絕緣體的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種絕緣體。
【背景技術(shù)】
[0002]陣列感應(yīng)器是在普通感應(yīng)儀器的基礎(chǔ)之上發(fā)展起來的，其具有一定的徑向探測能力。這種儀器采用一系列不同線圈距的線圈對同一地層進(jìn)行測量，再通過硬件或者軟件聚焦處理獲得不同徑向探測深度的地層電導(dǎo)率，從而有效地識別油氣層。線圈系的精度對測量精度起決定性作用。
[0003]現(xiàn)有的陣列感應(yīng)器的線圈通常采用導(dǎo)線繞制在絕緣基體上，常用的絕緣基體為耐高溫玻璃鋼，其熱膨脹系數(shù)比較大，當(dāng)溫度升高時線圈的測量信號會發(fā)生溫度漂移，若漂移超過許可范圍，需拆下線圈構(gòu)件重新繞制線圈，重新校準(zhǔn)儀器，給使用造成不便。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型提出一種絕緣體，解決了現(xiàn)有技術(shù)中的膨脹系數(shù)大導(dǎo)致重新繞制線圈的問題。
[0005]本實用新型的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的:
[0006]一種絕緣體，用于繞制線圈應(yīng)用于一陣列感應(yīng)器內(nèi)，該絕緣體為氮化硅陶瓷絕緣體，所述絕緣體為圓柱狀，其中心設(shè)有一通孔，該絕緣體包括相對設(shè)置的兩環(huán)形面及連接于該兩環(huán)形面的外周緣之間的一側(cè)面，所述側(cè)面上設(shè)有一第一環(huán)形槽組、與該第一環(huán)形槽組平行設(shè)置的一第二環(huán)形槽組、分別與第一環(huán)形槽組及第二環(huán)形槽組垂直的一第一縱槽、三個第二縱槽及一第三縱槽，所述第一環(huán)形槽組與第二環(huán)形槽組的深度相同，且第一環(huán)形槽組及第二環(huán)形槽組內(nèi)分別設(shè)有用于纏繞線圈組的印槽，所述第一縱槽、第二縱槽及第三縱槽分別由絕緣體側(cè)面的頂端延伸至其底端，且第一縱槽的深度比第一環(huán)形槽組的深度深，第二縱槽及第三縱槽的深度相同，且均小于第一環(huán)形槽組的深度。
[0007]優(yōu)選方案為，所述第一環(huán)形槽組設(shè)于靠近該絕緣體側(cè)面的頂端，并與該絕緣體的環(huán)形面相平行；所述第二環(huán)形槽組設(shè)于靠近該絕緣體側(cè)面的底端。
[0008]優(yōu)選方案為，所述第一環(huán)形槽組及第二環(huán)形槽組包括上下平行設(shè)置的一環(huán)形頂面與一環(huán)形底面及連接于該環(huán)形頂面與環(huán)形底面之間的一纏繞面，所述印槽設(shè)于纏繞面上。
[0009]優(yōu)選方案為，所述第一環(huán)形槽組的纏繞面的高度大于第二環(huán)形槽組的纏繞面的高度。
[0010]優(yōu)選方案為，所述第一縱槽的橫截面為矩形，所述第二縱槽的橫截面為弧形。
[0011 ] 優(yōu)選方案為，所述第二縱槽及第三縱槽位于第一縱槽的兩側(cè)。
[0012]本實用新型的有益效果為:
[0013]本實用新型中的絕緣體為氮化硅絕緣體，熱膨脹系數(shù)低，尤其是多晶硅，當(dāng)溫度升高時線圈的測量信號不容易發(fā)生溫度漂移；同時，由于絕緣體上設(shè)有間隔不同的第一環(huán)形槽組、第二環(huán)形槽組及第一、第二、第三縱槽，更加便于線圈組的繞制、制作及調(diào)配，同時，使線圈相對位置調(diào)節(jié)方便簡潔，可通過微調(diào)來調(diào)節(jié)測量信號，保證測量的精度，從而使裝配定位精度高。
【附圖說明】
[0014]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0015]圖1為本實用新型絕緣體的立體圖；
[0016]圖2為圖1的橫向截面示意圖。
[0017]圖中:
[0018]100、絕緣體；10、通孔；20、環(huán)形面；30、側(cè)面；31、第一環(huán)形槽組；32、第二環(huán)形槽組；33、第一縱槽；35、第二縱槽；36、第三縱槽；310、環(huán)形頂面；311、環(huán)形底面；312、纏繞面；38、出線槽；380、出線孔。
【具體實施方式】
[0019]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護(hù)的范圍。
[0020]如圖1及圖2所示，該絕緣體100用于繞制線圈并應(yīng)用于一陣列感應(yīng)器內(nèi)。該絕緣體100為陶瓷絕緣體，具體為氮化娃陶瓷絕緣體。
[0021]該絕緣體100為圓柱狀，其中心設(shè)有一圓形的通孔10。該絕緣體100包括相對設(shè)置的兩環(huán)形面20、及連接于該兩環(huán)形面20的外周緣之間的一側(cè)面30。
[0022]所述側(cè)面30上設(shè)有一第一環(huán)形槽組31、與該第一環(huán)形槽組31平行設(shè)置的一第二環(huán)形槽組32、分別與第一環(huán)形槽組31及第二環(huán)形槽組32垂直的一第一縱槽33、三個第二縱槽35及一第三縱槽36。
[0023]所述第一環(huán)形槽組31設(shè)于靠近該絕緣體100側(cè)面30的頂端，并與該絕緣體100的環(huán)形面20相平行。該第一環(huán)形槽組31與絕緣體100頂端的環(huán)形面20之間的距離為9.95-10.05mm。該第一環(huán)形槽組31的整體高度為103.62-103.72mm，其由絕緣體100的側(cè)面30向內(nèi)凹進(jìn)。該第一環(huán)形槽組31包括上下平行設(shè)置的一環(huán)形頂面310與一環(huán)形底面311、及連接于該環(huán)形頂面310與環(huán)形底面311之間的一纏繞面312。所述環(huán)形頂面310及環(huán)形底面311水平設(shè)置，并與絕緣體100的環(huán)形面20相平行。該環(huán)形頂面310與環(huán)形底面311的大小及形狀相同。所述纏繞面312的高度與第一環(huán)形槽組31的高度相同，該纏繞面312上等間隔設(shè)有若干印槽(圖未示)，以用于纏繞線圈組。
[0024]所述第二環(huán)形槽組32設(shè)于靠近該絕緣體100側(cè)面30的底端，并與該絕緣體100的環(huán)形面20相平行。該第二環(huán)形槽組32與絕緣體100底端的環(huán)形面20之間的距離為9.37-10.47_。該第二環(huán)形槽組32與第一環(huán)形槽組31的結(jié)構(gòu)及形狀相同，其不同之處在于:該第二環(huán)形槽組32的整體高度比第一環(huán)形槽組31的整體高度小，具體高度可為38.87-38.93_。該第二環(huán)形槽組32內(nèi)設(shè)有若干印槽，以用于纏繞線圈組。
[0025]所述第一縱槽33設(shè)于絕緣體100的整個側(cè)面30上，并由其頂端向下垂直延伸至貫穿其底端。該第一縱槽33的深度比第二縱槽35及第三縱槽36的深度深，其還延伸于第一環(huán)槽組31及第二環(huán)槽組32上。該第一縱槽33的橫截面為矩形。該第一縱槽33的中部間隔設(shè)有三個出線槽38。中部的出線槽38內(nèi)設(shè)有兩個出線孔380，上、下出線槽38的中部分別設(shè)有一出線孔。所述三個第二縱槽35及第三縱槽36的橫截面為弧形，其深度小于第一環(huán)形槽組31及第二環(huán)形槽組32的環(huán)形頂面310或環(huán)形底面311的寬度，因此，所述第二縱槽35及第三縱槽36分別由絕緣體100側(cè)面30的頂端延伸至其底端，但并未設(shè)置于第一環(huán)形槽組31及第二環(huán)形槽組32上。三個第二縱槽35等間隔設(shè)于第一縱槽33的左側(cè)，第三縱槽36設(shè)于第一縱槽33的右側(cè)，且第三縱槽36的中心相對于第一縱槽33中心偏離的角度大于最左側(cè)的第二縱槽35相對于第一縱槽33中心偏離的角度。
[0026]該絕緣體100為氮化硅絕緣體，熱膨脹系數(shù)低，尤其是多晶硅，當(dāng)溫度升高時線圈的測量信號不容易發(fā)生溫度漂移。同時，由于絕緣體100上設(shè)有間隔不同的第一環(huán)形槽組31、第二環(huán)形槽組32、第一縱槽33、第二縱槽35及第三縱槽36，更加便于線圈組的繞制、制作及檢測，同時，使線圈相對位置調(diào)節(jié)方便簡潔，可通過微調(diào)來調(diào)節(jié)測量信號，保證測量的精度，從而使裝配定位精度高，還可以有效的減少周圍環(huán)境中的信號干擾，發(fā)射接收信息源準(zhǔn)確。
[0027]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種絕緣體，用于繞制線圈應(yīng)用于一陣列感應(yīng)器內(nèi)，其特征在于:該絕緣體為氮化硅陶瓷絕緣體，所述絕緣體為圓柱狀，其中心設(shè)有一通孔，該絕緣體包括相對設(shè)置的兩環(huán)形面及連接于該兩環(huán)形面的外周緣之間的一側(cè)面，所述側(cè)面上設(shè)有一第一環(huán)形槽組、與該第一環(huán)形槽組平行設(shè)置的一第二環(huán)形槽組、分別與第一環(huán)形槽組及第二環(huán)形槽組垂直的一第一縱槽、三個第二縱槽及一第三縱槽，所述第一環(huán)形槽組與第二環(huán)形槽組的深度相同，且第一環(huán)形槽組及第二環(huán)形槽組內(nèi)分別設(shè)有用于纏繞線圈組的印槽，所述第一縱槽、第二縱槽及第三縱槽分別由絕緣體側(cè)面的頂端延伸至其底端，且第一縱槽的深度比第一環(huán)形槽組的深度深，第二縱槽及第三縱槽的深度相同，且均小于第一環(huán)形槽組的深度。2.如權(quán)利要求1所述的絕緣體，其特征在于:所述第一環(huán)形槽組設(shè)于靠近該絕緣體側(cè)面的頂端，并與該絕緣體的環(huán)形面相平行；所述第二環(huán)形槽組設(shè)于靠近該絕緣體側(cè)面的底端。3.如權(quán)利要求1所述的絕緣體，其特征在于:所述第一環(huán)形槽組及第二環(huán)形槽組包括上下平行設(shè)置的一環(huán)形頂面與一環(huán)形底面及連接于該環(huán)形頂面與環(huán)形底面之間的一纏繞面，所述印槽設(shè)于纏繞面上。4.如權(quán)利要求3所述的絕緣體，其特征在于:所述第一環(huán)形槽組的纏繞面的高度大于第二環(huán)形槽組的纏繞面的高度。5.如權(quán)利要求1所述的絕緣體，其特征在于:所述第一縱槽的橫截面為矩形，所述第二縱槽的橫截面為弧形。6.如權(quán)利要求1所述的絕緣體，其特征在于:所述第二縱槽及第三縱槽位于第一縱槽的兩側(cè)。
【專利摘要】本實用新型提出了一種絕緣體，該絕緣體為圓柱狀的氮化硅陶瓷絕緣體，其包括相對設(shè)置的兩環(huán)形面及連接于兩環(huán)形面外周緣之間的側(cè)面，該側(cè)面上設(shè)有第一環(huán)形槽組、與該第一環(huán)形槽組平行設(shè)置的第二環(huán)形槽組、分別與第一環(huán)形槽組及第二環(huán)形槽組垂直的一第一縱槽、第二縱槽及一第三縱槽，第一環(huán)形槽組與第二環(huán)形槽組的深度相同，且第一環(huán)形槽組及第二環(huán)形槽組內(nèi)分別設(shè)有印槽，第一縱槽、第二縱槽及第三縱槽分別由絕緣體側(cè)面的頂端延伸至其底端，且第一縱槽的深度比第一環(huán)形槽組的深度深，第二縱槽及第三縱槽的深度相同，且均小于第一環(huán)形槽組的深度。該絕緣體為氮化硅絕緣體，熱膨脹系數(shù)低，當(dāng)溫度升高時線圈的測量信號不容易發(fā)生溫度漂移。
【IPC分類】G01V3/00, H01F5/02
【公開號】CN204632493
【申請?zhí)枴緾N201520197003
【發(fā)明人】李剛
【申請人】新德隆特種陶瓷（大連）有限公司
【公開日】2015年9月9日
【申請日】2015年4月2日