一種oled結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于有機發(fā)光二極管制造技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種0LED結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]目前0LED器件有兩種光出射方式:底發(fā)光和頂發(fā)光。頂發(fā)光0LED相對于底發(fā)光0LED器件有更好的分辨率和色彩飽和度，并且發(fā)光效率高、色域廣、壽命長。但是，頂發(fā)光制作工藝也相對較難。
[0003]對于頂發(fā)光0LED器件而言，陰極對其性能有著至關(guān)重要的影響，而透光性和導電性則是陰極所必須考慮的重要因素。通常，用于陰極的材料(如Mg、Ag、Al等)只有在厚度非常薄的情況下才具有很好的透光性，然而，當陰極層很薄時，陰極的表面電阻會隨膜厚降低而增大，導致AM0LED顯示出現(xiàn)亮度不均勻的問題。因此，薄膜金屬電極厚度決定了器件的透過率和表面電阻，頂發(fā)光AM0LED的陰極需要同時考慮透光性和導電性的問題。
[0004]在0LED器件中封裝后蓋板玻璃由于微量的凸起或凹陷，產(chǎn)生牛頓環(huán)現(xiàn)象，導致色差廣生;
[0005]在器件受到外力的擠壓或沖擊時容易導致器件膜層結(jié)構(gòu)損壞，產(chǎn)生不良。
【實用新型內(nèi)容】
[0006]實用新型目的:本實用新型的目的是為了解決以上現(xiàn)有0LED器件在很薄的情況下電阻值高的不足，提供一種0LED結(jié)構(gòu)。
[0007]技術(shù)方案:本實用新型所述的一種0LED結(jié)構(gòu)，其目的是這樣實現(xiàn)的，
[0008]—種0LED結(jié)構(gòu)，包括基板玻璃和封裝玻璃，所述基板玻璃上間隔地設(shè)有pillar柱，所述Pi 1 lar柱之間的基板玻璃上設(shè)有ΙΤ0陽極層和有機層，在基板玻璃的pi 1 lar柱和有機層上設(shè)有一層連續(xù)的金屬陰極薄膜層，所述封裝玻璃內(nèi)側(cè)面上設(shè)有ΙΤ0輔助陰極層，其特征在于，所述ΙΤ0輔助陰極層上、與基板玻璃上pillar柱對應(yīng)的區(qū)域設(shè)有彈性導電支撐柱，使封裝玻璃上的ΙΤ0輔助陰極層通過彈性導電支撐柱與基板玻璃上金屬陰極薄膜層連接導通。
[0009]所述彈性導電支撐柱為點狀或條狀，均勻分布于封裝玻璃的ΙΤ0輔助陰極層上。
[0010]所述彈性導電支撐柱的材質(zhì)為導電硅膠或摻雜金屬微粒的UV膠、光刻膠等。
[0011]—般的0LED結(jié)構(gòu)上，ΙΤ0輔助陰極層的厚度為100_300nm，在300nm及以上時，其透光率很低，而在lOOnm及以下時，其電阻率增加，導電性能差。本實用新型由于增加了彈性導電支撐柱，所述ΙΤ0輔助陰極層的厚度可以達到30nm，既保證了透光率，也不會影響導電性。
[0012]由于金屬陰極薄膜層、ΙΤ0輔助陰極層和彈性導電支撐柱三者并聯(lián)的關(guān)系，由并聯(lián)電阻的特征可知:三者的總電阻阻值比任何一個單一電阻的阻值都小，ΙΤ0輔助陰極層、彈性導電支撐柱、金屬陰極薄膜層的整體電阻較金屬陰極薄膜層或ΙΤ0輔助陰極層的電阻均要小，在導電性能一致的情況下，ΙΤ0輔助陰極層可以做的更薄。
[0013]有益效果:本實用新型所述的OLED結(jié)構(gòu)，在ΙΤ0輔助陰極層上、與基板玻璃上Pillar柱對應(yīng)的區(qū)域設(shè)彈性導電支撐柱，使基板玻璃上金屬陰極薄膜層通過彈性導電支撐柱與封裝玻璃上的ΙΤ0輔助陰極層連接導通，可以降低ΙΤ0輔助陰極層的厚度，保證透光率；由于基板玻璃和封裝玻璃中間夾著彈性導電支撐柱，防止因封裝后產(chǎn)生的微量凸起或凹陷而導致的牛頓環(huán)現(xiàn)象；并且0LED器件整體的抗外力沖擊或擠壓能力提高。
【附圖說明】
[0014]圖1是本實用新型的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2是本實用新型中彈性導電支撐柱的位置原理圖；
[0016]圖3是本實用新型的制作工藝流程圖。
【具體實施方式】
[0017]為了加深對本實用新型的理解，下面將結(jié)合實施例和附圖對本實用新型作進一步詳述，該實施例僅用于解釋本實用新型，并不構(gòu)成對本實用新型保護范圍的限定。
[0018]參見圖1-2所示，一種0LED結(jié)構(gòu)，包括基板玻璃1和封裝玻璃2，所述基板玻璃1上間隔地設(shè)有Pillar柱3，所述pillar柱3之間的基板玻璃1上設(shè)有ΙΤ0陽極層4和有機層5，在基板玻璃1的pillar柱3和有機層5上設(shè)有一層連續(xù)的金屬陰極薄膜層6，所述封裝玻璃2內(nèi)側(cè)面上設(shè)有ΙΤ0輔助陰極層7，所述ΙΤ0輔助陰極層7上、與基板玻璃1上pillar柱3對應(yīng)的區(qū)域，即圖2中的非像素區(qū)(圖2中，A代表像素區(qū))，設(shè)有彈性導電支撐柱8，使封裝玻璃2上的ΙΤ0輔助陰極層7通過彈性導電支撐柱8與基板玻璃1上金屬陰極薄膜層6連接導通。
[0019]所述彈性導電支撐柱8為點狀或條狀，均勻分布于封裝玻璃2的ΙΤ0輔助陰極層7上。
[0020]所述彈性導電支撐柱8的材質(zhì)為導電硅膠或摻雜金屬微粒的UV膠、光刻膠等。
[0021]工藝步驟:
[0022]①在沉積有pillar柱3和ΙΤ0陽極層4的基板玻璃1上，在像素開口區(qū)用蒸鍍的方式沉積有機層；
[0023]②再在基板玻璃1上蒸鍍沉積金屬陰極薄膜層6 ;
[0024]③在沉積有ΙΤ0輔助陰極層7的封裝玻璃2上涂布導電硅膠，并經(jīng)過光刻去膠后形成彈性導電支撐柱；
[0025]④將基板玻璃和封裝玻璃進行壓合封裝，使基板玻璃1上金屬陰極薄膜層6通過彈性導電支撐柱8與封裝玻璃2上的ΙΤ0輔助陰極層7連接導通。
[0026]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種OLED結(jié)構(gòu)，包括基板玻璃(1)和封裝玻璃(2)，所述基板玻璃(1)上間隔地設(shè)有pillar柱(3)，所述pillar柱(3)之間的基板玻璃⑴上設(shè)有IT0陽極層(4)和有機層(5)，在基板玻璃(1)的pillar柱(3)和有機層(5)上設(shè)有一層連續(xù)的金屬陰極薄膜層(6)，所述封裝玻璃(2)內(nèi)側(cè)面上設(shè)有IT0輔助陰極層(7)，其特征在于，所述IT0輔助陰極層(7)上、與基板玻璃(1)上pillar柱(3)對應(yīng)的區(qū)域設(shè)有彈性導電支撐柱(8)，使封裝玻璃(2)上的IT0輔助陰極層(7)通過彈性導電支撐柱(8)與基板玻璃(1)上金屬陰極薄膜層(6)連接導通。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的0LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述彈性導電支撐柱(8)為點狀或條狀，均勻分布于封裝玻璃(2)的IT0輔助陰極層(7)上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的0LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述IT0輔助陰極層(7)的厚度為30_300nmo
【專利摘要】本實用新型涉及一種OLED結(jié)構(gòu)，包括基板玻璃(1)和封裝玻璃(2)，所述基板玻璃(1)上間隔地設(shè)有pillar柱(3)，所述pillar柱(3)之間的基板玻璃(1)上設(shè)有ITO陽極層(4)和有機層(5)，在基板玻璃(1)的pillar柱(3)和有機層(5)上設(shè)有一層連續(xù)的金屬陰極薄膜層(6)，所述封裝玻璃(2)內(nèi)側(cè)面上設(shè)有ITO輔助陰極層(7)，本實用新型所述的OLED結(jié)構(gòu)，在ITO輔助陰極層上、與基板玻璃上pillar柱對應(yīng)的區(qū)域設(shè)彈性導電支撐柱，使基板玻璃上金屬陰極薄膜層通過彈性導電支撐柱與封裝玻璃上的ITO輔助陰極層連接導通，可以降低ITO輔助陰極層的厚度，保證透光率。
【IPC分類】H01L51/52, H01L51/56
【公開號】CN205092271
【申請?zhí)枴緾N201520794821
【發(fā)明人】錢超, 楊波, 張洪
【申請人】南京高光半導體材料有限公司
【公開日】2016年3月16日
【申請日】2015年10月14日