之上。優(yōu)選地，每個單元的漏極之上有一個來自所述絕緣層薄膜的所述通孔。也就是說所述絕緣層薄膜15上的每個通孔對準(zhǔn)一個單元的所述漏極。而整個絕緣層薄膜為一個整體覆蓋在所述若干單元之上。
[0061]步驟八:如圖8所示，圖8表示的是在所述絕緣層薄膜15上制作導(dǎo)電薄膜16的平面結(jié)構(gòu)示意圖。在所述步驟七中帶有通孔的絕緣層薄膜15上利用導(dǎo)電墨水制作一層導(dǎo)電薄膜16 ;導(dǎo)電墨水填充入所述通孔與所述柵極相接觸并固化；圖8中只顯示出導(dǎo)電薄膜覆蓋在所述絕緣層薄膜之上，而在所述導(dǎo)電薄膜以下的結(jié)構(gòu)都未被顯示。優(yōu)選地，制作所述導(dǎo)電薄膜的方法為絲網(wǎng)印刷技術(shù)。由于絕緣層薄膜中若干小孔的存在，絲印時導(dǎo)電墨水填充小孔與底部裸露柵極接觸，該導(dǎo)電墨水固化后底部裸露柵極與外部導(dǎo)通。
[0062]步驟九:如圖9所示，圖9顯示的是沿所述單元切割所述導(dǎo)電薄膜形成若干像素電極單元的平面結(jié)構(gòu)示意圖。圖8中的整個導(dǎo)電薄膜被沿著所述單元切割后形成若干像素電極單元。圖9只顯示出被所述導(dǎo)電薄膜覆蓋的若干像素電極單元，而該若干像素電極單元的導(dǎo)電薄膜以下的結(jié)構(gòu)未被顯示。優(yōu)選地，該步驟中，切割所述導(dǎo)電薄膜的方法為鐳射切割技術(shù)。
[0063]本實用新型還提供一種基于碳納米管轉(zhuǎn)移和自對準(zhǔn)技術(shù)的柔性TFT背板，所述柔性TFT背板至少包括:設(shè)有微結(jié)構(gòu)壓印圖形的柔性基板10 ;所述微結(jié)構(gòu)壓印圖形包括由柵極101、源極102和漏極103組成的若干單元；優(yōu)選地，所述單元按矩陣分布且該矩陣中每列相鄰單元共用一個柵極，每行相鄰單元共用一個源極。也就是說，每列中的所有相互間隔的柵極最終會相互連接在一起，而每行中的每個漏極之下的源極構(gòu)成該行晶體管的共用源極。進一步優(yōu)選地，所述源極位于組成該兩個相鄰單元的柵極、漏極之間并延伸出所述柵極之外。優(yōu)選地，所述壓印圖形所形成的溝槽內(nèi)填充有金屬。優(yōu)選地，所述金屬包括銅或銀；覆蓋于所述每個單元的源極、柵極和漏極所在的范圍的碳納米管11;優(yōu)選地，所述碳納米管11覆蓋于所述每個單元源極和漏極的部分區(qū)域以及源極和漏極之間的溝道區(qū)。優(yōu)選地，所述第一絕緣層圖形12對應(yīng)覆蓋于每個單元的源極和漏極的部分區(qū)域以及源極和漏極之間的溝道區(qū)。優(yōu)選地，所述第一絕緣層圖形與所述碳納米管在所述柔性基板上的投影完全重疊。位于所述相鄰兩個單元的柵極之間且與該兩個單元的柵極及其之間的源極相互接觸的第二絕緣層圖形13 ;雙臂位于所述第二絕緣層圖形上且與相鄰兩個單元的柵極相接觸的T型金屬結(jié)構(gòu)，優(yōu)選地，所述T型金屬結(jié)構(gòu)的雙臂與每列單元中相鄰兩個單元的柵極相接觸。該T型金屬結(jié)構(gòu)的主體部分在該柔性基板上的投影與每個單元的源極和漏極有重疊；位于所述T型金屬結(jié)構(gòu)之上、覆蓋于所述若干單元且?guī)в腥舾赏椎慕^緣層薄膜15 ;所述通孔位于所述每個單元的漏極之上；優(yōu)選地，所述每個單元的漏極上有一個來自所述絕緣層薄膜的所述通孔。填充于所述通孔與所述柵極相接觸并固化的導(dǎo)電薄膜16 ;所述導(dǎo)電薄膜覆蓋于所述絕緣層薄膜之上且沿每個所述單元彼此分離。
[0064]本實用新型利用微納米壓印技術(shù)，通過刮印固化導(dǎo)電墨水制備源極、漏極、柵極；壓印(Imprinting)、噴印(Ink-jetting)、絲印(Screen Printing)的結(jié)合應(yīng)用，繞過了傳統(tǒng)工藝中必須的高精密低容錯率工藝；碳納米管(CNT)材料的應(yīng)用，由于其本身特殊的可調(diào)的導(dǎo)電特性與較低的制造難度，可以在特定產(chǎn)品的制備中取代非晶硅與多晶硅等呈半導(dǎo)體特性的材料；整版噴印納米碳管再利用聚合物材料扮演絕緣層和蝕刻掩膜的雙重角色。
[0065]綜上所述，本實用新型壓印(Imprinting)技術(shù)可以利用高精細度模板在UV膠(紫外壓印)和熱固膠(熱壓印)等柔性基材上制備微米級乃至納米級的微結(jié)構(gòu)，結(jié)合導(dǎo)電墨水刮印技術(shù)或精細電鍍技術(shù)，可以在微結(jié)構(gòu)中填充導(dǎo)電金屬制備超精細導(dǎo)電線路，而卷對卷壓印(R2R Imprinting)技術(shù)的引入使產(chǎn)品的大規(guī)模批量化低成本生產(chǎn)成為可能；噴印(Ink-jetting)、絲印(Screen Printing)作為傳統(tǒng)制造工藝發(fā)展成熟，工序完善，設(shè)備健全，將其引入柔性TFT制備工藝沒有多余的研發(fā)成本，而且可以替代復(fù)雜昂貴耗時的傳統(tǒng)TFT制備工藝，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本；碳納米管本身優(yōu)異的電學(xué)特性與力學(xué)特性。通過改變CNT本身的結(jié)構(gòu)構(gòu)造改變其導(dǎo)電特性使其成為半導(dǎo)體，迀移率高于非晶硅與多晶硅。CNT本身硬度高，韌性強，可以在各類基材上進行工藝處理，不限于玻璃等傳統(tǒng)基材。本專利中CNT薄膜層通過噴印制備，不需要高溫工作環(huán)境，不會造成柔性基材受熱收縮彎曲。整版噴印納米碳管再利用聚合物材料扮演絕緣層和蝕刻掩膜的角色，最后制備的CNT結(jié)構(gòu)更精確。所以，本實用新型有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點而具高度產(chǎn)業(yè)利用價值。
[0066]上述實施例僅例示性說明本實用新型的原理及其功效，而非用于限制本實用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實用新型的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者在未脫離本實用新型所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本實用新型的權(quán)利要求所涵蓋。
【主權(quán)項】
1.一種基于碳納米管轉(zhuǎn)移和自對準(zhǔn)技術(shù)的柔性TFT背板，其特征在于:所述柔性TFT背板至少包括: 設(shè)有微結(jié)構(gòu)壓印圖形的柔性基板；所述微結(jié)構(gòu)壓印圖形包括由柵極、源極和漏極組成的若干單元； 覆蓋于所述每個單元的源極和漏極及其之間的溝道區(qū)的碳納米管；位于所述碳納米管之上的第一絕緣層圖形；所述第一絕緣層圖形覆蓋于所述單元的源極和漏極所在的區(qū)域；位于所述相鄰兩個單元的柵極之間且與該兩個單元的柵極及其之間的源極相互接觸的第二絕緣層圖形； 雙臂位于所述第二絕緣層圖形上且與相鄰兩個單元的柵極相接觸的T型金屬結(jié)構(gòu)，該T型金屬結(jié)構(gòu)的主體部分在該柔性基板上的投影與每個單元的源極和漏極有重疊； 位于所述T型金屬結(jié)構(gòu)之上、覆蓋于所述若干單元且?guī)в腥舾赏椎慕^緣層薄膜；所述通孔位于所述每個單元的漏極之上；填充于所述通孔與所述柵極相接觸并固化的導(dǎo)電薄膜；所述導(dǎo)電薄膜覆蓋于所述絕緣層薄膜之上且沿每個所述單元彼此分離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于碳納米管轉(zhuǎn)移和自對準(zhǔn)技術(shù)的柔性TFT背板，其特征在于:所述壓印圖形所形成的溝槽內(nèi)填充有金屬。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于碳納米管轉(zhuǎn)移和自對準(zhǔn)技術(shù)的柔性TFT背板，其特征在于:所述單元按矩陣分布且該矩陣中每列相鄰單元共用一個柵極，每行相鄰單元共用一個源極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于碳納米管轉(zhuǎn)移和自對準(zhǔn)技術(shù)的柔性TFT背板，其特征在于:所述源極位于組成該兩個相鄰單元的柵極、漏極之間并延伸出所述柵極之外。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于碳納米管轉(zhuǎn)移和自對準(zhǔn)技術(shù)的柔性TFT背板，其特征在于:所述第一絕緣層圖形對應(yīng)覆蓋于每個單元的源極和漏極及其之間的溝道區(qū)所在的部分區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于碳納米管轉(zhuǎn)移和自對準(zhǔn)技術(shù)的柔性TFT背板，其特征在于:所述碳納米管覆蓋于所述每個單元源極和漏極的部分區(qū)域以及源極和漏極之間的溝道區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于碳納米管轉(zhuǎn)移和自對準(zhǔn)技術(shù)的柔性TFT背板，其特征在于:所述第一絕緣層圖形與所述碳納米管在所述柔性基板上的投影完全重疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于碳納米管轉(zhuǎn)移和自對準(zhǔn)技術(shù)的柔性TFT背板，其特征在于:所述每個單元的漏極上有一個來自所述絕緣層薄膜的所述通孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于碳納米管轉(zhuǎn)移和自對準(zhǔn)技術(shù)的柔性TFT背板，其特征在于:所述T型金屬結(jié)構(gòu)的雙臂與每列單元中相鄰兩個單元的柵極相接觸。
【專利摘要】本實用新型提供一種基于碳納米管轉(zhuǎn)移和自對準(zhǔn)技術(shù)的柔性TFT背板，在柔性基板上制作由柵極、源極和漏極組成的若干單元并整版噴印碳納米管；再作第一絕緣層圖形，刻蝕裸露的碳納米管；制備與相鄰兩個柵極及其間的源極接觸的第二絕緣層圖形；制備柵極跳線及其上帶通孔的絕緣層薄膜；用導(dǎo)電墨水填充通孔且與漏極相接觸并固化成導(dǎo)電薄膜；沿單元切割導(dǎo)電薄膜形成若干像素電極單元。本實用新型可替代復(fù)雜昂貴耗時的傳統(tǒng)柔性基板制備工藝，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本；碳納米管通過噴印制備，不需要高溫工作環(huán)境，不會造成柔性基材受熱收縮彎曲。整版噴印納米碳管再利用聚合物材料扮演絕緣層和蝕刻掩膜的角色，制備的碳納米管的對位精度更高。
【IPC分類】H01L21-77
【公開號】CN204303793
【申請?zhí)枴緾N201420748583
【發(fā)明人】楊愷, 平財明, 徐厚嘉, 林曉輝, 方建聰, 肖重, 陳春明
【申請人】上海藍沛新材料科技股份有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2014年12月3日