【具體實施方式】
[0089]以下將對本實用新型的實施例給出詳細的說明。盡管本實用新型將結(jié)合一些【具體實施方式】進行闡述和說明，但需要注意的是本實用新型并不僅僅只局限于這些實施方式。相反，對本實用新型進行的修改或者等同替換，均應涵蓋在本實用新型的權(quán)利要求范圍當中。
[0090]另外，為了更好的說明本實用新型，在下文的【具體實施方式】中給出了眾多的具體細節(jié)。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，沒有這些具體細節(jié)，本實用新型同樣可以實施。在另外一些實例中，對于大家熟知的結(jié)構(gòu)和部件未作詳細描述，以便于凸顯本實用新型的主旨。
[0091]現(xiàn)在將參照附圖來詳細描述本實用新型的示例性實施例。本實用新型各示例性實施例也僅以具有三個端口的帶狀線環(huán)形器為例。然而，本實用新型可以以多種方式實施，且不應解釋為限于在此闡明的實施例。更確切地，提供這些實施例來使得此公開內(nèi)容完全且完整，并向本領(lǐng)域的技術(shù)人員充分傳達本實用新型的范圍。在附圖中，為清楚起見可以夸大形狀和尺寸，并且將自始至終使用相同的附圖標記來指示相同或相似的部件。
[0092]圖1為本實用新型第一實施例的通信器件的立體組合圖。圖2為本實用新型第一實施例的通信器件的立體分解圖。如圖1和圖2所示，本實用新型第一實施例的通信器件la包括:帶狀線環(huán)行器10和集成于帶狀線環(huán)行器10中的耦合件11。在本實施例中，一個環(huán)形器中僅集成一個耦合件，但本實用新型并不以此為限。
[0093]帶狀線環(huán)行器10包括殼體104和殼蓋105。殼體104具有圓環(huán)形的側(cè)壁1041和矩形的底部1042，以在殼體104中形成圓柱形的容納空間1043。殼蓋105通過螺紋與殼體104可拆卸地螺合在一起，罩蓋了容納空間1043。
[0094]殼體104的側(cè)壁1041具有三個開口部1044，但不以此為限。一個開口部1044設有一電阻器1045，電阻器1045的阻值可以是行業(yè)標準的50歐姆，但不以此為限。
[0095]帶狀線環(huán)行器10還包括容置于容納空間1043中的磁性組件和導電聯(lián)結(jié)件103。所述磁性組件包括第一磁性組件101和第二磁性組件102，第一磁性組件101與第二磁性組件102彼此相對設置以產(chǎn)生磁場。
[0096]在本實施例中，第一磁性組件101包括沿朝向?qū)щ娐?lián)結(jié)件103方向依次堆疊的第一永磁鐵1011、第一耐熱隔層1012和第一鐵氧體介質(zhì)1013。避免上下的描述方式第二磁性組件102包括沿背向?qū)蚵?lián)結(jié)件103方向依次堆疊的第二鐵氧體介質(zhì)1021、第二耐熱隔層1022和第二永磁鐵1023。第一鐵氧體介質(zhì)1013與第二鐵氧體介質(zhì)1021共同夾持耦合件11和導電聯(lián)結(jié)件103。由于帶狀線環(huán)行器10工作時的溫度很高，其內(nèi)部的第一磁性組件101和第二磁性組件102都必須是耐高溫材料。其中，第一耐熱隔層1012和第二耐熱隔層1022可以為耐高溫的導電金屬材料，例如:鐵片、軟鋼片或者軟磁盤等等，但不以此為限。第一磁性組件101與第二磁性組件102共同在容納空間1043中形成磁場。可以通過更換不同厚度的第一耐熱隔層1012和第二耐熱隔層1022，來具體改變磁場的強度。第一耐熱隔層1012和/或第二耐熱隔層1022的厚度越厚，則磁場的強度越弱；第一耐熱隔層1012和/或第二耐熱隔層1022的厚度越薄，則磁場的強度越強。
[0097]此外，作為可選實施方式之一，為了避免在殼體104上旋轉(zhuǎn)殼蓋105時候，轉(zhuǎn)動的殼蓋105帶動容納空間1043中的部件(第一磁性組件101、第二磁性組件102、導電聯(lián)結(jié)件103以及耦合件11)偏移，在殼蓋105與第二磁性組件102之間設置一防轉(zhuǎn)定位板106。防轉(zhuǎn)定位板106的外周具有三個不同方向的凸起1061，凸起1061的方向與側(cè)壁1041的三個開口部1044的方向相匹配，使得凸起1061能夠定位卡合于側(cè)壁1041的三個開口部1044中。在殼蓋105旋轉(zhuǎn)時，無法旋轉(zhuǎn)的防轉(zhuǎn)定位板106隔斷了殼蓋105的旋轉(zhuǎn)力向下傳遞。保證容納空間1043中的部件不會發(fā)生偏移。并且，還可以在防轉(zhuǎn)定位板106與磁性組件102之間設置第三耐熱隔層107，更進一步地隔斷殼蓋105的旋轉(zhuǎn)力向下傳遞。
[0098]導電聯(lián)結(jié)件103位于第一磁性組件101和第二磁性組件102之間。圖3為本實用新型第一實施例的通信器件中耦合件與導電聯(lián)結(jié)件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，導電聯(lián)結(jié)件103包括位于磁性組件的外周緣內(nèi)且在磁場范圍內(nèi)的中心導體1031，和自中心導體1031向外延展的三個接線臂1032。
[0099]在本實施例中，三個接線臂1032在圓周方向上均勻分布，即:兩相鄰接線臂1032之間的夾角均為120°。導電聯(lián)結(jié)件103的三個接線臂1032各自從開口部1044中伸出側(cè)壁1041。導電聯(lián)結(jié)件103的接線臂1032的數(shù)量與側(cè)壁1041上開口部1044的數(shù)量與匹配。
[0100]每根接線臂1032包括:一電感線10321、一接觸片10322和至少一電容部10323。電感線10321自中心導體1031向外延展，電感線10321與第一耦合部111耦合。接觸片10322具有第一端和第二端，接觸片10322的第一端連接電感線10321，第二端自開口部1044中伸出側(cè)壁1041。例如:每根接線臂1032可以有一個或者兩個電容部10323連接于接觸片10322的第一端。每根接線臂1032上的電容部10323與接觸片10322相配合，分別卡合于開口部1044的內(nèi)側(cè)，以便更精確地定位導電聯(lián)結(jié)件103，防止導電聯(lián)結(jié)件103位移。導電聯(lián)結(jié)件103和耦合件11均為表面鍍銀的銅片，但不以此為限。
[0101]圖4為圖3中A區(qū)域的放大圖。與現(xiàn)有技術(shù)不同的是，如圖4所示，耦合件11包括在磁場范圍內(nèi)且位于磁性組件101、102的外周緣之內(nèi)的第一耦合部111。本實用新型中的第一耦合部111位于第一磁性組件101與第二磁性組件102之間的空間110內(nèi)，第一耦合部111與一接線臂1032的電感線10321相對置，在第一磁性組件101與第二磁性組件102之間的磁場作用下，第一耦合部111與電感線10321產(chǎn)生耦合作用。以此，通過在帶狀線環(huán)行器10中磁場范圍內(nèi)增設耦合件11，不僅能夠在帶狀線環(huán)行器10中形成一個耦合器，而且，得益于這種高度集成一體化的結(jié)構(gòu)，本實用新型的帶狀線環(huán)行器10與耦合器之間的線路大大簡化、由線路連接引起的損耗大大降低，也減少了連接狀態(tài)下的全反射損耗和插入損耗。
[0102]第一耦合部111可以靠近并且平行于相對置的電感線10321，以便獲得最好的耦合效果，但不以此為限。第一耦合部111也可以以近似平行的方向設置于電感線10321的附近。
[0103]從空間角度來說，第一耦合部111與導電聯(lián)結(jié)件103均位于第一磁性組件101與第二磁性組件102之間的同一平面(如圖3所示)。在本實用新型的基礎上，調(diào)整磁場中耦合件11的第一耦合部111與導電聯(lián)結(jié)件103的位置關(guān)系的技術(shù)方案，也落在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
[0104]本實用新型中，第一耦合部111與相對置的接線臂1032的耦合度為10dB至30dB(分貝，decibel)，可以根據(jù)實際需要來改變兩者的耦合度，不以此為限。第一耦合部111與電感線10321的耦合效果會受到多方面因素的影響，例如:第一耦合部111與電感線10321之間的直線距離D的大小，直線距離D越近，則耦合效果越大；直線距離D越遠，則耦合效果越小?；蛘?，電感線10321的線體的寬度W，電感線10321的寬度W越大，則耦合效果越大；電感線10321的寬度W越小，則耦合效果越小。在本實用新型的基礎上通過改變上述參數(shù)來強化耦合效果的技術(shù)方案，也落在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
[0105]繼續(xù)參考附圖2和圖4所示，耦合件11具有第一端112和第二端113，耦合件11的第一端112和第二端113以及相對置的接線臂1032共同從一開口部1044中伸出側(cè)壁1041。并且，耦合件11的第一端112與相對置的接觸片10322垂直，耦合件11的第二端113與相對置的接觸片10322平行。自開口部1044中伸出的耦合件11的第一端112連接電阻器1045，以便耦合件11與相對置的接線臂1032(見圖3)形成嵌入式的定向耦合器。并且，在安裝過程中，隨著殼蓋105與殼體104旋緊，耦合件11的第一端112會直接接觸電阻器1045，保證電連接。
[0106]耦合件11還可以具有主要位于磁場范圍外的第二耦合部115，第二耦合部115可以形成在耦合件11的第二端113與第一耦合部111之間。第二耦合部115位于磁性組件101、102的外周緣之外，第二耦合部115平行且靠近接觸片10322，在磁場外與接觸片10322產(chǎn)生耦合作用，以進一步增強耦合件11的整體耦合效果。當然，第一耦合部111在磁場內(nèi)形成的耦合作用要大大強于第二耦合部115所能形成的耦合作用。
[0107]圖5為本實用新型第二實施例的通信器件的立體分解圖。圖6為本實用新型第二實施例的通信器件中耦合件與導電聯(lián)結(jié)件的結(jié)構(gòu)示意圖。圖7為圖6中B區(qū)域的放大圖。如圖5至7所示，與第一實施例不同的是，本實用新型第二實施例的通信器件lb中，耦合件11’還可以包括一在磁場范圍內(nèi)