覆晶式發(fā)光二極管的電路結(jié)構(gòu)的制作方法
【專(zhuān)利說(shuō)明】
[0001] 本實(shí)用新型是中國(guó)實(shí)用新型專(zhuān)利申請(qǐng)（【申請(qǐng)?zhí)枴?01420779801. 8,申請(qǐng)日：2014年 12月11日，實(shí)用新型名稱(chēng)：覆晶式發(fā)光二極管的電路結(jié)構(gòu)）的分案申請(qǐng)。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 本實(shí)用新型有關(guān)于一種覆晶式發(fā)光二極管的電路結(jié)構(gòu)，尤其是指一種增加基板上 的反射導(dǎo)接面面積的發(fā)光二極管電路布局，主要通過(guò)增加覆晶式發(fā)光二極管的基板上的反 射導(dǎo)接面的面積比例，有效達(dá)到覆晶式發(fā)光二極管元件的發(fā)光效率的提升。
【背景技術(shù)】
[0003] 按，發(fā)光二極管（lightemittingdiode，LED)與傳統(tǒng)白熾光源比較，具有省電、體 積小、低電壓驅(qū)動(dòng)、不含汞、無(wú)熱輻射、操作反應(yīng)速度快，以及壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，發(fā)光二極管是 次世代節(jié)能照明的最佳光源，已經(jīng)廣泛應(yīng)用在家庭用品指示燈、液晶顯示器的背光源、圖文 顯示幕或汽車(chē)第三煞車(chē)燈等照明領(lǐng)域，而發(fā)光二極管的發(fā)光原理則是在二極管上施加一電 壓，驅(qū)使二極管里的電子與電洞結(jié)合，此結(jié)合產(chǎn)生的能量以光的形式釋放出來(lái)，以完成發(fā)光 二極管的發(fā)光效能。
[0004] 覆晶式發(fā)光二極管是一種為了解決傳統(tǒng)使用銀膠黏合發(fā)光二極管芯片基板與封 裝基材而產(chǎn)生過(guò)高的熱傳導(dǎo)阻抗與不易散熱等嚴(yán)重缺點(diǎn)，因此，覆晶式發(fā)光二極管通過(guò)將 芯片的電極直接鍵結(jié)在封裝基材上，能有效降低熱傳導(dǎo)阻抗，并增進(jìn)其發(fā)光效率；然而，即 便式改良后的覆晶式發(fā)光二極管，依然會(huì)因?yàn)榉庋b基材不佳的光反射特性，而存在有發(fā)光 效率不彰等缺點(diǎn)；在中國(guó)臺(tái)灣以往專(zhuān)利中，例如公告號(hào)第1404189號(hào)即揭示一種"覆晶式 發(fā)光二極管元件及其制造方法"，該覆晶式發(fā)光二極管元件，包含一導(dǎo)線架，其中該導(dǎo)線架 具有一承載部；多個(gè)的芯片配置于該承載部，該等芯片至少包含一第一芯片及一第二芯片； 一第一散射層共形地覆蓋該第一芯片，僅露出該第一芯片的電極，其中該第一散射層僅由 一散射物質(zhì)所構(gòu)成，不包含高分子材料；以及一第二散射層共形地覆蓋該第二芯片，僅露出 該第二芯片的電極，其中該第二散射層僅由一散射物質(zhì)所構(gòu)成，不包含高分子材料；雖然此 實(shí)用新型案利用相同或不同的散射物質(zhì)及散射層厚度來(lái)分別控制各芯片的發(fā)光角度，且該 散射層不含除了散射物質(zhì)以為的其他成份，因此可提升角度準(zhǔn)確性，有效各別掌控不同芯 片封裝后的發(fā)光角度，并增加其穩(wěn)定度；然而，在此發(fā)光二極管元件中除了發(fā)光二極管芯片 發(fā)出亮光使得附近區(qū)域明亮以外，其余區(qū)域皆為絕緣體而反射光線的效果較差，因此，整體 的發(fā)光二極管元件的發(fā)光效率并無(wú)法有效提升。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005] 本實(shí)用新型的目的在于提供一種覆晶式發(fā)光二極管的電路結(jié)構(gòu)，通過(guò)其豐富的專(zhuān) 業(yè)知識(shí)及多年的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)所輔佐，而加以改良創(chuàng)作一種覆晶式發(fā)光二極管的電路結(jié)構(gòu)，其 目的在于發(fā)展一種增加基板上的反射導(dǎo)接面面積的發(fā)光二極管電路布局，主要通過(guò)增加覆 晶式發(fā)光二極管的基板上的反射導(dǎo)接面的面積比例，有效達(dá)到覆晶式發(fā)光二極管元件的發(fā) 光效率的提升。
[0006] 為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提出一種覆晶式發(fā)光二極管的電路結(jié)構(gòu)，用以供 至少一覆晶式發(fā)光二極管組裝，每一覆晶式發(fā)光二極管具有至少兩電極，電路結(jié)構(gòu)于一基 板的表面定義出一光發(fā)射面（lightemittingsurface，LES)，且光發(fā)射面上具有多個(gè)反射 導(dǎo)接面，而反射導(dǎo)接面用以供前述覆晶式發(fā)光二極管的電極組接，使該等覆晶式發(fā)光二極 管于光發(fā)射面上形成串聯(lián)、并聯(lián)或串并聯(lián)，其中反射導(dǎo)接面的總面積占光發(fā)射面的面積的 80%~99%。
[0007] 本實(shí)用新型公開(kāi)一種覆晶式發(fā)光二極管元件，包括：基板，具有一光發(fā)射面，所述 光發(fā)射面上設(shè)置有多個(gè)反射導(dǎo)接面；以及多個(gè)覆晶式發(fā)光二極管，所述多個(gè)反射導(dǎo)接面與 所述多個(gè)覆晶式發(fā)光二極管的電極組接，使所述多個(gè)覆晶式發(fā)光二極管于所述光發(fā)射面 上形成串聯(lián)、并聯(lián)或串并聯(lián)，其中所述多個(gè)反射導(dǎo)接面的總面積占所述光發(fā)射面的面積的 80%~99%。
[0008] 于本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，其中兩兩鄰近的反射導(dǎo)接面的最小間距介于75 微米~250微米之間。
[0009] 于本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，其中反射導(dǎo)接面由金屬材質(zhì)所構(gòu)成。
[0010] 于本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，其中基板表面形成有一絕緣層，而反射導(dǎo)接面設(shè) 置于絕緣層上。
[0011] 于本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，其中絕緣層由一具高反射的材質(zhì)所構(gòu)成。
[0012] 于本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，其中絕緣層的材質(zhì)為硅化合物或環(huán)氧化合物等其 中的一種。
[0013] 于本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，其中基板為鋁基板、銅基板或其他適當(dāng)?shù)慕饘倩?板等其中的一種。
[0014] 于本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，其中基板由一陶瓷材料所構(gòu)成。
[0015] 本實(shí)用新型公開(kāi)一種覆晶式發(fā)光二極管元件，包括：陶瓷基板，具有一光發(fā)射面， 所述光發(fā)射面上設(shè)置有多個(gè)金屬反射導(dǎo)接面；以及多個(gè)覆晶式發(fā)光二極管，所述多個(gè)金屬 反射導(dǎo)接面與所述多個(gè)覆晶式發(fā)光二極管的電極組接，使所述多個(gè)覆晶式發(fā)光二極管于所 述光發(fā)射面上形成串聯(lián)、并聯(lián)或串并聯(lián)，其中所述多個(gè)金屬反射導(dǎo)接面的總面積占所述光 發(fā)射面的面積的80 %~99 %。
[0016] 兩兩鄰近的金屬反射導(dǎo)接面的間距介于75微米~250微米之間。
[0017] 本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于，其覆晶式發(fā)光二極管的電路結(jié)構(gòu)通過(guò)將覆晶式發(fā)光二極 管的電路板上的多個(gè)反射導(dǎo)接面的面積比例提升至整體光發(fā)射面面積的80%~99%，使 覆晶式發(fā)光二極管發(fā)射的光線可通過(guò)以金屬材質(zhì)構(gòu)成的反射導(dǎo)接面進(jìn)行反射，以使覆晶式 發(fā)光二極管元件擁有較大的出光光量，有效達(dá)到覆晶式發(fā)光二極管元件的發(fā)光效率的提 升。
【附圖說(shuō)明】
[0018] 圖1為本實(shí)用新型覆晶式發(fā)光二極管的電路結(jié)構(gòu)其一較佳實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)立 體圖；
[0019]圖2為本實(shí)用新型覆晶式發(fā)光二極管的電路結(jié)構(gòu)其一較佳實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)俯 視圖；
[0020] 圖3為本實(shí)用新型覆晶式發(fā)光二極管的電路結(jié)構(gòu)其一較佳實(shí)施例的元件剖面示 意圖；
[0021] 圖4為本實(shí)用新型覆晶式發(fā)光二極管的電路結(jié)構(gòu)其二較佳實(shí)施例的元件剖面示 意圖；
[0022] 圖5為本實(shí)用新型覆晶式發(fā)光二極管的電路結(jié)構(gòu)其三較佳實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)俯 視圖；
[0023] 圖6為本實(shí)用新型覆晶式發(fā)光二極管的電路結(jié)構(gòu)其四較佳實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)俯 視圖。
[0024] 附圖標(biāo)號(hào)
[0025] 1 覆晶式發(fā)光二極管
[0026] 11 電極
[0027] 2 基板
[0028] 21 光發(fā)射面
[0029] 211 反射導(dǎo)接面
[0030] 22 最小間距
[0031] 3 絕緣層
【具體實(shí)施方式】
[0032] 本實(shí)用新型的目的及其結(jié)構(gòu)功能上的優(yōu)點(diǎn)，將依據(jù)以下圖面所示的結(jié)構(gòu)，配合具 體實(shí)施例予以說(shuō)明，俾使審查委員能對(duì)本實(shí)用新型有更深入且具體的了解。
[0033] 首先，請(qǐng)參閱圖1、圖2所示，為本實(shí)用新型覆晶式發(fā)光二極管的電路結(jié)構(gòu)其一較 佳實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)立體圖，以及電路結(jié)構(gòu)俯視圖，其中本實(shí)用新型的覆晶式發(fā)光二極管 的電路結(jié)構(gòu)用以供至少一覆晶式發(fā)光二極管1組裝，每一覆晶式發(fā)光二極管1具有至少兩 電極11，電路結(jié)構(gòu)于一基板2的表面定義出一光發(fā)射面21，且光發(fā)射面21上具有多個(gè)反射 導(dǎo)接面211，而反射導(dǎo)接面211用以供前述覆晶式發(fā)光二極管1的電極11組接，使覆晶式發(fā) 光二極管1于光發(fā)射面21上形成串聯(lián)、并聯(lián)或串并聯(lián)，其中反射導(dǎo)接面211的總面積占光 發(fā)射面21的面積的80%~99%;此外，而基板2的外型輪廓可例如為圓形，但并不以此為 限；再者，兩兩鄰近的反射導(dǎo)接面211的最小間距22介于75微米~250微米之間；此外，反 射導(dǎo)接面211由金屬材質(zhì)所構(gòu)成，在本實(shí)用新型其一較佳實(shí)施例中，覆晶式發(fā)光二極管1與 反射導(dǎo)接面211以共晶接合方式連接成通路，而覆晶式發(fā)光二極管1可發(fā)射出相同顏色的 光線或是不同顏色的光線，其中以金屬材質(zhì)所構(gòu)成的反射導(dǎo)接面211即是傳統(tǒng)的覆晶式發(fā) 光二極管的金屬墊（pad)結(jié)構(gòu)，用以將外界電源施加的電壓經(jīng)由金屬墊（pad)與電極