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半導(dǎo)體模塊的制作方法_2

文檔序號:9028187閱讀:來源:國知局
042]圖1是本實(shí)用新型涉及的制造方法的說明圖,示出了端子向殼體上方伸出的狀態(tài)。圖2是本實(shí)用新型涉及的制造方法的說明圖,示出了端子彎折工序。用圖1及圖2對本實(shí)用新型的端子彎折工序進(jìn)行說明。
[0043]半導(dǎo)體模塊的上側(cè)殼體103中,如圖1及圖2所示,包括:貫通孔103h,該貫通孔103h供端子100貫通;第一支點(diǎn)I,該第一支點(diǎn)I形成于在該貫通孔103h的開口部;第二支點(diǎn)2,該第二支點(diǎn)2形成在比第一支點(diǎn)I距離貫通孔103h更遠(yuǎn)的位置。第二支點(diǎn)2以相對于第I支點(diǎn)I和凹部3的底面從上部殼體103突出的方式被形成。首先,將上側(cè)殼體103的第一支點(diǎn)I作為支點(diǎn)來彎折端子100,該第一支點(diǎn)I是在端子彎折時端子與上側(cè)殼體103最初接觸時接觸的支點(diǎn)。圖1表示端子100的彎折開始前的狀態(tài)。如圖2(a)所示由彎折夾具(未圖示)產(chǎn)生的力300對端子100進(jìn)行作用,端子100彎曲。這時端子100向內(nèi)側(cè)彎折,與上側(cè)殼體103最初接觸時接觸的支點(diǎn)為支點(diǎn)1,將該支點(diǎn)I作為支點(diǎn),端子100開始被彎折。
[0044]這里,圖4(a)是示出了端子100和支點(diǎn)I的關(guān)系的透視圖。雖然如圖4(a)所示,端子100的彎折,是將在彎折時端子100與上側(cè)殼體103接觸的第I接觸線11作為支撐而進(jìn)行彎折,但將該狀態(tài)表現(xiàn)為用第一支點(diǎn)I作為支點(diǎn)來彎折。
[0045]端子100繼續(xù)被彎折,如圖2(b)所示,以所述上側(cè)殼體103的第二支點(diǎn)2作為支點(diǎn)繼續(xù)進(jìn)行彎折,直至被彎折的部分幾乎水平,即,與上部殼體103的主面SI呈大致平行為止,該第二支點(diǎn)2是與上側(cè)殼體103最后接觸的支點(diǎn)。第二支點(diǎn)2位于第一支點(diǎn)I上側(cè),兩者之間的距離為從大致等于端子100板厚的二分之一到大致等于端子100板厚,第一支點(diǎn)I和第二支點(diǎn)2在水平方向上的距離為從大致等于端子100板厚到大致等于端子100板厚的2倍。
[0046]之后進(jìn)一步彎折端子100,直至端子100的端部前端向下方移位至至少與端子100的厚度相當(dāng)?shù)拈L度處。優(yōu)選地,如圖2(c)所示,若考慮上部殼體103的主表面和端子100的端部所呈的角度,則彎曲至端子100的前端部分從水平方向向下傾斜Θ的程度為止。這相當(dāng)于彎曲至端子100的端部前端位于第二支點(diǎn)2的位置下方長度d處。若角度Θ為從1.3°到5°,則如圖2(d)所示,回彈后,被彎折的端子幾乎水平,S卩,與上部殼體103的主表面SI大致平行。這些彎折工序可以連續(xù)進(jìn)行,或者,也可以在各工序間暫停一段時間。
[0047]采用的端子100的板厚為0.6mm到2mm程度。被彎折的端子100的外部端子部分的長度L為1mm到30mm。例如,端子100的板厚為0.6mm,長度L為1mm的情況下,角度Θ為1.3°到5°的范圍相對應(yīng)的長度d大致為0.2mm到0.9mm。端子100的板厚為1mm,長度L為15mm的情況下,角度Θ為1.3°到5°的范圍相對應(yīng)的長度d大致為0.3mm到1.3mm。端子100的板厚為2mm,長度L為20mm的情況下,角度Θ為1.3°到5°的范圍相對應(yīng)的長度d大致為0.5mm到1.7mm。
[0048]為實(shí)現(xiàn)像這樣的端子100彎折,在作為上側(cè)殼體103的主表面的上表面,要形成凹部3,該凹部3是被彎折的端子100在彎折過程中所經(jīng)過的范圍。該結(jié)構(gòu)在圖5示出。圖示出的凹部3相對于上側(cè)殼體103的主表面傾斜。針對該凹部3,若端子100的前端和上側(cè)殼體103的縫隙設(shè)為D1,D1為長度d以上。另外殼體的材質(zhì)為,聚苯硫醚(PPS)、聚對苯二甲酸丁二醇酯等所謂的工程塑料。
[0049]通過像這樣進(jìn)行彎折,直至端子100的前端部分朝向凹部的底面水平向下傾斜Θ左右,從而即使有回彈,端子也能水平。換言之,能使端子100與上部殼體103的主表面SI平行。
[0050]對于利用這樣的半導(dǎo)體模塊用端子的彎折方法彎折的端子部分,從半導(dǎo)體模塊的安裝面到端子的高度尺寸能夠限制在高精度型號的精度要求,即±0.15_的范圍。
[0051]本實(shí)用新型中重要的點(diǎn)是設(shè)置稱為第一支點(diǎn)和第二支點(diǎn)這樣的兩個支點(diǎn)。與只有一個支點(diǎn)進(jìn)行彎折的情況比較,用兩個支點(diǎn)分散回彈,回彈量被抑制到較小,容易與作為目標(biāo)的水平位置對位。
[0052]以上所述的說明中,如圖4(a)及(b)所示,是第一支點(diǎn)和第二支點(diǎn)之間的殼體的形狀為平坦形狀20的情況,但該形狀也可以如圖4 (c)所示為向下凸出的形狀21,或者也可以如圖4(d)所示為向上凸出的形狀22。再者,在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)可采用各種形狀,如臺階狀等。
[0053]以上所述的說明中,針對一個端子進(jìn)行了敘述,但如作為現(xiàn)有技術(shù)在圖9等中說明的那樣,端子的數(shù)量也可以是一列多個端子。
[0054]另外,在與第一支點(diǎn)及第二支點(diǎn)對應(yīng)的部分處,端子也可以具有槽,該槽平行于端子和殼體接觸的方向。該端子的前端部的示例在圖6示出。圖6(a)中示出了前端部的側(cè)視圖,圖(b)中示出了前端部的主視圖,該端子100在前端部有槽30。另外,圖6的端子前端部分設(shè)置有螺釘安裝用的孔。將圖6示出的有槽的端子彎折后的狀態(tài)在圖7示出。
[0055]以上的說明中,殼體是以上側(cè)殼體和下側(cè)殼體這樣分離的方式進(jìn)行了說明,但不管怎樣的殼體的形狀都可適用本實(shí)用新型。
[0056]通過本實(shí)用新型,通過彎折來加工端子的情況下,也能夠使被彎折后的端子呈水平。結(jié)果,不需要彎曲端子后提高尺寸精度的修正操作。
[0057]另外,由于部分變更產(chǎn)品模具即可適用本實(shí)用新型,因此也能容易地適用于已有
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[0058]標(biāo)號說明
[0059]I第一支點(diǎn)
[0060]2第二支點(diǎn)
[0061]3殼體上設(shè)置的凹部
[0062]11第一接觸線
[0063]12第二接觸線
[0064]20第一支點(diǎn)和第二支點(diǎn)之間的殼體的平面形狀
[0065]21第一支點(diǎn)和第二支點(diǎn)之間的殼體的向下凸起形狀
[0066]22第一支點(diǎn)和第二支點(diǎn)之間的殼體的向上凸起形狀
[0067]30 槽
[0068]100 端子
[0069]101控制端子
[0070]102下側(cè)殼體
[0071]103上側(cè)殼體
[0072]104鉆孔
[0073]105六角螺栓
[0074]200按壓夾具
[0075]300力
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體模塊,包括:殼體,該殼體安裝有電路構(gòu)成部件;以及端子,該端子與該電路構(gòu)成部件電連接并被固定,并從該殼體向上方伸出,其特征在于, 所述殼體的結(jié)構(gòu)包括:第一支點(diǎn),所述第一支點(diǎn)是端子在該殼體上方被彎折時最初與該殼體接觸時接觸到的支點(diǎn);第二支點(diǎn),所述第二支點(diǎn)是端子在該殼體上方被彎折時最后與該殼體接觸時接觸到的支點(diǎn);以及在所述端子被彎折的范圍中的凹部, 利用所述殼體的第一支點(diǎn)和第二支點(diǎn)彎折所述端子,使該端子的前端與所述殼體的主面大致平行。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊,其特征在于,該殼體包括:供所述端子貫通的貫通孔;第一支點(diǎn),該第一支點(diǎn)形成于所述貫通孔的開口部;以及第二支點(diǎn),該第二支點(diǎn)形成在比所述第一支點(diǎn)更遠(yuǎn)離所述貫通孔的位置處。3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體模塊,其特征在于, 所述殼體由下側(cè)殼體和在下側(cè)殼體上覆蓋的上側(cè)殼體構(gòu)成, 所述電路構(gòu)成部件被安裝在所述下側(cè)殼體上, 所述上側(cè)殼體包括:所述貫通孔、所述第一支點(diǎn)、所述第二支點(diǎn)以及與所述第二支點(diǎn)鄰接的所述凹部。4.如權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體模塊,其特征在于,所述第一支點(diǎn)和所述第二支點(diǎn)之間的所述殼體的形狀為平坦形狀、向上凸起形狀或向下凸起形狀中的任一種形狀。5.如權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體模塊,其特征在于,以相對于所述第一支點(diǎn)和所述凹部的底面從所述殼體突出的方式形成所述第二支點(diǎn)。6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體模塊,其特征在于,所述底面相對于所述殼體的主面呈傾斜狀態(tài)。7.如權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體模塊,其特征在于, 所述第二支點(diǎn)位于所述第一支點(diǎn)上側(cè),兩者之間的距離從大致等于所述端子的板厚的二分之一到大致等于所述端子的板厚,所述第一支點(diǎn)和所述第二支點(diǎn)在水平方向上的距離為從大致等于所述端子的板厚到大致等于所述端子的板厚的2倍。8.如權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體模塊,其特征在于, 在與第一支點(diǎn)及第二支點(diǎn)對應(yīng)的部分處,所述端子具有槽,所述槽與端子和殼體接觸的方向平行。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種半導(dǎo)體模塊用端子的彎折方法,對由彎折加工形成的半導(dǎo)體模塊的端子因?yàn)閮A斜而產(chǎn)生的高度偏差進(jìn)行改善。準(zhǔn)備殼體和端子,該殼體包括:貫通孔;第一支點(diǎn),該第一支點(diǎn)形成于所述貫通孔的開口部;以及第二支點(diǎn),該第二支點(diǎn)形成在比所述第一支點(diǎn)更遠(yuǎn)離所述貫通孔的位置處。將貫通所述貫通孔的所述端子以所述第一支點(diǎn)為支點(diǎn)彎折。將所述端子以所述第二支點(diǎn)為支點(diǎn)彎折,直至與所述殼體的主面大致平行為止。進(jìn)一步地,以所述第二支點(diǎn)為支點(diǎn),將所述端子朝向所述殼體的主面彎折,使得所述端子的端部的移位長度至少相當(dāng)于所述端子厚度。
【IPC分類】H01L23/48, H01L25/18, H01L25/07
【公開號】CN204680664
【申請?zhí)枴緾N201390000610
【發(fā)明人】小林孝敏
【申請人】富士電機(jī)株式會社
【公開日】2015年9月30日
【申請日】2013年7月18日
【公告號】WO2014014066A1
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