Led芯片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域，尤其涉及一種LED芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(LED，light emitting d1de)被稱為第四代光源，具有節(jié)能、環(huán)保、安全、壽命長、低功耗、低熱、高亮度、防水、微型、防震、易調(diào)光、光束集中、維護簡便等特點，可以廣泛應(yīng)用于各種指示、顯示、裝飾、背光源、普通照明等領(lǐng)域。
[0003]隨著技術(shù)的發(fā)展，人們對LED芯片的亮度要求越來越高。常用的LED芯片為追求亮度高，版型設(shè)計主要以P電極加上單引腳，透明導(dǎo)電層設(shè)計非常薄。這樣就導(dǎo)致LED芯片抗靜電能力(ESD)介于2500V-4000V(也就是人體模式)，這樣的LED芯片抗靜電能力較弱，封裝應(yīng)用存在失效風(fēng)險。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實用新型的目的在于提供一種LED芯片，其具有較好的抗靜電能力、更高的可靠性。
[0005]為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型一實施方式的LED芯片，包括:襯底；
[0006]設(shè)置于所述襯底上的N型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層；
[0007]設(shè)置于所述N型半導(dǎo)體層和所述P型半導(dǎo)體層之間的發(fā)光層；
[0008]與所述N型半導(dǎo)體層相連的N型電極；
[0009]與所述P型半導(dǎo)體層相連的P型電極；
[0010]以及設(shè)置于所述P型半導(dǎo)體層上的電流阻擋層；所述P型電極位于所述電流阻擋層上，所述P型電極連接有電極引腳；其特征在于，所述電極引腳遠離所述P型電極的一端連接有截止引腳。
[0011]作為本實用新型一實施方式的進一步改進，所述截止引腳為一字形、弧形或一字形和弧形的組合。
[0012]作為本實用新型一實施方式的進一步改進，所述截止引腳為弧形，所述弧形所在圓的圓心位于靠近所述P型電極的一側(cè)。
[0013]作為本實用新型一實施方式的進一步改進，所述電流阻擋層在所述襯底上的形狀與所述P型電極、電極引腳和截止引腳共同形成的電極在所述襯底上的形狀相同。
[0014]作為本實用新型一實施方式的進一步改進，所述電流阻擋層在所述襯底上的面積大于所述P型電極、電極引腳和截止引腳共同形成的電極在所述襯底上的面積。
[0015]作為本實用新型一實施方式的進一步改進，所述弧形所在圓的圓心位于所述電極引腳上。
[0016]作為本實用新型一實施方式的進一步改進，所述襯底為藍寶石襯底。
[0017]作為本實用新型一實施方式的進一步改進，所述P型半導(dǎo)體層為P形GaN，所述N型半導(dǎo)體層為N型GaN。
[0018]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請的LED芯片在P電極引腳的端部設(shè)置截至引腳來增加該LED芯片的抗靜電能力，從而使該LED芯片具有更高的可靠度。
【附圖說明】
[0019]圖1為本實用新型實施例1的LED芯片的側(cè)剖示意圖。
[0020]圖2為本實用新型實施例1的LED芯片的俯視示意圖。
[0021]圖3為本實用新型實施例2的LED芯片的俯視示意圖。
[0022]圖4為本實用新型的實施例3的LED芯片制造流程圖。
[0023]圖5~8為LED芯片制造過程中的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0024]以下將結(jié)合附圖所示的【具體實施方式】對本實用新型進行詳細描述。但這些實施方式并不限制本實用新型，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)這些實施方式所做出的結(jié)構(gòu)、方法、或功能上的變換均包含在本實用新型的保護范圍內(nèi)。
[0025]實施例1
[0026]如圖1和圖2所示，本實施例1提供一種LED芯片。該LED芯片包括:襯底110，設(shè)置于襯底I1上的N型半導(dǎo)體層120和P型半導(dǎo)體層140，設(shè)置于N型半導(dǎo)體層120和P型半導(dǎo)體層140之間的發(fā)光層130，與N型半導(dǎo)體層120相連的N型電極170，與P型半導(dǎo)體層140相連的P型電極160，以及設(shè)置于P型半導(dǎo)體層140上的電流阻擋層180和透明導(dǎo)電層150。其中，P型電極160位于電流阻擋層180上，也位于透明導(dǎo)電層150上。P型電極160連接有電極引腳161。在該實施例中，P型電極160為圓形，電極引腳161為長方形。
[0027]該LED芯片的襯底110包括上表面和下表面，其材質(zhì)可為藍寶石、S1、SiC、GaN、ZnO等。此處襯底110為藍寶石襯底。
[0028]N型半導(dǎo)體層120可通過MOCVD (金屬有機化合物化學(xué)氣相淀積，Metal-organicChemical Vapor Deposit1n)方法在襯底110的上表面形成，其材質(zhì)可為N型為半導(dǎo)體材料，此處為N型GaN。
[0029]發(fā)光層130設(shè)置于N型半導(dǎo)體層120的上方，其材質(zhì)可為GaN、InGaN等。
[0030]P型半導(dǎo)體層140設(shè)置于發(fā)光層130的上方，其材質(zhì)可為P型半導(dǎo)體材料，此處為P 型 GaN。
[0031]電流阻擋層180的材質(zhì)可以為二氧化硅、氮化硅、二氧化鈦、三氧化二鈦、五氧化三鈦、五氧化二鉭、氧化鋯等，在該實施例中，電流阻擋層180的材質(zhì)為二氧化硅。
[0032]如圖2所示，與P型電極160連接的電極引腳161呈直線形，電極引腳161遠離P型電極160的一端連接有截止引腳162。截止引腳162可以為一字形、弧形或一字形和弧形的組合，當然也可以為其它合適的形狀。在該實施例中，截止引腳162為弧形。
[0033]截止引腳162的弧形所在圓的圓心位于靠近P型電極160的一側(cè)。更具體的，弧形所在圓的圓心位于電極引腳161上，弧形以電極引腳161所在直線為對稱軸對稱設(shè)置。
[0034]電流阻擋層180位于P型電極160的正下方，電流阻擋層180在襯底110上的形狀與P型電極160、電極引腳161和截止引腳162共同形成的電極在襯底110上的形狀相同。也就是說，如圖1所示，頂視圖中，電流阻擋層180的形狀與P型電極160、電極引腳161和截止引腳162共同形成的電極形狀相同。電流阻擋層180在襯底110上的面積大于P型電極160、電極引腳161和截止引腳162共同形成的電極在襯底110上的面積。圖1中可以看得P型電極160、電極引腳161和截止引腳162共同形成的形狀無法全部遮擋電流阻擋層180。
[0035]LED芯片為追求亮度高，版型設(shè)計主要采用P型電極160加上電極引腳161的形式。并且透明導(dǎo)電層180設(shè)計的非常薄。這樣的LED芯片抗靜電能力(ESD)介于250