聚偏氟乙烯高介電膜的制作方法
【專(zhuān)利說(shuō)明】
[0001]技術(shù)領(lǐng)域:
[0002]本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件和電容器等應(yīng)用的薄膜，特別是一種高介電和尚力學(xué)性能的聚偏氣乙稀尚介電月旲。
[0003]【背景技術(shù)】:
[0004]隨著我國(guó)經(jīng)濟(jì)和科技的高速發(fā)展，高容量存儲(chǔ)器件的需求急劇增加；聚偏氟乙烯因?yàn)楸绕渌酆衔锞哂休^高的介電性能，所以被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件；但是，聚偏氟乙烯是聚合物，介電常數(shù)有限滿(mǎn)足不了現(xiàn)在高存儲(chǔ)器件的要求，鈦酸鋇作為高介電常數(shù)的鐵電陶瓷廣泛應(yīng)用于聚合物中來(lái)改善聚合物的介電性能；但是摻雜量較高時(shí)，聚合物的介電性能提升不多但是力學(xué)性能顯著下降，達(dá)不到高容量電器元件對(duì)聚合物介電性能和力學(xué)性能的要求。
[0005]
【發(fā)明內(nèi)容】
:
[0006]本實(shí)用新型的目的是提供一種聚偏氟乙烯高介電膜。
[0007]上述的目的通過(guò)以下的技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
[0008]一種聚偏氟乙烯高介電膜，其組成是:純聚偏氟乙烯層，所述的純聚偏氟乙烯層的上面具有改性鈦酸鋇雜化聚偏氟乙烯層，所述的純聚偏氟乙烯層的下面也具有改性鈦酸鎖雜化聚偏氣乙如層。
[0009]本實(shí)用新型的有益效果:
[0010]1.本實(shí)用新型提供了一種高介電和高力學(xué)性能的聚偏氟乙烯三層雜化薄膜，與一般的鈦酸鋇摻雜聚合物相比，其介電性和力學(xué)性能顯著提高。
[0011]本實(shí)用新型加工成型過(guò)程簡(jiǎn)單，不需要高溫高壓模板等復(fù)雜的加工程序，生產(chǎn)過(guò)程簡(jiǎn)單效果顯著，可實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。
[0012]【附圖說(shuō)明】:
[0013]附圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]【具體實(shí)施方式】:
[0015]實(shí)施例1:
[0016]—種聚偏氟乙烯高介電膜，其組成是:純聚偏氟乙烯層2，所述的純聚偏氟乙烯層的上面具有改性鈦酸鋇雜化聚偏氟乙烯層3，所述的純聚偏氟乙烯層的下面也具有改性鈦酸鋇雜化聚偏氟乙烯層I。
[0017]實(shí)施例2:
[0018]根據(jù)實(shí)施例1所述的一種聚偏氟乙烯高介電膜，上層和底層由改性鈦酸鋇雜化聚偏氟乙烯構(gòu)成，將改性后的鈦酸鋇溶于50mLN，N二甲基甲酰胺中超聲震蕩lh，加入10.25g聚偏氟乙烯粉末，在60°C溫度下超聲溶解反應(yīng)2h，得摻雜溶膠；所述的改性后的鈦酸鋇與聚偏氟乙烯的質(zhì)量之比為0.04:1。將摻雜溶膠進(jìn)行抽濾和抽氣泡，然后用鋪膜機(jī)鋪一層具有一定厚度的薄膜，將該薄膜在80°C下烘干得聚偏氟乙烯雜化薄膜；所述的上層和底層改性鈦酸鋇雜化聚偏氟乙烯層厚度為0.0lmm到0.05m;中層純聚偏氟乙烯由10.25g聚偏氟乙烯粉末，在60°C溫度下超聲震蕩2h，得純?nèi)苣z；將摻雜溶膠進(jìn)行抽濾和抽氣泡，然后用鋪膜機(jī)在改性鈦酸鋇摻雜聚偏氟乙烯雜化薄膜上鋪一層具有一定厚度的薄膜，將該薄膜在80°C下烘干得底層為摻雜聚偏氟乙烯薄膜中層為聚偏氟乙烯純膜的雙層雜化薄膜；所述的中層純聚偏氟乙稀層厚度為0.0lmm到0.05mm;用鋪膜機(jī)在底層為摻雜聚偏氟乙稀薄膜中層為聚偏氟乙烯純膜的雙層雜化薄膜上鋪一層相同厚度的摻雜聚偏氟乙烯薄膜，將該薄膜在80°C下烘干得底層為聚偏氟乙烯雜化薄膜中層為聚偏氟乙烯純膜上層為聚偏氟乙烯雜化薄膜的三層雜化薄膜；將三層雜化薄膜用平板硫化機(jī)在170-180°C的溫度下，在10-20MPa的壓力下，半個(gè)小時(shí)后得高介電和高力學(xué)性能的聚偏氟乙烯三層雜化薄膜。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種聚偏氟乙烯高介電膜，其組成是:純聚偏氟乙烯層，其特征是:所述的純聚偏氟乙烯層的上面具有改性鈦酸鋇雜化聚偏氟乙烯層，所述的純聚偏氟乙烯層的下面具有改性鈦酸鋇雜化聚偏氟乙烯層。
【專(zhuān)利摘要】<b>涉及一種聚偏氟乙烯高介電膜。對(duì)于聚偏氟乙烯是聚合物，介電常數(shù)有限滿(mǎn)足不了現(xiàn)在高存儲(chǔ)器件的要求，鈦酸鋇作為高介電常數(shù)的鐵電陶瓷廣泛應(yīng)用于聚合物中來(lái)改善聚合物的介電性能；但是摻雜量較高時(shí)，聚合物的介電性能提升不多但是力學(xué)性能顯著下降，達(dá)不到高容量電器元件對(duì)聚合物介電性能和力學(xué)性能的要求。</b><b>一種聚偏氟乙烯高介電膜，其組成包括：純聚偏氟乙烯層（</b><b>2</b><b>），所述的純聚偏氟乙烯層的上面具有改性鈦酸鋇雜化聚偏氟乙烯層（</b><b>3</b><b>），所述的純聚偏氟乙烯層的下面也具有改性鈦酸鋇雜化聚偏氟乙烯層（</b><b>1</b><b>）。</b><b>本實(shí)用新型應(yīng)用于聚偏氟乙烯高介電膜。</b>
【IPC分類(lèi)】B32B27-08, H01G4-18, B32B27-32, H01L21-312
【公開(kāi)號(hào)】CN204303756
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520030683
【發(fā)明人】翁凌, 李紅霞, 馬成國(guó)
【申請(qǐng)人】哈爾濱理工大學(xué)
【公開(kāi)日】2015年4月29日
【申請(qǐng)日】2015年1月16日