一種高亮度的聚光型發(fā)光二極管的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及微電子元器件領域，尤其是一種高亮度的聚光型發(fā)光二極管。
【背景技術】
[0002]發(fā)光二極管是一種半導體組件，最初多用作指示燈、顯示板等，隨著白光LED的出現(xiàn)也被用作照明。隨著發(fā)光二極管的廣泛使用，人們對發(fā)光二極管的要求也越來越高，尤其是發(fā)光二極管的亮度。現(xiàn)有的發(fā)光二極管的電流在15~20mA范圍內(nèi)，亮度一般在6.51m左右，最高也不會超過81m。發(fā)光二極管所包括的呈碗杯狀的罩殼的內(nèi)壁是光滑的，會吸收發(fā)光二極管芯片的側(cè)面和界面所發(fā)出的光，造成出光量的損耗；另外現(xiàn)有的發(fā)光二極管開口外大內(nèi)小，導致，現(xiàn)有的二極管發(fā)出的光呈發(fā)散狀。因此，發(fā)光二極管整體的光效率也只能達到100~1101m/W左右，大大影響了發(fā)光二極管的光效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型的目的在于針對以上技術不足，提供一種高亮度的聚光型發(fā)光二極管。
[0004]本實用新型的技術方案如下所述:
[0005]一種高亮度的聚光型發(fā)光二極管，包括二極管芯片、基座和殼體，其特征在于，所述基座呈“凸”字形結(jié)構，所述二極管芯片安裝于所述基座上，所述二極管芯片的P極通過導線連接第一基片，第一基片下端設有第一引腳，所述二極管芯片的N極通過導線連接第二基片，第二基片下端設有第二引腳；
[0006]所述二極管芯片和導線外側(cè)設有透明的絕緣膠層；
[0007]所述殼體設置與第一基片和第二基片上端，所述殼體與所述基座、第一基片、第二基片圍繞形成倒置碗狀的聚光腔，所述二極管芯片位于聚光腔的中央部位，所述殼體的內(nèi)側(cè)設有一圈反射膜，其上端透光處設有透光膜。
[0008]所述第一基片和所述第一引腳為一體式結(jié)構。
[0009]進一步的，所述第一基片和所述第一引腳呈“「”形，設置于所述基座左側(cè)。
[0010]所述第二基片和所述第二引腳為一體式結(jié)構。
[0011]進一步的，所述第二基片和所述第二引腳呈“H ”形，設置于所述基座右側(cè)。
[0012]所述聚光腔上端設有圓柱形的透光孔。
[0013]基于上述技術方案的本實用新型與現(xiàn)有技術相比，其有益效果是:本實用新型具有成本低廉，生產(chǎn)工藝簡單的特點。
[0014]由于殼體的內(nèi)壁有反射層，而反射層反射的光在聚光腔內(nèi)聚集后，通過透光膜投射出來，增加了光強度；殼體呈導致的碗狀，可以減少二極管發(fā)光后散射帶來的光損失，因此本實用新型發(fā)光后其光效率可達到1423 m/ff以上，亮度也可達到9.11m。
[0015]本實用新型外形整齊，適合批量生產(chǎn)，并方便安裝固定。
【附圖說明】
[0016]圖1是本實用新型實施例一的結(jié)構示意圖；
[0017]圖2是本實用新型實施例二的結(jié)構示意圖。
[0018]在圖中，1、基座；2、二極管芯片；3_1、第一基片；3_2、第一引腳；4_1、第二基片；4-2、第二引腳；5、殼體；6、絕緣膠層；7、聚光腔；8、反射膜；9、透光膜；10、透光孔。
【具體實施方式】
[0019]下面結(jié)合附圖和實施過程對本方法作進一步說明。
[0020]如圖1所示，本實用新型提供一種高亮度的聚光型發(fā)光二極管，主要包括二極管芯片2、基座I和殼體5等部分。
[0021]實施例一
[0022]基座I呈“凸”字形結(jié)構，二極管芯片2安裝于所述基座I上，二極管芯片2的P極通過導線連接第一基片3-1，第一基片3-1下端設有第一引腳3-2，二極管芯片2的N極通過導線連接第二基片4-1，第二基片4-1下端設有第二引腳4-2，二極管芯片2和導線外側(cè)設有透明的絕緣膠層6。
[0023]殼體5設置與第一基片3-1和第二基片4-1上端，殼體5與基座1、第一基片3_1、第二基片4-1圍繞形成倒置碗狀的聚光腔7，二極管芯片2位于聚光腔7的中央部位，殼體5的內(nèi)側(cè)設有一圈反射膜8，其上端透光處設有透光膜9。
[0024]第一基片3-1和第一引腳3-2為“「”形的一體式結(jié)構，設置于基座I左側(cè)；第二基片4-1和第二引腳4-2為“π ”形的一體式結(jié)構，設置于基座I右側(cè)。
[0025]實施例二
[0026]本實施例與上述實施例最大的不同點在于，聚光腔7上端設有圓柱形的透光孔10。
[0027]應當理解的是，對本領域普通技術人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進或變換，而所有這些改進和變換都應屬于本實用新型所附權利要求的保護范圍。
[0028]上面結(jié)合附圖對本實用新型專利進行了示例性的描述，顯然本實用新型專利的實現(xiàn)并不受上述方式的限制，只要采用了本實用新型專利的方法構思和技術方案進行的各種改進，或未經(jīng)改進將本實用新型專利的構思和技術方案直接應用于其它場合的，均在本實用新型的保護范圍內(nèi)。
【主權項】
1.一種高亮度的聚光型發(fā)光二極管，包括二極管芯片、基座和殼體，其特征在于，所述基座呈“凸”字形結(jié)構，所述二極管芯片安裝于所述基座上，所述二極管芯片的P極通過導線連接第一基片，第一基片下端設有第一引腳，所述二極管芯片的N極通過導線連接第二基片，第二基片下端設有第二引腳； 所述二極管芯片和導線外側(cè)設有透明的絕緣膠層； 所述殼體設置與第一基片和第二基片上端，所述殼體與所述基座、第一基片、第二基片圍繞形成倒置碗狀的聚光腔，所述二極管芯片位于聚光腔的中央部位，所述殼體的內(nèi)側(cè)設有一圈反射膜，其上端透光處設有透光膜。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種高亮度的聚光型發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一基片和所述第一引腳為一體式結(jié)構。
3.根據(jù)權利要求2所述的一種高亮度的聚光型發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一基片和所述第一引腳呈“「”形，設置于所述基座左側(cè)。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種高亮度的聚光型發(fā)光二極管，其特征在于，所述第二基片和所述第二引腳為一體式結(jié)構。
5.根據(jù)權利要求4所述的一種高亮度的聚光型發(fā)光二極管，其特征在于，所述第二基片和所述第二引腳呈“π ”形，設置于所述基座右側(cè)。
6.根據(jù)權利要求1所述的一種高亮度的聚光型發(fā)光二極管，其特征在于，所述聚光腔上端設有圓柱形的透光孔。
【專利摘要】本實用新型公開了一種高亮度的聚光型發(fā)光二極管，包括二極管芯片、基座和殼體，基座呈“凸”字形結(jié)構，二極管芯片安裝于所述基座上，二極管芯片的P極通過導線連接第一基片，第一基片下端設有第一引腳，二極管芯片的N極通過導線連接第二基片，第二基片下端設有第二引腳；二極管芯片和導線外側(cè)設有透明的絕緣膠層；殼體設置與第一基片和第二基片上端，殼體與所述基座、第一基片、第二基片圍繞形成倒置碗狀的聚光腔，二極管芯片位于聚光腔的中央部位，殼體的內(nèi)側(cè)設有一圈反射膜，其上端透光處設有透光膜。本實用新型亮度高，有聚光的效果，具有成本低廉，生產(chǎn)工藝簡單的特點，適合批量生產(chǎn)，并方便安裝固定。
【IPC分類】H01L33-60, H01L33-48
【公開號】CN204289521
【申請?zhí)枴緾N201520001012
【發(fā)明人】袁志賢
【申請人】袁志賢
【公開日】2015年4月22日
【申請日】2015年1月4日