一種用于離子源的柵網(wǎng)裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種用于離子源的柵網(wǎng)裝置，尤其適用于離子束刻蝕設(shè)備大口徑平行束離子源作為柵網(wǎng)使用。
【背景技術(shù)】
[0002]離子束刻蝕是利用低能量平行Ar+離子束對(duì)基片表面進(jìn)行轟擊，將基片表面未覆蓋掩膜的部分濺射出，從而達(dá)到選擇刻蝕的目的。離子束刻蝕是純物理刻蝕過(guò)程，在各種常規(guī)刻蝕方法中具有分辨率最高、陡直性最好的特點(diǎn)，并且可以對(duì)絕大部分材料進(jìn)行刻蝕，例如:金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導(dǎo)體、絕緣體、超導(dǎo)體等材料。傳統(tǒng)離子源是利用一根連接桿將加速法蘭、抑制法蘭與放電室連接在一起，由于燈絲的使用壽命短，需要經(jīng)常拆卸離子源進(jìn)行跟換。因?yàn)橐种品ㄌm與加速法蘭是單獨(dú)裝配的，手工裝配容易造成抑制柵網(wǎng)與加速柵網(wǎng)孔不能完全對(duì)正，每次裝配的結(jié)構(gòu)均會(huì)造成細(xì)小變動(dòng)，影響離子源性能的重復(fù)性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)不足，提供一種用于離子源的柵網(wǎng)裝置，提高離子源性能重復(fù)性，從而提高刻蝕工藝均勻性。
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是:一種用于離子源的柵網(wǎng)裝置，包括加速法蘭和抑制法蘭；所述加速法蘭和抑制法蘭內(nèi)分別安裝有加速柵網(wǎng)和抑制柵網(wǎng)；所述加速法蘭設(shè)置在所述抑制法蘭上方，且所述加速法蘭通過(guò)連接桿與所述抑制法蘭連接成一體結(jié)構(gòu)；所述加速柵網(wǎng)的網(wǎng)格與所述抑制柵網(wǎng)的網(wǎng)格一一對(duì)應(yīng)；所述抑制法蘭圓周部分開(kāi)設(shè)有用于將所述抑制法蘭安裝于離子源放電室上的安裝孔。
[0005]所述加速法蘭圓周部分開(kāi)設(shè)有與所述安裝孔位置對(duì)應(yīng)的缺口，方便抑制柵網(wǎng)與離子源放電室連接。
[0006]所述加速法蘭和抑制法蘭圓周部分均開(kāi)設(shè)有定位銷孔，裝配時(shí)利用工裝保證裝配后加速柵網(wǎng)和抑制柵網(wǎng)所有引出孔對(duì)齊，減少因手工裝配形成的偏差，提高柵網(wǎng)使用壽命。同時(shí)，更換柵網(wǎng)時(shí)同樣采用定位銷孔定位，可提高離子源性能重復(fù)性。
[0007]所述連接桿與所述加速法蘭、抑制法蘭之間設(shè)有絕緣件。
[0008]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型所具有的有益效果為:本實(shí)用新型可提高離子源裝配一致性，從而提高離子源性能重復(fù)性和穩(wěn)定性，最終能獲得穩(wěn)定的離子束刻蝕工藝。
【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1為本實(shí)用新型三維剖視圖；
[0010]圖2為抑制法蘭三維效果圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]如圖1和圖2所示，本實(shí)用新型一實(shí)施例包括加速法蘭I和抑制法蘭3 ;所述加速法蘭I和抑制法蘭3內(nèi)分別安裝有加速柵網(wǎng)2和抑制柵網(wǎng)4 ;所述加速法蘭I設(shè)置在所述抑制法蘭3上方，且所述加速法蘭I通過(guò)連接桿5與所述抑制法蘭3連接成一體結(jié)構(gòu)；所述加速柵網(wǎng)2的網(wǎng)格與所述抑制柵網(wǎng)4的網(wǎng)格一一對(duì)應(yīng)；所述抑制法蘭4圓周部分開(kāi)設(shè)有用于將所述抑制法蘭4安裝于離子源放電室上的安裝孔13。
[0012]裝配時(shí)利用工裝保證裝配后加速柵網(wǎng)2和抑制柵網(wǎng)4所有網(wǎng)格對(duì)齊。減少因手工裝配形成的偏差，提高柵網(wǎng)使用壽命。同時(shí)，更換柵網(wǎng)時(shí)同樣采用定位銷孔11定位，可提高離子源性能重復(fù)性。
[0013]抑制法蘭3和加速法蘭I利用連接桿5通過(guò)絕緣件6組裝成一體。抑制法蘭3上設(shè)計(jì)有與放電室對(duì)應(yīng)的銷孔14和安裝孔13。在加速法蘭I上與抑制法蘭3上的安裝孔13對(duì)應(yīng)位置設(shè)計(jì)有缺口 12。柵網(wǎng)裝置可整體在離子源放電室上拆裝。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于離子源的柵網(wǎng)裝置，包括加速法蘭(I)和抑制法蘭(3);所述加速法蘭(I)和抑制法蘭(3)內(nèi)分別安裝有加速柵網(wǎng)(2)和抑制柵網(wǎng)(4);其特征在于，所述加速法蘭(I)設(shè)置在所述抑制法蘭(3 )上方，且所述加速法蘭(I)通過(guò)連接桿(5 )與所述抑制法蘭(3 )連接成一體結(jié)構(gòu)；所述加速柵網(wǎng)(2)的網(wǎng)格與所述抑制柵網(wǎng)(4)的網(wǎng)格一一對(duì)應(yīng)；所述抑制法蘭(4)圓周部分開(kāi)設(shè)有用于將所述抑制法蘭(4)安裝于離子源放電室上的安裝孔(13)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于離子源的柵網(wǎng)裝置，其特征在于，所述加速法蘭(I)圓周部分開(kāi)設(shè)有與所述安裝孔(13)位置對(duì)應(yīng)的缺口(12)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于離子源的柵網(wǎng)裝置，其特征在于，所述加速法蘭(I)和抑制法蘭(3)圓周部分均開(kāi)設(shè)有定位銷孔(11)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于離子源的柵網(wǎng)裝置，其特征在于，所述連接桿(5)與所述加速法蘭(I)、抑制法蘭(3 )之間設(shè)有絕緣件(6 )。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種用于離子源的柵網(wǎng)裝置，包括加速法蘭和抑制法蘭；所述加速法蘭和抑制法蘭內(nèi)分別安裝有加速柵網(wǎng)和抑制柵網(wǎng)；所述加速法蘭設(shè)置在所述抑制法蘭上方，且所述加速法蘭通過(guò)連接桿與所述抑制法蘭連接成一體結(jié)構(gòu)；所述加速柵網(wǎng)的網(wǎng)格與所述抑制柵網(wǎng)的網(wǎng)格一一對(duì)應(yīng)；所述抑制法蘭圓周部分開(kāi)設(shè)有用于將所述抑制法蘭安裝于離子源放電室上的安裝孔。本實(shí)用新型可提高離子源裝配一致性，從而提高離子源性能重復(fù)性和穩(wěn)定性，最終能獲得穩(wěn)定的離子束刻蝕工藝。
【IPC分類】H01J37-08
【公開(kāi)號(hào)】CN204289361
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420694914
【發(fā)明人】佘鵬程, 孫雪平, 陳特超, 彭立波, 張賽, 胡凡, 陳慶廣
【申請(qǐng)人】中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所
【公開(kāi)日】2015年4月22日
【申請(qǐng)日】2014年11月19日