一種dfn0603 84排雙芯引線框架的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種引線框架，特別是一種DFN0603 84排雙芯引線框架。
【背景技術】
[0002]引線框架作為集成電路的芯片載體，是一種借助于鍵合金絲實現(xiàn)芯片內(nèi)部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關鍵結(jié)構(gòu)件，它起到了和外部導線連接的橋梁作用，絕大部分的半導體集成塊中都需要使用引線框架，是電子信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎材料。芯片封裝形式為DFN0603 (DFN是小型電子元器件的芯片封裝單元型號，雙芯引線框架表示其單個芯片封裝單元內(nèi)設置有兩個放置晶體管的芯片槽，0603表示單個芯片單元的尺寸為長0.6mm、寬0.3mm)時，要在相同的引線框架尺寸布置更多的芯片，就需要對布置形式進行合理設計。
[0003]如目前的引線框架產(chǎn)品，如市場上的48*220mm尺寸的引線框架，每片大約能布置10560個產(chǎn)品，該引線框架長度為220mm，寬度為48mm，這種產(chǎn)品的晶體管的密度低，導致生產(chǎn)效率低且生產(chǎn)成本高，該框架背面使用的膠底帶，不利于芯片和銅線的焊接。另外，目前低利用率的產(chǎn)品，其所耗用的資源浪費大。隨著市場用量的增長，目前的設備和產(chǎn)品的設計生產(chǎn)力已經(jīng)不能滿足市場需要，需要提高產(chǎn)品的有效利用率，隨著生產(chǎn)成本和勞力成本的提高，有必要通過技術改良降低生產(chǎn)成本。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型的目的在于:針對現(xiàn)有技術存在的問題，提供一種密度大、成本低，更有利于焊接的DFN0603 84排雙芯引線框架。
[0005]為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術方案為:
[0006]一種DFN0603 84排雙芯引線框架，包括承裝的框架，所述框架長度為250±0.1mm，寬度為70±0.05mm，所述框架從上至下間隔排列有84排晶體管的焊接區(qū)域，所述84排焊接區(qū)域每排有272個放置晶體管的單個封裝單元，所述單個封裝單元內(nèi)設置有兩個芯片槽，所述每排上的272個單個封裝單元位于框架的同一水平線上，所述單個封裝單元的長度方向與框架的長度方向平行布置，沿框架的長度方向?qū)⒖蚣艿确譃樗膫€A、B、C、D區(qū)域，每個區(qū)域之間間隔10mm，靠近邊緣的A區(qū)和D區(qū)距離框架邊緣10mm，所述四個區(qū)域之間的框架背面上沿框架的寬度方向設置有間隔凹槽。
[0007]由于DFN0603型號的單個封裝單元的尺寸是固定的0.6*0.3mm，因此在框架尺寸固定的情況下，合理地對框架焊接區(qū)域分區(qū)有助于提高框架利用率，本引線框架沿框架長度方向分成四個相同的區(qū)域，且單個封裝單元的長度方向與框架的長度方向平行布置，每排有272個放置晶體管的單個封裝單元，所述單個封裝單元內(nèi)設置有兩個芯片槽，那么每個區(qū)域內(nèi)布置68個單個封裝單元即可，每排框架上可放置的晶體管數(shù)量為544個；該框架的長為250_，除去A、B、C、D區(qū)域之間的間隔尺寸以及邊緣的預留尺寸，每個區(qū)域用于布置單個封裝單元的尺寸為50mm，而0.6*68為40.8mm，滿足框架上每排布置272個單個封裝單元即布置544個晶體管的需求；而框架的寬為70mm，單個封裝單元的寬度為0.3mm，0.3*84為25.2mm，完全滿足使用需求，這樣的設置增加了框架密度，提高了設備效率，降低成本。
[0008]所述四個區(qū)域之間的框架背面上沿框架寬度方向設置的間隔凹槽增大了框架背面的表面積，使得其在塑封是增加了塑封體與框架的接觸面積，提高密封性和穩(wěn)定性；另夕卜，由于該引線框架分區(qū)合理，各個區(qū)域都留有間隔尺寸，有利于封裝單元的焊接和安裝。
[0009]作為本實用新型的優(yōu)選方案，所述間隔凹槽的數(shù)量為6個，間隔凹槽的槽寬為6mm、長為10mm。間隔凹槽的數(shù)量設為6個，且長度為10臟，剛好合理利用了框架的寬度尺寸，使得框架背面的表面積增量最大，有利于提高塑封時的塑封效果。
[0010]綜上所述，由于采用了上述技術方案，本實用新型的有益效果是:
[0011]1、本引線框架合理地將框架分成四個相同的區(qū)域，尺寸分布合理，完全滿足將DFN0603型號的單個封裝單元在固定的框架尺寸下布置84排/45696個封裝單元即晶體管的需求，增加了框架密度，提高了設備效率，降低成本；且由于該引線框架分區(qū)合理，各個區(qū)域都留有間隔尺寸，有利于封裝單元的焊接和安裝；
[0012]2、所述四個區(qū)域之間的框架背面上沿框架寬度方向設置的間隔凹槽增大了框架背面的表面積，使得其在塑封是增加了塑封體與框架的接觸面積，提高密封性和穩(wěn)定性；
[0013]3、提高生產(chǎn)效率，前段提高40%的設備效率.Molding提高4.3倍的效率；
[0014]4、提高資源利用率，框架利用率提高40%，Compound用量降低50% ；
[0015]5、通過不銹鋼底帶取代膠底帶，增加框架的焊接強度和穩(wěn)定性以及降低產(chǎn)品的厚度。
【附圖說明】
[0016]圖1是本實用新型DFN0603 84排雙芯引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖2為圖1中A區(qū)域中的E部放大圖。
[0018]圖中標記:1-框架，2-單個封裝單元，3-間隔凹槽，4-框架固定孔。
【具體實施方式】
[0019]下面結(jié)合附圖，對本實用新型作詳細的說明。
[0020]為了使本實用新型的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
[0021]實施例1
[0022]如圖1和圖2所示，圖1是本實用新型DFN0603 84排雙芯引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖，圖中有4個相同的區(qū)域A、B、C、D，圖2為圖1中A區(qū)域中的E部放大圖，從圖2中可以看出單個封裝單元內(nèi)設置有兩個放置晶體管的芯片槽。本實施例的DFN0603 84排雙芯引線框架(DFN0603是小型電子元器件的封裝型號)，包括承裝的框架1，所述框架I長度為250 土0.1mm，寬度為70 土0.05mm，所述框架I從上至下間隔排列有84排晶體管的焊接區(qū)域，所述84排焊接區(qū)域每排有272個放置晶體管的單個封裝單元2，所述單個封裝單元2內(nèi)設置有兩個芯片槽，所述每排上的272個單個封裝單元2位于框架的同一水平線上，所述單個封裝單元2的長度方向與框架I的長度方向平行布置，沿框架I的長度方向?qū)⒖蚣艿确譃樗膫€A、B、C、D區(qū)域，每個區(qū)域之間間隔10mm，靠近邊緣的A區(qū)和D區(qū)距離框架邊緣10mm，所述四個區(qū)域之間的框架背面上沿框架I的寬度方向設置有間隔凹槽。
[0023]由于DFN0603型號的單個封裝單元的尺寸是固定的0.6*0.3mm，因此在框架尺寸固定的情況下，合理地對框架焊接區(qū)域分區(qū)有助于提高框架利用率，本引線框架沿框架長度方向分成四個相同的區(qū)域，且單個封裝單元的長度方向與框架的長度方向平行布置，每排有272個放置晶體管的單個封裝單元，所述單個封裝單元內(nèi)設置有兩個芯片槽，那么每個區(qū)域內(nèi)布置68個單個封裝單元即可，每排框架上可放置的晶體管數(shù)量為544個；該框架的長為250_，除去A、B、C、D區(qū)域之間的間隔尺寸以及邊緣的預留尺寸，每個區(qū)域用于布置單個封裝單元的尺寸為50mm，而0.6*68為40.8mm，滿足框架上每排布置272個單個封裝單元即布置544個晶體管的需求；而框架的寬為70mm，單個封裝單元的寬度為0.3mm，0.3*84為25.2mm，完全滿足使用需求，這樣的設置增加了框架密度，提高了設備效率，降低成本。
[0024]所述四個區(qū)域之間的框架背面上沿框架寬度方向設置的間隔凹槽增大了框架背面的表面積，使得其在塑封是增加了塑封體與框架的接觸面積，提高密封性和穩(wěn)定性；另夕卜，由于該引線框架分區(qū)合理，各個區(qū)域都留有間隔尺寸，有利于封裝單元的焊接和安裝。
[0025]在本實施例中，所述間隔凹槽3的數(shù)量為6個，間隔凹槽3的槽寬為6mm、長為10mm。間隔凹槽的數(shù)量設為6個，且長度為10mm，剛好合理利用了框架的寬度尺寸，使得框架背面的表面積增量最大，有利于提高塑封時的塑封效果。
[0026]如圖1中所示，在框架I的框架邊緣設置有多個固定孔4，便于該引線框架的塑封固定及框架裝配；而且，把框架I的寬度方向邊緣設置成了凹凸形的不平邊，這樣的設置有利于引線框架與其他配件的連接，也有利于多個引線框架疊加存放時的固定，節(jié)約空間。
[0027]本實用新型承裝晶體管密度提高的同時，前段需要防止框架氧化和保證焊接可靠性，并且在后工序中按要求去除多余的廢料。
[0028]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權項】
1.一種DFN0603 84排雙芯引線框架，包括承裝的框架，其特征在于，所述框架長度為250±0.1mm，寬度為70±0.05mm，所述框架從上至下間隔排列有84排晶體管的焊接區(qū)域，所述84排焊接區(qū)域每排有272個放置晶體管的單個封裝單元，所述單個封裝單元內(nèi)設置有兩個芯片槽，所述每排上的272個單個封裝單元位于框架的同一水平線上，所述單個封裝單元的長度方向與框架的長度方向平行布置，沿框架的長度方向?qū)⒖蚣艿确譃樗膫€A、B、C、D區(qū)域，每個區(qū)域之間間隔10mm，靠近邊緣的A區(qū)和D區(qū)距離框架邊緣10mm，所述四個區(qū)域之間的框架背面上沿框架的寬度方向設置有間隔凹槽。
2.根據(jù)權利要求1所述的DFN060384排雙芯引線框架，其特征在于，所述間隔凹槽的數(shù)量為6個，間隔凹槽的槽寬為6mm、長為1mm0
【專利摘要】本實用新型涉及一種引線框架，具體涉及一種DFN0603 84排雙芯引線框架，包括承裝的框架，所述框架長度為250±0.1mm，寬度為70±0.05mm，所述框架從上至下間隔排列有84排晶體管的焊接區(qū)域，所述84排焊接區(qū)域每排有272個放置晶體管的單個封裝單元，所述單個封裝單元內(nèi)設置兩個芯片槽，所述每排上的272個單個封裝單元位于框架的同一水平線上，所述單個封裝單元的長度方向與框架的長度方向平行布置，沿框架的長度方向?qū)⒖蚣艿确譃樗膫€A、B、C、D區(qū)域，每個區(qū)域之間間隔10mm，靠近邊緣的A區(qū)和D區(qū)距離框架邊緣10mm，所述四個區(qū)域之間的框架背面上沿框架寬度方向設置間隔凹槽。該引線框架較傳統(tǒng)的引線框架結(jié)構(gòu)增大了產(chǎn)品的密度，提高了生產(chǎn)效率，降低了成本，利于焊接。
【IPC分類】H01L23-495
【公開號】CN204497221
【申請?zhí)枴緾N201520248697
【發(fā)明人】羅天秀, 樊增勇, 許兵, 任偉, 崔金忠
【申請人】成都先進功率半導體股份有限公司
【公開日】2015年7月22日
【申請日】2015年4月23日