一種突波吸收電路用薄膜電容器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種突波吸收電路用薄膜電容器。
【背景技術(shù)】
[0002]目前現(xiàn)有的薄膜電容器在突波吸收?qǐng)龊系墓ぷ鞣€(wěn)定性不高，從而其使用壽命相應(yīng)地受到影響。尤其是薄膜電容器不能夠滿足突波吸收電路中的大電流的通過(guò)，同時(shí)也并不能在電壓較高的場(chǎng)合正常工作，這就大的限制了薄膜電容器在突波吸收電路中的應(yīng)用。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型的目的旨在于提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，工作性能穩(wěn)定，且能承受較高電壓的突波吸收電路用薄膜電容器。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:
[0005]—種突波吸收電路用薄膜電容器，包括電容芯子、噴金層、電極引出線、內(nèi)包環(huán)氧樹(shù)脂層以及外包阻燃環(huán)氧粉末層；所述噴金層固定連接在所述電容芯子的端面，所述電極引出線熔接在噴金層上，所述內(nèi)包環(huán)氧樹(shù)脂層包覆在整個(gè)電容芯子外，所述外包阻燃環(huán)氧粉末層包覆在整個(gè)內(nèi)包環(huán)氧樹(shù)脂層外；所述電容芯子包括內(nèi)芯、外芯以及位于內(nèi)芯和外芯之間的聚丙烯光膜；所述內(nèi)芯包括聚酯基膜，所述內(nèi)芯的聚酯基膜的上下兩側(cè)均鍍有兩相鄰間隔分布的純鋁金屬層；所述外芯包括聚酯基膜以及鍍于所述聚酯基膜的中部上方的純鋁金屬層，所述外芯的純鋁金屬層還位于所述聚丙烯光膜的下方；所述內(nèi)芯、聚丙烯光膜以及外芯依次疊放并卷繞形成電性串聯(lián)結(jié)構(gòu)的電容芯子。
[0006]本實(shí)用新型的有益效果如下:
[0007]該薄膜電容器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，工作性能穩(wěn)定，且能承受較高電壓。同時(shí)，其還具有能滿足突波吸收電路中的大電流的特點(diǎn)。再者，金屬化薄膜的耐壓值更高，電極有效面積更大，能有效縮小電容器的尺寸，以實(shí)現(xiàn)小型化。
【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1為本實(shí)用新型突波吸收電路用薄膜電容器的較佳實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。
[0009]圖2為本實(shí)用新型突波吸收電路用薄膜電容器中電容芯片的較佳實(shí)施方式的剖面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0010]下面將結(jié)合附圖以及【具體實(shí)施方式】，對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步描述:
[0011]請(qǐng)參見(jiàn)圖1和圖2，本實(shí)用新型涉及一種突波吸收電路用薄膜電容器，其較佳實(shí)施方式包括電容芯子1、噴金層2、電極引出線3、內(nèi)包環(huán)氧樹(shù)脂層4以及外包阻燃環(huán)氧粉末層5 ;噴金層2固定連接在電容芯子I的端面，電極引出線3熔接在噴金層2上，內(nèi)包環(huán)氧樹(shù)脂層4包覆在整個(gè)電容芯子I外，外包阻燃環(huán)氧粉末層5包覆在整個(gè)內(nèi)包環(huán)氧樹(shù)脂層4外。
[0012]其中，內(nèi)包環(huán)氧樹(shù)脂層4以及外包阻燃環(huán)氧粉末層5均起到密封及防護(hù)作用。
[0013]電容芯子I包括內(nèi)芯、外芯9以及位于內(nèi)芯和外芯之間的聚丙烯光膜8 ;內(nèi)芯包括聚酯基膜7，內(nèi)芯的聚酯基膜7的上下兩側(cè)均鍍有兩相鄰間隔分布的純鋁金屬層6 ;外芯9包括聚酯基膜7以及鍍于聚酯基膜7的中部上方的純鋁金屬層6，外芯9的純鋁金屬層6還位于聚丙烯光膜8的下方；內(nèi)芯、聚丙烯光膜8以及外芯9依次疊放并卷繞形成電性串聯(lián)結(jié)構(gòu)的電容芯子。這里的聚丙烯光膜為高溫型聚丙烯光膜。
[0014]其中，電容芯子I采用了金屬蒸鍍工藝，并利用并聯(lián)分流原理，使得電容芯子I的端面過(guò)電流能力比普通的電容芯子提升一倍，更提升產(chǎn)品dv/dt值，滿足突波吸收電路大電流的特點(diǎn)。而且電容芯子I采用的金屬化薄膜結(jié)構(gòu)中，內(nèi)芯的聚酯基膜的上下兩側(cè)均鍍有兩間隔分布的純鋁金屬層，從而利用了串聯(lián)分壓原理以及金屬化特有的自愈特性，使得電容器可工作自更高的電壓場(chǎng)合，即其承受的過(guò)壓能力更高。再者，電容芯子的金屬化薄膜結(jié)構(gòu)的耐壓值更高，可以采用相對(duì)較薄的材料進(jìn)行設(shè)計(jì)，同時(shí)也使得電容芯子的電極的有效面積更大，可有效縮小產(chǎn)品尺寸，以實(shí)現(xiàn)小型化方案。
[0015]對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可根據(jù)以上描述的技術(shù)方案以及構(gòu)思，做出其它各種相應(yīng)的改變以及變形，而所有的這些改變以及變形都應(yīng)該屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種突波吸收電路用薄膜電容器，其特征在于，包括電容芯子、噴金層、電極引出線、內(nèi)包環(huán)氧樹(shù)脂層以及外包阻燃環(huán)氧粉末層；所述噴金層固定連接在所述電容芯子的端面，所述電極引出線熔接在噴金層上，所述內(nèi)包環(huán)氧樹(shù)脂層包覆在整個(gè)電容芯子外，所述外包阻燃環(huán)氧粉末層包覆在整個(gè)內(nèi)包環(huán)氧樹(shù)脂層外；所述電容芯子包括內(nèi)芯、外芯以及位于內(nèi)芯和外芯之間的聚丙烯光膜；所述內(nèi)芯包括聚酯基膜，所述內(nèi)芯的聚酯基膜的上下兩側(cè)均鍍有兩相鄰間隔分布的純鋁金屬層；所述外芯包括聚酯基膜以及鍍于所述聚酯基膜的中部上方的純鋁金屬層，所述外芯的純鋁金屬層還位于所述聚丙烯光膜的下方；所述內(nèi)芯、聚丙烯光膜以及外芯依次疊放并卷繞形成電性串聯(lián)結(jié)構(gòu)的電容芯子。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種突波吸收電路用薄膜電容器，包括電容芯子、噴金層、電極引出線、內(nèi)包環(huán)氧樹(shù)脂層以及外包阻燃環(huán)氧粉末層；噴金層固定連接在電容芯子的端面，電極引出線熔接在噴金層上；電容芯子包括內(nèi)芯、外芯以及位于內(nèi)芯和外芯之間的聚丙烯光膜；內(nèi)芯包括聚酯基膜，內(nèi)芯的聚酯基膜的上下兩側(cè)均鍍有兩相鄰間隔分布的純鋁金屬層；外芯包括聚酯基膜以及鍍于聚酯基膜的中部上方的純鋁金屬層，所述外芯的純鋁金屬層還位于所述聚丙烯光膜的下方；內(nèi)芯、聚丙烯光膜以及外芯依次疊放并卷繞形成電性串聯(lián)結(jié)構(gòu)的電容芯子。本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，工作性能穩(wěn)定，且能承受較高電壓。
【IPC分類】H01G4/33
【公開(kāi)號(hào)】CN204857463
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520619914
【發(fā)明人】陶文濤
【申請(qǐng)人】東莞市緯迪實(shí)業(yè)有限公司
【公開(kāi)日】2015年12月9日
【申請(qǐng)日】2015年8月17日