新型短波發(fā)射機(jī)簾柵薄膜電容的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及短波發(fā)射機(jī)中的電容結(jié)構(gòu)，具體的說是一種新型短波發(fā)射機(jī)簾柵薄膜電容。
【背景技術(shù)】
[0002]目前短波發(fā)射機(jī)使用的簾柵薄膜電容是由撓性覆銅板(雙面覆銅)通過化學(xué)蝕刻根據(jù)實(shí)際需要加工而成的，撓性覆銅板在分別基膜(聚酰亞胺薄膜)的兩面通過膠粘劑覆有一層銅箔。目前的短波發(fā)射機(jī)的簾柵薄膜電容，其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為片狀分散的圓盤形狀，整個(gè)電容的電場不均勻，覆銅部分的尖端設(shè)計(jì)不合理，導(dǎo)致在使用中多次出現(xiàn)基膜的邊緣或膜表面覆銅的邊緣出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象，并且由于現(xiàn)有簾柵薄膜電容所選制作材料的耐壓性不足、耐高溫性能不強(qiáng)、電容量的一致性不好，在使用中出現(xiàn)頻繁擊穿和絕緣層變脆老化以及覆銅表面氧化嚴(yán)重現(xiàn)象，嚴(yán)重影響薄膜電容的使用壽命和穩(wěn)定性。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的是提供一種新型的短波發(fā)射機(jī)簾柵薄膜電容，以解決現(xiàn)有薄膜電容因耐壓性不足、電容量一致性不好等而導(dǎo)致使用過程中容易擊穿的問題。同時(shí)，本發(fā)明還要提供一種新型的短波發(fā)射機(jī)。
[0004]本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0005]—種新型的短波發(fā)射機(jī)簾柵薄膜電容，其整體為環(huán)形結(jié)構(gòu)，包括圓環(huán)形的基膜層和圓環(huán)形的銅箔層，所述基膜層的外圓直徑大于所述銅箔層的外圓直徑，所述基膜層的內(nèi)圓直徑小于所述銅箔層的內(nèi)圓直徑，所述銅箔層附著在所述基膜層的上、下兩面，上層銅箔層的圓心、下層銅箔層的圓心和基膜層的圓心在一條直線上。
[0006]所述的新型的短波發(fā)射機(jī)簾柵薄膜電容，所述基膜層為雙層聚酰亞胺薄膜。
[0007]所述的新型的短波發(fā)射機(jī)簾柵薄膜電容，在所述基膜層上開有若干安裝孔，在對(duì)應(yīng)所述安裝孔的所述銅箔層上開有直徑大于所述安裝孔直徑的隔離孔。
[0008]所述的新型的短波發(fā)射機(jī)簾柵薄膜電容，在所述基膜層的內(nèi)圓邊沿開有凹口，所述凹口進(jìn)入到所述銅箔層的覆蓋區(qū)域，在所述銅箔層上的凹口覆蓋區(qū)域開有大于所述凹口的隔離口，使所述銅箔層的邊沿離開所述基膜層上的凹口，避免穿過凹口的緊固件與銅箔層相接觸。
[0009]本實(shí)用新型選擇電工級(jí)聚酰亞胺薄膜作為絕緣介質(zhì)層，且電容的覆銅部分為整體的結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)使得整個(gè)電容的電場均勻，使用中不容易頻繁擊穿。另外，本新型進(jìn)一步通過將基膜設(shè)計(jì)成雙層形式，可以互相掩蓋單層基膜中的缺陷和疵點(diǎn)，從而使得電容的耐壓和可靠性更有保證。
【附圖說明】
[0010]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例1結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例1半剖結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例2結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例2半剖結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例3結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖中:1、單層基膜，2、銅箔，3、安裝孔，4、凹口，5、膠粘劑，6、雙層基膜，7、隔離孔，
8、隔離口。
【具體實(shí)施方式】
[0016]實(shí)施例1
[0017]如圖1所示，本實(shí)用新型由圓環(huán)形的單層基膜I (電工級(jí)聚酰亞胺薄膜，其厚度為25μπι)以及分別通過膠粘劑5 (如圖2，其厚度為20 μπι)粘貼于單層基膜I (其厚度為35 μm)兩側(cè)的圓環(huán)形銅箔2構(gòu)成；其中，單層基膜I的外圓直徑大于銅箔2的外圓直徑，單層基膜I的內(nèi)圓直徑小于銅箔2的內(nèi)圓直徑。
[0018]本實(shí)施例結(jié)構(gòu)的簾柵薄膜電容適用于DF500A型短波發(fā)射機(jī)。
[0019]實(shí)施例2
[0020]如圖3所示，本實(shí)用新型由圓環(huán)形的雙層基膜6 (電工級(jí)聚酰亞胺薄膜，單層厚度為20 μ m，總厚度為40 μ m)以及分別通過膠粘劑5 (如圖4，其厚度為25 μ m)粘貼于雙層基膜6 (其厚度為40 μπι)兩側(cè)的圓環(huán)形銅箔2構(gòu)成；其中，雙層基膜6的外圓直徑大于銅箔2的外圓直徑，雙層基膜6的內(nèi)圓直徑小于銅箔2的內(nèi)圓直徑；在雙層基膜6上均布有8個(gè)安裝孔3，在銅箔2上與安裝孔3對(duì)應(yīng)的位置開有直徑大于安裝孔3的隔離孔7，以使銅箔2的邊沿離開安裝孔3，避免穿過安裝孔3的緊固件與銅箔2接觸。
[0021]本實(shí)施例結(jié)構(gòu)的簾柵薄膜電容適用于418E/F、DF100A、ΤΒΗ522短波發(fā)射機(jī)。
[0022]實(shí)施例3
[0023]如圖5所示，本實(shí)用新型由單層基膜I (電工級(jí)聚酰亞胺薄膜)以及分別通過膠粘劑粘貼于單層基膜I兩側(cè)的銅箔2構(gòu)成；其中，單層基膜I的外圓直徑大于銅箔2的外圓直徑，單層基膜I的內(nèi)圓直徑小于銅箔2的內(nèi)圓直徑；在單層基膜I的內(nèi)圓邊沿開有凹口 4，凹口 4進(jìn)入到銅箔2的覆蓋區(qū)域，在銅箔2上的凹口覆蓋區(qū)域開有大于凹口 4的隔離口 8，以使銅箔2的邊沿離開單層基膜I上的凹口 4，避免穿過凹口 4的緊固件與銅箔2相接觸。
[0024]本實(shí)施例結(jié)構(gòu)的簾柵薄膜電容適用于420C型短波發(fā)射機(jī)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種新型短波發(fā)射機(jī)簾柵薄膜電容，其特征是，包括圓環(huán)形的基膜層和圓環(huán)形的銅箔層，所述基膜層的外圓直徑大于所述銅箔層的外圓直徑，所述基膜層的內(nèi)圓直徑小于所述銅箔層的內(nèi)圓直徑，所述銅箔層附著在所述基膜層的上、下兩面，上層銅箔層的圓心、下層銅箔層的圓心和基膜層的圓心在一條直線上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型短波發(fā)射機(jī)簾柵薄膜電容，其特征是，所述基膜層為雙層聚酰亞胺薄膜。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的新型短波發(fā)射機(jī)簾柵薄膜電容，其特征是，在所述基膜層上開有若干安裝孔，在對(duì)應(yīng)所述安裝孔的所述銅箔層上開有直徑大于所述安裝孔直徑的隔離孔。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的新型短波發(fā)射機(jī)簾柵薄膜電容，其特征是，在所述基膜層的內(nèi)圓邊沿開有凹口，所述凹口進(jìn)入到所述銅箔層的覆蓋區(qū)域，在所述銅箔層上的凹口覆蓋區(qū)域開有大于所述凹口的隔離口。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種新型短波發(fā)射機(jī)簾柵薄膜電容，其整體為環(huán)形結(jié)構(gòu)，包括圓環(huán)形的基膜層和圓環(huán)形的銅箔層，所述基膜層的外圓直徑大于所述銅箔層的外圓直徑，所述基膜層的內(nèi)圓直徑小于所述銅箔層的內(nèi)圓直徑，所述銅箔層附著在所述基膜層的上、下兩面，上層銅箔層的圓心、下層銅箔層的圓心和基膜層的圓心在一條直線上。本實(shí)用新型選擇電工級(jí)聚酰亞胺薄膜作為絕緣介質(zhì)層，且電容的覆銅部分為整體的結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)使得整個(gè)電容的電場均勻，使用中不容易頻繁擊穿。另外，本新型進(jìn)一步通過將基膜設(shè)計(jì)成雙層形式，可以互相掩蓋單層基膜中的缺陷和疵點(diǎn)，從而使得電容的耐壓和可靠性更有保證。
【IPC分類】H01G4/14, H01G4/33
【公開號(hào)】CN205028788
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520810465
【發(fā)明人】楊志昆, 王榮飛, 高山, 郭興安, 鈕安鵬, 李景華, 燕濟(jì)安, 劉家收, 姚震, 劉清, 劉興舉, 宋巖峰, 張麗霞
【申請(qǐng)人】楊志昆
【公開日】2016年2月10日
【申請(qǐng)日】2015年10月20日