軍用高壓觸發(fā)電纜的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種觸發(fā)電纜，尤其是一種軍用高壓觸發(fā)電纜。
技術(shù)背景
[0002]軍用高壓觸發(fā)電纜用于粒子加速器控制信號的傳輸。導(dǎo)體屏蔽、絕緣、絕緣屏蔽老的工藝要求分兩次擠出，先同時擠包導(dǎo)體屏蔽和絕緣層，然后再在絕緣層外面擠包一層絕緣屏蔽，這種擠出工藝一方面絕緣很容易出現(xiàn)橢圓形，無法滿足絕緣偏心度的要求，容易造成絕緣層與絕緣屏蔽層之間存在空隙，從而造成電纜放電，給電纜運(yùn)行帶來安全隱患。
[0003]中國專利申請?zhí)?CN200920142716.X，公開日2009年12月，公開了一種輕型軍用電線，具有由單根或多根鍍錫銅細(xì)絲絞合成的導(dǎo)電線芯、擠包在導(dǎo)電線芯外的絕緣層以及外護(hù)套層，其特征是絕緣層是以聚醚酰亞胺為材質(zhì)的薄壁層；外護(hù)套層是以聚氨酯為材質(zhì)的薄壁層。本實(shí)用新型能夠具備耐高/低溫、耐濕、耐候、耐老化、薄絕緣、薄護(hù)套以及柔軟等綜合性能，能夠適應(yīng)多種不同的工作環(huán)境，適于作為軍用電纜。但是此技術(shù)方案依然存在絕緣很容易出現(xiàn)橢圓形，無法滿足絕緣偏心度的要求，容易造成絕緣層與絕緣屏蔽層之間存在空隙，從而造成電纜放電，給電纜運(yùn)行帶來安全隱患的問題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明的目的是為解決目前的技術(shù)方案存在絕緣很容易出現(xiàn)橢圓形，無法滿足絕緣偏心度的要求，容易造成絕緣層與絕緣屏蔽層之間存在空隙，從而造成電纜放電，給電纜運(yùn)行帶來安全隱患的問題，提供一種軍用高壓觸發(fā)電纜。
[0005]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種軍用高壓觸發(fā)電纜，包括導(dǎo)體、導(dǎo)體屏蔽層、絕緣層、絕緣屏蔽層、繞包半導(dǎo)電層、銅絲編織屏蔽層和護(hù)套，所述導(dǎo)體屏蔽層設(shè)在所述的導(dǎo)體外側(cè)，所述絕緣層設(shè)在所述的導(dǎo)體屏蔽層外側(cè)，所述絕緣屏蔽層設(shè)在所述絕緣層的外側(cè)，所述繞包半導(dǎo)電層設(shè)在所述絕緣屏蔽層的外側(cè)，所述銅絲編織屏蔽層設(shè)在所述繞包半導(dǎo)電層的外側(cè)，所述護(hù)套設(shè)在所述銅絲編織屏蔽層的外側(cè)，所述導(dǎo)體屏蔽層、絕緣層、絕緣屏蔽層、繞包半導(dǎo)電層、銅絲編織屏蔽層和護(hù)套的厚度和小于導(dǎo)體半徑的2.4倍，導(dǎo)體屏蔽層、絕緣層和絕緣屏蔽層為三層共擠方式獲得的導(dǎo)體屏蔽層、絕緣層和絕緣屏蔽層。一方面導(dǎo)體屏蔽、絕緣、絕緣屏蔽各層厚度得到精準(zhǔn)的控制，滿足了電纜特性阻抗的要求，另一方面確保絕緣層和絕緣屏蔽緊密結(jié)合，消除局部方面的風(fēng)險，為電纜長期正常運(yùn)行提供了保障。采用導(dǎo)體屏蔽、絕緣、絕緣屏蔽三層共擠的擠出方式，并應(yīng)用在線測偏儀對導(dǎo)體屏蔽、絕緣、絕緣屏蔽三層厚度進(jìn)行實(shí)時監(jiān)控，同時在硫化管道內(nèi)充以8-10MPa的氮?dú)?，以確保絕緣圓整度，同時很好的保證絕緣層與絕緣屏蔽層緊密的結(jié)合在一起。
[0006]作為優(yōu)選，所述軍用高壓觸發(fā)電纜為導(dǎo)體直徑在2.5±0.1mm的電纜。
[0007]作為優(yōu)選，導(dǎo)體屏蔽層、絕緣層和絕緣屏蔽層為由三層共擠懸鏈?zhǔn)竭B續(xù)硫化生產(chǎn)線采用三層共擠方式獲得的導(dǎo)體屏蔽層、絕緣層和絕緣屏蔽層。
[0008]作為優(yōu)選，還包括無紡布層，所述無紡布層的外表面與所述護(hù)套內(nèi)側(cè)貼合，所述無紡布層的內(nèi)表面與所述銅絲編織屏蔽層的外表面貼合。
[0009]本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)性效果是:一方面導(dǎo)體屏蔽、絕緣、絕緣屏蔽各層厚度得到精準(zhǔn)的控制，滿足了電纜特性阻抗的要求，另一方面確保絕緣層和絕緣屏蔽緊密結(jié)合，消除局部方面的風(fēng)險，為電纜長期正常運(yùn)行提供了保障。采用導(dǎo)體屏蔽、絕緣、絕緣屏蔽三層共擠的擠出方式，并應(yīng)用在線測偏儀對導(dǎo)體屏蔽、絕緣、絕緣屏蔽三層厚度進(jìn)行實(shí)時監(jiān)控，同時在硫化管道內(nèi)充以8-10MPa的氮?dú)?，以確保絕緣圓整度，同時很好的保證絕緣層與絕緣屏蔽層緊密的結(jié)合在一起。
【附圖說明】
[0010]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011]圖中:1、導(dǎo)體，2、導(dǎo)體屏蔽層，3、絕緣層，4、絕緣屏蔽層，5、繞包半導(dǎo)電層，6、銅絲編織屏蔽層，7、無紡布層，8、護(hù)套。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面通過具體實(shí)施例，并結(jié)合附圖，對本實(shí)用新型的技術(shù)方案作進(jìn)一步的具體說明。
[0013]實(shí)施例:
[0014]—種軍用高壓觸發(fā)電纜，包括導(dǎo)體1、導(dǎo)體屏蔽層2、絕緣層3、絕緣屏蔽層4、繞包半導(dǎo)電層5、銅絲編織屏蔽層6和護(hù)套8，所述導(dǎo)體屏蔽層設(shè)在所述的導(dǎo)體外側(cè)，所述絕緣層設(shè)在所述的導(dǎo)體屏蔽層外側(cè)，所述絕緣屏蔽層設(shè)在所述絕緣層的外側(cè)，所述繞包半導(dǎo)電層設(shè)在所述絕緣屏蔽層的外側(cè)，所述銅絲編織屏蔽層設(shè)在所述繞包半導(dǎo)電層的外側(cè)，所述護(hù)套設(shè)在所述銅絲編織屏蔽層的外側(cè)，所述導(dǎo)體屏蔽層、絕緣層、絕緣屏蔽層、繞包半導(dǎo)電層、銅絲編織屏蔽層和護(hù)套的厚度和小于導(dǎo)體半徑的2.4倍，導(dǎo)體屏蔽層、絕緣層和絕緣屏蔽層為三層共擠方式獲得的導(dǎo)體屏蔽層、絕緣層和絕緣屏蔽層。所述軍用高壓觸發(fā)電纜為導(dǎo)體直徑在2.5±0.1mm的電纜。導(dǎo)體屏蔽層、絕緣層和絕緣屏蔽層為由三層共擠懸鏈?zhǔn)竭B續(xù)硫化生產(chǎn)線采用三層共擠方式獲得的導(dǎo)體屏蔽層、絕緣層和絕緣屏蔽層。還包括無紡布層7，所述無紡布層的外表面與所述護(hù)套內(nèi)側(cè)貼合，所述無紡布層的內(nèi)表面與所述銅絲編織屏蔽層的外表面貼合。
[0015]本實(shí)施例中，一方面導(dǎo)體屏蔽、絕緣、絕緣屏蔽各層厚度得到精準(zhǔn)的控制，滿足了電纜特性阻抗的要求，另一方面確保絕緣層和絕緣屏蔽緊密結(jié)合，消除局部方面的風(fēng)險，為電纜長期正常運(yùn)行提供了保障。采用導(dǎo)體屏蔽、絕緣、絕緣屏蔽三層共擠的擠出方式，并應(yīng)用在線測偏儀對導(dǎo)體屏蔽、絕緣、絕緣屏蔽三層厚度進(jìn)行實(shí)時監(jiān)控，同時在硫化管道內(nèi)充以8-10MPa的氮?dú)猓源_保絕緣圓整度，同時很好的保證絕緣層與絕緣屏蔽層緊密的結(jié)合在一起。
[0016]以上所述的實(shí)施例只是本實(shí)用新型的一種較佳的方案，并非對本實(shí)用新型作任何形式上的限制，在不超出權(quán)利要求所記載的技術(shù)方案的前提下還有其它的變體及改型。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種軍用高壓觸發(fā)電纜，其特征在于:包括導(dǎo)體、導(dǎo)體屏蔽層、絕緣層、絕緣屏蔽層、繞包半導(dǎo)電層、銅絲編織屏蔽層和護(hù)套，所述導(dǎo)體屏蔽層設(shè)在所述的導(dǎo)體外側(cè)，所述絕緣層設(shè)在所述的導(dǎo)體屏蔽層外側(cè)，所述絕緣屏蔽層設(shè)在所述絕緣層的外側(cè)，所述繞包半導(dǎo)電層設(shè)在所述絕緣屏蔽層的外側(cè)，所述銅絲編織屏蔽層設(shè)在所述繞包半導(dǎo)電層的外側(cè)，所述護(hù)套設(shè)在所述銅絲編織屏蔽層的外側(cè)，所述導(dǎo)體屏蔽層、絕緣層、絕緣屏蔽層、繞包半導(dǎo)電層、銅絲編織屏蔽層和護(hù)套的厚度和小于導(dǎo)體半徑的2.4倍，導(dǎo)體屏蔽層、絕緣層和絕緣屏蔽層為三層共擠方式獲得的導(dǎo)體屏蔽層、絕緣層和絕緣屏蔽層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的軍用高壓觸發(fā)電纜，其特征在于:所述軍用高壓觸發(fā)電纜為導(dǎo)體直徑在2.5±0.1mm的電纜。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的軍用高壓觸發(fā)電纜，其特征在于:導(dǎo)體屏蔽層、絕緣層和絕緣屏蔽層為由三層共擠懸鏈?zhǔn)竭B續(xù)硫化生產(chǎn)線采用三層共擠方式獲得的導(dǎo)體屏蔽層、絕緣層和絕緣屏蔽層。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的軍用高壓觸發(fā)電纜，其特征在于:還包括無紡布層，所述無紡布層的外表面與所述護(hù)套內(nèi)側(cè)貼合，所述無紡布層的內(nèi)表面與所述銅絲編織屏蔽層的外表面貼合。
【專利摘要】本實(shí)用涉及一種軍用高壓觸發(fā)電纜，解決了現(xiàn)有技術(shù)的不足，技術(shù)方案為：包括導(dǎo)體、導(dǎo)體屏蔽層、絕緣層、絕緣屏蔽層、繞包半導(dǎo)電層、銅絲編織屏蔽層和護(hù)套，所述導(dǎo)體屏蔽層設(shè)在所述的導(dǎo)體外側(cè)，所述絕緣層設(shè)在所述的導(dǎo)體屏蔽層外側(cè)，所述絕緣屏蔽層設(shè)在所述絕緣層的外側(cè)，所述繞包半導(dǎo)電層設(shè)在所述絕緣屏蔽層的外側(cè)，所述銅絲編織屏蔽層設(shè)在所述繞包半導(dǎo)電層的外側(cè)，所述護(hù)套設(shè)在所述銅絲編織屏蔽層的外側(cè)，所述導(dǎo)體屏蔽層、絕緣層、絕緣屏蔽層、繞包半導(dǎo)電層、銅絲編織屏蔽層和護(hù)套的厚度和小于導(dǎo)體半徑的2.4倍，導(dǎo)體屏蔽層、絕緣層和絕緣屏蔽層為三層共擠方式獲得的導(dǎo)體屏蔽層、絕緣層和絕緣屏蔽層。
【IPC分類】H01B9/02, H01B7/17
【公開號】CN205016295
【申請?zhí)枴緾N201520723800
【發(fā)明人】余德平, 李金堂, 孟益標(biāo), 梁增顯
【申請人】浙江萬馬股份有限公司
【公開日】2016年2月3日
【申請日】2015年9月17日