用于密封顯示裝置的材料及包括其的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法
【專利摘要】提供了一種具有改善的機(jī)械強(qiáng)度和改善的流動(dòng)性的用于密封顯示裝置的材料、包括該材料的有機(jī)發(fā)光顯示裝置以及制造該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。該有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括：下基底，具有顯示區(qū)域和顯示區(qū)域周圍的外圍區(qū)域；顯示單元，在下基底的顯示區(qū)域上；上基底，在顯示單元上并面對(duì)下基底；以及密封構(gòu)件，在下基底的外圍區(qū)域上以將下基底和上基底粘附在一起，密封構(gòu)件包括玻璃粉、包括陶瓷材料的第一填料和包括氧化鐵的第二填料。
【專利說明】用于密封顯示裝置的材料及包括其的有機(jī)發(fā)光顯示裝置
[0001 ] 本申請(qǐng)要求于2015年4月28日提交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的第10-2015-0060080號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國(guó)專利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過引用被包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]—個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例涉及一種用于密封顯示裝置的材料、包括該材料的有機(jī)發(fā)光顯示裝置和制造該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，例如，涉及一種用于密封顯示裝置的材料(該材料具有改善的機(jī)械強(qiáng)度和改善的流動(dòng)性)、包括該材料的有機(jī)發(fā)光顯示裝置和制造該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。
【背景技術(shù)】
[0003]有機(jī)發(fā)光顯示裝置比其它顯示裝置具有更大的視角、更好的對(duì)比度特性和更快的響應(yīng)速度，因此，其作為下一代顯示裝置已經(jīng)引起關(guān)注。
[0004]通常，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括位于(例如形成在)基底上的薄膜晶體管和有機(jī)發(fā)光二極管，有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)射光。這樣的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以用作諸如移動(dòng)電話的小產(chǎn)品的顯示單元，也可以用作諸如電視的大產(chǎn)品的顯示單元。
[0005]按照利用上基底來(lái)密封其上具有(例如，其上形成有)薄膜晶體管、有機(jī)發(fā)光器件和布線圖案的下基底的方式來(lái)構(gòu)造這樣的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。例如，通過用密封材料涂覆下基底的周邊、將上基底安裝在得到的下基底上并通過利用諸如例如紫外線(UV)輻射使密封材料硬化，來(lái)將下基底和上基底彼此粘附。密封材料由玻璃料和填充玻璃料的填料形成。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]在上述有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，當(dāng)填料添加到玻璃料時(shí)，密封材料具有改善的機(jī)械強(qiáng)度，但具有劣化的流動(dòng)性，因此，在制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的過程中不容易處理密封材料，密封材料與下基底和上基底之間的結(jié)合力低。
[0007]—個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例包括一種用于密封顯示裝置的材料(該材料具有改善的機(jī)械強(qiáng)度和改善的流動(dòng)性)、包括該材料的有機(jī)發(fā)光顯示裝置和制造該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。然而，所述一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例僅僅是示例，且本發(fā)明的范圍不限于此。
[0008]另外的方面將在下面的描述中部分地進(jìn)行闡述，且部分地通過該描述將是明顯的，或可以通過實(shí)施所提出的實(shí)施例而了解。
[0009]根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括:下基底，具有顯示區(qū)域和顯示區(qū)域周圍的外圍區(qū)域；顯示單元，設(shè)置在下基底的顯示區(qū)域上；上基底，設(shè)置在顯示單元上以面對(duì)下基底；以及密封構(gòu)件，設(shè)置在下基底的外圍區(qū)域上以將下基底和上基底粘附在一起，密封構(gòu)件包括玻璃粉、包括陶瓷材料的第一填料和包括氧化鐵的第二填料。
[0010]包括在第二填料中的氧化鐵可以是Fe203。
[00?1 ]氧化鐵的晶粒可以具有大約0.1wn至大約2μπι的直徑D
[0012]第一填料可以包括具有(-90至50) X 10—7/Κ或更小的熱膨脹系數(shù)(CTE)的低熱膨脹陶瓷材料。
[0013]第一填料可以包括從由鋯(Zr)基陶瓷、堇青石、非晶硅石、鋰霞石、鈦酸鋁、鋰輝石、硅鋅礦和莫來(lái)石組成的組中選擇的至少一種。
[0014]玻璃粉可以由3Omo I % 至5Omo I % 的 V205、5mol % 至3Omo I % 的 Zn0、0mo I % 至20mol % 的Ba0、0moI % 至30mol % 的Te02、0mol % 至7mol % 的Nb205、0mol % 至7mol % 的AI2O3、Omol % 至7mol % 的Si02、0mol % 至5mol % 的Cu0、0mol % 至5mol % 的MnC>2和Omol % 至5mol %的CaO形成。
[0015]密封構(gòu)件可以包括50wt %至90wt %的玻璃粉、Iwt %至50wt %的第一填料和Iwt %至5wt %的第二填料。例如，密封構(gòu)件可以包括49wt %至90wt %的玻璃粉、Iwt %至50wt %的第一填料和1被％至5￥1:%的第二填料。
[0016]根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例，制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法包括:準(zhǔn)備具有顯示區(qū)域和顯示區(qū)域周圍的外圍區(qū)域的下基底;在下基底的顯示區(qū)域上形成顯示單元;在下基底的外圍區(qū)域上形成密封材料，密封材料包括玻璃粉、包括陶瓷材料的第一填料和包括氧化鐵的第二填料;將上基底置于下基底上，然后通過密封材料將下基底粘附到上基底。
[0017]包括在第二填料中的氧化鐵可以是Fe203。
[0018]氧化鐵的晶?？梢跃哂写蠹s0.1wii至大約2ym的直徑。
[0019]第一填料可以包括具有(-90至50)X 10—7/K或更小的熱膨脹系數(shù)(CTE)的低熱膨脹陶瓷材料。
[0020]第一填料可以包括從由鋯(Zr)基陶瓷、堇青石、非晶硅石、鋰霞石、鈦酸鋁、鋰輝石、硅鋅礦和莫來(lái)石組成的組中選擇的至少一種。
[0021 ]玻璃粉可以由 3OmoI % 至5OmoI % 的V2O5、5mol % 至3OmoI % 的ZnO、Omol % 至20mol % 的Ba0、0moI % 至30mol % 的Te02、0mol % 至7mol % 的Nb205、0mol % 至7mol % 的AI2O3、Omol % 至7mol % 的Si02、0mol % 至5mol % 的Cu0、0mol % 至5mol % 的MnC>2和Omol % 至5mol %的CaO形成。
[0022]密封構(gòu)件可以包括50wt %至90wt %的玻璃粉、Iwt %至50wt %的第一填料和Iwt %至5wt %的第二填料。例如，密封構(gòu)件可以包括49wt %至90wt %的玻璃粉、Iwt %至50wt %的第一填料和1被％至5￥1:%的第二填料。
[0023]將下基底粘附到上基底的步驟可包括:通過使激光輻射到其上形成有密封材料的(或密封材料所處的)上基底或下基底來(lái)將下基底粘附到上基底。
[0024]根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例，用于密封顯示裝置的材料包括:V2O5基玻璃粉；包括陶瓷材料的第一填料;以及包括氧化鐵的第二填料。
[0025]包括在第二填料中的氧化鐵可以是Fe203。
[0026]氧化鐵的晶?？梢跃哂写蠹s0.1wii至大約2ym的直徑。
[0027]第一填料可以包括具有(30至90)X 10—7/K或更小的熱膨脹系數(shù)(CTE)的低熱膨脹陶瓷材料。
[0028]第一填料可以包括從由鋯(Zr)基陶瓷、堇青石、非晶硅石、鋰霞石、鈦酸鋁、鋰輝石、硅鋅礦和莫來(lái)石組成的組中選擇的至少一種。
[0029]玻璃粉可以由3Omo I % 至5Omo I % 的 V205、5mol % 至3Omo I % 的 Zn0、0mo I % 至20mol % 的Ba0、0moI % 至30mol % 的Te02、0mol % 至7mol % 的Nb205、0mol % 至7mol % 的AI2O3、Omol % 至7mol % 的Si02、0mol % 至5mol % 的Cu0、0mol % 至5mol % 的MnC>2和Omol % 至5mol %的CaO形成。
[0030]該材料可以包括5(^1:%至90￥1:%的玻璃粉、]^1:%至50￥1:%的第一填料和]^1:%至5wt %的第二填料。例如，該材料可以包括49wt %至90wt %的玻璃粉、Iwt %至50wt %的第一填料和1?1:%至5￥1:%的第二填料。
【附圖說明】
[0031]通過下面結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述，實(shí)施例的這些和/或其它方面將變得明顯并且更加容易理解，在附圖中:
[0032]圖1是根據(jù)本公開的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性部分平面圖；
[0033]圖2是圖1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置沿線I1-1I截取的示意性剖視圖；
[0034]圖3是更詳細(xì)地示出了圖2的顯示單元的結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0035]圖4是圖2的密封構(gòu)件的一部分的放大圖；
[0036]圖5是示出根據(jù)本公開的實(shí)施例的密封材料的測(cè)得的粘度和對(duì)比示例的密封材料的測(cè)得的粘度關(guān)于溫度的曲線圖；
[0037]圖6是示出圖5的根據(jù)本公開的實(shí)施例的密封材料和根據(jù)對(duì)比示例的密封材料的機(jī)械強(qiáng)度的測(cè)量值的表格;以及
[0038]圖7至圖9是示意性地示出根據(jù)本公開的實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0039]現(xiàn)在將更詳細(xì)地參照某些實(shí)施例，在附圖中示出了實(shí)施例的示例，其中，同樣的附圖標(biāo)記始終表示同樣的元件。就這點(diǎn)而言，給出的實(shí)施例可以具有不同形式并且不應(yīng)該被理解為受限于在這里所闡述的描述。因此，通過參照附圖在下面僅描述實(shí)施例，以解釋本描述的實(shí)施例的多個(gè)方面。如這里使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或更多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)目的任何和所有組合。當(dāng)諸如“……中的至少一個(gè)(種)”的表述位于一列元件之后時(shí)，修飾整列的元件，而不是修飾該列的個(gè)別元件。
[0040]為了方便解釋，在這里可以使用諸如“在……之下”、“在……下面”、“下”、“在……下方”、“在……上方”、“上”等空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，以描述如附圖中所示的一個(gè)元件或特征與另外的元件或特征的關(guān)系。將理解的是，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)意圖包含除了圖中描繪的方位之外器件在使用或操作中的不同方位。例如，如果圖中的器件被翻轉(zhuǎn)，則描述為“在”其它元件或特征“下面”、“之下”或“下方”的元件隨后將被定位“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例術(shù)語(yǔ)“在……下面”和“在……下方”可以包含上方和下方兩種方位(例如，上基底可以在下基底的上方或下方)。器件可以被另外定位(例如，旋轉(zhuǎn)90度或在其它方位)并且應(yīng)該相應(yīng)地解釋在這里使用的空間相對(duì)描述語(yǔ)。
[0041]下面將參照附圖更詳細(xì)地描述本公開的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例。將利用同樣的附圖標(biāo)記來(lái)呈現(xiàn)相同的或彼此對(duì)應(yīng)的那些組件，而與圖號(hào)無(wú)關(guān)，不需要且不提供對(duì)其的重復(fù)解釋。
[0042]將理解的是，盡管在這里可以使用術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”等來(lái)描述各種組件，但是這些組件不應(yīng)該受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用來(lái)將一個(gè)組件與另一組件區(qū)分開。如在這里使用的，除非上下文另有明確指示，否則單數(shù)形式“一個(gè)”、“一種”和“該/所述”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。
[0043]還將理解的是，這里使用的術(shù)語(yǔ)“包括”和/或“包含”及其變型說明存在陳述的特征或組件，但是不排除存在或附加一個(gè)或更多個(gè)其它特征或組件。將理解的是，當(dāng)層、區(qū)域或組件被稱作“在”另一層、區(qū)域或組件“上”、“形成在”另一層、區(qū)域或組件“上”、“連接到”或“結(jié)合到”另一層、區(qū)域或組件時(shí)，該層、區(qū)域或組件可以直接或間接在所述另一層、區(qū)域或組件上、直接或間接形成在所述另一層、區(qū)域或組件上、直接或間接連接到或者直接或間接結(jié)合到所述另一層、區(qū)域或組件。即，例如，可以存在中間層、中間區(qū)域或中間組件。另外，也將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q作“在”兩個(gè)元件或?qū)印爸g”時(shí)，該元件或?qū)涌梢允撬鰞蓚€(gè)元件或?qū)又g僅有的元件或?qū)樱蛘咭部梢源嬖谝粋€(gè)或更多個(gè)中間元件或中間層。
[0044]為了便于解釋，可以夸大附圖中元件的尺寸。換言之，因?yàn)闉榱吮阌诮忉尪梢匀我獾厥境龈綀D中的組件的尺寸和厚度，所以下面的實(shí)施例不限于此。
[0045]如在這里使用的，術(shù)語(yǔ)“基本上”、“大約”和類似術(shù)語(yǔ)被用作近似的術(shù)語(yǔ)而不是程度的術(shù)語(yǔ)，并意圖解釋將被本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所認(rèn)識(shí)到的測(cè)量或計(jì)算值中的固有偏差。此外，當(dāng)描述本公開的實(shí)施例時(shí)，“可以”的使用指的是“本公開的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例”。如這里使用的，可以認(rèn)為術(shù)語(yǔ)“使用”及其變型分別與術(shù)語(yǔ)“利用”及其變型同義。另外，術(shù)語(yǔ)“示例性”意圖指示例或舉例說明。
[0046]在下面的示例中，X軸、y軸和z軸不限于直角坐標(biāo)系的三個(gè)軸，而是可以按更寬泛的含義來(lái)解釋。例如，X軸、y軸和Z軸可以彼此垂直或基本上垂直，或可以表示彼此不垂直的不同方向。
[0047]當(dāng)可以不同地實(shí)施某個(gè)實(shí)施例時(shí)，特定的工藝順序可以與所描述的順序不同地執(zhí)行。例如，兩個(gè)連續(xù)描述的工藝可以基本上在同一時(shí)間執(zhí)行或者按與所描述的順序相反的順序來(lái)執(zhí)行。
[0048]圖1是根據(jù)本公開的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性平面圖。圖2是通過沿線I1-1I截取圖1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置而獲得的示意性剖視圖。
[0049]參照?qǐng)D1和圖2，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括:下基底100;顯示單元200，設(shè)置在下基底100上;上基底400，面對(duì)下基底100;以及密封構(gòu)件300，將下基底100結(jié)合(例如，粘附)到上基底400。
[0050]下基底100可以由包含S12作為主要成分的透明玻璃材料形成。然而，用來(lái)形成下基底100的材料不限于此，且下基底100可以由透明塑料材料形成。用來(lái)形成下基底100的塑料材料可以是從由聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纖維素(TAC)和醋酸丙酸纖維素(CAP)組成的組中選擇的有機(jī)絕緣材料。
[0051 ]對(duì)于在下基底100上顯示圖像的底發(fā)射有機(jī)發(fā)光顯示裝置，下基底100可以由透明材料形成。對(duì)于在遠(yuǎn)離下基底100的方向上顯示圖像的頂發(fā)射有機(jī)發(fā)光顯示裝置，下基底100不需要由透明材料形成。例如，下基底可以包括反射材料。在這種情況下，下基底100可以由金屬形成?？梢杂脕?lái)形成下基底100的金屬可以包括從由鐵(Fe)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、不銹鋼(SUS)、因瓦合金、因科內(nèi)爾合金和可伐合金組成的組中選擇的至少一種金屬。除了金屬以外或替代金屬，下基底可以包括碳(C)。然而，下基底100不限于此。
[0052]為了使下基底100平整并防止或減少雜質(zhì)元素的滲透(例如，防止或減少雜質(zhì)滲透到有機(jī)發(fā)光顯示裝置中)，緩沖層可以在下基底100的上表面上(例如，形成在下基底100的上表面上)。下基底100可以具有其中設(shè)置有多個(gè)像素PX的顯示區(qū)域DA和圍繞顯示區(qū)域DA的外圍區(qū)域PA。
[0053]上基底400可以設(shè)置在包括顯示單元200的下基底100的上表面之上。上基底400可以設(shè)置在顯示單元200上以面對(duì)下基底100，并可以通過密封構(gòu)件300來(lái)粘附到下基底100，隨后將對(duì)其進(jìn)行更詳細(xì)的描述。
[0054]上基底400可以是由各種合適的材料形成的任何合適的基底。例如，上基底400可以是玻璃基底，如同下基底100的一些實(shí)施例，上基底400可以是諸如丙烯酰(acryl)基底的塑料基底，或可以是金屬板。在這種情況下，對(duì)于在上基底400上或通過上基底400顯示圖像的頂發(fā)射有機(jī)發(fā)光顯示裝置，上基底400可以由透明材料形成。對(duì)于在遠(yuǎn)離下基底100的方向上顯示圖像的頂發(fā)射有機(jī)發(fā)光顯示裝置，下基底100不需由透明材料形成(例如，下基底可以是反射性的)。
[0055]顯示單元200可以設(shè)置在下基底100上并可以包括多個(gè)像素PX。例如，每個(gè)像素PX可以包括多個(gè)薄膜晶體管TFT和電結(jié)合到或電連接到各個(gè)薄膜晶體管TFT的有機(jī)發(fā)光器件(0LED)240(見圖3)。隨后將參照?qǐng)D3更詳細(xì)地描述顯示單元200的結(jié)構(gòu)的實(shí)施例。
[0056]密封構(gòu)件300可以設(shè)置在下基底100的外圍區(qū)域PA上，下基底100和上基底400可以通過密封構(gòu)件300粘附在一起。密封構(gòu)件300可以被設(shè)置(例如，設(shè)定)成與顯示區(qū)域DA中設(shè)置的顯示單元200分開設(shè)定或預(yù)定的距離，密封構(gòu)件300還可以被設(shè)置在(例如，位于)從下基底100的邊緣向內(nèi)的設(shè)定或預(yù)定的距離處。密封構(gòu)件300可以是例如玻璃料(glassfrit) ο密封構(gòu)件300將下基底100和上基底400粘附在一起，例如，如上所述，顯示單元200可以通過密封構(gòu)件300來(lái)密封。
[0057]圖3是更詳細(xì)地示出了圖2的顯示單元200的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0058]參照?qǐng)D3，薄膜晶體管層190設(shè)置在下基底100上，并可以包括在下基底100上(例如，形成在下基底100上)的薄膜晶體管TFT和電容器CAP O電結(jié)合到或電連接到薄膜晶體管TFT的OLED 240可以位于薄膜晶體管層190上。薄膜晶體管TFT包括半導(dǎo)體層120、柵電極140、源電極160 s和漏電極160d，半導(dǎo)體層120包括非晶硅、晶體硅或有機(jī)半導(dǎo)體材料?，F(xiàn)在將更加詳細(xì)地描述薄膜晶體管TFT的結(jié)構(gòu)。
[0059]為了使下基底100的表面平坦化和/或防止雜質(zhì)等滲入薄膜晶體管TFT的半導(dǎo)體層120(或?yàn)榱藴p少雜質(zhì)的這種滲透)，由氧化硅、氮化硅等形成的緩沖層110可以設(shè)置在下基底100上，半導(dǎo)體層120可以位于緩沖層110上。
[0060]柵電極140設(shè)置在半導(dǎo)體層120上，源電極160s和漏電極160d響應(yīng)于施加到柵電極140的信號(hào)而彼此電連通。例如，考慮到與相鄰層的粘附、堆疊在柵電極140上的層的表面平整度和/或可加工性，柵電極140可以由從鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)和銅(Cu)中選擇的至少一種以單層或多層結(jié)構(gòu)形成。
[0061]為了確保半導(dǎo)體層120和柵電極140之間的絕緣，由氧化硅和/或氮化硅形成的柵極絕緣層130可以設(shè)置在半導(dǎo)體層120和柵電極140之間。
[0062]層間絕緣層150可以設(shè)置在柵電極140上并可以由氧化硅、氮化硅等以單層或多層結(jié)構(gòu)形成。
[0063]源電極160s和漏電極160d設(shè)置在層間絕緣層150上。源電極160s和漏電極160d可以通過在(例如，形成在)層間絕緣層150和柵極絕緣層130中的接觸孔電結(jié)合或電連接到半導(dǎo)體層120。例如，考慮到導(dǎo)電性等，源電極160s和漏電極160d均可以由從鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、絡(luò)(Cr)、.丐(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)和銅(Cu)中選擇的至少一種以單層或多層結(jié)構(gòu)形成。
[0064]保護(hù)層可以設(shè)置在薄膜晶體管TFT上以保護(hù)具有該結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管TFT。保護(hù)層可以由諸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的無(wú)機(jī)材料形成。
[0065]第一絕緣層170可以設(shè)置在下基底100上。在這種情況下，第一絕緣層170可以是平坦化層或保護(hù)層。當(dāng)OLED設(shè)置在薄膜晶體管TFT上時(shí)，第一絕緣層170主要使薄膜晶體管TFT的上表面平坦化并保護(hù)薄膜晶體管TFT和各種器件(例如，保護(hù)被第一絕緣層覆蓋的各種組件)。第一絕緣層170可以由例如丙烯酰基類有機(jī)材料或苯并環(huán)丁烯(BCB)形成。在這種情況下，如圖3中所示，緩沖層110、柵極絕緣層130、層間絕緣層150和第一絕緣層170可以在(例如，形成在)下基底100的整個(gè)表面上。
[0066]第二絕緣層180可以設(shè)置在薄膜晶體管TFT上。在這種情況下，第二絕緣層180可以是像素限定層。第二絕緣層180可以位于第一絕緣層170上并可以具有開口。第二絕緣層180在下基底100上限定像素區(qū)域。
[0067]第二絕緣層180可以是例如有機(jī)絕緣層。有機(jī)絕緣層可以包括諸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯?；惥酆衔?、聚苯乙烯(PS)、具有酚基的聚合物衍生物、酰亞胺類聚合物、芳醚類聚合物、酰胺類聚合物、氟類聚合物、對(duì)二甲苯類聚合物、乙烯基醇類聚合物或這些材料的混合物。
[0068]OLED 240可以設(shè)置在第二絕緣層180上。OLED 240可以包括像素電極210、包括發(fā)射層(EML)的中間層220和對(duì)電極230。
[0069]像素電極210可以形成為透明(或半透明)電極或反射電極。當(dāng)像素電極210形成為透明(或半透明)電極時(shí)，像素電極210可以由例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(Ιη203)、氧化銦鎵(IGO)或氧化鋅鋁(AZO)形成。當(dāng)像素電極210形成為反射電極時(shí)，像素電極210可以包括由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(制)、銥(10、鉻(0)或它們的組合形成的反射層，和由11'0、120、2110、111203、160或厶20形成的層。當(dāng)然，本公開的實(shí)施例不限于此，像素電極210可以由各種其它合適的材料中的任一種形成，并可以具有各種合適的結(jié)構(gòu)中的任一種，諸如單層或多層結(jié)構(gòu)。
[0070]中間層220可以設(shè)置在由第二絕緣層180限定的像素區(qū)域的每個(gè)上。中間層220包括根據(jù)電信號(hào)發(fā)射光的EML，且還可以包括從設(shè)置在EML和像素電極210之間的空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、設(shè)置在EML和對(duì)電極230之間的電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)中選擇的至少一層。所述至少一層以單層或多層的堆疊結(jié)構(gòu)堆疊。中間層220不限于上述結(jié)構(gòu)，并可以具有各種其它合適的結(jié)構(gòu)中的任一種。HTL、HIL、ETL和/或EIL可以一體地在(例如，形成在)下基底100的整個(gè)或基本上整個(gè)表面上，僅EML可以通過噴墨印刷在(例如，形成在)每個(gè)像素區(qū)域上，但是本公開不限于此。
[0071]中間層220可以由低分子有機(jī)材料(例如，低分子量有機(jī)材料)或高分子有機(jī)材料(例如，高分子量有機(jī)材料)形成。
[0072]當(dāng)中間層220是低分子有機(jī)層時(shí)，HTL、HIL、EML、ETL和EIL可以順序地堆疊。如果必要或要求，還可以堆疊各種其它合適的層?？梢杂脕?lái)形成中間層220的有機(jī)材料的示例(例如，低分子量有機(jī)材料的示例)包括諸如銅酞菁(CuPc)、N，N’_二(萘-1-基)-N，N’_二苯基-聯(lián)苯胺(NPB)和三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)的各種合適的材料中的任一種。
[0073]另一方面，當(dāng)中間層220是高分子有機(jī)層時(shí)，除了中間層220外可以設(shè)置HTLATL可以由聚-3，4-乙撐-二氧噻吩(聚(乙撐二氧噻吩))、聚苯胺(PANI)等形成。在這種情況下，可以用來(lái)形成中間層220的有機(jī)材料的示例包括諸如聚苯撐乙烯撐(PPV)和聚芴的高分子有機(jī)材料。在中間層220和像素電極210之間以及在中間層220和對(duì)電極230之間還可以包括無(wú)機(jī)材料。
[0074]對(duì)電極230覆蓋或基本上覆蓋包括EML的中間層220并面對(duì)像素電極210。對(duì)電極230可以設(shè)置在下基底100的整個(gè)表面上。對(duì)電極230可以形成為透明(或半透明)電極或反射電極。
[0075]當(dāng)對(duì)電極230形成為透明(或半透明)電極時(shí)，對(duì)電極230可以具有或包括由諸如例如1^、0&、1^?/^&、1^?/^1^1^8、1%或它們的組合的具有小的逸出功的金屬形成的層，和由ΙΤ0、ΙΖ0、Ζη0或In2O3形成的透明(或半透明)導(dǎo)電層。當(dāng)對(duì)電極230形成為反射電極時(shí)，對(duì)電極230可以具有或包括由1^工&、1^?/^&、1^?/^1^1^8、1%或它們的組合形成的層。對(duì)電極230的構(gòu)造和用來(lái)形成對(duì)電極230的材料不限于上述那些，可以對(duì)對(duì)電極230做各種合適的修改。
[0076]圖4是圖2的密封構(gòu)件300的圓圈部分IV的放大圖。
[0077]參照?qǐng)D4，密封構(gòu)件300可以包括玻璃粉310、第一填料320和第二填料330。根據(jù)本實(shí)施例的密封構(gòu)件300可以是例如玻璃料。
[0078]在一些實(shí)施例中，為了形成密封構(gòu)件300，首先制造玻璃料糊。玻璃料糊包括固體玻璃粉310和液體載體。玻璃粉310是通過精細(xì)地研磨通常具有至少4種化合物(或組分)的玻璃來(lái)獲得的粉末。當(dāng)密封構(gòu)件300在完成燒制后的厚度等于t麻嫩時(shí)，執(zhí)行干磨使得玻璃粉310的直徑(例如，玻璃粉310的顆粒的平均顆粒直徑)在厚度的20 %之內(nèi)(例如，玻璃粉310的顆粒的平均顆粒直徑可以是厚度t班離丨的大約20 % )。因?yàn)楹穸萾麻離4是大約3μηι至30μηι，所以玻璃粉310的平均顆粒直徑可以是大約0.6μπι至6μπι。
[0079]根據(jù)本實(shí)施例的玻璃粉310可以由V2O5基材料形成。在一些實(shí)施例中，基于玻璃粉310的總摩爾數(shù)，玻璃粉310可以由量為3011101%至5011101 %的V205、量為5mol %至30mol %的ZnO、量為OmoI % 至20mol % 的BaO、量為OmoI %至3011101 % 的1602、量為0!1101% 至7mol % 的他2〇5、量為Omol % 至7mol % 的Al2Ο3、量為OmoI % 至7mol % 的 Si02、量為Omol % 至5mol % 的CuO、量為OmoI %至5mol %的MnC>2和量為Omol %至5mol %的CaO形成。
[0080]因?yàn)闉榱嗽跓崽幚砬?后維持圖案精度，由具有低熱膨脹系數(shù)(CTE)的玻璃形成使用密封構(gòu)件300的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的下基底100和上基底400，所以用來(lái)形成玻璃料糊的玻璃粉310可以具有(或需要具有)與下基底100和上基底400的各自的CTE盡可能幾乎相似的 CTE。
[0081 ]為了通過部分地熔化密封構(gòu)件300來(lái)將下基底100附著到上基底400，密封構(gòu)件300可以(或需要)在可能的或?qū)嶋H的最低溫度熔化，然后平滑地流動(dòng)，以在下基底100和上基底400之間形成強(qiáng)的機(jī)械結(jié)合。這樣的玻璃可以具有物理上的高CTE，并由于分子間弱的結(jié)合力而可能具有極其弱的抗沖擊性。換言之，即使有小的外力，也是容易產(chǎn)生裂紋。
[0082]因此，為了補(bǔ)償玻璃粉310的弱的抗沖擊性和高CTE，當(dāng)形成玻璃料糊時(shí)，包括具有相對(duì)低的CTE的陶瓷材料的第一填料320添加到具有相對(duì)高的CTE的玻璃粉310。這樣，第一填料320可以是任何合適的材料，只要第一填料320具有比玻璃粉310的CTE低的CTE即可。為了允許第一填料320具有合適的或最優(yōu)的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)與低的CTE，第一填料320可以被形成為包括具有(-90至50) X 10—7/K或更小的CTE的低熱膨脹陶瓷。例如，低熱膨脹陶瓷可以具有大于O至50 X 10—Vk的CTE、90 X 10—7/K或更小的CTE、大于O至90 X 10—Vk或更小的CTE或者(30至90) X 10—7/K或更小的CTE。低熱膨脹陶瓷可以是例如鋯(Zr)基陶瓷、堇青石、非晶硅石、鋰霞石、鈦酸鋁、鋰輝石、硅鋅礦、莫來(lái)石或鎢磷酸鋯(ZWP)。這樣，通過將第一填料320與玻璃粉310混合，可以增大密封構(gòu)件300的機(jī)械強(qiáng)度(例如，楊氏模量或斷裂韌性)。
[0083]然而，當(dāng)如上所述密封構(gòu)件300包括第一填料320時(shí)，可以改善密封構(gòu)件300的機(jī)械強(qiáng)度，但是在跌落沖擊過程中應(yīng)力聚集在第一填料320上。例如，有機(jī)發(fā)光顯示裝置會(huì)因跌落而易于損壞或破壞。
[0084]另外，當(dāng)如上所述第一填料320添加到玻璃粉310時(shí)，密封構(gòu)件300的流動(dòng)性急劇下降。例如，因?yàn)槊芊鈽?gòu)件300的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg低于下基底100和上基底400的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg，所以在下基底100和密封構(gòu)件300之間的界面以及上基底400和密封構(gòu)件300之間的界面上不發(fā)生化學(xué)結(jié)合，密封構(gòu)件300的分子在界面上抓住下基底100的分子和上基底400的分子。即，例如，在界面上發(fā)生了機(jī)械結(jié)合。需要密封構(gòu)件300的高流動(dòng)性，以允許順利地發(fā)生這樣的機(jī)械結(jié)合。然而，當(dāng)如上所述僅將第一填料320添加到玻璃粉310時(shí)，密封構(gòu)件300的流動(dòng)性急劇降低。
[0085]因此，由于將第一填料320添加到玻璃粉310，補(bǔ)充了(例如，補(bǔ)償了)玻璃粉310的弱的抗沖擊性，補(bǔ)償了其高的CTE，并改善了其機(jī)械強(qiáng)度。然而，降低了流動(dòng)性，流動(dòng)性在密封構(gòu)件300將下基底100附著到上基底400時(shí)是期望的或必要的。
[0086]因此，在根據(jù)本公開的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，將除了第一填料320之外的包括氧化鐵的第二填料330添加到密封構(gòu)件300，使得可以改善(或補(bǔ)償)玻璃粉310的特性，并可以顯著地解決(例如，顯著地減少)僅將第一填料320添加到密封構(gòu)件300時(shí)可能發(fā)生的流動(dòng)性問題。
[0087]第二填料330可以通過包括氧化鐵來(lái)形成，用來(lái)形成第二填料330的氧化鐵可以是Fe203。第二填料330可以被形成為具有直徑為Ο.?μπι至2μπι的晶粒。
[0088]如上所述，密封構(gòu)件300可以包括玻璃粉310、第一填料320和第二填料330。在一些實(shí)施例中，基于密封構(gòu)件300的總重量，密封構(gòu)件300可以包括量為50wt %至90wt %的玻璃粉310、量為Iwt %至50?七%的第一填料320和量為Iwt %至5?七％的第二填料330。例如，密封構(gòu)件300可以包括量為49wt %至90wt %的玻璃粉、量為Iwt %至50?丨%的第一填料和量為1￥七％至5￥丨％的第二填料。例如，密封構(gòu)件300可以包括量為70?丨％至85￥丨％的玻璃粉310、量為25wt %至30wt %的第一填料320和量為Iwt %至3wt %的第二填料330。
[0089]因?yàn)槊芊鈽?gòu)件300包括除了第一填料320之外的包括氧化鐵的第二填料330，所以可以改善密封構(gòu)件300的機(jī)械強(qiáng)度，并可以顯著地補(bǔ)償(例如，明顯地增大)其流動(dòng)性。
[0090]圖5是示出根據(jù)本公開的實(shí)施例的密封材料的測(cè)得的粘度和對(duì)比示例的密封材料的測(cè)得的粘度關(guān)于溫度的曲線圖。
[0091 ]參照?qǐng)D5，示出了由于添加第二填料330到密封構(gòu)件300的粘度-溫度特性的測(cè)量，X軸表示溫度梯度(表示密封構(gòu)件300的溫度)，Y軸表示相對(duì)于溫度的粘度變化。圖5的曲線圖示出了Α、Α’和B作為對(duì)比示例和實(shí)施例。A表示對(duì)比示例I，Α’表示對(duì)比示例2，Β表示本公開的實(shí)施例。為了獲得圖5的曲線圖，用A、A ’和B涂覆玻璃基底的上表面，然后測(cè)量A、A ’和B的各自的特性。圖5示出了當(dāng)B是根據(jù)本公開的實(shí)施例的用于密封顯示裝置的材料時(shí)的相對(duì)于溫度的粘度、當(dāng)A是根據(jù)對(duì)比示例I的僅由玻璃粉310形成而沒有添加填料的玻璃料糊時(shí)的相對(duì)于溫度的粘度，以及當(dāng)Α’是根據(jù)對(duì)比示例2的僅添加第一填料320到玻璃料糊A的結(jié)果時(shí)的相對(duì)于溫度的粘度。
[0092]對(duì)于根據(jù)粘度的溫度的定義，將粘度為13.3時(shí)的溫度定義為玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg;將粘度為8.9時(shí)的溫度定義為“初始收縮”時(shí)的溫度Tfs，即，例如，開始發(fā)生收縮;將粘度為7.9時(shí)的溫度定義為“最大收縮”時(shí)的溫度，S卩，例如，發(fā)生最大或基本上最大的收縮;將粘度為6.6時(shí)的溫度定義為“軟化點(diǎn)”溫度，即，例如，玻璃開始熔化時(shí)的溫度Tsp ;將粘度為4.5時(shí)的溫度定義為“半球點(diǎn)”溫度，即，例如，玻璃熔化并轉(zhuǎn)變?yōu)榘肭蛐螘r(shí)的溫度Thbp;以及將粘度為3.1時(shí)的溫度定義為“流動(dòng)點(diǎn)”溫度，即，例如，玻璃完全或基本上完全熔化并散開時(shí)的溫度。
[0093]參照?qǐng)D5，Α、Α’和B中的每個(gè)具有在大約276°C處的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg。當(dāng)從玻璃化轉(zhuǎn)變溫度!^逐漸升高溫度時(shí)，首先，A的初始收縮Tfs是大約274°C，其軟化點(diǎn)Tsp是大約331°C，其半球點(diǎn)Thbp是大約500 °C。作為僅將第一填料320添加到玻璃料糊A的結(jié)果的A’的初始收縮Tfs是大約270°C，其軟化點(diǎn)Tsp是大約668°C，其半球點(diǎn)Thbp為足夠高的值以致偏離測(cè)量溫度范圍(Thbp在測(cè)量范圍之外)。換言之，與A和B相比，為了達(dá)到相同的或基本相同的粘度，作為僅將第一填料320添加到玻璃料糊A的結(jié)果的A ’的溫度大大地升高。由此，看到了密封材料的機(jī)械強(qiáng)度由于添加第一填料320而增大，但其流動(dòng)性大大降低。
[0094]在已經(jīng)添加包括氧化鐵(即，F(xiàn)e2O3)的第二填料330的密封材料B中，初始收縮Tfs是大約280°C，軟化點(diǎn)Tsp是大約434°C，半球點(diǎn)Thbp是大約543°C，這些溫度略高于A的溫度，但大大低于A’的溫度。由此，看到了由于第二填料330的添加，補(bǔ)償了密封材料的機(jī)械強(qiáng)度，也大大地改善了其流動(dòng)性。
[0095]圖6是示出圖5的根據(jù)本公開的實(shí)施例的密封材料B和根據(jù)對(duì)比示例2的密封材料A’的機(jī)械強(qiáng)度的測(cè)量值的表格。
[0096]參照?qǐng)D6，實(shí)施例B是根據(jù)本公開的實(shí)施例的顯示裝置密封材料，對(duì)比示例2(密封材料A’)是僅添加第一填料320到玻璃料糊A的結(jié)果。圖6示出了在用對(duì)比示例2(密封材料A’)和一個(gè)實(shí)施例(密封材料B)分別密封有機(jī)發(fā)光顯示面板之后有機(jī)發(fā)光顯示面板的機(jī)械強(qiáng)度的測(cè)量值。換言之，通過測(cè)量面板的粘附強(qiáng)度和沖擊強(qiáng)度來(lái)對(duì)比和評(píng)估密封材料AIPB的密封能力。由按密封材料的每個(gè)條件一次使300g重量跌落在20個(gè)面板的上表面的各自中心上而使密封構(gòu)件300破壞的高度來(lái)計(jì)算沖擊強(qiáng)度(動(dòng)強(qiáng)度)。由將面板的密封構(gòu)件300的邊緣附著到底座(mount)之后通過豎直地拉面板而使密封構(gòu)件300破壞所使用的力來(lái)計(jì)算粘附強(qiáng)度(靜強(qiáng)度)。
[0097]參照沖擊強(qiáng)度的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，根據(jù)對(duì)比示例2(密封材料A’)的顯示面板的密封構(gòu)件300在7.65cm的平均高度被破壞，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例(密封材料B)的包括第二填料330的顯示面板的密封構(gòu)件300在12.05cm的平均高度被破壞。例如，根據(jù)實(shí)施例(密封材料B)的包括第二填料330的密封材料具有對(duì)抗外部沖擊的高的沖擊強(qiáng)度，例如，對(duì)比示例2(密封材料A ’)的沖擊強(qiáng)度的幾乎兩倍。
[0098]參照粘附強(qiáng)度的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，當(dāng)用6.04千克力(KgF)的平均力拉顯示面板時(shí)，根據(jù)對(duì)比示例2(密封材料A’)的顯示面板的密封構(gòu)件300被破壞，當(dāng)用6.52KgF的平均力拉顯示面板時(shí)，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例(密封材料B)的包括第二填料330的顯示面板的密封構(gòu)件300被破壞。換言之，與對(duì)比示例2(密封材料A’)相比，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例(密封材料B)的包括第二填料330的密封材料具有改善的將下基底100和上基底400粘附在一起的能力。
[0099]雖然上面已經(jīng)僅描述了有機(jī)裝置密封材料和包括該有機(jī)裝置密封材料的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，但是本公開的實(shí)施例不限于此。例如，制造該有機(jī)裝置密封材料和包括該有機(jī)裝置密封材料的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法可以屬于本公開的范圍內(nèi)。
[0100]圖7至圖9是示意性地示出根據(jù)本公開的實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的剖視圖。
[0101]參照?qǐng)D7，可以首先準(zhǔn)備或確保具有顯示區(qū)域DA和圍繞顯示區(qū)域DA的外圍區(qū)域PA的下基底100。下基底100可以由包含S12作為主要成分的透明玻璃材料形成。然而，用來(lái)形成下基底100的材料不限于此，下基底100可以由透明塑料材料形成。用來(lái)形成下基底100的塑料材料可以是從由聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纖維素(TAC)和醋酸丙酸纖維素(CAP)組成的組中選擇的有機(jī)絕緣材料。
[0102]對(duì)于在下基底100上或通過下基底100顯示圖像的底發(fā)射有機(jī)發(fā)光顯示裝置，下基底100可以由透明材料形成。然而，對(duì)于在遠(yuǎn)離下基底100的方向上顯示圖像的頂發(fā)射有機(jī)發(fā)光顯示裝置，下基底100不需要由透明材料形成(例如，下基底可以包括反射材料)。在這種情況下，下基底100可以由金屬形成?？梢杂脕?lái)形成下基底100的金屬可以包括從由鐵(Fe)、鉻(Cr)、錳(Mn)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、不銹鋼(SUS)、因瓦合金、因科內(nèi)爾合金和可伐合金組成的組中選擇的至少一種金屬。除了金屬以外或替代金屬，下基底可以包括碳(C)。然而，下基底100不限于此。
[0103]顯示單元200可以在(例如，形成在)下基底100的顯示區(qū)域DA上。顯示單元200可以包括多個(gè)像素PX。如上所述，每個(gè)像素PX可以包括多個(gè)薄膜晶體管TFT和電結(jié)合到或電連接到薄膜晶體管TFT的OLED 240。已經(jīng)參照?qǐng)D3在上面詳細(xì)地描述了顯示單元200的結(jié)構(gòu)和制造該顯示單元200的方法，因此，在這里不需要重復(fù)該描述。
[0104]參照?qǐng)D8，可以用密封材料300’涂覆下基底100的外圍區(qū)域PA。密封材料300 ’可以包括玻璃粉310、包括陶瓷材料的第一填料320和包括氧化鐵的第二填料330。
[0105]玻璃粉310可以由V2O5基材料形成，例如，可以由基于玻璃粉310的總摩爾數(shù)，量為30mol% 至50mol % 的V2O5、量為5mol % 至30mol % 的ZnO、量為Omol % 至20mol % 的BaO、量為Omol % 至30mol % 的Te02、量為Omol % 至7mol % 的Nb205、量為Omol % 至7mol % 的AI2O3、量為Omol % 至711101 % 的3;102、量為01]101 % 至5mol % 的CuO、量為Omo I % 至5mol % 的MnC>2和量為Omol % 至 5mol % 的CaO 形成。
[0106]玻璃粉310可以具有物理上的高CTE，且由于分子間(例如，玻璃粉310的分子間)弱的結(jié)合力而可能具有極其弱的抗沖擊性。因此，為了補(bǔ)償玻璃粉310的弱的抗沖擊性和高CTE，當(dāng)形成玻璃料糊時(shí)，將包括具有相對(duì)低的CTE的陶瓷材料的第一填料320添加到具有相對(duì)高的CTE的玻璃粉310。
[0107]這樣，第一填料320可以是任何合適的材料，只要第一填料320具有比玻璃粉310的CTE低的CTE即可。為了允許第一填料320具有合適的或最優(yōu)的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)和低的CTE，可以形成第一填料320以包括具有(-90至50) X 10—7/K或更小的CTE的低熱膨脹陶瓷。例如，低熱膨脹陶瓷可以具有大于ο至50 X ?ο—7/κ的cte、90 X ?ο—7/κ或更小的cte、大于ο至90 X ?ο—7/κ或更小的CTE或者(30至90) X 10—7/K或更小的CTE。低熱膨脹陶瓷可以是例如鋯(Zr)基陶瓷、堇青石、非晶硅石、鋰霞石、鈦酸鋁、鋰輝石、硅鋅礦、莫來(lái)石或ZWP O這樣，通過將第一填料320與玻璃粉310混合，可以增大密封構(gòu)件300的機(jī)械強(qiáng)度。
[0108]由于將第一填料320添加到玻璃粉310，補(bǔ)充了(例如，補(bǔ)償了)玻璃粉310的弱的抗沖擊性，補(bǔ)償了其高的CTE，并改善了其機(jī)械強(qiáng)度。然而，降低了流動(dòng)性，流動(dòng)性在密封構(gòu)件300將下基底100附著到上基底400時(shí)是期望的或必要的。
[0109]因此，在根據(jù)本公開的實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，將除了第一填料320之外的包括氧化鐵的第二填料330添加到密封構(gòu)件300，使得可以改善(或補(bǔ)償)玻璃粉310的特性，并可以顯著地解決(例如，顯著地減少)僅將第一填料320添加到密封構(gòu)件300時(shí)可能發(fā)生的流動(dòng)性問題。
[0110]第二填料330可以通過包括氧化鐵來(lái)形成，用來(lái)形成第二填料330的氧化鐵可以是Fe203。第二填料330可以被形成為具有直徑為Ο.?μπι至2μπι的晶粒。
[0111]如上所述，密封構(gòu)件300可以包括玻璃粉310、第一填料320和第二填料330。在這種情況下，基于密封構(gòu)件300的總重量，密封構(gòu)件300可以包括量為50wt %至90wt %的玻璃粉310、量為Iwt %至50wt %的第一填料320和量為Iwt %至5wt %的第二填料330。例如，基于密封構(gòu)件300的總重量，密封構(gòu)件300可以包括量為49￥丨％至90?丨％的玻璃粉310、量為1￥七％至50wt %的第一填料320和量為Iwt %至5wt %的第二填料330。例如，密封構(gòu)件300可以包括量為70￥七％至85￥七％的玻璃粉310、量為25￥七％至30￥七％的第一填料320和量為1￥七％至3wt%的第二填料330。
[0112]隨后，參照?qǐng)D9，可將上基底400置于下基底100上，然后可以通過密封構(gòu)件300將下基底100和上基底400粘附在一起。例如，可將上基底400置于下基底100上(例如，形成在下基底100上)的密封構(gòu)件300上，之后，可以用激光500照射包括密封構(gòu)件300的上基底400，從而將上基底400和下基底100粘附在一起?？梢杂眉す庹丈淦渖闲纬捎忻芊鈽?gòu)件300的下基底100，以將上基底400和下基底100粘附在一起。例如，將下基底粘附到上基底可以包括通過將激光束照射到其上形成有密封材料的上基底或下基底來(lái)將下基底粘附到上基底。
[0113]因?yàn)槊芊鈽?gòu)件300包括除了第一填料320之外的包括氧化鐵的第二填料330，所以可以改善密封構(gòu)件300的機(jī)械強(qiáng)度，并可以顯著地補(bǔ)償(例如，明顯地增大)其流動(dòng)性。
[0114]根據(jù)如上所述的一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例，可以獲得一種用于密封顯示裝置的材料(該材料具有改善的機(jī)械強(qiáng)度和改善的流動(dòng)性)、包括該材料的有機(jī)發(fā)光顯示裝置和制造該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。當(dāng)然，本公開的范圍不受此效果的限制。
[0115]應(yīng)該理解的是，這里描述的示例性實(shí)施例應(yīng)該僅以描述性的含義來(lái)考慮，而不是為了限制的目的。每個(gè)實(shí)施例中的特征或方面的描述應(yīng)該通常被認(rèn)為可用于其它實(shí)施例中的其它相似的特征或方面。
[0116]雖然已經(jīng)參照本公開的示例性實(shí)施例示出并描述了本公開的主題，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離如權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在其中做出形式上和細(xì)節(jié)上的各種改變。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括: 下基底，具有顯示區(qū)域和所述顯示區(qū)域周圍的外圍區(qū)域； 顯示單元，在所述下基底的所述顯示區(qū)域上； 上基底，在所述顯示單元上并面對(duì)所述下基底；以及 密封構(gòu)件，在所述下基底的所述外圍區(qū)域上以將所述下基底和所述上基底粘附在一起，所述密封構(gòu)件包括玻璃粉、包括陶瓷材料的第一填料和包括氧化鐵的第二填料。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述氧化鐵是Fe2O3。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第二填料的晶粒具有0.Ιμπι至2Mi的直徑。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一填料包括具有-90X10—7/κ至50 X10—7/κ或更小的熱膨脹系數(shù)的低熱膨脹陶瓷材料。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一填料包括從由鋯基陶瓷、堇青石、非晶硅石、鋰霞石、鈦酸鋁、鋰輝石、硅鋅礦和莫來(lái)石組成的組中選擇的至少一種。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述玻璃粉由量為30mol%至50mol % 的V2O5、量為5mol % 至30mol % 的ZnO、量為Omol % 至20mol % 的BaO、量為Omol % 至30mol % 的 Te02、量為 Omol % 至 7mol % 的 Nb205、量為 Omol % 至 7mol % 的 AI2O3、量為 Omol % 至7mol % 的Si02、量為Omol % 至5mol % 的CuO、量為Omol % 至5mol % 的MnC>2和量為Omol % 至5moI %的CaO形成。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述密封構(gòu)件包括量為50^%至90?^%的所述玻璃粉、量為]^1:%至5(^1:%的所述第一填料和量為1￥1:%至5￥1:%的所述第二填料。8.—種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括下述步驟: 準(zhǔn)備具有顯示區(qū)域和所述顯示區(qū)域周圍的外圍區(qū)域的下基底； 在所述下基底的所述顯示區(qū)域上形成顯示單元； 在所述下基底的所述外圍區(qū)域上形成密封材料，所述密封材料包括玻璃粉、包括陶瓷材料的第一填料和包括氧化鐵的第二填料;以及 將上基底置于所述下基底上，并通過所述密封材料將所述下基底粘附到所述上基底。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述氧化鐵是Fe2O3。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第二填料的晶粒具有0.Ιμπι至2μπι的直徑。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第一填料包括具有-90X10—7/K至50 X10—Vk或更小的熱膨脹系數(shù)的低熱膨脹陶瓷材料。12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第一填料包括從由鋯基陶瓷、堇青石、非晶硅石、鋰霞石、鈦酸鋁、鋰輝石、硅鋅礦和莫來(lái)石組成的組中選擇的至少一種。13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述玻璃粉由量為30mol%至50mol%的V2O5、量為5mo I % 至30moI % 的ZnO、量為Omo I % 至20mo I % 的BaO、量為Omo I % 至30mo I % 的TeO2、量為Omol %至7mol %的他2〇5、量為Omol %至7mol %的AI2O3、量為Omol %至7mol %的Si02、量為Omol % 至5mol % 的CuO、量為OmoI % 至5mol % 的MnC>2和量為Omol %至5mol % 的CaO形成。14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述密封構(gòu)件包括量為5(^1:%至9(^1:%的所述玻璃粉、量為1被％至5(^1:%的所述第一填料和量為1￥1:%至5￥1:%的所述第二填料。15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，將所述下基底粘附到所述上基底的步驟包括:通過使激光束輻射到其上形成有所述密封材料的所述上基底或所述下基底來(lái)將所述下基底粘附到所述上基底。16.—種用于密封顯示裝置的材料，所述材料包括: V2O5基玻璃粉； 第一填料，包括陶瓷材料；以及 第二填料，包括氧化鐵。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的材料，其中，所述氧化鐵是Fe2O3。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的材料，其中，所述第二填料的晶粒具有0.Um至2μπι的直徑。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的材料，其中，所述第一填料包括具有30X10—7/κ至90 X10—7/κ或更小的熱膨脹系數(shù)的低熱膨脹陶瓷材料。20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的材料，其中，所述第一填料包括從由鋯基陶瓷、堇青石、非晶硅石、鋰霞石、鈦酸鋁、鋰輝石、硅鋅礦和莫來(lái)石組成的組中選擇的至少一種。21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的材料，其中，所述玻璃粉由量為30mol%至50mol %的V2O5、量為5mo I % 至30moI % 的ZnO、量為Omo I % 至20mo I % 的BaO、量為Omo I % 至30mo I % 的TeO2、量為Omol %至7mol %的他2〇5、量為Omol %至7mol %的AI2O3、量為Omol %至7mol %的Si02、量為Omol % 至5mol % 的CuO、量為OmoI % 至5mol % 的MnC>2和量為Omol %至5mol % 的CaO形成。22.根據(jù)權(quán)利要求16所述的材料，其中，所述材料包括量為50^%至90^%的所述玻璃粉、量為1被％至5(^1:%的所述第一填料和量為1￥1:%至5￥1:%的所述第二填料。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK106098959SQ201610274243
【公開日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年4月28日 公開號(hào)201610274243.3, CN 106098959 A, CN 106098959A, CN 201610274243, CN-A-106098959, CN106098959 A, CN106098959A, CN201610274243, CN201610274243.3
【發(fā)明人】孔守喆, 黃賢旻, 金炫英, 黃錫俊
【申請(qǐng)人】三星顯示有限公司, 大和電子株式會(huì)社