電極平臺的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及半導體制造領域，具體涉及一種LED2、4寸芯片兼容性沉積S12電極平臺。
【背景技術】
[0002]在現(xiàn)代LED芯片生產制造過程中，芯片在外延生長后經外延前清洗、MESA光刻及光刻后去除光刻膠，然后需進行掩膜Si02沉積，后序再經一些列化學、黃光、綜合制程工序處理到ITO前清洗、ITO蒸鍍、ITO光刻、ITO蝕刻去膠、ITO熔合處理后需再次進行沉積Si02，而Si02沉積需要使用特殊的設備一PECVD，而電極平臺就是沉積Si02必要組件。
[0003]目前國內外大部分沉積S12電極平臺設計時沒考慮芯片兼容性和設備利用率，在實際生產過程中，芯片放置槽種類單一且芯片放置槽布局不合理。
[0004]導致在生產過程中，不同規(guī)格芯片不便于同時制程。
【實用新型內容】
[0005](一)解決的技術問題
[0006]針對現(xiàn)有技術的不足，本實用新型提供了一種LED2、4寸芯片兼容性沉積S1^極平臺，使得不同規(guī)格芯片可以同時制程。
[0007]( 二)技術方案
[0008]為實現(xiàn)以上目的，本實用新型通過以下技術方案予以實現(xiàn):
[0009]一種LED2、4寸芯片兼容性沉積S1^極平臺，包括腔體、鋁電極圓柱和芯片載放平臺，其特征在于，所述芯片載放平臺上設置有多個4寸芯片放置槽，所述4寸芯片放置槽內設有多個2寸芯片放置槽，所述鋁電極圓柱在腔體底部，所述芯片載放平臺水平放置于鋁電極圓柱上。
[0010]優(yōu)選的，所述銷電極圓柱高度為40mm。
[0011]優(yōu)選的，所述4寸芯片放置槽和2寸芯片放置槽的直徑兩端均設有取片點，所述取片點的圓弧直徑為6_，所述取片點深度為0.45_。
[0012]優(yōu)選的，所述4寸芯片放置槽直徑為101mm，深度為0.35mm。
[0013]優(yōu)選的，所述4寸芯片放置槽有13個。
[0014]優(yōu)選的，所述2寸芯片放置槽直徑為51mm，深度為0.4mm。
[0015]優(yōu)選的，所述2寸芯片放置槽有51個。
[0016]優(yōu)選的，所述腔體內壁直徑為530_。
[0017](三)有益效果
[0018]本實用新型提供了一種LED2、4寸芯片兼容性沉積Si02電極平臺，通過對芯片載放平臺上設置的4寸芯片放置槽設重新布局，并在4寸芯片放置槽內設置2寸芯片放置槽，解決了芯片兼容性和設備利用率的問題，使得不同規(guī)格的芯片可以同時制程，在2寸芯片放置槽和4寸芯片放置槽兩側設有取片點，解決芯片取放位置不合理的問題，可根據(jù)個人操作習慣順利將芯片從電極平臺上取出。
【附圖說明】
[0019]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1為本實用新型實施例改進后2、4寸芯片放置槽結構示意圖；
[0021]圖2為本實用新型實施例改進后4寸芯片放置槽結構示意圖；
[0022]圖3為本實用新型實施例改進后2寸芯片放置槽結構示意圖；
[0023]圖4為本實用新型實施例改進后2、4寸芯片放置槽局部結構示意圖；
[0024]圖5為本實用新型實施例改進前4寸芯片放置槽結構示意圖；
[0025]圖中，1-腔體、2-4寸芯片放置槽、3-2寸芯片放置槽。
【具體實施方式】
[0026]為使本實用新型實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0027]實施例1:
[0028]結合圖2，以4寸芯片為例進一步闡述:
[0029]本實用新型實施例提供一種LED2、4寸芯片兼容性沉積Si02i極平臺，包括腔體、鋁電極圓柱和芯片載放平臺，所述腔體內壁直徑為530_，所述鋁電極圓柱在腔體底部，所述鋁電極圓柱高度為40mm，所述芯片載放平臺水平放置于鋁電極圓柱上，所述芯片載放平臺上有4寸芯片放置槽和2寸芯片放置槽，所述4寸芯片放置槽內設置有2寸芯片放置槽，生產過程中，2寸芯片和4寸芯片可以同時制程。
[0030]根據(jù)個人操作習慣，所述2寸芯片放置槽和4寸芯片放置槽直徑兩端均設有取片點，所述取片點為直徑6mm的圓弧且深度為0.45mm，操作人員可根據(jù)習慣使用左手或者右手取放芯片；所述4寸芯片放置槽直徑為101mm，深度為0.35mm，所述4寸芯片放置槽有13個，且10個為環(huán)形排列在腔體內側；所述2寸芯片放置槽直徑為51mm，深度為0.4mm，2寸芯片放置槽有51個。
[0031]使用時，選取13塊4寸芯片，在腔體內壁周圍放置10塊4寸芯片與4寸芯片放置槽內，剩余三塊4寸芯片放置于剩余的成三角形分布的4寸芯片放置槽。
[0032]實施例2:
[0033]結合圖3，以2寸芯片為例進一步闡述:
[0034]本實用新型實施例提供一種LED2、4寸芯片兼容性沉積Si02i極平臺，包括腔體、鋁電極圓柱和芯片載放平臺，所述腔體內壁直徑為530_，所述鋁電極圓柱在腔體底部，所述鋁電極圓柱高度為40mm，所述芯片載放平臺水平放置于鋁電極圓柱上，所述芯片載放平臺上有4寸芯片放置槽和2寸芯片放置槽，所述4寸芯片放置槽內設置有2寸芯片放置槽，生產過程中，2寸芯片和4寸芯片可以同時制程。
[0035]根據(jù)個人操作習慣，所述2寸芯片放置槽和4寸芯片放置槽直徑兩端均設有取片點，所述取片點為直徑6mm的圓弧且深度為0.45mm，操作人員可根據(jù)習慣使用左手或者右手取放芯片；所述4寸芯片放置槽直徑為101mm，深度為0.35mm，所述4寸芯片放置槽有13個，且10個為環(huán)形排列在腔體內側；所述2寸芯片放置槽直徑為51mm，深度為0.4mm，2寸芯片放置槽有51個。
[0036]使用時，選取51塊2寸芯片，在腔體內壁周圍放置23塊2寸芯片與2寸芯片放置槽，沿著以放置的2寸芯片向內放置16塊2寸芯片與2寸芯片放置槽，剩余12塊2寸芯片放置在剩余的2寸芯片放置槽內。
[0037]實施例3:
[0038]結合圖1，以2寸芯片和4寸芯片為例進一步闡述:
[0039]本實用新型實施例提供一種LED2、4寸芯片兼容性沉積Si02i極平臺，包括腔體、鋁電極圓柱和芯片載放平臺，所述腔體內壁直徑為530_，所述鋁電極圓柱在腔體底部，所述鋁電極圓柱高度為40mm，所述芯片載放平臺水平放置于鋁電極圓柱上，所述芯片載放平臺上有4寸芯片放置槽和2寸芯片放置槽，所述4寸芯片放置槽內設置有2寸芯片放置槽，生產過程中，2寸芯片和4寸芯片可以同時制程。
[0040]根據(jù)個人操作習慣，所述2寸芯片放置槽和4寸芯片放置槽直徑兩端均設有取片點，所述取片點為直徑6mm的圓弧且深度為0.45mm，操作人員可根據(jù)習慣使用左手或者右手取放芯片；所述4寸芯片放置槽直徑為101mm，深度為0.35mm，所述4寸芯片放置槽有13個，且10個為環(huán)形排列在腔體內側；所述2寸芯片放置槽直徑為51mm，深度為0.4mm，2寸芯片放置槽有51個。
[0041]使用時，可選取3塊4寸芯片放置于成三角形分布的4寸芯片放置槽，選取39塊2寸芯片放置于與已放置的4寸芯片放置槽不相重疊的2寸芯片放置槽內。
[0042]綜上，本實用新型實施例具有以下有益效果:
[0043]本實用新型實施例提供了一種LED2、4寸芯片兼容性沉積Si02電極平臺，通過對芯片載放平臺上設置的4寸芯片放置槽設重新布局，并在4寸芯片放置槽內設置2寸芯片放置槽，解決了芯片兼容性和設備利用率的問題，使得不同規(guī)格的芯片可以同時制程，在2寸芯片放置槽和4寸芯片放置槽兩側設有取片點，解決芯片取放位置不合理的問題，可根據(jù)個人操作習慣順利將芯片從電極平臺上取出。
[0044]需要說明的是，在本文中術語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設備中還存在另外的相同要素。
[0045]以上實施例僅用以說明本實用新型的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本實用新型進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本實用新型各實施例技術方案的精神和范圍。
【主權項】
1.一種LED2、4寸芯片兼容性沉積S1 2電極平臺，包括腔體、鋁電極圓柱和芯片載放平臺，其特征在于，所述芯片載放平臺上設置有多個4寸芯片放置槽，所述4寸芯片放置槽內設有多個2寸芯片放置槽，所述鋁電極圓柱在腔體底部，所述芯片載放平臺水平放置于鋁電極圓柱上。2.如權利要求1所述的LED2、4寸芯片兼容性沉積Si02i極平臺，其特征在于，所述鋁電極圓柱高度為40mmo3.如權利要求1所述的LED2、4寸芯片兼容性沉積Si02i極平臺，其特征在于，所述4寸芯片放置槽和2寸芯片放置槽的直徑兩端均設有取片點，所述取片點的圓弧直徑為6mm，所述取片點深度為0.45mm。4.如權利要求3所述的LED2、4寸芯片兼容性沉積S12電極平臺，其特征在于，所述4寸芯片放置槽直徑為101mm，深度為0.35mm。5.如權利要求4所述的LED2、4寸芯片兼容性沉積S12電極平臺，其特征在于，所述4寸芯片放置槽有13個。6.如權利要求3所述的LED2、4寸芯片兼容性沉積S12電極平臺，其特征在于，所述2寸芯片放置槽直徑為51mm，深度為0.4mm。7.如權利要求6所述的LED2、4寸芯片兼容性沉積S12電極平臺，其特征在于，所述2寸芯片放置槽有51個。8.如權利要求1所述的LED2、4寸芯片兼容性沉積Si02i極平臺，其特征在于，所述腔體內壁直徑為530_。
【專利摘要】本實用新型提供一種LED2、4寸芯片兼容性沉積SiO2電極平臺，涉及半導體制造領域。包括腔體、鋁電極圓柱和芯片載放平臺，所述鋁電極圓柱在腔體底部，所述芯片載放平臺水平放置于鋁電極圓柱上。通過對芯片載放平臺上設置的4寸芯片放置槽設重新布局，并在4寸芯片放置槽內設置2寸芯片放置槽，解決了芯片兼容性和設備利用率的問題，使得不同規(guī)格的芯片可以同時制程，在2寸芯片放置槽和4寸芯片放置槽兩側設有取片點，解決芯片取放位置不合理的問題，可根據(jù)個人操作習慣順利將芯片從電極平臺上取出。
【IPC分類】H01J37/32
【公開號】CN204614761
【申請?zhí)枴緾N201520292442
【發(fā)明人】丁維才, 高學生, 王濤, 王雷
【申請人】合肥彩虹藍光科技有限公司
【公開日】2015年9月2日
【申請日】2015年5月7日