絕緣體的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種絕緣體。
【背景技術】
[0002]陣列感應器是在普通感應儀器的基礎之上發(fā)展起來的，其具有一定的徑向探測能力。這種儀器采用一系列不同線圈距的線圈對同一地層進行測量，再通過硬件或者軟件聚焦處理獲得不同徑向探測深度的地層電導率，從而有效地識別油氣層。線圈系的精度對測量精度起決定性作用。
[0003]現(xiàn)有的陣列感應器的線圈通常采用導線繞制在絕緣基體上，常用的絕緣基體為耐高溫玻璃鋼，其熱膨脹系數(shù)比較大，當溫度升高時線圈的測量信號會發(fā)生溫度漂移，若漂移超過許可范圍，需拆下線圈構件重新繞制線圈，重新校準儀器，給使用造成不便。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型提出一種絕緣體，解決了現(xiàn)有技術中的膨脹系數(shù)大導致重新繞制線圈的問題。
[0005]本實用新型的技術方案是這樣實現(xiàn)的:
[0006]一種絕緣體，用于繞制線圈后應用于一陣列感應器內(nèi)，該絕緣體為氮化硅陶瓷絕緣體，所述絕緣體為圓柱狀，其中心設有一圓形的通孔，該絕緣體包括相對設置的兩環(huán)形面及連接于該兩環(huán)形面的外周緣之間的一側面，所述側面的中部設有多個等間隔平行設置的第一環(huán)形槽、與第一環(huán)形槽平行并分別位于這些第一環(huán)形槽兩側的兩個第二環(huán)形槽、及與第一環(huán)形槽及第二環(huán)形槽垂直且等間隔平行設置的多個縱槽。
[0007]優(yōu)選方案為，所述各第一環(huán)形槽之間的間隔小于第二環(huán)形槽與其靠近的第一環(huán)形槽之間的間隔。
[0008]優(yōu)選方案為，所述側面于靠近環(huán)形面的兩端的位置分別設有出線槽，所述出線槽內(nèi)等間隔設有四個出線孔。
[0009]優(yōu)選方案為，每一環(huán)形面上等間隔設有四個凹槽，并于每相鄰兩凹槽之間形成一凸臺，每一凸臺上平行等間隔設有多個條形槽。
[0010]優(yōu)選方案為，每一條形槽的兩端分別與其相鄰的凹槽相通，并相對于凸臺的中心對稱設置。
[0011]優(yōu)選方案為，所述凸臺的橫截面的形狀及大小與凹槽的橫截面的形狀及大小相同，每一凹槽及凸臺于靠近通孔的邊為直邊，并圍繞通孔的外周面形成一正八邊形。
[0012]本實用新型的有益效果為:
[0013]本實用新型中的絕緣體為氮化硅絕緣體，熱膨脹系數(shù)低，尤其是多晶硅，當溫度升高時線圈的測量信號不容易發(fā)生溫度漂移；同時，由于絕緣體上設有間隔不同的第一環(huán)形槽、第二環(huán)形槽及縱槽，更加便于線圈組的繞制、制作及調配，同時，使線圈相對位置調節(jié)方便簡潔，可通過微調來調節(jié)測量信號，保證測量的精度，從而使裝配定位精度高。
【附圖說明】
[0014]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0015]圖1為本實用新型絕緣體的立體圖。
[0016]圖中:
[0017]100、絕緣體；10、通孔；20、環(huán)形面；30、側面；21、凹槽；22、凸臺；23、條形槽；31、第一環(huán)形槽；32、第二環(huán)形槽；33、出線槽；330、出線孔；35、縱槽。
【具體實施方式】
[0018]下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0019]如圖1所示，該絕緣體100用于繞制線圈應用于一陣列感應器內(nèi)。該絕緣體100為陶瓷絕緣體，具體為氮化硅陶瓷絕緣體。該絕緣體100為圓柱狀，其中心設有一圓形的通孔10。該絕緣體100包括相對設置的兩環(huán)形面20、及連接于該兩環(huán)形面20的外周緣之間的一側面30。
[0020]每一環(huán)形面20上等間隔設有四個凹槽21，并于每相鄰兩凹槽21之間形成一凸臺22。所述凸臺22的橫截面的形狀及大小與凹槽21的橫截面的形狀及大小相同。每一凹槽21及凸臺22于靠近通孔10的邊為直邊，并圍繞通孔10的外周面形成一正八邊形。每一凹槽21及凸臺22的外側貫通絕緣體100的側面30。每一凹槽21的各處深度相同；每一凸臺22各處的高度相同。每一凸臺22上平行等間隔設有多個條形槽23，每一條形槽23的兩端分別與其相鄰的凹槽21相通，并相對于凸臺22的中心對稱設置。
[0021]所述側面30上設有多個第一環(huán)形槽31及與第一環(huán)形槽31平行的兩個第二環(huán)形槽32。所述第一環(huán)形槽31等間隔平行設于側面30的中部，并與絕緣體100的環(huán)形面20相平行。所述兩第二環(huán)形槽32分別位于這些第一環(huán)形槽31的兩側，并于靠近環(huán)形面20的位置設置。所述各第一環(huán)形槽31之間的間隔小于第二環(huán)形槽32與其靠近的第一環(huán)形槽31之間的間隔。所述側面30于靠近環(huán)形面20的兩端并對應一凸臺22的位置分別設有一出線槽33，所述出線槽33內(nèi)等間隔設有四個出線孔330。每一出線槽33內(nèi)的各出線孔330在同一平面上，并與一第二環(huán)形槽32在同一平面上，以導引由出線槽33內(nèi)引出的導線。
[0022]所述側面30上還平行等間隔設有多個縱槽35。所述縱槽35與第一環(huán)形槽31及第二環(huán)形槽32相垂直，并貫穿兩環(huán)形面20及凸臺22上未設置出線孔330的位置。
[0023]該絕緣體100為氮化硅絕緣體，熱膨脹系數(shù)低，尤其是多晶硅，當溫度升高時線圈的測量信號不容易發(fā)生溫度漂移。同時，由于絕緣體100上設有間隔不同的第一環(huán)形槽31、第二環(huán)形槽32、縱槽35及凸臺22上的條形槽23，更加便于線圈組的繞制、制作及檢測，同時，使線圈相對位置調節(jié)方便簡潔，可通過微調來調節(jié)測量信號，保證測量的精度，從而使裝配定位精度高，還可以有效的減少周圍環(huán)境中的信號干擾，發(fā)射接收信息源準確。
[0024]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權項】
1.一種絕緣體，用于繞制線圈后應用于一陣列感應器內(nèi)，其特征在于:該絕緣體為氮化硅陶瓷絕緣體，所述絕緣體為圓柱狀，其中心設有一圓形的通孔，該絕緣體包括相對設置的兩環(huán)形面及連接于該兩環(huán)形面的外周緣之間的一側面，所述側面的中部設有多個等間隔平行設置的第一環(huán)形槽、與第一環(huán)形槽平行并分別位于這些第一環(huán)形槽兩側的兩個第二環(huán)形槽、及與第一環(huán)形槽及第二環(huán)形槽垂直且等間隔平行設置的多個縱槽。2.如權利要求1所述的絕緣體，其特征在于:所述各第一環(huán)形槽之間的間隔小于第二環(huán)形槽與其靠近的第一環(huán)形槽之間的間隔。3.如權利要求1所述的絕緣體，其特征在于:所述側面于靠近環(huán)形面的兩端的位置分別設有出線槽，所述出線槽內(nèi)等間隔設有四個出線孔。4.如權利要求1所述的絕緣體，其特征在于:每一環(huán)形面上等間隔設有四個凹槽，并于每相鄰兩凹槽之間形成一凸臺，每一凸臺上平行等間隔設有多個條形槽。5.如權利要求4所述的絕緣體，其特征在于:每一條形槽的兩端分別與其相鄰的凹槽相通，并相對于凸臺的中心對稱設置。6.如權利要求4所述的絕緣體，其特征在于:所述凸臺的橫截面的形狀及大小與凹槽的橫截面的形狀及大小相同，每一凹槽及凸臺于靠近通孔的邊為直邊，并圍繞通孔的外周面形成一正八邊形。
【專利摘要】本實用新型提出了一種絕緣體，用于繞制線圈后應用于一陣列感應器內(nèi)，該絕緣體為氮化硅陶瓷絕緣體，所述絕緣體為圓柱狀，其中心設有一通孔，該絕緣體包括相對設置的兩環(huán)形面及連接于該兩環(huán)形面的外周緣之間的一側面，所述側面的中部設有多個等間隔平行設置的第一環(huán)形槽、與第一環(huán)形槽平行并分別位于這些第一環(huán)形槽兩側的兩個第二環(huán)形槽、及與第一環(huán)形槽及第二環(huán)形槽垂直且等間隔平行設置的多個縱槽。本實用新型中的絕緣體為氮化硅絕緣體，熱膨脹系數(shù)低，當溫度升高時線圈的測量信號不容易發(fā)生溫度漂移；同時，由于絕緣體上設有間隔不同的第一環(huán)形槽、第二環(huán)形槽及縱槽，更加便于線圈組的繞制、制作及調配，使線圈相對位置調節(jié)方便簡潔。
【IPC分類】H01B17/56, G01V3/10, H01F5/02
【公開號】CN204632474
【申請?zhí)枴緾N201520197454
【發(fā)明人】李剛
【申請人】新德隆特種陶瓷（大連）有限公司
【公開日】2015年9月9日
【申請日】2015年4月2日