一種太陽能電池的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及電池技術(shù)領(lǐng)域，更具體的是涉及一種太陽能電池。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的太陽能電池(如圖1，圖2所示)，包括Ag背電極P、A1背場2'、P型硅3'、N+層4'、減反膜5'、Ag正電極6'，A1背場2'、P型硅3'、N+層4'和減反膜5'依次層疊設(shè)置，為了提高太陽電池的效率，人們在電池的正面制作了減反射膜5'，Ag正電極6'由Ag主柵線61'和Ag副柵線62'組成:用Ag制作電極一方面價格比較昂貴，其占太陽能電池成本的10%以上；另一方面Ag的儲存量有限，不利于太陽能電池行業(yè)的長遠發(fā)展；此外，Ag正電極6'的存在會遮掉一部分太陽光子，使得實際到達p-n的光子數(shù)量大大下降，會降低太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。
[0003]因此，如何開發(fā)一種新的正面電極，使其不但可以解決Ag價格高和儲量有限的問題，還可以提升電池轉(zhuǎn)換效率，成為各大研究機構(gòu)和太陽能電池廠研究的熱點。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型的目的就是為了解決現(xiàn)有技術(shù)之不足而提供一種大大降低Ag的消耗量和降低硅片反射率的太陽能電池。
[0005]為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供了一種太陽能電池，包括Ag背電極、A1背場、P型娃、N+層和Ag主柵線，A1背場、P型硅和N+層依次層疊式設(shè)置，Ag背電極印刷在A1背場下表面，所述太陽能電池還包括碳納米管陣列和透明導(dǎo)電薄膜，碳納米管陣列與N+層相接觸，透明導(dǎo)電薄膜層疊在N+層上側(cè)并覆蓋碳納米管陣列，Ag主柵線印刷在透明導(dǎo)電薄膜上。
[0006]作為上述方案的改進，所述碳納米管陣列由若干個碳納米管組成。
[0007]作為上述方案的改進，所述碳納米管的長度為50-100nm，管外徑為30_50nm，管內(nèi)徑為 5-lOnm。
[0008]作為上述方案的改進，所述透明導(dǎo)電薄膜為In203:Sn(IT0)或者Sb:Sn02(AT0)或者 ZnOo
[0009]作為上述方案的改進，所述透明導(dǎo)電薄膜厚度為20-50nm，透光率為92-98 %，電阻率為 1 X 10 7-5 X 10 7 Ω.cm。
[0010]作為上述方案的改進，所述Ag主柵線根數(shù)為2-5根。
[0011]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型不需要減反膜和Ag副柵線，通過設(shè)置碳納米管陣列、透明導(dǎo)電薄膜和Ag主柵線形成復(fù)合正面電極，具有大大降低了 Ag的消耗量，降低了硅片反射率，提高了載流子的收集效率，降低了橫向電阻，大大提高了電池的轉(zhuǎn)換效率的優(yōu)點。
【附圖說明】
[0012]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的太陽能電池結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖2為現(xiàn)有技術(shù)的太陽能電池的俯視圖；
[0014]圖3為本實用新型的一種太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖4為本實用新型的一種太陽能電池的俯視圖。
【具體實施方式】
[0016]如圖3和圖4所示，本實用新型的一種太陽能電池，包括Ag背電極1、A1背場2、P型娃3、N+層4和Ag主柵線7，A1背場2、P型娃3和N+層4依次層疊式設(shè)置，Ag背電極1印刷在A1背場2下表面，太陽能電池還包括碳納米管陣列5和透明導(dǎo)電薄膜6，碳納米管陣列5與N+層4相接觸，透明導(dǎo)電薄膜6層疊在N+層4上側(cè)并覆蓋碳納米管陣列5，Ag主柵線7印刷在透明導(dǎo)電薄膜6上。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型不需要減反膜和Ag副柵線，通過設(shè)置碳納米管陣列5、透明導(dǎo)電薄膜6和Ag主柵線7形成復(fù)合正面電極，具有大大降低了 Ag的消耗量，降低了硅片反射率，提高了載流子的收集效率，降低了橫向電阻，大大提高了電池的轉(zhuǎn)換效率的優(yōu)點。
[0017]碳納米管陣列5由多個碳納米管組成，碳納米管的長度為50_100nm，管外徑為30-50nm，管內(nèi)徑為5-10nm，這種結(jié)構(gòu)具有優(yōu)異的陷光效果。
[0018]透明導(dǎo)電薄膜6可以由In203:Sn(IT0)制成，或者由Sb:Sn02(AT0)制成，或者由ZnO制成；透明導(dǎo)電薄膜厚度為20-50nm，透光率為92-98 %，電阻率為1X10 7-5Χ10 7Ω.cm ο
[0019]Ag主柵線7根數(shù)為2-5根，Ag主柵線7主要是為了收集電流，方便太陽能電池組件焊接。
[0020]以上所述的僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本實用新型的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種太陽能電池，包括Ag背電極、A1背場、P型娃、N+層和Ag主柵線，A1背場、P型硅和N+層依次層疊式設(shè)置，Ag背電極印刷在A1背場下表面，其特征在于:所述太陽能電池還包括碳納米管陣列和透明導(dǎo)電薄膜，碳納米管陣列與N+層相接觸，透明導(dǎo)電薄膜層疊在N+層上側(cè)并覆蓋碳納米管陣列，Ag主柵線印刷在透明導(dǎo)電薄膜上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能電池，其特征在于，所述碳納米管陣列由若干個碳納米管組成。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種太陽能電池，其特征在于，所述碳納米管的長度為50_100nm，管外徑為30_50nm，管內(nèi)徑為5-lOnm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能電池，其特征在于，所述透明導(dǎo)電薄膜為In203:Sn或者Sb:Sn02或者ZnO。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能電池，其特征在于，所述透明導(dǎo)電薄膜厚度為20-50nm，透光率為 92-98 %，電阻率為 1 X 10 7_5 X 10 7 Ω.cm。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種太陽能電池，其特征在于，所述Ag主柵線根數(shù)為2-5根。
【專利摘要】本實用新型公開了一種太陽能電池,包括Ag背電極、Al背場、P型硅、N+層和Ag主柵線,Al背場、P型硅和N+層依次層疊式設(shè)置，Ag背電極印刷在Al背場下表面，所述太陽能電池還包括碳納米管陣列和透明導(dǎo)電薄膜，碳納米管陣列與N+層相接觸，透明導(dǎo)電薄膜層疊在N+層上側(cè)并覆蓋碳納米管陣列，Ag主柵線印刷在透明導(dǎo)電薄膜上。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型不需要減反膜和Ag副柵線，通過設(shè)置碳納米管陣列、透明導(dǎo)電薄膜和Ag主柵線形成復(fù)合正面電極，具有大大降低了Ag的消耗量，降低了硅片反射率，提高了載流子的收集效率，降低了橫向電阻，大大提高了電池的轉(zhuǎn)換效率的優(yōu)點。
【IPC分類】H01L31/0224
【公開號】CN204991722
【申請?zhí)枴緾N201520522364
【發(fā)明人】石強, 秦崇德, 方結(jié)彬, 黃玉平, 何達能, 陳剛
【申請人】廣東愛康太陽能科技有限公司
【公開日】2016年1月20日
【申請日】2015年7月18日