半導(dǎo)體裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及太陽光發(fā)電裝置，尤其涉及利用封裝樹脂封裝了 RBP-MOS、控制元件、第I 二極管、第2 二極管、芯片載置臺(tái)和內(nèi)引線的半導(dǎo)體裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，作為有利于地球環(huán)境的綠色能源，對于太陽光、太陽熱、地?zé)?、水力、風(fēng)力、生物燃料等可再生能源的關(guān)心越來越高。其中對于太陽光發(fā)電裝置的需求顯著增加，期望進(jìn)一步提尚發(fā)電效率。
[0003]一般情況下，因?yàn)樘栯姵氐拿總€(gè)電池(cell)(太陽光發(fā)電元件)的產(chǎn)生電壓低于IV以下，所以使已串聯(lián)連接多個(gè)電池的模塊進(jìn)行串并聯(lián)連接來構(gòu)成太陽光發(fā)電裝置。
[0004]當(dāng)由于陰天而導(dǎo)致串聯(lián)連接的一部分電池沒有照射到太陽光時(shí)，該電池不僅無法進(jìn)行發(fā)電還成為高電阻。在此情況下，串聯(lián)連接的電池的全部發(fā)電能量的回收效率降低。
[0005]因此，研發(fā)出以下這樣的技術(shù)，相對于單個(gè)電池或多個(gè)電池并聯(lián)連接旁路模塊，使發(fā)電能量從作為高電阻的電池進(jìn)行旁路，并改善整體發(fā)電能量的回收效率(專利文獻(xiàn)I)。
[0006]專利文獻(xiàn)I所公開的現(xiàn)有的太陽光發(fā)電裝置具備使其輸出相對于電池進(jìn)行旁路的旁路模塊(旁路開關(guān))，旁路模塊由MOSFET和控制器構(gòu)成。現(xiàn)有的太陽光發(fā)電裝置利用旁路模塊來判別電池的日照狀態(tài)，并且可通過對日照狀態(tài)差的電池的輸出進(jìn)行旁路，來使旁路時(shí)的電壓下降抑制得較小，從而能夠整體上減小發(fā)電的損失。
[0007]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)
[0009]專利文獻(xiàn)1:日本特開2000-174308號公報(bào)【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0010]實(shí)用新型所要解決的課題
[0011]但是，現(xiàn)有的太陽光發(fā)電裝置需要用于獲得使旁路模塊進(jìn)行動(dòng)作的驅(qū)動(dòng)電源的升壓電路，因此成為復(fù)雜且昂貴的結(jié)構(gòu)。其理由在于，要將對日照狀態(tài)差的太陽光發(fā)電元件的兩端施加的電壓鉗位于MOSFET的寄生二極管的順方向電壓(約0.6V)。
[0012]本實(shí)用新型鑒于上述問題點(diǎn)，提供能夠利用簡易且廉價(jià)的結(jié)構(gòu)獲得驅(qū)動(dòng)電源的旁路模塊所涉及的半導(dǎo)體裝置。
[0013]解決問題的手段
[0014]為了解決上述的課題，本實(shí)用新型成為以下所示的結(jié)構(gòu)。
[0015]本實(shí)用新型的半導(dǎo)體裝置利用封裝樹脂來封裝RBPMOS、控制元件、第I 二極管、第2 二極管、芯片載置臺(tái)、第I內(nèi)引線、第2內(nèi)引線、第I金屬線和第2金屬線，其特征是，上述第I 二極管是限幅(bootstrap) 二極管，上述第2 二極管是肖特基勢皇二極管，上述第I 二極管和上述第2 二極管的極性不同。
[0016]本實(shí)用新型的半導(dǎo)體裝置的特征是，通過絕緣性粘結(jié)劑在上述芯片載置臺(tái)上載置上述控制元件。
[0017]本實(shí)用新型的半導(dǎo)體裝置的特征是，利用以Al作為主材料的至少2根以上的上述第I金屬線來電連接上述RBPMOS的源極與上述第I內(nèi)引線之間。
[0018]本實(shí)用新型的半導(dǎo)體裝置的特征是，在上述控制元件的電連接和上述第2 二極管的陰極與上述RBPMOS的源極之間的電連接中采用以Au作為主材料的上述第2金屬線。
[0019]本實(shí)用新型的半導(dǎo)體裝置的特征是，在上述第2內(nèi)引線的主面上通過導(dǎo)電性粘結(jié)劑載置上述第2 二極管。
[0020]實(shí)用新型的效果
[0021]本實(shí)用新型因?yàn)闃?gòu)成為以上這樣的結(jié)構(gòu)，所以能夠提供可利用簡易且廉價(jià)的結(jié)構(gòu)來獲得驅(qū)動(dòng)電源的關(guān)于旁路模塊的半導(dǎo)體裝置。
【附圖說明】
[0022]圖1是示出本實(shí)用新型的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置100的結(jié)構(gòu)的平面示意圖。
[0023]圖2是示出本實(shí)用新型的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置100的結(jié)構(gòu)的電路圖。
[0024]標(biāo)號說明
[0025]I RBPMOS
[0026]2控制元件
[0027]3第I 二極管
[0028]4第2 二極管
[0029]5芯片載置臺(tái)
[0030]51第I內(nèi)引線
[0031]52第2內(nèi)引線
[0032]53外引線
[0033]61第I金屬線
[0034]62第2金屬線
[0035]7樹脂封裝體
[0036]100半導(dǎo)體裝置
【具體實(shí)施方式】
[0037]以下，參照圖來詳細(xì)說明用于實(shí)施本實(shí)用新型的方式。此外，在以下的關(guān)于附圖的記載中，利用相同或類似的符號表示相同或類似的部分。但是，附圖是示意性的，尺寸關(guān)系的比率等與現(xiàn)實(shí)的不同。因此，具體的尺寸等應(yīng)該對照以下的說明進(jìn)行判斷。另外，顯而易見的是即使在附圖的相互之間也包含尺寸的相互關(guān)系或比率不同的部分。
[0038]另外，以下所示的實(shí)施方式是用于使本實(shí)用新型的技術(shù)思想具體化的例示，本實(shí)用新型的實(shí)施方式不是將構(gòu)成部件的材質(zhì)、形狀、構(gòu)造、配置等特定為以下的內(nèi)容。本實(shí)用新型的實(shí)施方式可以在不脫離要旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更后再實(shí)施。
[0039]【實(shí)施例1】
[0040]以下，參照附圖來說明本實(shí)用新型的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置100。圖1是示出本實(shí)用新型的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置100的結(jié)構(gòu)的平面示意圖。圖2是示出本實(shí)用新型的實(shí)施例I的半導(dǎo)體裝置100的結(jié)構(gòu)的電路圖。
[0041]圖1所示的半導(dǎo)體裝置100由RBPMOS1、控制元件2、第I 二極管3、第2 二極管4、芯片載置臺(tái)5、第I內(nèi)引線51、第2內(nèi)引線52、外引線53、第I金屬線61、第2金屬線62、樹脂封裝體7構(gòu)成。
[0042]RBPMOS1是內(nèi)置有旁路元件的開關(guān)半導(dǎo)體元件，為MOSFET。通過導(dǎo)電性粘結(jié)劑在芯片載置臺(tái)5的主面上載置RBPMOS1。關(guān)于導(dǎo)電性粘結(jié)劑優(yōu)選導(dǎo)電性良好的焊錫或者Ag漿料等。另外，在采用焊錫的情況下，考慮到環(huán)境優(yōu)選不包含Pb。在樹脂封裝體7內(nèi)因?yàn)榕c控制元件2、第I 二極管3或第2 二極管4相比電力損失相對大，所以成為高溫。例如由Si半導(dǎo)體構(gòu)成。
[0043]控制元件2是與RBPMOS1、第I 二極管3、第2 二極管4進(jìn)行電連接并用于控制作為旁路開關(guān)的動(dòng)作的半導(dǎo)體元件。通過絕緣性粘結(jié)劑在芯片載置臺(tái)5的主面上載置控制元件2。為了防止控制元件2與芯片載置臺(tái)之間的