太陽(yáng)能電池正表面局部接觸的柵線結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種太陽(yáng)能電池正表面局部接觸的柵線結(jié)構(gòu)，屬于電池制備技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，傳統(tǒng)的晶體硅太陽(yáng)電池的正面電極由若干條主柵和若干條細(xì)柵相互垂直構(gòu)成，這種正面電極的細(xì)柵為準(zhǔn)矩形結(jié)構(gòu)，一方面影響太陽(yáng)電池的有效光照面積，且金屬半導(dǎo)體接觸區(qū)域較大，制約太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率，另一方面銀漿使用量較大，制約太陽(yáng)電池的制造成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種太陽(yáng)能電池正表面局部接觸的柵線結(jié)構(gòu)，它能夠在保證避免輸運(yùn)電子的情況下，有效降低金屬化面積，降低金屬化區(qū)域的復(fù)合電流，從而有效地提升電池的開(kāi)路電壓，提高太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率。
[0004]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:一種太陽(yáng)能電池正表面局部接觸的柵線結(jié)構(gòu)，它具有多條柵線電極，每條柵線電極具有多段局部接觸金屬電極和多段非接觸金屬電極，局部接觸金屬電極和非接觸金屬電極電性連接，非接觸金屬電極由非燒穿型金屬電極漿料制成，局域接觸金屬電極穿過(guò)電池的介質(zhì)膜后與硅基體構(gòu)成歐姆接觸。
[0005]進(jìn)一步提供了一種局部接觸金屬電極的具體結(jié)構(gòu)以便其與硅基體形成良好的歐姆接觸，所述的局部接觸金屬電極由燒穿型金屬電極漿料制成，并且該局部接觸金屬電極燒穿電池的介質(zhì)膜后與硅基體構(gòu)成歐姆接觸。
[0006]進(jìn)一步為了使電流能夠很好地傳輸，所述的每條柵線電極設(shè)置有由燒穿型金屬電極漿料制成的傳輸電極，多段局部接觸金屬電極和傳輸電極一體制成，并且傳輸電極還覆蓋在多段非接觸金屬電極上。
[0007]進(jìn)一步提供了另外一種局部接觸金屬電極的具體結(jié)構(gòu)以便其與硅基體形成良好的歐姆接觸，所述的局部接觸金屬電極也由非燒穿型金屬電極漿料制成，局部接觸金屬電極和非接觸金屬電極一體制成，并且該局部接觸金屬電極穿過(guò)電池的介質(zhì)膜上的激光開(kāi)孔后與硅基體構(gòu)成歐姆連接。
[0008]進(jìn)一步，在同一條柵線電極中，所述的局部接觸金屬電極的長(zhǎng)度為ΙΟμπι?2500 μ m，所述的非接觸金屬電極的長(zhǎng)度為20 μ m?5000 μ m。
[0009]進(jìn)一步為了使本結(jié)構(gòu)能夠具有更好的局部接觸效果，間隔狀布置的柵線電極上的局部接觸金屬電極和非接觸金屬電極的分布結(jié)構(gòu)相同。
[0010]進(jìn)一步，所述的局部接觸金屬電極和/或非接觸金屬電極為圓形點(diǎn)或方形點(diǎn)結(jié)構(gòu)。
[0011]本實(shí)用新型還提供了一種太陽(yáng)能電池正表面局部接觸的柵線結(jié)構(gòu)的制備方法，該方法的步驟如下:
[0012](a)制備一已沉積介質(zhì)膜的電池；
[0013](b)按指定圖形制備多條柵線電極:在電池上完成介質(zhì)膜的表面采用非燒穿型金屬電極漿料局部形成非接觸金屬電極；在電池上完成介質(zhì)膜的表面采用燒穿型金屬電極漿料局部形成局部接觸金屬電極，并確保在同一個(gè)柵線電極上，局部接觸金屬電極和非接觸金屬電極電性連接；
[0014](c)再進(jìn)行燒結(jié)，使局部接觸金屬電極燒穿電池的介質(zhì)膜后與硅基體構(gòu)成歐姆接觸。
[0015]本實(shí)用新型還提供了一種太陽(yáng)能電池正表面局部接觸的柵線結(jié)構(gòu)的制備方法，該方法的步驟如下:
[0016](a)制備一已沉積介質(zhì)膜的電池；
[0017](b)按指定圖形在電池上完成介質(zhì)膜的表面激光局部開(kāi)孔，使其表面需制備局部接觸金屬電極的相應(yīng)部位形成激光開(kāi)孔；
[0018](c)制備多條柵線電極:在電池上完成介質(zhì)膜的表面采用非燒穿型金屬電極漿料覆蓋指定圖形，從而在指定圖形的非開(kāi)孔區(qū)域形成非接觸金屬電極，在開(kāi)孔區(qū)域形成局部接觸金屬電極，并確保該局部接觸金屬電極穿過(guò)相對(duì)應(yīng)的激光開(kāi)孔后與硅基體抵接，非接觸金屬電極和相對(duì)應(yīng)的局部接觸金屬電極形成相應(yīng)的柵線電極；
[0019](d)再進(jìn)行燒結(jié)使局部接觸金屬電極與硅基體形成歐姆接觸。
[0020]采用了上述技術(shù)方案后，其正表面的柵線和硅基體的接觸區(qū)域，采用分段線或點(diǎn)的方式局部接觸，在保證正表面輸運(yùn)電阻的情況下，局部的金屬接觸有效降低了金屬化面積，降低了金屬化區(qū)域的復(fù)合電流，從而可有效地提升電池的開(kāi)路電壓，提高電池的轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)也減少了金屬漿料的用量。
【附圖說(shuō)明】
[0021]圖1為本實(shí)用新型的太陽(yáng)能電池正表面局部接觸的柵線結(jié)構(gòu)的俯視圖；
[0022]圖2為本實(shí)用新型的太陽(yáng)能電池正表面局部接觸的柵線結(jié)構(gòu)的第一種結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0023]圖3為本實(shí)用新型的太陽(yáng)能電池正表面局部接觸的柵線結(jié)構(gòu)的第二種結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0024]圖4為本實(shí)用新型的太陽(yáng)能電池正表面局部接觸的柵線結(jié)構(gòu)的第三種結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]為了使本實(shí)用新型的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
[0026]實(shí)施例一
[0027]如圖1、2所示，一種太陽(yáng)能電池正表面局部接觸的柵線結(jié)構(gòu)，它具有多條柵線電極1，每條柵線電極I具有多段局部接觸金屬電極11和多段非接觸金屬電極12，局部接觸金屬電極11和非接觸金屬電極12電性連接，非接觸金屬電極12由非燒穿型金屬電極漿料制成，局域接觸金屬電極11穿過(guò)電池的介質(zhì)膜2后與硅基體3構(gòu)成歐姆接觸。
[0028]圖1中，柵線電極I中的虛線部分為與硅基體3不接觸部分，實(shí)現(xiàn)部分為與硅基體3的接觸部分。
[0029]局部接觸金屬電極11由燒穿型金屬電極漿料制成，并且該局部接觸金屬電極11燒穿電池的介質(zhì)膜2后與硅基體3構(gòu)成歐姆接觸。
[0030]在同一條柵線電極I中，局部接觸金屬電極11的長(zhǎng)度為ΙΟμπι?2500 μπι，所述的非接觸金屬電極12的長(zhǎng)度為20 μπι?5000 μm。具體長(zhǎng)度可以根據(jù)調(diào)整。
[0031]為了達(dá)到更好地接觸效果，如圖1所示，間隔狀布置的柵線電極I上的局部接觸金屬電極11和非接觸金屬電極12的分布結(jié)構(gòu)相同；當(dāng)然，也可以上下對(duì)齊。
[0032]局部接觸金屬電極11和/或非接觸金屬電極12為圓形點(diǎn)或方形點(diǎn)結(jié)構(gòu)。
[0033]該太陽(yáng)能電池正表面局部接觸的柵線結(jié)構(gòu)的制備方法，該方法的步驟如下:
[0034](a)制備一已沉積介質(zhì)膜2的電池；介質(zhì)膜可以是氮化硅、二氧化硅、三氧化二鋁或者其疊層的組合，但是不限于以上的介質(zhì)膜材料。介質(zhì)膜2的目的是:作為非接觸金屬電極12的保護(hù)膜，阻止由非燒穿型金屬電極漿料制成的非接觸金屬電極12燒入硅表面與硅基體3形成電性接觸；
[0035](b)按指定圖形制備多條柵線電