一種絕緣型模塊封裝結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種模塊封裝結構,具體涉及一種絕緣型模塊封裝結構。
【背景技術】
[0002]現有絕緣型模塊封裝中,尤其是6管腳封裝中,內部存在寄生電感,其會產生額外的開關損耗,致功率損耗增加。器件的損耗主要可以分為開關損耗和導通損耗兩種,其中開關損耗的增加主要是因為內部含一定長度排線時,必然產生的寄生電感所導致的。使寄生電感最小化,可使開關損耗最小化,但是由于封裝結構的限制,對寄生電感的降低是非常有限的。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型的目的是針對現有技術的不足,提供一種損耗低、效率高的絕緣型模塊封裝結構。
[0004]為了實現上述目的,本實用新型采用的技術方案是:
[0005]—種絕緣型模塊封裝結構,包括引線框架,該引線框架上承載有DBC基板,該DBC基板上安裝有芯片;該芯片的柵極、發(fā)射極、開爾文源極分別通過鍵合引線與其相應的連接端口連接,并通過連接端口與其相應的管腳連接,該芯片的集電極通過鍵合引線與其相應的管腳連接;然后通過外殼進行封裝。
[0006]進一步地,所述柵極管腳、發(fā)射極管腳、集電極管腳、開爾文端管腳的厚度為1.5
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[0007]本實用新型的有益效果是:
[0008]本實用新型增加了開爾文端,可以使由內部寄生電感所產生的開關損耗最小化,器件效率可以得到極大提高,也可讓M0SFET(芯片)的導通內阻和IGBT(芯片)的飽和壓降減小,使得器件的導通損耗有所下降;管腳厚度從0.8mm提升到1.5mm,此設計可以極大提升電流容量。同時,可通過不同DBC基板設計和內部結構設計使得產品功能多樣化。特別在8管腳封裝中含有了開爾文端,通過柵極和開爾文端給予控制信號,可使器件效率得到極大提升,在器件工作時,可以將由內部寄生電感所產生的開關損耗降到最低。
【附圖說明】
[0009]圖1為本實用新型的結構示意圖。
[0010]圖2為本實用新型的電路示意圖。
[0011]圖3為現有技術的電路不意圖。
[0012]圖中:1、引線框架2、DBC基板3、芯片G1、柵極管腳G2、柵極管腳E1、發(fā)射極管腳E2、發(fā)射極管腳C1、集電極管腳C2、集電極管腳K1、開爾文端管腳K2、開爾文端管腳B、柵極連接端口 C、開爾文源極連接端口 D、發(fā)射極連接端口。
【具體實施方式】
[0013]如圖所示,本實用新型包括引線框架1,該引線框架上焊接有DBC基板,該DBC即覆銅陶瓷板,其中間層為陶瓷,兩側為覆銅片;陶瓷起絕緣作用,以保證上層覆銅線路與下層銅片及引線框架不導電,DBC上層覆銅片根據電路設計被蝕刻出兩個相同的區(qū)域,分別為第一區(qū)域和第二區(qū)域,兩區(qū)域間被隔開不導通。所述DBC基板的不同區(qū)域上分別焊接有芯片。上述芯片的柵極、開爾文源極、發(fā)射極分別通過鍵合引線與其相應的柵極連接端口 B、開爾文源極連接端口 C、發(fā)射極連接端口 D連接,柵極連接端口 B、開爾文源極連接端口 C、發(fā)射極連接端口 D分別通過鍵合引線與柵極管腳、開爾文源極管腳、發(fā)射極管腳連接;其中,所述柵極連接端口 B、開爾文源極連接端口 C、發(fā)射極連接端口 D之間不導通。所述芯片的集電極通過鍵合引線與集電極管腳連接;然后通過外殼進行封裝。
[0014]如圖3所示,現有6管腳封裝產品工作時,柵極電壓VGE損失存在的原因為VCE=Vge+VLE=Vge+L*di/dt,而本實用新型中的8管腳封裝產品工作時,由于開爾文ΚΙ,K2端的存在,VLE=0,VGE損失減小,使器件效率得到極大提升,在器件工作時,可以將由內部寄生電感所產生的開關損耗降到最低。
【主權項】
1.一種絕緣型模塊封裝結構,其特征在于:包括引線框架,該引線框架上承載有DBC基板,該DBC基板上安裝有芯片;該芯片的柵極、發(fā)射極、開爾文源極分別通過鍵合引線與其相應的連接端口連接,并通過連接端口與其相應的管腳連接,該芯片的集電極通過鍵合引線與其相應的管腳連接;然后通過外殼進行封裝。2.根據權利要求1所述的一種絕緣型模塊封裝結構,其特征在于:所述柵極管腳、發(fā)射極管腳、集電極管腳、開爾文端管腳的厚度為1.5mm。
【專利摘要】本實用新型涉及一種模塊封裝結構,具體涉及一種絕緣型模塊封裝結構,包括引線框架,該引線框架上承載有DBC基板,該DBC基板上安裝有芯片;該芯片的柵極、發(fā)射極、開爾文源極分別通過鍵合引線與其相應的連接端口連接,并通過連接端口與其相應的管腳連接,該芯片的集電極通過鍵合引線與其相應的管腳連接;然后通過外殼進行封裝。本實用新型增加了開爾文端,可以使由內部寄生電感所產生的開關損耗最小化,器件效率可以得到極大提高。
【IPC分類】H01L25/18, H01L23/49
【公開號】CN205104489
【申請?zhí)枴緾N201520936149
【發(fā)明人】金成漢
【申請人】南京晟芯半導體有限公司
【公開日】2016年3月23日
【申請日】2015年11月23日