Cigs薄膜電池的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電力生產(chǎn)領(lǐng)域，尤其涉及一種CIGS薄膜電池。
【背景技術(shù)】
[0002]CIGS是太陽(yáng)能薄膜電池CuInxGa(l-x) Se2的簡(jiǎn)寫(xiě)，具有穩(wěn)定性好、抗福照性能好、成本低、效率高等優(yōu)點(diǎn)，以被廣泛應(yīng)用于光伏產(chǎn)業(yè)中，目前，現(xiàn)有的CIGS薄膜電池一般包括具有硫化鎘(CdS)的緩沖層，緩沖層CdS具有潛在的毒性，可造成薄膜和環(huán)境的污染，并可降低太陽(yáng)能電池的性能。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的一個(gè)目的是提供一種CIGS薄膜電池，以解決上述問(wèn)題。
[0004]本實(shí)用新型提供了一種CIGS薄膜電池，包括:基底，通過(guò)濺射法沉積鉬在基底上的背接觸件，通過(guò)共蒸鍍法沉積在背接觸件上的P型CIGS層，淀積在P型CIGS層上的N型CIGS層和通過(guò)電子束蒸鍍法沉積氟化鎂在N型CIGS層上的反射防止膜；背接觸件與基底連接，P型CIGS層與背接觸件連接，N型CIGS層與P型CIGS層連接，反射防止膜與N型CIGS層連接。
[0005]進(jìn)一步，基底為鈉鈣玻璃。
[0006]進(jìn)一步，N型CIGS層由混合的堿金屬和砸化物構(gòu)成。
[0007]進(jìn)一步，堿金屬包括鈉。
[0008]進(jìn)一步，砸化物包括Na2Se。
[0009]進(jìn)一步，反射防止膜的側(cè)面設(shè)有柵電極。
[0010]進(jìn)一步，N型CIGS層上沉積有透明電極層。
[0011]進(jìn)一步，透明電極層為氧化鋅薄膜。
[0012]與現(xiàn)有技術(shù)相比本實(shí)用新型的有益效果是:通過(guò)將P型CIGS層耦合到N型CIGS層，形成具有單一連接點(diǎn)的光吸收層，無(wú)需設(shè)置具有硫化鎘的緩沖層，提高了太陽(yáng)能電池性能，避免了有毒物質(zhì)對(duì)薄膜及環(huán)境的污染。
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1是本實(shí)用新型CIGS薄膜電池一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖2是本實(shí)用新型CIGS薄膜電池另一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面通過(guò)具體的實(shí)施例子并結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
[0016]如圖1、圖2所示，圖1是本實(shí)用新型CIGS薄膜電池一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型CIGS薄膜電池另一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]參圖1所示，本實(shí)施例提供了一種CIGS薄膜電池，包括基底1，通過(guò)濺射法沉積鉬在基底I上的背接觸件2，通過(guò)共蒸鍍法沉積在背接觸件2上的P型CIGS層31，淀積在P型CIGS層上的N型CIGS層32，P型CIGS層31及N型CIGS層32組成光吸收層3，和通過(guò)電子束蒸鍍法沉積氟化鎂在N型CIGS層32上的反射防止膜4。
[0018]本實(shí)施例通過(guò)將P型CIGS層31耦合到N型CIGS層32，形成具有單一連接點(diǎn)的光吸收層3，無(wú)需設(shè)置具有硫化鎘的緩沖層，提高了太陽(yáng)能電池性能，避免了有毒物質(zhì)對(duì)薄膜及環(huán)境的污染。
[0019]在本實(shí)施例中，基底I可采用鈉鈣玻璃。
[0020]在本實(shí)施例中，使用濺射法形成的鉬(Mo)薄膜具有低電阻率的電極和較大的粘接力，可以防止由于在熱膨脹系數(shù)差造成的背接觸件2與基底I的剝離。
[0021]在本實(shí)施例中，N型CIGS層32由混合的堿金屬和砸化物構(gòu)成，其中，堿金屬包括鈉(Na)ο
[0022]在本實(shí)施例中，砸化物包括Na2Se。
[0023]在本實(shí)施例中，反射防止膜4的側(cè)面設(shè)有柵電極5，將柵電極5設(shè)置在反射防止膜4的側(cè)面可以增加太陽(yáng)光的吸收率，提高太陽(yáng)能電池的效率。
[0024]參圖2所示，沉積光吸收層3和反射防止膜4之間設(shè)有具有高光透射率和高導(dǎo)電性的透明電極層6，透明電極層6沉積在N型CIGS層32上。
[0025]在本實(shí)施例中，透明電極層6為氧化鋅(ZnO)薄膜，ZnO薄膜可以與Al或B摻雜以獲得更小的電阻值。
[0026]在本實(shí)施例中，還可采用在氧化鋅(ZnO)薄膜沉積銦錫氧化物(ITO)的雙層結(jié)構(gòu)，以獲得更優(yōu)良的電光學(xué)特性。
[0027]雖然本發(fā)明已經(jīng)描述了關(guān)于具體實(shí)施例，但將顯而易見(jiàn)的本領(lǐng)域技術(shù)人員進(jìn)行各種變化和修改可以做出而不脫離本發(fā)明的精神和范圍如在下面的權(quán)利要求限定。
[0028]上文所列出的一系列的詳細(xì)說(shuō)明僅僅是針對(duì)本實(shí)用新型的可行性實(shí)施方式的具體說(shuō)明，它們并非用以限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍，凡未脫離本實(shí)用新型技藝精神所作的等效實(shí)施方式或變更均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0029]對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本實(shí)用新型不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本實(shí)用新型的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。因此，無(wú)論從哪一點(diǎn)來(lái)看，均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說(shuō)明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本實(shí)用新型內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種CIGS薄膜電池，其特征在于，包括:基底，通過(guò)濺射法沉積鉬在所述基底上的背接觸件，通過(guò)共蒸鍍法沉積在所述背接觸件上的P型CIGS層，淀積在所述P型CIGS層上的N型CIGS層和通過(guò)電子束蒸鍍法沉積氟化鎂在所述N型CIGS層上的反射防止膜；所述背接觸件與所述基底連接，所述P型CIGS層與所述背接觸件連接，所述N型CIGS層與所述P型CIGS層連接，所述反射防止膜與所述N型CIGS層連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CIGS薄膜電池，其特征在于，所述基底為鈉鈣玻璃。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的CIGS薄膜電池，其特征在于，所述堿金屬包括鈉。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的CIGS薄膜電池，其特征在于，所述砸化物包括Na2Se。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的CIGS薄膜電池，其特征在于，所述反射防止膜的側(cè)面設(shè)有柵電極。6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的CIGS薄膜電池，其特征在于，所述N型CIGS層上沉積有透明電極層。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的CIGS薄膜電池，其特征在于，所述透明電極層為氧化鋅薄膜。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型涉及電力生產(chǎn)領(lǐng)域，尤其涉及一種CIGS薄膜電池，基底，通過(guò)濺射法沉積鉬在所述基底上的背接觸件，通過(guò)共蒸鍍法沉積在所述背接觸件上的P型CIGS層，淀積在所述P型CIGS層上的N型CIGS層和通過(guò)電子束蒸鍍法沉積氟化鎂在所述N型CIGS層上的反射防止膜。本實(shí)用新型通過(guò)將P型CIGS層耦合到N型CIGS層，形成具有單一連接點(diǎn)的光吸收層，無(wú)需設(shè)置具有硫化鎘的緩沖層，提高了太陽(yáng)能電池性能，避免了有毒物質(zhì)對(duì)薄膜及環(huán)境的污染。
【IPC分類(lèi)】H01L31/04, H01L31/055, H01L31/0216
【公開(kāi)號(hào)】CN204614795
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420814184
【發(fā)明人】張明宇, 安娜
【申請(qǐng)人】云南能投能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院
【公開(kāi)日】2015年9月2日
【申請(qǐng)日】2014年12月20日