一種高可靠性的銅鎳金ic封裝凸塊的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及IC封裝領(lǐng)域，具體涉及一種高可靠性的銅鎳金IC封裝凸塊。
【背景技術(shù)】
[0002]驅(qū)動IC封裝上使用的凸塊普遍為純金，成本高，目前有一種采用銅鎳金組合來代替純金的IC封裝凸塊，可以有效降低成本，其結(jié)構(gòu)包括從下向上依次設(shè)置的載體、導(dǎo)電層、絕緣層、鈦層、第一銅層、第二銅層、鎳層和金層，所述絕緣層上設(shè)有孔，露出部分導(dǎo)電層，所述鈦層底面貼合部分導(dǎo)電層以及絕緣層的表面，但是由于不同金屬的膨脹系數(shù)不一樣，在溫度變化時，各金屬層之間產(chǎn)生應(yīng)力，很容易引起基體變形或產(chǎn)生裂紋，甚至?xí)冸x脫落，因此這種銅鎳金IC封裝凸塊的可靠性差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種高可靠性的銅鎳金IC封裝凸塊，可以解決現(xiàn)有銅鎳金IC封裝凸塊在溫度變化時，各金屬層之間產(chǎn)生應(yīng)力，很容易引起基體變形或產(chǎn)生裂紋，甚至?xí)冸x脫落，導(dǎo)致可靠性差的問題。
[0004]本實用新型通過以下技術(shù)方案實現(xiàn):
[0005]—種高可靠性的銅鎳金IC封裝凸塊，包括從下向上依次設(shè)置的載體、導(dǎo)電層、絕緣層、鈦層、第一銅層、第二銅層、鎳層和金層，所述絕緣層上設(shè)有孔，露出部分導(dǎo)電層，所述孔并排設(shè)有多道，相鄰的兩道孔之間為孔橋，所述鈦層成波浪形貼合部分導(dǎo)電層、孔橋以及絕緣層的表面，所述第一銅層、第二銅層、鎳層和金層也成波浪形。
[0006]本實用新型的進(jìn)一步方案是，所述載體為硅片。
[0007]本實用新型的進(jìn)一步方案是，所述導(dǎo)電層為鋁墊。
[0008]本實用新型的進(jìn)一步方案是，所述絕緣層為PSV絕緣材料。
[0009]本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比的優(yōu)點在于:
[0010]—、各金屬層成波浪形，降低溫度變化時各金屬層的橫向位移，從而減小相鄰金屬層之間的應(yīng)力，進(jìn)而削弱應(yīng)力產(chǎn)生的負(fù)面影響，提高鈀金IC封裝凸塊的可靠性；
[0011]二、孔橋可以吸收鈦層與部分導(dǎo)電層之間的應(yīng)力，進(jìn)一步提高鈀金IC封裝凸塊的可靠性。
【附圖說明】
[0012]圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0013]如圖1所示的一種高可靠性的銅鎳金IC封裝凸塊，包括從下向上依次設(shè)置的硅片載體1、鋁墊導(dǎo)電層2、PSV絕緣層3、鈦層4、第一銅層5、第二銅層6、鎳層7和金層8，所述PSV絕緣層3上設(shè)有并排設(shè)有多道孔21，露出部分鋁墊導(dǎo)電層2，相鄰的兩道孔21之間為孔橋9，所述鈦層4成波浪形貼合部分導(dǎo)電層2、孔橋9以及絕緣層3的表面，所述第一銅層5、第二銅層6、鎳層7和金層8也成波浪形。
【主權(quán)項】
1.一種高可靠性的銅鎳金IC封裝凸塊，包括從下向上依次設(shè)置的載體(1)、導(dǎo)電層(2)、絕緣層(3)、鈦層(4)、第一銅層(5)、第二銅層(6)、鎳層(7)和金層(8)，所述絕緣層(3)上設(shè)有孔(21)，露出部分導(dǎo)電層(2)，其特征在于:所述孔(21)并排設(shè)有多道，相鄰的兩道孔(21)之間為孔橋(9)，所述鈦層(4)成波浪形貼合部分導(dǎo)電層(2)、孔橋(9)以及絕緣層(3 )的表面，所述第一銅層(5 )、第二銅層(6 )、鎳層(7 )和金層(8 )也成波浪形。2.如權(quán)利要求1所述的一種高可靠性的銅鎳金IC封裝凸塊，其特征在于:所述載體(1)為娃片。3.如權(quán)利要求1所述的一種高可靠性的銅鎳金IC封裝凸塊，其特征在于:所述導(dǎo)電層(2)為鋁墊。4.如權(quán)利要求1所述的一種高可靠性的銅鎳金IC封裝凸塊，其特征在于:所述絕緣層(3)為PSV絕緣材料。
【專利摘要】本實用新型公開了一種高可靠性的銅鎳金IC封裝凸塊，包括從下向上依次設(shè)置的載體、導(dǎo)電層、絕緣層、鈦層、第一銅層、第二銅層、鎳層和金層，所述絕緣層上設(shè)有孔，露出部分導(dǎo)電層，所述孔并排設(shè)有多道，相鄰的兩道孔之間為孔橋，所述鈦層成波浪形貼合部分導(dǎo)電層、孔橋以及絕緣層的表面，所述第一銅層、第二銅層、鎳層和金層也成波浪形。各金屬層成波浪形，降低溫度變化時各金屬層的橫向位移，從而減小相鄰金屬層之間的應(yīng)力，進(jìn)而削弱應(yīng)力產(chǎn)生的負(fù)面影響，提高鈀金IC封裝凸塊的可靠性；孔橋可以吸收鈦層與部分導(dǎo)電層之間的應(yīng)力，進(jìn)一步提高鈀金IC封裝凸塊的可靠性。
【IPC分類】H01L23/485
【公開號】CN204857709
【申請?zhí)枴緾N201520658194
【發(fā)明人】周義亮
【申請人】江蘇納沛斯半導(dǎo)體有限公司
【公開日】2015年12月9日
【申請日】2015年8月28日