顯示屏電容的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及顯示屏技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及顯示屏電容。
【背景技術(shù)】
[0002] AMOLED(Active-matrixorganiclightemittingdiode，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極 體）顯示屏LTPS(LowTemperaturePoly-silicon，低溫多晶娃技術(shù)）背板中像素電路部分 一般通過加大驅(qū)動(dòng)管TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶體管）的長(zhǎng)度來減少溝道調(diào)制效 應(yīng)、降低漏電流、減輕DIBL(DrainInducedBarrierLowering，漏端引入的勢(shì)皇降低）效 應(yīng)、同時(shí)增加Data電壓范圍；通常也在有限范圍內(nèi)加大電容值來降低漏電流與防止寄生電 容的干擾，一般來說，電容值與電容面積成正比，因此增大容值將引起電容面積增大。但由 于當(dāng)前市場(chǎng)對(duì)顯示屏PPI(PixelsPerInch，每英寸像素）、分辨率的要求越來越高，使得子 像素電路尺寸的面積也就越來越小，而照目前已有的產(chǎn)品可以看出，電容與驅(qū)動(dòng)管在像素 電路中占相當(dāng)大的空間，也就是說，顯示屏高PPI和高分辨率要求電路中所包含的電容面 積以及驅(qū)動(dòng)管尺寸相應(yīng)的減少。因此，現(xiàn)有的AMOLED顯示屏的電容結(jié)構(gòu)無法解決為提高顯 示效果而增大電容容值和增加驅(qū)動(dòng)管長(zhǎng)度，同時(shí)為提高PPI和分辨率而減小電容面積和驅(qū) 動(dòng)管長(zhǎng)度之間的矛盾。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003] 基于此，有必要針對(duì)現(xiàn)有AMOLED顯示屏的電容無法滿足增加容值和驅(qū)動(dòng)管長(zhǎng)度 以提高顯示效果，同時(shí)減小電容面積和驅(qū)動(dòng)管長(zhǎng)度以提高分辨率的缺陷，提供一種有效提 高顯示效果，電容面積得以減小，且驅(qū)動(dòng)管長(zhǎng)度增加，以使分辨率得以提高的顯示屏電容。
[0004] -種顯不屏電容，包括：
[0005] 依次連接的第一電極層、第一絕緣層、第二電極層、第二絕緣層和第三電極層，所 述第一電極層、所述第二電極層和所述第三電極層兩兩之間部分疊合，所述第一電極層為 多晶硅層，所述第三電極層上連接有第三絕緣層，所述第三絕緣層上連接有連接層，還包括 第一通孔和第二通孔，所述第一通孔貫穿所述第一絕緣層、所述第二絕緣層和所述第三絕 緣層，所述連接層通過所述第一通孔與所述第一電極層連接，所述第二通孔貫穿所述第三 絕緣層，所述連接層通過所述第二通孔與所述第三電極層連接。
[0006] 在一個(gè)實(shí)施例中，還包括第三通孔，所述第三通孔貫穿所述第二絕緣層和所述第 三絕緣層，所述連接層通過所述第三通孔與所述第二電極層連接。
[0007] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述連接層為金屬層。
[0008] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述連接層為鈦鋁合金層。
[0009] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述連接層為鉬鋁合金層。
[0010] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述第二電極層為金屬層。
[0011] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述第二電極層為鉬層。
[0012] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述第三電極層為金屬層。
[0013] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述第三電極層為鉬層。
[0014] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一電極層、所述第二電極層以及所述第三電極層的形狀 相異設(shè)置。
[0015] 上述顯示屏電容，以多晶硅層作為電容的電極層，并通過多晶硅層分別與第二電 極層和第三電極層組成電容，增加了電容容值，而位于多晶硅層同一層的多晶硅驅(qū)動(dòng)管的 長(zhǎng)度可根據(jù)多晶硅層進(jìn)行調(diào)整長(zhǎng)度，使得驅(qū)動(dòng)管長(zhǎng)度得以增加，有效提高了顯示效果，同 時(shí)，在滿足顯示效果的電容值一定時(shí)，電容的面積更小，有效提高了顯示屏的分辨率。
【附圖說明】
[0016] 圖1為本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的顯示屏電容的剖面示意圖；
[0017] 圖2為本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的顯示屏電容的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018] 圖3為圖2的透視效果示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019] 為了便于理解本實(shí)用新型，下面將參照相關(guān)附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行更全面的描 述。附圖中給出了本實(shí)用新型的較佳實(shí)施方式。但是，本實(shí)用新型可以以許多不同的形式 來實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施方式。相反地，提供這些實(shí)施方式的目的是使對(duì)本實(shí)用 新型的公開內(nèi)容理解的更加透徹全面。
[0020] 需要說明的是，當(dāng)元件被稱為"設(shè)置于"另一個(gè)元件，它可以直接在另一個(gè)元件上 或者也可以存在居中的元件。當(dāng)一個(gè)元件被認(rèn)為是"連接"另一個(gè)元件，它可以是直接連接 到另一個(gè)元件或者可能同時(shí)存在居中元件。本文所使用的術(shù)語"垂直的"、"水平的"、"左"、 "右"以及類似的表述只是為了說明的目的，并不表示是唯一的實(shí)施方式。
[0021] 除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于本實(shí)用新型的技術(shù)領(lǐng) 域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本實(shí)用新型的說明書中所使用的術(shù)語只是為 了描述具體的實(shí)施方式的目的，不是旨在于限制本實(shí)用新型。本文所使用的術(shù)語"及/或" 包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。
[0022] 如圖1所示，其為本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的顯示屏電容10,包括：
[0023] 依次連接的第一電極層110、第一絕緣層510、第二電極層120、第二絕緣層520和 第三電極層130,如圖2、圖3所示，所述第一電極層110、第二電極層120和所述第三電極層 130兩兩部分疊合，所述第一電極層110為多晶硅層，所述第三電極層130上連接有第三絕 緣層530,所述第三絕緣層530上連接有連接層200,還包括第一通孔410和第二通孔420， 所述第一通孔410貫穿所述第一絕緣層510、所述第二絕緣層520和所述第三絕緣層530， 所述連接層200通過所述第一通孔410與所述第一電極層110連接，所述第二通孔420貫 穿所述第三絕緣層530,所述連接層200通過所述第二通孔420與所述第三電極層130連 接，這樣，第一電極層110與第二電極層120組成第一電容，第三電極層130與第二電極層 120組成第二電容，第一電極層110和第三電極層130通過連接層200連接，使得第一電容 和第二電容并聯(lián)，從而使得總的電容容值增加。
[0024] 例如，本實(shí)用新型的顯示屏電容10制作方法為：依次沉積第一電極層110、第一絕 緣層510、第二電極層120、第二絕緣層520、第三電極層130和第三絕緣層530,且令第一 電極層110、第二電極層120和第三電極層130兩兩之間部分疊合，例如，所述第一電極層 110、所述第二電極層120以及所述第三電極層130的形狀相異設(shè)置，使得所述第一電極層 110、所述第二電極層120以及所述第三電極層130至少部分地在豎直方向上錯(cuò)開，錯(cuò)開的 區(qū)域用于刻蝕通孔，如圖2所示，第一電極層110、第二電極層120和第三電極層130具有 不同的沉積面積，且在豎直方向上部分錯(cuò)開