一種碳包覆SnO₂中空納米球復(fù)合材料及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種碳包覆SnO2中空納米球復(fù)合材料及其制備方法，其特征是首先在Sn2+輔助下水熱反應(yīng)得到SnO2中空納米球前驅(qū)體，然后采用水熱?煅燒法得到碳包覆SnO2中空納米球復(fù)合材料。本發(fā)明的方法易于操作、原料廉價，并且設(shè)備簡單、易于工業(yè)化生產(chǎn)。
【專利說明】-種碳包覆Sn化中空納米球復(fù)合材料及其制備方法 -、技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于功能材料技術(shù)領(lǐng)域，具體設(shè)及碳包覆Sn化中空納米球復(fù)合材料及其制 備方法。 二、【背景技術(shù)】
[0002] Sn化是一種n型寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)良的光學(xué)、電化學(xué)、催化、氣敏等性能。 Sn化理論嵌裡容量高達(dá)780mAhg-i，且充放電平臺較低、安全性能良好、自然儲量豐富，是一 種有前景的負(fù)極材料。然而，在作為裡離子電池負(fù)極材料時，Sn〇2在充放電過程中，其體積 發(fā)生巨大的變化(超過300%)，從而導(dǎo)致活性材料粉化W及和導(dǎo)電基底脫離，使得電池容量 急劇下降，循環(huán)性能變差。近年來，科學(xué)研究者們嘗試一些策略來緩解運個問題，如構(gòu)建中 空（多孔)結(jié)構(gòu)W提高材料的儲裡容量，制備納米材料W應(yīng)對充放電過程中的體積變化、制 備活性/非活性復(fù)合材料（當(dāng)體積變化時，非活性材料能夠作為一個封閉的緩沖層)等。然 而，僅中空結(jié)構(gòu)不能提高材料的循環(huán)性能，同樣，材料納米化也不能根本解決問題(材料由 于低能量密度易團(tuán)聚，使得容量急劇下降）。相對而言，構(gòu)建活性/非活性復(fù)合材料是一種有 潛力的方法。
[0003] 碳，一種在地球上儲量豐富的元素，具有高的電子傳導(dǎo)率，作為一種非活性緩沖材 料，碳材料能夠充當(dāng)一種結(jié)構(gòu)緩沖層，減輕負(fù)極在充放電過程中由體積變化而帶來的機(jī)械 壓力。因此，在Sn化納米結(jié)構(gòu)的表面上包覆一層無定形碳具有明顯的優(yōu)勢：第一，碳材料可 W作為一個界限來抑制活性粒子的團(tuán)聚，從而在循環(huán)過程中提高負(fù)極結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性;第二， 碳材料能夠充當(dāng)一個緩沖基質(zhì)，緩和脫嵌裡過程中電極的膨脹;第=，碳具有高電子傳導(dǎo) 率，有利于提高活性材料的導(dǎo)電率;第四，碳材料本身也能夠存儲Li,可W提高負(fù)極材料的 比容量。設(shè)計、構(gòu)筑金屬氧化物/碳復(fù)合結(jié)構(gòu)，發(fā)揮材料的協(xié)同效應(yīng)，是解決金屬氧化物或碳 材料單獨作為電極材料所存在的不足、發(fā)展新型負(fù)極材料的有效途徑。
[0004] 依據(jù)碳材料的不同來源W及制備難易程度，Sn〇2-Carbon復(fù)合材料制備方法主要 分為=種。第一種，首先制備所需碳結(jié)構(gòu)，然后W此碳基質(zhì)為載體，負(fù)載Sn化，從而得到復(fù)合 結(jié)構(gòu)。Zhu等預(yù)先制備多孔活性碳，然后將活性碳浸入混有SnCh的溶液中，采用超聲化學(xué) 法，使得Sn化納米顆粒均勻分散于碳基質(zhì)的表面，得從而到Sn化@C多孔結(jié)構(gòu)。然后再將其置 于薦糖溶液中，處理后于500°C下般燒，使得Sn化@C多孔結(jié)構(gòu)表面覆上一層薄薄的碳，即實 驗產(chǎn)物碳包覆Sn化@C多孔結(jié)構(gòu)。在高電流密度1000 mAg^i下，100次循環(huán)后，其可逆容量依然 超過400mAhg-i。運種方法所制備的負(fù)極材料展現(xiàn)了良好的電化學(xué)特性，并且形貌結(jié)構(gòu)容易 控制，但是過程繁瑣，且變化因素過多。第二種，直接制備Sn化/碳基質(zhì)前驅(qū)體，經(jīng)過后續(xù)處 理得到Sn化/C復(fù)合結(jié)構(gòu)。Yin等利用SnS〇4和葡萄糖分別為錫源、碳源，在乙醇/水（2:1體積 比）下水熱反應(yīng)合成多孔Sn化/C復(fù)合材料。40次循環(huán)周期后，可逆容量為680mAhg-i(電流倍 率為0.3C)，此反應(yīng)條件溫和、環(huán)保，循環(huán)性能好。但運一種方法看似簡單，卻非常難W控制 復(fù)合結(jié)構(gòu)的形貌結(jié)構(gòu)。第=種，預(yù)先制備得到特定的Sn化前驅(qū)體，然后再在特定Sn化結(jié)構(gòu)上 包覆一層碳?；痚n等首先W聚丙乙締球(PS)為模板合成PS/Sn〇2,然后WSnCh為錫源，水熱 法結(jié)合般燒(除去內(nèi)部PS)得到Sn化納米顆粒/C納米球復(fù)合材料，其中Sn化顆粒大小為lOnm。 在電流密度為IOOmAg^下，50次循環(huán)后，可逆比容量保持在495mAhg^。運種合成策略優(yōu)勢在 于前期采用模板法使得Sn化形貌易于控制，過程較為簡單，但復(fù)合材料電化學(xué)循環(huán)性能較 差D H、
【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明提供一種碳包覆Sn化中空納米球復(fù)合材料及其制備方法，旨在采用水熱法 結(jié)合般燒處理得到結(jié)晶度好、形貌結(jié)構(gòu)均勻的碳包覆Sn化中空納米球。
[0006] 本發(fā)明解決技術(shù)問題，采用如下技術(shù)方案：
[0007]本發(fā)明的碳包覆Sn化中空納米球復(fù)合材料的制備方法，其特點在于按如下步驟進(jìn) 行：
[000引曰、將30mL無水乙醇、3mL蒸饋水和0.8mL濃鹽酸加入50mL血清瓶內(nèi)，用磁力攬拌器 攬拌3min;然后加入0.25g氯化亞錫，在室溫下超聲Smin，再磁力攬拌化，得混合液A;
[0009]將混合液A轉(zhuǎn)移到50mL聚四氣乙締反應(yīng)蓋中，在200°C下反應(yīng)12h;待反應(yīng)結(jié)束后， 自然冷卻至室溫，所得產(chǎn)物離屯、、沖洗、干燥，獲得Sn化中空納米球前驅(qū)體；
[0010] b、稱取0.97g~2.97g D-葡萄糖加入40mL水中，超聲8min;加入O.lg Sn〇2中空納 米球前驅(qū)體，繼續(xù)超聲30min，得混合液B;
[00川將所述混合液B轉(zhuǎn)移到50mL聚四氣乙締反應(yīng)蓋中，180°C反應(yīng)2~化，然后自然冷卻 至室溫，所得產(chǎn)物離屯、、沖洗、干燥，獲得Sn化中空納米球/碳化前驅(qū)體；
[0012] C、將所述Sn化中空納米球/碳化前驅(qū)體放在馬弗爐內(nèi)，W氮氣為保護(hù)氣，W5°C/ min的升溫速率升溫至500°C，恒溫般燒化，即得目標(biāo)產(chǎn)物。
[0013]本發(fā)明進(jìn)一步公開了上述制備方法所制備的碳包覆Sn化中空納米球復(fù)合材料。
[0014] 與已有技術(shù)相比，本發(fā)明有益效果體現(xiàn)在：
[0015] 1、本發(fā)明中的原料簡單、廉價，使用的溶劑為去離子水與乙醇，大大降低了成本；
[0016] 2、本發(fā)明在水熱反應(yīng)和后續(xù)處理過程中，不增加任何添加劑，減少了生產(chǎn)工序和 生產(chǎn)設(shè)備，且水熱反應(yīng)和般燒處理時間較短；
[0017] 3、本發(fā)明的方法中通過對水熱時間、D-葡萄糖濃度的調(diào)節(jié)，可W得到不同碳層厚 度的復(fù)合材料。
[0018] 4、本發(fā)明通過水熱法結(jié)合般燒得到不同碳層厚度的碳包覆Sn化中空納米球復(fù)合 材料;方法簡單、環(huán)保，易于規(guī)模化生產(chǎn)。 四、【附圖說明】
[0019]圖巧實施例壞同D-葡萄糖濃度下所得各樣品的邸D圖。
[0020] 圖2為實施例壞同D-葡萄糖濃度下所得各樣品的TEM圖，其中：圖2曰、圖2c、圖2e、 圖2g是W超薄碳膜為基底進(jìn)行觀察的圖像，分別對應(yīng)0.125M、0.16M、0.25M、0.375M濃度下 的樣品；圖化、圖2d、圖2f、圖化是W銅網(wǎng)為基底進(jìn)行觀察的圖像，分別對應(yīng)0.125M、0.16M、 0.25M、0.375M濃度下的樣品。
[0021] 圖3為實施例1不同D-葡萄糖濃度下的熱重分析曲線圖，可W看出對應(yīng)D-葡萄糖濃 度為0.1251、0.161、0.251、0.3751下，產(chǎn)物的無定形碳所占質(zhì)量比分別為16.88%、 17.14%、22.75%、22.23%。
[0022] 圖4為實施例2不同反應(yīng)時間下所得各樣品的XRD圖，從圖中可W看出隨著反應(yīng)時 間的增加能夠提高產(chǎn)物的結(jié)晶度。
[0023] 圖5為實施例2不同反應(yīng)時間下所得各樣品的TEM圖，其中：圖5a、圖5c、圖5e、圖5g 是W超薄碳膜為基底進(jìn)行觀察的圖像，分別對應(yīng)反應(yīng)時間為化、3h、化、化時的樣品；圖5b、 圖5d、圖5f、圖化是W銅網(wǎng)為基底進(jìn)行觀察的圖像，分別對應(yīng)反應(yīng)時間為化、3h、化、化時的 樣品。
[0024] 圖6為實施例2不同反應(yīng)時間下所得各樣品的的Raman能譜，在水熱時間為化、3h、 5h、化下，拉曼峰強(qiáng)比Ig^d分別為1.32，1.28，1.26，1.25，隨著水熱反應(yīng)時間的增加，G峰與D 峰的強(qiáng)度比隨之增強(qiáng)，顯示著無定形碳結(jié)構(gòu)的形成。
[0025] 圖7為實施例3碳包覆中空Sn化納米球復(fù)合結(jié)構(gòu)負(fù)極在0.0-2.5V之間的循環(huán)伏安 曲線，從圖中可W看出，不可逆峰在0.87V處，合金化還原峰在0-0.45V。
[0026] 圖8為實施例3碳包覆中空Sn化納米球復(fù)合材料的充放電曲線，可W看出在0.5C電 流倍率下首次放電容量和充電容量分別為711.26mAhg^、552.69mAhg^。
[0027] 圖9為實施例3碳包覆中空Sn化納米球復(fù)合材料的循環(huán)性能圖，從圖中可W看出在 電流倍率為0.5C下30次循環(huán)后，電池容量變化趨于穩(wěn)定，保持可逆容量在418.22mAh/g左 -?" O
[00%]圖10為實施例3碳包覆中空Sn化納米球復(fù)合材料在不同電流密度下的倍率性能 圖，在倍率為0.5(：、1(：、2(：、5(：條件下，循環(huán)10次后其可逆容量分別為433.62111411邑-1、 400.86mAhg-i、373.65mAhg-i、327. SOmAhg-I，返回測試倍率為0.5C，循環(huán)10次后其可逆容量 仍然保持為405.7mAhg^。 五、【具體實施方式】
[0029] 下述實施例中樣品形貌結(jié)構(gòu)的表征方法如下：
[0030] a、X射線衍射(X畑)分析:利用D/MAX-2500V型X射線衍射儀對樣品進(jìn)行了 X畑分析， Cu-Ka福射源U= 1 .斜幻874A)，掃描范圍為10-80°。
[0031] b、透射電子顯微鏡(TEM)分析：用場發(fā)射透射電子顯微鏡(JEM-2100F)進(jìn)行了 TEM 圖像觀察。測試TOM時，將樣品放入乙醇溶液中超聲分散，然后用超薄碳膜或銅網(wǎng)為基底進(jìn) 行拱取，在電鏡下觀察其形貌及結(jié)構(gòu)特征。
[0032] C、顯微共焦激光拉曼(Raman)分析:采用皿Evolution長焦長高分辨全自動拉曼 光譜系統(tǒng)對樣品進(jìn)行Raman分析
[0033] d、同步熱分析(TGA):利用STA449F3型熱重分析儀對樣品進(jìn)行了 TGA分析測試。
[0034] 實施例1
[0035] 本實施例碳包覆Sn化中空納米球復(fù)合材料的具體制備過程如下：
[0036] 1、用移液管將30mL無水乙醇、3mL蒸饋水和0. SmL濃鹽酸加入50mL血清瓶內(nèi)，用磁 力攬拌器攬拌3min;然后加入0.25g氯化亞錫，在室溫下超聲Smin，再磁力攬拌Ih，得混合液 A;
[0037] 將混合液A轉(zhuǎn)移到50mL聚四氣乙締反應(yīng)蓋中，在200°C下反應(yīng)12h;待反應(yīng)結(jié)束后， 自然冷卻至室溫，所得產(chǎn)物依次用蒸饋水、乙醇清洗、離屯、3次，最后再將處理后的白色產(chǎn)物 在60°C下干燥完全，獲得Sn化中空納米球前驅(qū)體；
[003引2、分別稱取0.97g、1.49g、1.98g、2.97gD-葡萄糖加入40mL水中（濃度分別為 0.1251、0.161、0.251、0.3751)，超聲8111111;然后分別加入0.1邑51102中空納米球前驅(qū)體，繼 續(xù)超聲30min，得一系列混合液B;
[0039] 將上述混合液B分別轉(zhuǎn)移到50mL聚四氣乙締反應(yīng)蓋中，并在180°C下分別反應(yīng)化， 然后自然冷卻至室溫。
[0040] 用離屯、機(jī)分離出黑色產(chǎn)物，并用去離子水和乙醇分別沖洗若干次，然后將產(chǎn)物在 60°C恒溫干燥箱中干燥化，獲得一系列Sn化中空納米球/碳化前驅(qū)體。
[0041] 3、將步驟2中得到的Sn化中空納米球/碳化前驅(qū)體置于馬弗爐內(nèi)，W氮氣為保護(hù) 氣，W5°C/min的升溫速率升溫至500°C，恒溫般燒化，所得黑色粉末即為目標(biāo)產(chǎn)物。
[0042] 圖訪本實施例不同D-葡萄糖濃度下所得各樣品的邸D圖，從圖中可W看出D-葡萄 糖濃度的增加能夠提高產(chǎn)物的結(jié)晶度。
[0043] 圖2為本實施例不同D-葡萄糖濃度下所得各樣品的TEM圖，其中圖2曰、圖2c、圖2e、 圖2g是W超薄碳膜為基底進(jìn)行觀察的圖像，分別對應(yīng)0.125M、0.16M、0.25M、0.375M濃度下 的樣品；圖化、圖2d、圖2f、圖化是W銅網(wǎng)為基底進(jìn)行觀察的圖像，分別對應(yīng)0.125M、0.16M、 0.25M、0.375M濃度下的樣品。從圖中可W看出產(chǎn)物是WSn化中空納米球為核、W碳層為殼 的復(fù)合結(jié)構(gòu)，且隨著D-葡萄糖濃度的增加，產(chǎn)物的碳層厚度變化為：不明顯、10nm、15nm、 14nm〇
[0044] 圖3為本實施例不同D-葡萄糖濃度下的熱重分析曲線圖，可W看出對應(yīng)D-葡萄糖 濃度為0.1251、0.161、0.251、0.3751下，產(chǎn)物的無定形碳所占質(zhì)量比分別為16.88%、 17.14%、22.75%、22.23%。
[0045] 實施例2
[0046] 本實施例碳包覆Sn化中空納米球復(fù)合材料的具體制備過程如下：
[0047] 1、用移液管將30mL無水乙醇、3mL蒸饋水和0. SmL濃鹽酸加入50mL血清瓶內(nèi)，用磁 力攬拌器攬拌3min;然后加入0.25g氯化亞錫，在室溫下超聲Smin，再磁力攬拌Ih，得混合液 A；
[004引將混合液A轉(zhuǎn)移到50mL聚四氣乙締反應(yīng)蓋中，在200°C下反應(yīng)12h;待反應(yīng)結(jié)束后， 自然冷卻至室溫，所得產(chǎn)物依次用蒸饋水、乙醇清洗、離屯、3次，最后再將處理后的白色產(chǎn)物 在60°C下干燥完全，獲得Sn化中空納米球前驅(qū)體；
[0049] 2、稱取1.98g D-葡萄糖加入40血水中，超聲8min;然后分別加入0.1 g Sn化中空納 米球前驅(qū)體，繼續(xù)超聲30min，得一系列混合液B;
[0050] 將上述混合液B分別轉(zhuǎn)移到50mL聚四氣乙締內(nèi)襯的反應(yīng)蓋中，并在180°C下分別反 應(yīng)化、3h、化、7h，然后自然冷卻至室溫。
[0051] 用離屯、機(jī)分離出黑色產(chǎn)物，并用去離子水和乙醇分別沖洗若干次，然后將產(chǎn)物在 60°C恒溫干燥箱中干燥化，獲得Sn化中空納米球/碳化前驅(qū)體。
[0052] 3、將步驟2中得到的Sn化中空納米球/碳化前驅(qū)體置于馬弗爐內(nèi)W氮氣為保護(hù)氣， W5°C/min的升溫速率升溫至500°C，恒溫般燒化，所得黑色粉末即為目標(biāo)產(chǎn)物。
[0053] 圖4為本實施例不同反應(yīng)時間下所得各樣品的XRD圖，從圖中可W看出，隨著反應(yīng) 時間的增加，產(chǎn)物的結(jié)晶度不斷提高。
[0054] 圖5為本實施例不同反應(yīng)時間下所得各樣品的TEM圖，其中：圖5a、圖5c、圖5e、圖5g 是W超薄碳膜為基底進(jìn)行觀察的圖像，分別對應(yīng)反應(yīng)時間為化、3h、化、化時的樣品；圖5b、 圖5d、圖5f、圖化是W銅網(wǎng)為基底進(jìn)行觀察的圖像，分別對應(yīng)反應(yīng)時間為化、3h、化、化時的 樣品。從圖化中明顯的晶格條紋顯示了 Sn化良好的結(jié)晶度，從圖中可W看出產(chǎn)物是WSn化中 空納米球為核、W碳層為殼的復(fù)合結(jié)構(gòu)，且隨著D-葡萄糖濃度的增加，產(chǎn)物的碳層厚度變化 為:不明顯、8nm、15nm、17nm。
[0055] 圖6為本實施例不同反應(yīng)時間下所得各樣品的Raman能譜，可W看出在水熱時間為 2h、化、5h、化下，樣品的拉曼峰強(qiáng)比IgAd分別為1.32、1.28、1.26、1.25，隨著水熱反應(yīng)時間 的增加，G峰與D峰的強(qiáng)度比隨之增強(qiáng)，顯示著無定形碳結(jié)構(gòu)的形成。
[0056] 實施例3
[0057]本實施例W實施例1中對應(yīng)1.98g D-葡萄糖的樣品為例，現(xiàn)聯(lián)其性能：
[005引負(fù)極片的制備：按80:10:10的質(zhì)量比稱取碳包覆Sn化中空納米球復(fù)合材料、導(dǎo)電 劑乙烘黑和粘結(jié)劑PVDF，在研鉢中研磨化至混合均勻。加入NMP，繼續(xù)研磨30min，得到均勻 的漿液。用刮刀將漿液均勻涂覆在侶錐上，置于真空干燥箱中60°C干燥化后，升溫至120°C 恒溫干燥lOh。冷卻至室溫后，用打孔器制得負(fù)極片。
[0059] 半電池的組裝:在一個充滿高純氣氣的手套箱中進(jìn)行。正極采用未被氧化的金屬 裡片，隔膜為Celgard2400型薄膜，電解液是1.0M LiPFs在體積比為1:1的EC(碳酸乙締醋） 和DMC(碳酸二乙醋）中的混合溶液。將涂覆有負(fù)極活性材料的負(fù)極片、裁剪好的隔膜依次放 入實驗?zāi)＞唠姵刂小＿M(jìn)入手套箱前確保箱內(nèi)充滿氣氣，并檢查不漏氣。將電池模具殼放好， 放入金屬裡片，滴入6~10滴電解液，蓋上并梓緊模具電池蓋，擦干電池外殼殘余的電解液 后，移出手套箱。整個組裝過程應(yīng)確保電解液足量，且負(fù)極、隔膜、正極均在模具電池中央部 位。使用萬用電表測其開路電壓，檢查電池是否正常，靜止1化后進(jìn)行電化學(xué)性能測試。在電 壓范圍為0-2.5V、掃描速率為0.1 mA下進(jìn)行循環(huán)伏安測試；同時在電壓變化區(qū)間為0-2.5V 下通過恒電流充放電法測量電極容量，并測試其在不同倍率下的電化學(xué)性能。
[0060] 圖7為碳包覆中空Sn化納米球復(fù)合材料負(fù)極在0.0-2.5V之間的循環(huán)伏安曲線，從 圖中可W看出，在0.87V處峰代表了Sn化與裡離子生成Sn金屬與Li2〇的不可逆反應(yīng)，還原峰 在0-0.45V代表Sn金屬與Li進(jìn)行的合金化反應(yīng)。
[0061 ]圖8為碳包覆中空Sn化納米球復(fù)合材料的充放電曲線，可W看出在0.5C電流倍率 下首次放電容量和充電容量分別為711.26mAhg^、552.69mAhg^。
[0062] 圖9為碳包覆中空Sn化納米球復(fù)合材料的循環(huán)性能圖，從圖中可W看出在電流倍 率為0.5C下30次循環(huán)后，電池容量變化趨于穩(wěn)定，保持可逆容量在418.22mAhg^g左右。
[0063] 圖10為碳包覆中空Sn化納米球復(fù)合材料在不同電流密度下的倍率性能圖，在倍率 為0.5(：、1(：、2(：、5(：條件下，循環(huán)10次后其可逆容量分別為433.62111411旨-1、400.86111411邑-1、 373.65mAhg-i、327 . SOmAhg-I，返回測試倍率為0.5C，循環(huán)10次后其可逆容量仍然保持為 405.7 mAhg-i。
【主權(quán)項】
1. 一種碳包覆Sn〇2中空納米球復(fù)合材料的制備方法，其特征在于按如下步驟進(jìn)行： a、 將30mL無水乙醇、3mL蒸餾水和0.8mL濃鹽酸加入50mL血清瓶內(nèi)，用磁力攪拌器攪拌 3min;然后加入0.25g氯化亞錫，在室溫下超聲8min，再磁力攪拌lh，得混合液A; 將混合液A轉(zhuǎn)移到50mL聚四氟乙烯反應(yīng)釜中，在200°C下反應(yīng)12h;待反應(yīng)結(jié)束后，自然 冷卻至室溫，所得產(chǎn)物離心、沖洗、干燥，獲得Sn02中空納米球前驅(qū)體； b、 稱取0.97g~2.97g D-葡萄糖加入40mL水中，超聲8min;加入O.lg Sn〇2中空納米球前 驅(qū)體，繼續(xù)超聲30min，得混合液B; 將所述混合液B轉(zhuǎn)移到50mL聚四氟乙烯反應(yīng)釜中，180 °C反應(yīng)2~7h，然后自然冷卻至室 溫，所得產(chǎn)物離心、沖洗、干燥，獲得SnO沖空納米球/碳化前驅(qū)體； c、 將所述Sn02中空納米球/碳化前驅(qū)體放在馬弗爐內(nèi)，以氮氣為保護(hù)氣，以5°C/min的升 溫速率升溫至500°C，恒溫煅燒3h，即得目標(biāo)產(chǎn)物。2. -種權(quán)利要求1所述制備方法所制備的碳包覆Sn〇2中空納米球復(fù)合材料。
【文檔編號】H01M4/48GK106099052SQ201610334366
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年7月23日
【發(fā)明人】楊友文, 程婷, 高遠(yuǎn)皓
【申請人】合肥工業(yè)大學(xué)