矩陣邊緣行或列的電熔絲單元)，亦即每個(gè)電熔絲單元的上下、左右分別有與其距離相等且距離最近的四個(gè)電熔絲單元；而位于所述四個(gè)電熔絲單元中央的所述電熔絲單元與該四個(gè)電熔絲單元分別相互電連接，電連接的方式是通過如圖2所示的彼此共用距離最近的第二端子102 ;本實(shí)施例中構(gòu)成所述矩陣的所有電熔絲單元中的每個(gè)第一端子的版圖形狀為正方形，所述每個(gè)第一端子的面積彼此相等。如圖2所示，構(gòu)成所述矩陣的所有電熔絲單元中的每個(gè)第二端子的形狀相同，彼此的面積大小亦相等。
[0038]本實(shí)施例中的每個(gè)電熔絲單元中，與所述第一端子電連接的第一焊墊都連接至第一公共焊墊，圖2中為簡(jiǎn)化顯示，沒有給出所述第一公共焊墊；同時(shí)，所述與所述每個(gè)第二端子電連接的每個(gè)第二焊墊都電連接至如圖2所示的第二公共焊墊106。
[0039]進(jìn)一步優(yōu)選地，所述呈矩陣分布的電熔絲單元中，每行的電熔絲單元數(shù)目等于每列的電熔絲單元數(shù)目。亦即所述矩陣為方陣，所述矩陣的行數(shù)等于該矩陣的列數(shù)。
[0040]本實(shí)用新型中，所述呈矩陣分布的若干電熔絲的熔斷尺寸按該矩陣的行或列呈不同。本實(shí)施例中，所述電熔絲的熔斷尺寸為該電熔絲的寬度，如圖1所示，電熔絲的熔斷尺寸用Cd表示；優(yōu)選地，所述每個(gè)電熔絲單元中的電熔絲的熔斷尺寸彼此相同，并且按矩陣分布的所述若干電熔絲單元中的電熔絲的熔斷尺寸按該矩陣的行或列呈遞增或遞減變化。如圖2所示，若干電熔絲單元電連接以矩陣方式分布；該矩陣中的每個(gè)電熔絲單元中有四個(gè)電熔絲；每個(gè)電熔絲單元中的四個(gè)電熔絲的熔斷尺寸相同，也就是說，本實(shí)施例中的每個(gè)電熔絲單元中的四個(gè)電熔絲的Cd相同(即寬度相同)；而構(gòu)成該矩陣的若干電熔絲單元中電熔絲的熔斷尺寸彼此不同，例如，矩陣的第一列所有電熔絲單元中的電熔絲熔斷尺寸相同，第二列所有電熔絲單元中的電熔絲熔斷尺寸相同，而第一列與第二列的電熔絲熔斷尺寸不同，并且依據(jù)矩陣列的變化，電熔絲熔斷尺寸呈現(xiàn)遞增或遞減變化。亦即每一列的電熔絲熔斷尺寸有一個(gè)定值。各個(gè)列的電熔絲熔斷尺寸不同。或者依照矩陣行的變化，電熔絲熔斷尺寸呈現(xiàn)遞增或遞減。亦即每一行的電熔絲熔斷尺寸為一個(gè)定值，各個(gè)行的電熔絲熔斷尺寸不同。
[0041]優(yōu)選地，如圖2所示，由所述若干電熔絲單元分布構(gòu)成的矩陣為7*7矩陣；其中位于該矩陣第四列的電熔絲單元中電熔絲的熔斷尺寸為基準(zhǔn)尺寸；第三列至第一列的電熔絲單元中的電熔絲的熔斷尺寸在所述基準(zhǔn)尺寸的基礎(chǔ)上依次遞減I納米；第五列至第七列的電熔絲單元中的電熔絲的熔斷尺寸在所述基準(zhǔn)尺寸的基礎(chǔ)上依次遞增I納米。也就是說，所述電熔絲單元有七行和七列且構(gòu)成矩陣分布，第一列的電熔絲單元中電熔絲熔斷尺寸相等；第二列的電熔絲單元中電熔絲熔斷尺寸相等；第三列的電熔絲單元中電熔絲熔斷尺寸相等；第四列的電熔絲單元中電熔絲熔斷尺寸相等；第五列的電熔絲單元中電熔絲熔斷尺寸相等；第六列的電熔絲單元中電熔絲熔斷尺寸相等；第七列的電熔絲單元中電熔絲熔斷尺寸相等。其中，第四列的電熔絲單元中的電熔絲熔斷尺寸為基準(zhǔn)值；第三列電熔絲熔斷尺寸為基準(zhǔn)值減去I納米；第二列電熔絲熔斷尺寸為基準(zhǔn)值減去2納米；第一列電熔絲熔斷尺寸為基準(zhǔn)值減去3納米；而從第五列開始，電熔絲熔斷尺寸逐漸增加，第五列電熔絲熔斷尺寸為基準(zhǔn)值加I納米；第六列電熔絲熔斷尺寸為基準(zhǔn)值加2納米；第七列電熔絲熔斷尺寸為基準(zhǔn)值加3納米。而基準(zhǔn)值的選取是在工藝條件下選擇的一個(gè)適合的參考值，不同列的電熔絲熔斷尺寸在基準(zhǔn)值上下波動(dòng)的目的在于使得該測(cè)試結(jié)構(gòu)中能夠包含在基準(zhǔn)值附近呈現(xiàn)不同變化的熔斷尺寸，將由工藝中的誤差考慮入該測(cè)試結(jié)構(gòu)所形成的模型中，為后續(xù)調(diào)整窗口提供了更現(xiàn)實(shí)的選擇范圍。
[0042]本實(shí)用新型的所述電恪絲測(cè)試結(jié)構(gòu)中制程工藝的特征尺寸包括65nm、55nm或32nm。針對(duì)以上特征尺寸不同的工藝本實(shí)用新型的測(cè)試結(jié)構(gòu)都適用。
[0043]本實(shí)用新型的電熔絲測(cè)試結(jié)構(gòu)在進(jìn)行測(cè)試時(shí)，將所有的第一焊墊接至第一公共焊墊；將所述第二焊墊都連接至第二公共焊墊，之后在所述第一、第二公共焊墊之間施加電壓，測(cè)試流過所述電熔絲測(cè)試結(jié)構(gòu)中的電流，計(jì)算出該電熔絲測(cè)試結(jié)構(gòu)的電阻，其中在預(yù)檢測(cè)過程中施加較低的預(yù)定電壓，計(jì)算出的電阻若不在預(yù)估計(jì)范圍內(nèi)(電阻較大)，則說明該電熔絲可能被熔斷，需要經(jīng)過切片電鏡監(jiān)測(cè)，核實(shí)是否出現(xiàn)熔斷；若熔斷，則說明該電熔絲熔斷尺寸的下限值較小，需要重新選定電熔絲的熔斷尺寸的下限值。若經(jīng)過計(jì)算出的電熔絲測(cè)試結(jié)構(gòu)的電阻在預(yù)計(jì)范圍內(nèi)，則說明預(yù)檢測(cè)成功，從而該電熔絲測(cè)試結(jié)構(gòu)的熔斷尺寸下限值選擇正確。
[0044]經(jīng)過預(yù)檢測(cè)成功后，需要進(jìn)行寫入過程，寫入時(shí)在所述第一、第二公共焊墊之間施加較大的電壓，測(cè)試流過所述電熔絲測(cè)試結(jié)構(gòu)中的電流，計(jì)算出該電熔絲測(cè)試結(jié)構(gòu)的電阻，若計(jì)算出的電阻若不在預(yù)估計(jì)范圍內(nèi)(電阻較小)，則說明該電熔絲可能沒有被熔斷，需要經(jīng)過切片電鏡監(jiān)測(cè)，核實(shí)是否出現(xiàn)熔斷；若沒有熔斷，則說明該電熔絲熔斷尺寸的上限值較大，需要重新選定電熔絲的熔斷尺寸的上限值。若經(jīng)過計(jì)算出的電熔絲測(cè)試結(jié)構(gòu)的電阻在預(yù)計(jì)范圍內(nèi)，則說明寫入成功，從而該電熔絲測(cè)試結(jié)構(gòu)的熔斷尺寸上限值選擇正確。
[0045]綜上所述，本實(shí)用新型使得將熔斷尺寸在基準(zhǔn)尺寸周圍變化的不同熔斷尺寸的電熔絲電連接成矩陣分布的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，并對(duì)電熔絲的熔斷尺寸的窗口進(jìn)行測(cè)試，可以有效定義電熔絲熔斷尺寸的窗口并提高線上產(chǎn)品的生產(chǎn)良率。所以，本實(shí)用新型有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。
[0046]上述實(shí)施例僅例示性說明本實(shí)用新型的原理及其功效，而非用于限制本實(shí)用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實(shí)用新型的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本實(shí)用新型所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本實(shí)用新型的權(quán)利要求所涵蓋。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電熔絲測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電熔絲測(cè)試結(jié)構(gòu)至少包括: 若干電熔絲單元； 所述每個(gè)電熔絲單元至少包括:第一端子以及一端分別電連接于所述第一端子上、下、左、右四個(gè)部位的電熔絲；與所述每個(gè)電熔絲的另一端分別電連接的第二端子； 所述若干電熔絲單元呈矩陣分布且其中每個(gè)電熔絲與其距離最近的所述電熔絲通過共用所述第二端子相互電連接； 所述呈矩陣分布的若干電熔絲的熔斷尺寸按該矩陣的行或列呈不同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電熔絲測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述每個(gè)電熔絲單元中的第一端子電連接有第一焊墊；所述每個(gè)電熔絲單元中的第二端子都電連接有第二焊墊；所述每個(gè)第一焊墊都電連接至第一公共焊墊；所述每個(gè)第二焊墊都電連接至第二公共焊墊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電熔絲測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述電熔絲為由多晶硅以及沉積在多晶硅之上的金屬硅化物構(gòu)成的條狀結(jié)構(gòu)；所述每個(gè)電熔絲的長(zhǎng)度彼此相等；所述電熔絲的熔斷尺寸為所述條狀結(jié)構(gòu)的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電熔絲測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一、第二端子由多晶硅以及沉積在多晶硅之上的金屬硅化物構(gòu)成；并且所述第一、第二端子以及與該第一、第二端子連接的電熔絲一體成型。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電熔絲測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一端子的橫截面形狀為正方形；所述每個(gè)第一端子的面積彼此相等；所述每個(gè)第二端子的形狀以及面積大小彼此相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電熔絲測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述電熔絲電連接于所述橫截面為正方形的所述第一端子的四個(gè)角；并且所述電熔絲以及與該電熔絲電連接的所述第二端子沿所述正方形的對(duì)角線分布。
7.根據(jù)權(quán)利要求3或6所述的電熔絲測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述每個(gè)電熔絲單元中的電熔絲的熔斷尺寸彼此相同，并且按矩陣分布的所述若干電熔絲單元中的電熔絲的熔斷尺寸按該矩陣的行或列呈遞增或遞減變化。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電熔絲測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述呈矩陣分布的電熔絲單元中，每行的電熔絲單元數(shù)目等于每列的電熔絲單元數(shù)目。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電熔絲測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:由所述若干電熔絲單元分布構(gòu)成的矩陣為7*7矩陣；其中位于該矩陣第四列的電熔絲單元中電熔絲的熔斷尺寸為基準(zhǔn)尺寸；第三列至第一列的電熔絲單元中的電熔絲的熔斷尺寸在所述基準(zhǔn)尺寸的基礎(chǔ)上依次遞減I納米；第五列至第七列的電熔絲單元中的電熔絲的熔斷尺寸在所述基準(zhǔn)尺寸的基礎(chǔ)上依次遞增I納米。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電熔絲測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述電熔絲測(cè)試結(jié)構(gòu)中制程工藝的特征尺寸包括65nm、55nm或32nm。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種電熔絲測(cè)試結(jié)構(gòu)，所述電熔絲測(cè)試結(jié)構(gòu)至少包括：若干電熔絲單元；所述每個(gè)電熔絲單元至少包括：第一端子以及一端分別電連接于所述第一端子上、下、左、右四個(gè)部位的電熔絲；與所述每個(gè)電熔絲的另一端分別電連接的第二端子；所述若干電熔絲單元呈矩陣分布且其中每個(gè)電熔絲與其距離最近的所述電熔絲通過共用所述第二端子相互電連接。所述呈矩陣分布的若干電熔絲的熔斷尺寸按該矩陣的行或列呈不同。本實(shí)用新型使得將熔斷尺寸在基準(zhǔn)尺寸周圍變化的不同熔斷尺寸的電熔絲電連接成矩陣分布的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，來對(duì)電熔絲的熔斷尺寸的窗口進(jìn)行測(cè)試，可以有效定義電熔絲熔斷尺寸的窗口并提高線上產(chǎn)品的生產(chǎn)良率。
【IPC分類】H01L21-66
【公開號(hào)】CN204271042
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420610166
【發(fā)明人】王喆
【申請(qǐng)人】中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
【公開日】2015年4月15日
【申請(qǐng)日】2014年10月21日