一種led芯片電極版圖布局結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種芯片結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種LED芯片電極版圖布局結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]在LED芯片生產(chǎn)中，電極的作用為增加芯片的電流擴(kuò)展，但其為不透光金屬，會(huì)阻擋光的輸出，所以LED芯片版圖布局結(jié)構(gòu)直接決定芯片的發(fā)光區(qū)面積占比和光效、電流擴(kuò)展和芯片質(zhì)量。
[0003]目前，有的LED芯片電極版圖布局結(jié)構(gòu)不佳，其電極占據(jù)發(fā)光區(qū)域較多，使得做出的LED芯片，電流擴(kuò)展差，電性差，發(fā)光不均勻，亮度低，光效差，可靠性差，壽命低。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種LED芯片電極版圖布局結(jié)構(gòu)，使得做出的LED芯片電流擴(kuò)展均勻，發(fā)光特性優(yōu)良。
[0005]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:
[0006]一種LED芯片電極版圖布局結(jié)構(gòu)，包括芯片發(fā)光區(qū)，N電極焊盤(pán)，P電極焊盤(pán)，N電極finger線，P電極finger線。
[0007]所述LED芯片為長(zhǎng)方形，所述N電極焊盤(pán)為90°扇形，所述P電極焊盤(pán)為圓形，所述的N電極焊盤(pán)和P電極焊盤(pán)分別設(shè)置在LED芯片的對(duì)角位置；減少電極的發(fā)光阻擋，增加發(fā)光面積，增加光效，且方便芯片封裝打線。
[0008]所述N電極finger線連接N電極焊盤(pán)，沿LED芯片左、下兩側(cè)邊緣設(shè)置，所述P電極finger線連接P電極焊盤(pán)，沿LED芯片右、上兩側(cè)邊緣設(shè)置，使焊盤(pán)的電流均勻的擴(kuò)散至芯片的整個(gè)發(fā)光面。
[0009]進(jìn)一步的，LED芯片長(zhǎng)方形的長(zhǎng)度為660微米，寬度為270微米。
[0010]進(jìn)一步的，所述N電極finger線，P電極finger線寬度相等，寬度為6微米。
[0011]進(jìn)一步的，所述N電極finger線沿LED芯片左側(cè)邊緣為直線，長(zhǎng)度為90微米，所述N電極finger線沿LED芯片下側(cè)邊緣由直線和斜線構(gòu)成，其中直線長(zhǎng)度為330微米，斜線長(zhǎng)度為60微米，斜線與下側(cè)邊緣的角度為150度。
[0012]進(jìn)一步的，所述P電極finger線沿LED芯片右側(cè)邊緣為直線，長(zhǎng)度為90微米，所述P電極finger線沿LED芯片上側(cè)邊緣由直線和斜線構(gòu)成，其中直線長(zhǎng)度為330微米，斜線長(zhǎng)度為60微米，斜線與下側(cè)邊緣的角度為150度。
[0013]進(jìn)一步的，所述N電極焊盤(pán)的90°扇形的半徑為80微米，所述P電極焊盤(pán)的圓形直徑為80微米。
[0014]有益效果:本實(shí)用新型解決了【背景技術(shù)】中存在的缺陷，通過(guò)N電極焊盤(pán)和P電極焊盤(pán)分別設(shè)置在LED芯片的對(duì)角位置，N電極finger線和P電極finger線延伸至LED芯片的對(duì)角兩側(cè)，使得LED芯片有良好電學(xué)性能，提高LED芯片的發(fā)光效率，同時(shí)使整個(gè)發(fā)光區(qū)發(fā)光均勻，熱分布均勻，容易散熱，利于延長(zhǎng)芯片壽命，增加可靠性。
【附圖說(shuō)明】
[0015]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
[0016]圖1是本實(shí)用新型一種LED芯片電極版圖布局結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]其中:I為芯片發(fā)光區(qū)、2為N電極焊盤(pán)、3為P電極焊盤(pán)、4為N電極finger線、5為P電極finger線。
【具體實(shí)施方式】
[0018]如圖1所述，一種LED芯片電極版圖布局結(jié)構(gòu):包括芯片發(fā)光區(qū)1，N電極焊盤(pán)2，P電極焊盤(pán)3，N電極finger線4，P電極finger線5。
[0019]所述LED芯片為長(zhǎng)方形，所述N電極焊盤(pán)2為90°扇形，所述P電極焊盤(pán)3為圓形，所述的N電極焊盤(pán)2和P電極焊盤(pán)3分別設(shè)置在LED芯片的對(duì)角位置；以減少電極的發(fā)光阻擋，增加發(fā)光面積，增加光效，且方便芯片封裝打線。
[0020]所述N電極finger線4連接N電極焊盤(pán)2，沿LED芯片左、下兩側(cè)邊緣設(shè)置，所述P電極finger線連接P電極焊盤(pán)，沿LED芯片右、上兩側(cè)邊緣設(shè)置，使焊盤(pán)的電流均勻的擴(kuò)散至芯片的整個(gè)發(fā)光面。
[0021]進(jìn)一步的，LED芯片長(zhǎng)方形的長(zhǎng)度為660微米，寬度為270微米。
[0022]進(jìn)一步的，所述N電極finger線4，P電極finger線5寬度相等，寬度為6微米。
[0023]進(jìn)一步的，所述N電極finger線4沿LED芯片左側(cè)邊緣為直線，長(zhǎng)度為90微米，所述N電極finger線4沿LED芯片下側(cè)邊緣由直線和斜線構(gòu)成，其中直線長(zhǎng)度為330微米，斜線長(zhǎng)度為60微米，斜線與下側(cè)邊緣的角度為150度。
[0024]進(jìn)一步的，所述P電極finger線5沿LED芯片右側(cè)邊緣為直線，長(zhǎng)度為90微米，所述P電極finger線5沿LED芯片上側(cè)邊緣由直線和斜線構(gòu)成，其中直線長(zhǎng)度為330微米，斜線長(zhǎng)度為60微米，斜線與下側(cè)邊緣的角度為150度。
[0025]進(jìn)一步的，所述N電極焊盤(pán)2的90°扇形的半徑為80微米，所述P電極焊盤(pán)3的圓形直徑為80微米。
[0026]本實(shí)用新型解決了【背景技術(shù)】中存在的缺陷，通過(guò)N電極焊盤(pán)2和P電極焊盤(pán)3分別設(shè)置在LED芯片的對(duì)角位置，N電極finger線4和P電極finger線5延伸至LED芯片的對(duì)角兩側(cè)，使得LED芯片有良好電學(xué)性能，提高LED芯片的發(fā)光效率，同時(shí)使整個(gè)發(fā)光區(qū)發(fā)光均勻，熱分布均勻，容易散熱，利于延長(zhǎng)芯片壽命，增加可靠性。
[0027]應(yīng)當(dāng)理解，以上所描述的具體實(shí)施例僅用于解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。由本實(shí)用新型的精神所引伸出的顯而易見(jiàn)的變化或變動(dòng)仍處于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種LED芯片電極版圖布局結(jié)構(gòu)，包括芯片發(fā)光區(qū)，N電極焊盤(pán)，P電極焊盤(pán)，N電極finger線，P電極finger線；所述LED芯片為長(zhǎng)方形，所述N電極焊盤(pán)為90°扇形，所述P電極焊盤(pán)為圓形，所述的N電極焊盤(pán)和P電極焊盤(pán)分別設(shè)置在LED芯片的對(duì)角位置；所述N電極finger線連接N電極焊盤(pán)，沿LED芯片左、下兩側(cè)邊緣設(shè)置，所述P電極finger線連接P電極焊盤(pán)，沿LED芯片右、上兩側(cè)邊緣設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED芯片電極版圖布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，LED芯片長(zhǎng)方形的長(zhǎng)度為660微米，寬度為270微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED芯片電極版圖布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述N電極finger線，P電極finger線寬度相等，寬度為6微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED芯片電極版圖布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述N電極finger線沿LED芯片左側(cè)邊緣為直線，長(zhǎng)度為90微米，所述N電極finger線沿LED芯片下側(cè)邊緣由直線和斜線構(gòu)成，其中直線長(zhǎng)度為330微米，斜線長(zhǎng)度為60微米，斜線與下側(cè)邊緣的角度為150度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED芯片電極版圖布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述P電極finger線沿LED芯片右側(cè)邊緣為直線，長(zhǎng)度為90微米，所述P電極finger線沿LED芯片上側(cè)邊緣由直線和斜線構(gòu)成，其中直線長(zhǎng)度為330微米，斜線長(zhǎng)度為60微米，斜線與下側(cè)邊緣的角度為150度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED芯片電極版圖布局結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述N電極焊盤(pán)的90°扇形的半徑為80微米，所述P電極焊盤(pán)的圓形直徑為80微米。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種LED芯片電極版圖布局結(jié)構(gòu)，包括芯片發(fā)光區(qū)，N電極焊盤(pán)，P電極焊盤(pán)，N電極finger線，P電極finger線；所述LED芯片為長(zhǎng)方形，所述N電極焊盤(pán)為90°扇形，所述P電極焊盤(pán)為圓形，所述的N電極焊盤(pán)和P電極焊盤(pán)分別設(shè)置在LED芯片的對(duì)角位置；所述N電極finger線連接N電極焊盤(pán)，沿LED芯片左、下兩側(cè)邊緣設(shè)置，所述P電極finger線連接P電極焊盤(pán)，沿LED芯片右、上兩側(cè)邊緣設(shè)置。通過(guò)減少電極的發(fā)光阻擋，增加發(fā)光面積，增加光效，方便芯片封裝打線，使焊盤(pán)的電流均勻的擴(kuò)散至芯片的整個(gè)發(fā)光面，使整個(gè)發(fā)光區(qū)發(fā)光均勻，熱分布均勻，容易散熱，利于延長(zhǎng)芯片壽命，增加可靠性。
【IPC分類】H01L33-62
【公開(kāi)號(hào)】CN204464320
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520076415
【發(fā)明人】潘林, 張振, 宋超
【申請(qǐng)人】江蘇晶瑞半導(dǎo)體有限公司
【公開(kāi)日】2015年7月8日
【申請(qǐng)日】2015年2月3日