靜電保護(hù)器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及靜電放電技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種靜電保護(hù)器件。
【背景技術(shù)】
[0002]在集成電路芯片的制作和應(yīng)用中，隨著超大規(guī)模集成電路工藝技術(shù)的不斷提高，目前的CMOS集成電路制作技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入深亞微米階段，MOS器件的尺寸不斷縮小，柵氧化層的厚度越來(lái)越薄，MOS器件耐壓能力顯著下降，靜電放電(Electrostatic Discharge，ESD)對(duì)集成電路的危害變得越來(lái)越顯著。因此，對(duì)集成電路進(jìn)行ESD的保護(hù)也變得尤為重要。
[0003]現(xiàn)有的靜電保護(hù)器件中常用的器件包括柵極接地的NMOS晶體管(gate groundNM0S，簡(jiǎn)稱(chēng)GGNM0S)和輸出驅(qū)動(dòng)單元(output unit)，如圖1所示，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中靜電保護(hù)器件I的等效電路圖。在圖1中，輸出驅(qū)動(dòng)單元等效為晶體管M1，柵極接地的NMOS晶體管等效為晶體管M2，晶體管Ml和晶體管M2相并聯(lián)。
[0004]然而，在現(xiàn)有技術(shù)中，靜電保護(hù)器件I的布圖設(shè)計(jì)不合理，使得輸出驅(qū)動(dòng)單元受到柵極接地的NMOS晶體管中電流的影響，由于柵極接地的NMOS晶體管中電流不均勻，使得輸出驅(qū)動(dòng)單元被損壞，甚至出現(xiàn)ESD外掛的現(xiàn)象。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型的目的在于，提供一種靜電保護(hù)器件，使得所述靜電保護(hù)器件的電流均勻分布，增加所述靜電保護(hù)器件的過(guò)電流能力。
[0006]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種靜電保護(hù)器件，所述靜電保護(hù)器件包括一個(gè)柵極接地的NMOS晶體管和兩個(gè)分別位于所述柵極接地的NMOS晶體管兩側(cè)的輸出驅(qū)動(dòng)子單元，每個(gè)所述輸出驅(qū)動(dòng)子單元包括2n個(gè)位于一襯底上的第一柵極、多個(gè)位于所述第一柵極兩側(cè)且位于所述襯底中的第一漏極和源極，其中，所述柵極接地的NMOS晶體管分別與相鄰的兩個(gè)所述第一柵極共用一個(gè)所述源極，η為正整數(shù)。
[0007]進(jìn)一步的，所述柵極接地的NMOS晶體管包括位于所述襯底上的兩個(gè)第二柵極、位于兩個(gè)所述第二柵極之間且位于所述襯底中的第二漏極、分別位于兩個(gè)所述第二柵極兩側(cè)的共用的所述源極。
[0008]進(jìn)一步的，兩個(gè)所述第二柵極并聯(lián)后，串聯(lián)一負(fù)載。
[0009]進(jìn)一步的，所述第一漏極、源極、第二漏極均為N型重?fù)诫s。
[0010]進(jìn)一步的，所述第一柵極和第二柵極均為條形，且并排排列。
[0011]進(jìn)一步的，所述第一柵極和非共用的所述源極分別接地。
[0012]進(jìn)一步的，所述襯底的摻雜類(lèi)型為P型襯底。
[0013]進(jìn)一步的，所述襯底中還包括一隔離區(qū)，所述隔離區(qū)包圍所述柵極接地的NMOS晶體管和兩個(gè)所述輸出驅(qū)動(dòng)子單元。
[0014]進(jìn)一步的，所述隔離區(qū)的摻雜類(lèi)型為P型重?fù)诫s。
[0015]進(jìn)一步的，所述隔離區(qū)接地。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型提供的靜電保護(hù)器件具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0017]在本實(shí)用新型提供的靜電保護(hù)器件中，對(duì)所述靜電保護(hù)器件的布圖進(jìn)行設(shè)計(jì)，在一個(gè)柵極接地的NMOS晶體管的兩側(cè)分別設(shè)置兩個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)子單元，每個(gè)所述輸出驅(qū)動(dòng)子單元包括2η個(gè)位于一襯底上的第一柵極、多個(gè)位于所述第一柵極兩側(cè)且位于所述襯底中的第一漏極和源極，其中，所述柵極接地的NMOS晶體管分別與相鄰的兩個(gè)所述第一柵極共用一個(gè)所述源極。在所述靜電保護(hù)器件剛開(kāi)始工作時(shí)，所述柵極接地的NMOS晶體管首先開(kāi)啟，然后使得所述柵極接地的NMOS晶體管兩側(cè)的PN結(jié)由近至遠(yuǎn)依次開(kāi)啟，從而使得所述靜電保護(hù)器件中的電流不會(huì)過(guò)大，從而增加所述靜電保護(hù)器件的過(guò)電流能力。
【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中靜電保護(hù)器件的等效電路圖；
[0019]圖2為本實(shí)用新型一實(shí)施例中靜電保護(hù)器件的俯視圖；
[0020]圖3為圖2沿ΑΑ’線的剖面圖；
[0021]圖4為本實(shí)用新型一實(shí)施例中靜電保護(hù)器件的工作原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面將結(jié)合示意圖對(duì)本實(shí)用新型的靜電保護(hù)器件進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本實(shí)用新型，而仍然實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本實(shí)用新型的限制。
[0023]為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本實(shí)用新型由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開(kāi)發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開(kāi)發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開(kāi)發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)僅僅是常規(guī)工作。
[0024]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本實(shí)用新型。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書(shū)，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。
[0025]本實(shí)用新型的核心思想在于，提供一種靜電保護(hù)器件，所述靜電保護(hù)器件包括一個(gè)柵極接地的NMOS晶體管和兩個(gè)分別位于所述柵極接地的NMOS晶體管兩側(cè)的輸出驅(qū)動(dòng)子單元，每個(gè)所述輸出驅(qū)動(dòng)子單元包括2η個(gè)位于一襯底上的第一柵極、多個(gè)位于所述第一柵極兩側(cè)且位于所述襯底中的第一漏極和源極，其中，所述柵極接地的NMOS晶體管分別與相鄰的兩個(gè)所述第一柵極共用一個(gè)所述源極，η為正整數(shù)。對(duì)所述靜電保護(hù)器件的布圖進(jìn)行設(shè)計(jì)，在一個(gè)柵極接地的NMOS晶體管的兩側(cè)分別設(shè)置兩個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)子單元，在所述靜電保護(hù)器件剛開(kāi)始工作時(shí)，所述柵極接地的NMOS晶體管首先開(kāi)啟，然后使得所述柵極接地的NMOS晶體管兩側(cè)的PN結(jié)由近至遠(yuǎn)依次開(kāi)啟，從而使得所述靜電保護(hù)器件中的電流不會(huì)過(guò)大，從而增加所述靜電保護(hù)器件的過(guò)電流能力。
[0026]以下結(jié)合圖2-圖4說(shuō)明本實(shí)施例中的靜電保護(hù)器件。其中，2為本實(shí)用新型一實(shí)施例中靜電保護(hù)器件的俯視圖；圖3為圖2沿AA’線的剖面圖；圖4為本實(shí)用新型一實(shí)施例中靜電保護(hù)器件的工作原理圖。
[0027]如圖3所示，所述靜電保護(hù)器件10包括一個(gè)柵極接地的NMOS晶體管20和兩個(gè)分別位于所述柵極接地的NMOS晶體管20兩側(cè)的輸出驅(qū)動(dòng)子單元30。每個(gè)所述輸出驅(qū)動(dòng)子單元30包括2η個(gè)位于一襯底100上的第一柵極220、多個(gè)位于所述第一柵極220兩側(cè)且位于所述襯底100中的第一漏極120和源極110、110a，其中，所述柵極接地的NMOS晶體管20分別與相鄰的兩個(gè)所述第一柵極220共用一個(gè)所述源極110a，η為正整數(shù)，在圖2和圖3中，