(gòu)的萘并噻吩酮層作為有機半導(dǎo)體層， 蒸鍍在有機半導(dǎo)體層上表面的金薄膜作為源電極和漏電極。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微納孔結(jié)構(gòu)有機場效應(yīng)晶體管傳感器，其特征在于，所述的襯底層為柵極及覆蓋在柵極上表面的硅片。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有微納孔結(jié)構(gòu)有機場效應(yīng)晶體管傳感器，其特征在于，所述的娃片的上表面還帶有厚度為200-400nm 二氧化娃層。4.如權(quán)利要求1所述的具有微納孔結(jié)構(gòu)有機場效應(yīng)晶體管傳感器的制造方法，其特征在于，該方法采用以下步驟: a)襯底的清潔處理:使用丙酮、異丙醇依次超聲清洗硅片，然后用乙醇和去離子水沖洗，最后用氮氣吹干娃片表面； b)襯底表面的親水處理:使用等離子體表面處理儀處理硅片； c)配置PS球溶解分散液:稀釋PS球分散液濃度至1.5-2.0wt，然后再超聲處理使PS球分散； d)將處理好的PS球分散液滴注在硅片上，再進行凍干處理； e)在凍干處理后的硅片上蒸鍍有機半導(dǎo)體層:使用真空蒸鍍儀進行熱蒸鍍，在襯底上形成P型有機半導(dǎo)體層； f)去除PS球模板:固定硅片利用透明膠帶輕輕粘在有機半導(dǎo)體薄膜層的表面，然后揭開，去除PS球； g)蒸鍍源漏電極:使用掩膜版遮擋后蒸鍍相互隔絕的50-100nm厚度的Au薄膜作為源電極和漏電極。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有微納孔結(jié)構(gòu)有機場效應(yīng)晶體管傳感器的制造方法，其特征在于，所述的PS球的粒徑為0.5-10μηι。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有微納孔結(jié)構(gòu)有機場效應(yīng)晶體管傳感器的制造方法，其特征在于，步驟d)中利用凍干的方法制備PS球模板，將分散好的PS球分散液均勻滴注在硅片上，-30 °C預(yù)凍3小時，然后抽真空(IPa以下)在-50°C下進行凍干12小時，得到硅片上的PS球模板。7.如權(quán)利要求1所述的具有微納孔結(jié)構(gòu)有機場效應(yīng)晶體管傳感器在氣體檢測中的應(yīng)用。8.如權(quán)利要求1所述的具有微納孔結(jié)構(gòu)有機場效應(yīng)晶體管傳感器在粉體物質(zhì)檢測中的應(yīng)用。
【文檔編號】B82Y30/00GK106098941SQ201610435255
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年6月17日
【發(fā)明人】黃佳, 陸晶晶, 吳小晗
【申請人】同濟大學(xué)