D像素單元中各子像素區(qū)域依次發(fā)出紅光R、綠光G、藍光B以及紅光R，從而使上述OLED像素單元包含有四個子像素區(qū)域的設計可應用于子像素渲染算法，從而配合渲染算法進一步提高OLED像素單元應用于OLED顯示面板進行顯示時的顯示品質。
【附圖說明】
[0026]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0027]圖1為OLED像素單元中R/G/B子像素單元的剖面結構示意圖；
[0028]圖2a為現(xiàn)有技術提供的一種OLED像素單元的剖面結構示意圖；
[0029]圖2b為現(xiàn)有技術提供的采用掩膜板及相應獲得的另一種OLED像素單元的剖面結構示意圖；
[0030]圖3a為本實用新型實施例提供的一種OLED像素單元的剖面結構示意圖一；
[0031]圖3b為本實用新型實施例提供的一種OLED像素單元的剖面結構示意圖二 ；
[0032]圖4a為對應于圖3a中電荷阻擋層、第三發(fā)光層、第二發(fā)光層以及第一發(fā)光層的各主體材料的LUMO能級大小示意圖；
[0033]圖4b為對應于圖3b中電荷阻擋層、第三發(fā)光層、第二發(fā)光層以及第一發(fā)光層的各主體材料的HOMO能級大小示意圖；
[0034]圖5為本實用新型具體實施例2提供的一種OLED像素單元的剖面結構示意圖；
[0035]圖6為本實用新型具體實施例3提供的一種OLED像素單元的剖面結構示意圖；
[0036]圖7為本實用新型具體實施例5提供的一種OLED像素單元的剖面結構示意圖；
[0037]圖8為本實用新型具體實施例6提供的一種OLED像素單元的剖面結構示意圖。
[0038]附圖標記；
[0039]01-0LED像素單元；011_第一子像素區(qū)域；012_第二子像素區(qū)域；013_第三子像素區(qū)域；014_第四子像素區(qū)域；10_陽極層；20_陰極層；30_發(fā)光層；31_第一發(fā)光層；32-第二發(fā)光層；33_第三發(fā)光層；40_電荷阻擋層；50_空穴傳輸層；60_電子傳輸層。
【具體實施方式】
[0040]下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0041]本實用新型實施例提供一種OLED像素單元01，如圖3a和圖3b所示，OLED像素單元包括相對設置的陽極層10與陰極層20 ;陽極層10與陰極層20相對的區(qū)域包括依次排列的第一子像素區(qū)域011、第二子像素區(qū)域012、第三子像素區(qū)域013以及第四子像素區(qū)域014 ;依次遠離陽極層10或陰極層20設置有:至少覆蓋第一子像素區(qū)域011與第四子像素區(qū)域014的第一發(fā)光層31 ;覆蓋除第一子像素區(qū)域011外的電荷阻擋層40(ChargeBlocking Layer，簡稱CBL);覆蓋除第三子像素區(qū)域013外的第二發(fā)光層32 ;至少覆蓋包括第三子像素區(qū)域013在內的相鄰的兩個子像素區(qū)域的第三發(fā)光層33。
[0042]其中，如圖4a所示，針對第一發(fā)光層31、電荷阻擋層40、第二發(fā)光層32以及第三發(fā)光層33依次遠離陽極層10設置的情況，電荷阻擋層40的主體材料、第三發(fā)光層33的主體材料、第二發(fā)光層32的主體材料以及第一發(fā)光層31的主體材料的最低未占軌道LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，未占有電子的能級最低的軌道)能級依次降低。
[0043]如圖4b所示，針對第一發(fā)光層31、電荷阻擋層40、第二發(fā)光層32以及第三發(fā)光層33依次遠離陰極層20設置的情況，電荷阻擋層40的主體材料、第三發(fā)光層33的主體材料、第二發(fā)光層32的主體材料以及第一發(fā)光層31的主體材料的最高已占軌道HOMO (HighestOccupied Molecular Orbital，已占有電子的能級最高的軌道)能級依次升高。
[0044]需要說明的是，第一、圖3a與圖3b中僅以陽極層10位于陰極層20的下方為例，二者的上下位置也可相反，具體不作不限。
[0045]第二、本領域技術人員應當理解，上述的OLED像素單元01是呈矩陣排布于OLED顯示面板中，因此，在第一發(fā)光層31僅覆蓋第一子像素區(qū)域011與第四子像素區(qū)域014的情況下，利用FMM制作第一發(fā)光層31時，F(xiàn)MM的開口即對應于任一 OLED像素單元OI內的第一子像素區(qū)域011 (或第四子像素區(qū)域014)以及與其相鄰的靠近第一子像素區(qū)域011 (或第四子像素區(qū)域014)的另一個OLED像素單元01內的第四子像素區(qū)域014 (或第一子像素區(qū)域011) ο
[0046]同樣的，由上述描述可知，電荷阻擋層40、第二發(fā)光層32以及第三發(fā)光層33均至少覆蓋有兩個相鄰的子像素區(qū)域。
[0047]即，在利用FMM制作電荷阻擋層40與上述各發(fā)光層時，F(xiàn)MM的最小開口對應于現(xiàn)有技術中的兩個子像素單元的大小。因此，能夠在不改變FMM開口精度的前提下，將上述OLED像素單元01應用于OLED顯示面板后的PPI提高至現(xiàn)有技術的至少兩倍，從而達到了在不增加FMM制作難度的同時，顯著提升OLED顯示面板的PPI。
[0048]在上述基礎上，結合圖3a與圖4a所示，針對第一發(fā)光層31、電荷阻擋層40、第二發(fā)光層32以及第三發(fā)光層33依次遠離陽極層10設置的情況，電荷阻擋層40、第三發(fā)光層33、第二發(fā)光層32以及第一發(fā)光層31的主體材料的LUMO能級依次降低，因此，本實用新型實施例提供的上述OLED像素單元01應用于OLED顯示面板后，以不增加FMM制作難度為前提，顯著提升OLED顯示面板PPI的同時，能夠克服現(xiàn)有技術在提高PPI時不可避免地引入例如混色、發(fā)光效率低以及影響顯示品質等缺陷，具體原理如下所述:
[0049]下面為了清楚示意，在圖3a中，以第一發(fā)光層31、第二發(fā)光層32以及第三發(fā)光層33的主體材料分子受電子與空穴復合的能量而分別發(fā)出紅光(圖中標記為R)、綠光(圖中標記為G)以及藍光(圖中標記為B)，且出光方向為從陽極層10—側發(fā)出為例進行說明。
[0050]參考圖4a所示，由于電荷阻擋層40、第三發(fā)光層33、第二發(fā)光層32以及第一發(fā)光層31的各主體材料的LUMO能級滿足以下關系式:
[0051]LUM0-4>LUM0-3>LUM0-2>LUM0-1 ；
[0052]其中，LUMO-4、LUM0-3、LUM0-2以及LUM0-1依次表示電荷阻擋層40、第三發(fā)光層33、第二發(fā)光層32以及第一發(fā)光層31的各主體材料的LUMO能級。
[0053]而LUMO能級表示的是未占有電子的能級最低的軌道，對電子有較高的親和勢，由能量最低原理(即，在不違反泡利原理和洪特規(guī)則的條件下，電子優(yōu)先占據(jù)能量較低的原子軌道，使整個原子體系能量處于最低)可知，參考圖4a所示，當上述OLED像素單元01受到外加電場的作用時，從陰極層20激發(fā)出的電子，容易從LUMO能級較高的發(fā)光層(如第三發(fā)光層33)躍迀到LUMO能級較低的發(fā)光層(如第二發(fā)光層32);但是，反之電子難以從LUMO能級較低的發(fā)光層(如第一發(fā)光層31)躍迀到LUMO能級較高的發(fā)光層(如電荷阻擋層 40)。
[0054]當電子停留在某一發(fā)光層與進入到該發(fā)光層的由陽極層10激發(fā)出的空穴相遇復合而釋放出能量后，能量將傳遞給發(fā)光層(如第一發(fā)光層31)主體材料的分子，后者受到激發(fā)，從基態(tài)躍迀至激發(fā)態(tài)。由于激發(fā)態(tài)能量較高不穩(wěn)定，受激分子將從激發(fā)態(tài)再次回到基態(tài)，這一過程伴隨有輻射躍迀而產生發(fā)光現(xiàn)象(如第一發(fā)光層31發(fā)出紅光R)。
[0055]基于上述原理，在圖3a所示的OLED像素單元01中，對于第一子像素區(qū)域011而言，電子從陰極層20激發(fā)出后，由于LUM0-2高于LUM0-1，電子將穿過第二發(fā)光層32進入并停留在第一發(fā)光層31中與空穴相遇，使第一發(fā)光層31對應于第一像素區(qū)域011的區(qū)域發(fā)出紅光R，即第一子像素區(qū)域011發(fā)出紅光R。
[0056]同理可得，對于第二子像素區(qū)域012而言，由于LUM0-3、LUM0-4均高于LUM0-2，因此，電子穿過第三發(fā)光層33進入第二發(fā)光層32后，不會再次穿過LUMO能級更高的電荷阻擋層40而進入到第一發(fā)光層31中，因此，電子最終停留在第二發(fā)光層32中使第二發(fā)光層32對應于第二子像素區(qū)域012的區(qū)域發(fā)出綠光G，即第二子像素區(qū)域012發(fā)出綠光G。
[0057]對于第三子像素區(qū)域013而言，由于LUM0-4高于LUM0-3，因此，電子不會穿過LUMO能級更高的電荷阻擋層40而進入到第一發(fā)光層31中，由陰極層20激發(fā)出的電子將進入并停留在第三發(fā)光層33中，從而使第三發(fā)光層33對應于第三子像素區(qū)域013的區(qū)域發(fā)出藍光B，即第三子像素區(qū)域013發(fā)出藍光B。
[0058]對于第四子像素區(qū)域013而