引線框架及其單元、半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其單元的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體的是一種組裝時(shí)電連接性能較強(qiáng)的引線框架、還是一種組裝時(shí)電連接性能較強(qiáng)的引線框架單元，也是一種組裝時(shí)電連接性能較強(qiáng)的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，更是一種組裝時(shí)電連接性能較強(qiáng)的半導(dǎo)體封裝單元。
【背景技術(shù)】
[0002]引線框架是半導(dǎo)體封裝中常用的基礎(chǔ)材料，封裝中以引線框架作為支撐載體和電信號(hào)傳輸載體，通常將芯片粘貼于引線框架的中央焊盤區(qū)域，通過引線鍵合將芯片的引腳與引線框架的引腳連接，從而實(shí)現(xiàn)電信號(hào)傳輸。在眾多封裝類型中，QFN(Quad FlatNon-1eaded Package, QFN)方形扁平無引腳封裝，是近年來半導(dǎo)體封裝中較先進(jìn)的封裝工藝，屬于CSP(Chip Scale Package)芯片級(jí)封裝種類的一種，其亦是采用引線框架作為載體進(jìn)行封裝，以環(huán)氧樹脂作為密封材料，封裝后的產(chǎn)品呈方形，基體中心設(shè)有金屬散熱區(qū)，弓丨腳呈方形分列排布于基體底部金屬散熱區(qū)外圍。
[0003]圖6是典型的引線框架結(jié)構(gòu)示意圖，圖12是典型的QFN產(chǎn)品封裝后的剖視圖，如圖6及圖12所示，引線框架11的引腳12分布排列于中央焊盤區(qū)16的四周，中央焊盤區(qū)16和引腳12的中間為空隙18，在相鄰兩個(gè)引線框架單元110處設(shè)置有連接條14，以使若干個(gè)引線框架單元110彼此連接。
[0004]圖7為圖6沿A-A’線的剖視圖，圖8是在中央焊盤區(qū)16上涂敷膠層20，然后將裸晶片22粘附在膠層20上，之后進(jìn)行引線鍵合，將裸晶片22上的微型焊墊(圖中未示出)與引線框架11的引腳12利用引線24連接起來。
[0005]然后對(duì)圖8所示的成品進(jìn)行塑封，如圖9所示，其中，裸晶片22及引線24被塑封料全部包覆起來，在引線框架11的引腳12和中央焊盤區(qū)16之間的空隙18內(nèi)也填充有塑封層26，引腳12和中央焊盤區(qū)16的底面為裸露。
[0006]再對(duì)圖9所示的成品進(jìn)行鍍金屬層，一般為鍍錫，如圖10所示，對(duì)整個(gè)引線框架電鍍錫，使金屬層28包覆所有的引腳12及中央焊盤區(qū)16的底面，對(duì)引線框架進(jìn)行鍍錫的目的是為了后續(xù)與其他電器件模塊進(jìn)行進(jìn)一步的組裝時(shí)，能夠于其他的電器件模塊進(jìn)行電連接。
[0007]最后對(duì)圖10中所示的成品進(jìn)行切割，如圖11所示，切割后，互相連接的引線框架單元110彼此分離開，形成最終的單個(gè)半導(dǎo)體封裝單元。
[0008]現(xiàn)有技術(shù)的這種工藝的缺點(diǎn)在于，切割后的引腳側(cè)邊30無法鍍上錫料，這會(huì)降低組裝時(shí)半導(dǎo)體封裝單元的電連接性能，進(jìn)而影響整個(gè)電器模塊的可靠性，對(duì)于某些對(duì)產(chǎn)品性能有更高更嚴(yán)格要求的行業(yè)如汽車電子類產(chǎn)品，這種半導(dǎo)體封裝單元的結(jié)構(gòu)則無法滿足其對(duì)產(chǎn)品性能的要求。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0009]為了提高切割后形成的半導(dǎo)體封裝單元的電連接性能，本實(shí)用新型提供了一種引線框架及其單元、半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其單元，使切割后的所述半導(dǎo)體封裝單元的引腳側(cè)邊也具有附加金屬層，從而提高切割后形成的半導(dǎo)體封裝單元的電連接性能。
[0010]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種引線框架單元，所述引線框架單元的引腳外側(cè)的下端設(shè)有階梯槽。
[0011]階梯槽的深度為引腳的厚度的60%至90%。
[0012]階梯槽的深度為引腳的厚度的75%。
[0013]階梯槽的表面包括底面和側(cè)面，底面和側(cè)面之間的夾角大于等于90°。
[0014]本實(shí)用新型還提供了一種半導(dǎo)體封裝單元，包括如前所述的引線框架單元，該引線框架單元的中央焊盤區(qū)上依次固定有膠層和裸晶片，裸晶片設(shè)置在膠層上，裸晶片和引腳之間通過引線電連接，所述半導(dǎo)體封裝單元還包括用于封裝裸晶片和引線的塑封層，中央焊盤區(qū)和引腳之間通過塑封層連接固定，引腳的下表面、中央焊盤區(qū)的下表面和階梯槽的表面均設(shè)有附加金屬層。
[0015]附加金屬層為鍍錫層，該鍍錫層的厚度為0.0lmm至0.03mm。
[0016]本實(shí)用新型還提供了一種引線框架，包括多個(gè)如前所述的引線框架單元，相鄰的兩個(gè)引線框架單元的階梯槽之間設(shè)有連接條，連接條和與該連接條相連的兩個(gè)階梯槽形成開口槽，開口槽的寬度大于連接條的寬度。
[0017]階梯槽的表面包括底面和側(cè)面，連接條的上表面與引腳的上表面位于同一平面，連接條的下表面與階梯槽的底面位于同一平面。
[0018]本實(shí)用新型還提供了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，含有如前所述的引線框架，該引線框架的每個(gè)引線框架單元的中央焊盤區(qū)上依次固定有膠層和裸晶片，裸晶片設(shè)置在膠層上，裸晶片和引腳之間通過引線電連接，所述半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)還包括用于封裝裸晶片和引線的塑封層，中央焊盤區(qū)和引腳之間通過塑封層連接固定，引腳的下表面、中央焊盤區(qū)的下表面、開口槽的表面和階梯槽的表面均設(shè)有附加金屬層。
[0019]本實(shí)用新型的有益效果是，通過在引線框架單元的周側(cè)面的下端設(shè)有階梯槽，或者，引線框架中相鄰的兩個(gè)引線框架單元之間的階梯槽形成開口槽，使得半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的開口槽的表面和階梯槽的表面均設(shè)有附加金屬層，即，切割后形成的半導(dǎo)體封裝單元的階梯槽的表面設(shè)有附加金屬層，從而提高半導(dǎo)體封裝單元的電連接性能。
【附圖說明】
[0020]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說明。
[0021]圖1是本實(shí)用新型的引線框架單元的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖2是本實(shí)用新型的半導(dǎo)體封裝單元的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖3是本實(shí)用新型的引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]圖4是本實(shí)用新型的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]圖5是本實(shí)用新型的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)切割的示意圖。
[0026]圖6是現(xiàn)有技術(shù)的引線框架結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]圖7是沿圖6中A-A線的剖視圖。
[0028]圖8是現(xiàn)有技術(shù)中引線框架與裸晶片的連接示意圖。
[0029]圖9是現(xiàn)有技術(shù)中引線框架塑封后的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030]圖10是現(xiàn)有技術(shù)中引線框架鍍附加金屬層后的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031]圖11是現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)切割后的示意圖。
[0032]圖12是現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體封裝單元的剖視圖。
[0033]附圖標(biāo)記說明:
[0034]110.引線框架單元，11.引線框架，12.引腳，14.連接條，15.開口槽，16.中央焊盤，18.空隙，20.膠層，22.裸晶片，24.引線，26.塑封層，28.附加金屬層，30.引腳側(cè)面，32.階梯槽，321.底面，322.側(cè)面。
【具體實(shí)施方式】
[0035]為了對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)特征、目的和效果有更加清楚的理解，現(xiàn)對(duì)照【附圖說明】本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】。
[0036]如圖1所示，本實(shí)用新型提出了一種引線框架單元110，其含有中央焊盤區(qū)16和多個(gè)引腳12，多個(gè)引腳12設(shè)置在中央焊盤區(qū)16的四周，中央焊盤區(qū)16和引腳12之間設(shè)有空隙18，引腳12外側(cè)的下端設(shè)有階梯槽32。
[0037]由前述可知，現(xiàn)有技術(shù)引腳12的引腳側(cè)面30為一個(gè)平面，由該引線框架單元構(gòu)成的半導(dǎo)體封裝單元的側(cè)面也為一個(gè)平面且無法鍍上附加金屬層28，在該半導(dǎo)體封裝單元在組裝時(shí)，電連接性能較低。為此，本實(shí)用新型在引腳12外側(cè)的下端設(shè)置了階梯槽32，用以在后續(xù)的工序中鍍上附加金屬層28，提高半導(dǎo)體封裝單元的電連接性能。
[0038]階梯槽32在引腳12的厚度方向上的長度為階梯槽32的深度。在一個(gè)可行的實(shí)施例中，階梯槽32的深度為引腳12的厚度的60%至90%。具體