留邊波浪切高方阻鋁金屬化膜的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種留邊波浪切高方阻鋁金屬化膜，屬于電容器金屬化薄膜生產制造技術領域。
【背景技術】
[0002]中國專利文獻CN 203456303 U公開了一種波浪分切的金屬化薄膜，所述金屬化薄膜在留邊邊緣、金屬膜邊緣或留邊及金屬膜邊緣切設為波浪型邊帶；該方案增大了金屬化薄膜繞卷支撐電容器內芯后的端子接觸面積、提高了噴金面接觸的附著力，降低了電容器的ESR值并提高dv/dt值；波浪形邊帶設于留邊側還可有效分解錯邊造成的同一作用力。但是，其鍍層方阻呈平板結構(方阻不變)，對產品的自愈性及耐壓性能有限制影響，而采用鍍層厚度漸變結構的金屬化膜又因為其截面口呈線性下降，雖提高了自愈互補性能，卻無助于通流性能的提尚。
[0003]此外，現(xiàn)有技術中所加工的鍍層厚度漸變結構的金屬化膜，少量波浪切邊是位于加厚區(qū)的，其卷繞后芯子端所噴涂金層(引出端)附著力，完全靠錯邊量來控制，該技術存在以下弊端:1、加厚區(qū)如滿足大電流的通過，則加厚區(qū)寬度相應延長，增加了蒸鍍過程中的金屬消耗；2、錯邊量控制附著力受設備固有穩(wěn)定性及操作人員的人為影響較大，易致噴金層附著力出現(xiàn)不同程度的減弱，從而導致電容器制成品的接觸損耗變化，最終影響電容器的使用壽命。
【實用新型內容】
[0004]本實用新型正是針對現(xiàn)有技術存在的不足，提供一種留邊波浪切高方阻鋁金屬化膜，滿足實際使用要求。
[0005]為解決上述問題，本實用新型所采取的技術方案如下:
[0006]一種留邊波浪切高方阻鋁金屬化膜，包括:
[0007]絕緣質地的基膜和位于所述基膜上的金屬鍍層，所述金屬鍍層位于所述基膜的一偵U，所述基膜的另一側設置有留邊，所述留邊的邊緣側為波浪切邊結構；
[0008]所述金屬鍍層朝向所述留邊的一側為鍍層厚度一致的高阻區(qū)，所述金屬鍍層背向所述留邊的一側為鍍層厚度一致的低阻區(qū)，所述高阻區(qū)的鍍層厚度小于所述低阻區(qū)的鍍層厚度，且所述高阻區(qū)和所述低阻區(qū)之間設置有鍍層厚度漸變的過渡區(qū)。
[0009]作為上述技術方案的改進，所述留邊的有效寬度為4毫米?6毫米，所述波浪切邊結構為正弦波形，且所述波浪切邊的相鄰峰頂間距為5毫米?8毫米，所述波浪切邊的幅寬為0.5毫米?1.0毫米。
[0010]作為上述技術方案的改進，所述基膜的厚度為4微米?10微米，所述過渡區(qū)的寬度小于等于所述低阻區(qū)寬度的三分之一，所述過渡區(qū)的寬度和所述低阻區(qū)的寬度之和為所述高阻區(qū)寬度的一半。
[0011]作為上述技術方案的改進，所述低阻區(qū)的阻值為I?3 Ω/ 口，所述低阻區(qū)和所述過渡區(qū)的整體阻值為40?120 Ω / 口。
[0012]本實用新型與現(xiàn)有技術相比較，本實用新型的實施效果如下:
[0013]本實用新型所述的留邊波浪切高方阻鋁金屬化膜，對稱卷繞后端面由波浪邊而形成凹陷，以利于噴涂金屬時金屬顆粒的滲入，從而增加了附著力，由于低阻區(qū)與留邊是疊層相間，噴金層與低阻區(qū)形成面接觸，而不是線接觸，提高了通流能力，降低了接觸損耗，使電容器制成品ESR得到幅下降，卷取芯組的穩(wěn)定得以提高，降低了人為影響；此外，鍍層采用分區(qū)等值方阻，高阻區(qū)用以提高自愈的互補性，改善電容器制成品的耐壓性能，高阻區(qū)可以適應大電流的沖擊，并增強與噴金層的融接能力，使接觸電阻下降到更低的可控范圍。
【附圖說明】
[0014]圖1為本實用新型所述的留邊波浪切高方阻鋁金屬化膜截面結構示意圖；
[0015]圖2為本實用新型所述的留邊波浪切高方阻鋁金屬化膜平面結構示意圖。
【具體實施方式】
[0016]下面將結合具體的實施例來說明本實用新型的內容。
[0017]如圖1和圖2所示，為本實用新型所述的留邊波浪切高方阻鋁金屬化膜結構示意圖。本實用新型所述留邊波浪切高方阻鋁金屬化膜，包括:絕緣質地的基膜I和位于所述基膜上的金屬鍍層，所述金屬鍍層位于所述基膜I的一側，所述基膜I的另一側設置有留邊11，所述留邊11的邊緣側為波浪切邊結構；具體地，所述留邊11的有效寬度d為4毫米?6毫米，所述波浪切邊結構為正弦波形，且所述波浪切邊的相鄰峰頂間距e為5毫米?8毫米，所述波浪切邊的幅寬f為0.5毫米?1.0毫米。
[0018]所述金屬鍍層朝向所述留邊11的一側為鍍層厚度一致的高阻區(qū)21，所述金屬鍍層背向所述留邊11的一側為鍍層厚度一致的低阻區(qū)23，所述高阻區(qū)21的鍍層厚度小于所述低阻區(qū)23的鍍層厚度，且所述高阻區(qū)21和所述低阻區(qū)23之間設置有鍍層厚度漸變的過渡區(qū)22。具體地，所述基膜I的厚度為4微米?10微米，所述過渡區(qū)22的寬度b小于等于所述低阻區(qū)23寬度a的三分之一，所述過渡區(qū)22的寬度b和所述低阻區(qū)23的寬度a之和為所述高阻區(qū)21寬度c的一半。進一步地，所述低阻區(qū)23的阻值為I?3 Ω / 口，所述低阻區(qū)23和所述過渡區(qū)22的整體阻值為40?120 Ω / 口。
[0019]如圖1所示，兩個所述留邊波浪切高方阻鋁金屬化膜層疊后卷繞成為電容器的卷取芯組，且兩個所述留邊波浪切高方阻鋁金屬化膜的所述留邊11朝向一個向左一個向右，而兩個所述留邊波浪切高方阻鋁金屬化膜的所述金屬鍍層均朝上，對稱卷繞后，端面由波浪切邊結構的留邊11形成凹陷，以利于噴涂金屬時金屬顆粒的滲入，從而增加了附著力，由于低阻區(qū)23與留邊11是疊層相間，噴金層與低阻區(qū)23形成面接觸，而不是線接觸，提高了通流能力，降低了接觸損耗，使電容器制成品ESR得到幅下降，卷取芯組的穩(wěn)定得以提高，降低了人為影響；此外，鍍層采用分區(qū)等值方阻，高阻區(qū)21用以提高自愈的互補性，改善電容器制成品的耐壓性能，高阻區(qū)21可以適應大電流的沖擊，并增強與噴金層的融接能力，使接觸電阻下降到更低的可控范圍。
[0020]以上內容是結合具體的實施例對本實用新型所作的詳細說明，不能認定本實用新型具體實施僅限于這些說明。對于本實用新型所屬技術領域的技術人員來說，在不脫離本實用新型構思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應當視為屬于本實用新型保護的范圍。
【主權項】
1.留邊波浪切高方阻鋁金屬化膜，其特征是，包括: 絕緣質地的基膜(I)和位于所述基膜上的金屬鍍層，所述金屬鍍層位于所述基膜(I)的一側，所述基膜(I)的另一側設置有留邊(11 )，所述留邊(11)的邊緣側為波浪切邊結構； 所述金屬鍍層朝向所述留邊(11)的一側為鍍層厚度一致的高阻區(qū)(21)，所述金屬鍍層背向所述留邊(11)的一側為鍍層厚度一致的低阻區(qū)(23)，所述高阻區(qū)(21)的鍍層厚度小于所述低阻區(qū)(23)的鍍層厚度，且所述高阻區(qū)(21)和所述低阻區(qū)(23)之間設置有鍍層厚度漸變的過渡區(qū)(22)。
2.如權利要求1所述的留邊波浪切高方阻鋁金屬化膜，其特征是，所述留邊(11)的有效寬度(d)為4毫米?6毫米，所述波浪切邊結構為正弦波形，且所述波浪切邊的相鄰峰頂間距(e)為5毫米?8毫米，所述波浪切邊的幅寬(f)為0.5毫米?1.0毫米。
3.如權利要求1或2所述的留邊波浪切高方阻鋁金屬化膜，其特征是，所述基膜(I)的厚度為4微米?10微米，所述過渡區(qū)(22)的寬度(b)小于等于所述低阻區(qū)(23)寬度(a)的三分之一，所述過渡區(qū)(22)的寬度(b)和所述低阻區(qū)(23)的寬度(a)之和為所述高阻區(qū)(21)寬度(c)的一半。
4.如權利要求3所述的留邊波浪切高方阻鋁金屬化膜，其特征是，所述低阻區(qū)(23)的阻值為I?3 Ω/ 口，所述低阻區(qū)(23)和所述過渡區(qū)(22)的整體阻值為40?120 Ω/ 口。
【專利摘要】本實用新型公開了一種留邊波浪切高方阻鋁金屬化膜，包括絕緣質地的基膜和位于所述基膜上的金屬鍍層，所述金屬鍍層位于所述基膜的一側，所述基膜的另一側設置有留邊，所述留邊的邊緣側為波浪切邊結構；所述金屬鍍層朝向所述留邊的一側為鍍層厚度一致的高阻區(qū)，所述金屬鍍層背向所述留邊的一側為鍍層厚度一致的低阻區(qū)，所述高阻區(qū)的鍍層厚度小于所述低阻區(qū)的鍍層厚度，且所述高阻區(qū)和所述低阻區(qū)之間設置有鍍層厚度漸變的過渡區(qū)。本實用新型所述的留邊波浪切高方阻鋁金屬化膜，改善了電容器制成品的耐壓性能，高阻區(qū)可以適應大電流的沖擊，并增強與噴金層的融接能力，使接觸電阻下降到更低的可控范圍。
【IPC分類】H01G4-015, H01G4-33
【公開號】CN204289100
【申請?zhí)枴緾N201420816741
【發(fā)明人】曹駿驊, 吳平
【申請人】安徽賽福電子有限公司
【公開日】2015年4月22日
【申請日】2014年12月22日